Es un dispositivo npn, en la unin

base-colector posee un diodo de

potencia antes estudiado.
En polarizacin inversa
donde el
colector es positivo y la base es
negativa
el diodo se encuentra
apagado y n- produce el efecto de
bloqueo del campo elctrico del
dispositivo
Para encender el dispositivo necesitamos colocar un nivel de voltaje positivo
entre la base y el emisor, los electrones el emisor fluyen hacia la base en
donde se convierten en portadores minoritarios y como en el colector
tenemos una tensin ms positiva los electrones pueden continuar su
camino hacia el colector
Los electrones que entran a la regin n- producen modulacin de
conductividad y reduce R ON a altas tensiones pero el precio a pagar es que
tenemos carga almacenada por los portadores minoritarios en la regin nque debe ser eliminada para apagar el transistor.
Tenemos dos opciones poner corriente 0 en la base y esperar que las
cargas se recombinen, o eliminar los electrones atreves de la base poniendo
una tensin negativa en la base
Tenemos el circuito alimentado por
un equivalente thevenin en una
primera instancia el voltaje de la
fuente est en negativo por lo que
est apagado y en el punto que
conmuta a positivo el voltaje VBE
crece hasta 0,7V.El transistor se
enciende posee baja tencin VBE y
alta corriente en el colector.
Para apagar el transistor se pone el
voltaje de la base en negativo, para remover las cargas atreves de la base
fluyendo una corriente negativa por la base
El VBE por el tiempo de recuperacin del dido se demora en llegar a su valor
inicial

Se inicia con una corriente en 0 se produce una corriente alta para lograr
crear los portadores minoritarios en la base y producir conduccin y se pone
una corriente IBON ya cuando esta encendido para apagar se debe poner
una corriente grande hasta lograr descargar los electrones por la base y al
final ya cuando est apagado se le pone en 0

tenemos
carga
almacenada en el n- y en
la base a tener grandes corrientes en la base, aumenta la resistencia de la
silicona y aumenta la corriente en el silicio.
Las corrientes del centro son mas grandes que las del centro, ya que en el
centro se unen todas las corrientes que fluyen de emisor a base formando
CONCENTRACION DE CORRIENTES, produce fuga trmica
Otras caractersticas el BJT opera
con una ganancia de corriente
constante B pero a altas se puede
esperar el comportamiento del IC
con relacin a la IB que es una lnea
recta pero a corrientes altas la
pendiente
disminuye
hasta
quedarse sin ganancia y esto no
ocurre con el MOSFET que puede
incrementar

Al conectar dos BJT se multiplican las

ganancias
as
obtenido
mayor
ganancia para aplicacin de alta
potencia
Tenemos un problema al apagar el
circuito al poner un nivel de tensin
negativo en la base emisor de Q1
vamos a quitar los electrones del Q1
pero no vamos a tener efecto en el
Q2 ya que esta desconectado y se va
a recombinar de una manera lenta el Q2.
Para evitar que se corte el camino se coloca un diodo para tener lugar a la
recuperacin de q2 por una corriente inversa en el q2