El Transistor FET

El transistor FET (Electrnica analgica)
Enviado por Jos Duchitanga

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1. Abstract
2. Introduccin
3. Marco terico
4. Zona lineal
5. Ecuaciones del FET
6. Conclusiones
7. Recomendaciones
8. Referencias
9. Anexos
Abstract
The JFET is a device unipolar, since in its operation the majority payees
intervene only. 2 types of JFET exist: of "channel N" and "of channel P.
The physical structure of a JFET (transistor of effect field of union) it consists
on a channel of semiconductor type n or p depending on the type of JFET,
with contacts ohmics in each end, called source and drean. To the sides of
the channel two regions of material semiconductor of different type exist to
the channel, connected to each other, forming the door terminal.
The channel JFET n this polarized inversely by that that practically any
current doesn't enter through the terminal of the door.
The channel JFET p, has an inverse structure to that of channel n; being

therefore necessary their door polarization also inverse regarding that of
channel n.
In the symbol of the device, the arrow indicates the sense of direct
polarization of the union pn.
The current also goes it presents a double dependence the one that is that
the drainage current is proportional to the value of you and the width of the
channel is proportional to the difference between VGS and VP. As you GO it
is limited by the resistance of the channel, as much as adult is VGS - VP,
adult will be the width of the channel and bigger the obtained current.
For the calculate of the JFET the equation called equation of Shockley it is
used
Index Terms: Transistor FET.
1. abstracto
2. Introduccin
3. Marco Terico
4. Zona lineal
5. Ecuaciones del FET
6. Conclusiones
7. Atencin Recomendaciones
8. referencias
9. anexos
Resumen
El JFET es un dispositivo unipolar, ya que en su

funcionamiento los beneficiarios mayora slo intervienen.
Existen 2 tipos de JFET: de "canal N" y "de canal P.
La estructura fsica de un JFET (transistor de efecto de campo

de unin) que consiste en un canal de semiconductor de tipo
n o p en funcin del tipo de JFET, con contactos ohmics en
cada extremo, llamado fuente y Drean. A los lados del canal
existen dos regiones de material semiconductor de tipo
diferente al canal, conectados entre s, formando el terminal
de puerta.
El canal JFET n esta polarizada inversamente por que

prcticamente cualquier corriente que no entra a travs de la
terminal de la puerta.
El canal JFET p, cuenta con una estructura inversa a la de

canal n, siendo por tanto necesaria la polarizacin inversa
puerta tambin sobre el de canal n.
En el smbolo del dispositivo, la flecha indica el sentido de la

polarizacin directa de la unin pn.
La corriente tambin va que presenta un doble dependencia

de la que es que la corriente de drenaje es proporcional al
valor de usted y la anchura del canal es proporcional a la
diferencia entre VGS y VP. A medida que avanza se ve
limitada por la resistencia del canal, tanto como adulto es
VGS - VP, adulto ser el ancho del canal y ms grande la
corriente obtenida.
Para el calculo de la JFET la ecuacin llamada ecuacin de

Shockley se utiliza
Trminos de indexacin: Transistor FET.
Introduccin
El estudio de la electrnica contina con el conocimiento de

los transistores JFET. Para el caso de los transistores de efecto de campo
ms conocidos como JFET la relacin entre las variables de entrada y salida
es no lineal debido a la ecuacin de Shockley.
Para el clculo de stos se usa el mtodo matemtico, adems tambin se
utiliza el mtodo grafico el cual es el ms utilizado.
Destacando que la ecuacin mencionada anteriormente es la misma para
todas las configuraciones de red del JFET siempre y cuando el dispositivo se
encuentre en la regin activa. La red define el nivel de corriente y voltaje
asociado con el punto de operacin mediante su propio conjunto
deecuaciones.
Este tipo de transistor se lo puede configurar de diferentes formas como son
polarizacin con dos fuentes, auto polarizacin; con resistencia de source y
sin ella, y polarizacin con dos fuentes. Adems estos transistores FET
existen de dos tipos que son de tipo n y p, que en su simbologa se lo
reconoce por el signo de la flecha.
OBJETIVOS
Disear, comprobar, simular y calcular el funcionamiento de los

siguientes circuitos de polarizacin con el transistor FET.
Polarizacin con dos fuentes.
Auto polarizacin:
Con resistencia de source.
Sin resistencia de source.
Polarizacin con divisor de tensin.
Polarizacin con fuente doble.
Marco terico
3.1 EL TRANSISTOR FET

El JFET es un dispositivo unipolar, ya que en su funcionamiento slo
intervienen los portadores mayoritarios. Existen 2 tipos de JFET: de "canal N"
y "de canal P".
Figura 1: Smbolos de los transistores JFET, canal N y canal P.

Al comparar el JFET con el TBJ se aprecia que el drenaje (D) es anlogo al
colector, en tanto que el surtidor (S) es anlogo al emisor. Un tercer
contacto, la compuerta (G), es anlogo a la base.
La estructura fsica de un JFET (transistor de efecto campo de unin)
consiste en un canal de semiconductor tipo n o p dependiendo del tipo de
JFET, con contactos hmicos (no rectificadores) en cada extremo, llamados
FUENTE y DRENADOR. A los lados del canal existen dos regiones de material
semiconductor de diferente tipo al canal, conectados entre s, formando el
terminal de PUERTA.
En el caso del JFET de canal N, la unin puerta canal, se encuentra
polarizada en inversa, por lo que prcticamente no entra ninguna corriente
a travs del terminal de la puerta.
El JFET de canal p, tiene una estructura inversa a la de canal n; siendo por
tanto necesaria su polarizacin de puerta tambin inversa respecto al de
canal n.
Los JFET se utilizan preferiblemente a los MOSFET en circuitos discretos.
En el smbolo del dispositivo, la flecha indica el sentido de polarizacin

directa de la unin pn.
3.1.1 PRINCIPIO DE OPERACIN DEL JFET (DE CANAL N).
En la unin pn, al polarizar en inversa la puerta y el canal, una capa del
canal adyacente a la puerta se convierte en no conductora. A esta capa se
le llama zona de carga espacial o deplexin.
Cuanto mayor es la polarizacin inversa, ms gruesa se hace la zona de
deplexin; cuando la zona no conductora ocupa toda la anchura del canal,
se llega al corte del canal. A la tensin necesaria para que la zona de
deplexin ocupe todo el canal se le llama tensin puerta-fuente de corte
(VGSoff Vto). Esta tensin es negativa en los JFET de canal n.
En funcionamiento normal del JFET canal n, D es positivo respecto a S.
La corriente va de D a S a travs del canal.
Como la resistencia del canal depende de la tensin GS, la corriente de
drenador se controla por dicha tensin.
Figura 2: Estados del JFET canal N
Zona lineal
Si en la estructura del transistor de canal n se aplica una tensin VDS mayor

que cero, aparecer una corriente circulando en el sentido del drenaje al
surtidor, corriente que llamaremos ID. El valor de dicha corriente estar
limitado por la resistencia del canal N de conduccin. En este caso pueden
distinguirse dos situaciones, segn sea VDS grande o pequea en
comparacin con VDS.
VALORES PEQUEOS DE VOLTAJE VDS.
La siguiente figura muestra la situacin cuando se polariza la unin GS una
tensin negativa, mientras que se aplica una tensin menor entre D y S.
Por la terminal de puerta (G) no circula ms que la corriente de fuga del

diodo GS, que en una primera aproximacin podemos considerar
despreciable. La corriente ID presenta una doble dependencia:
La corriente ID es directamente proporcional al valor de VDS.
La anchura del canal es proporcional a la diferencia entre VGS y VP.

Como ID est limitada por la resistencia del canal, cuanto mayor sea
VGS - VP, mayor ser la anchura del canal y mayor la corriente
obtenida.
Los dos puntos anteriores se recogen en la siguiente expresin: ID = ( VGS VP )VDS

Por lo tanto en la regin lineal obtenemos una corriente directamente
proporcional a VGS y VDS.
VALORES ALTOS DE VDS.
Para Valores altos de VDS comparables y superiores a VGS, la situacin
cambia con respecto al caso anterior. La resistencia del canal se convierte
en no lineal, y el JFet pierde su comportamiento hmico.
Cuando se aplica un voltaje VDS al canal de 5 volts por ejemplo, ste se
distribuye a lo largo del canal, es decir, en las proximidades del terminal D,
la tensin ser de 5 volts, pero a medio camino circulante la corriente habr
reducido su potencial a la mitad (2,5 V), y en el terminal S el voltaje ser
nulo. Por otra parte, si VGS es negativo (-2 V, por ejemplo), la tensin se
distribuir uniformemente a lo largo de la zona al no existir ninguna
corriente.
En las proximidades del terminal S la tensin inversa aplicada es de 2 V, que
corresponde con la VGS = -2 V. Sin embargo, conforme nos acercamos a D
esta tensin aumenta: en la mitad del canal es de 4.5 V y en D alcanza 7 V.
La polarizacin inversa aplicada al canal no es constante por lo que la
anchura de la zona de deplecin tampoco lo ser. Cuando VDS es pequea,
esta diferencia de anchuras no afecta a la conduccin en el canal, pero
cuando aumenta, la variacin en la seccin de conduccin hace que la
corriente de drenaje sea una funcin no lineal de VDS y que disminuya con
respecto a la obtenida sin tener en cuenta este efecto.
Ecuaciones del FET
El desempeo del Transistor de Efecto de Campo (FET) fue propuesto por W.

Shockley, en 1952. De ah el nombre que rige la ecuacin de este tipo de
transistores; la llamada "ECUACIN DE SHOCKLEY".
ID =
Corriente de Drenaje
IDSS =
Corriente de Drenaje de Saturacin
VGS =
Voltaje Puerta-Fuente
VP =
Voltaje de ruptura o Pinch Voltage.
Id=Idss1-VGSVp2
Figura 3. Recta de carga

3.1.3 CURVAS CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE
CAMPO.
Figura 4. Zona de funcionamiento del FET

LISTA DE MATERIALES.
Materiales
PRECI
O
5 Transistores
FET MPF 102
$ 2.50
12 Resistencias
$ 0.36
total
$ 2.86
Tabla 1. Presupuesto
CLCULOS.
Polarizacin con dos fuentes.
Figura 5. Polarizacin con dos fuentes

DATOS:
Auto polarizacin:
Figura 6. Polarizacin con resistencia de source
DATOS:
Figura 7. Polarizacin sin resistencia de source.

DATOS
Polarizacin con divisor de tensin.
Figura 8. Polarizacin con divisor de tensin

DATOS
Polarizacin con fuente doble.
Figura 9. Polarizacin con doble fuente.

DATOS
SIMULACIONES
En los anexos seccin 11
ANLISIS DE DATOS
Polarizacin con dos fuentes

Medid Simula Calcula
os
dos
dos
VD 12.01
D
V
12 V
12 V
VD
5.68 V 5.97 V
S
6V
VG
-0.75 V -0.73 V
S
-0.73 V
VR
6.3 V
D
ID
3.72
mA
6.02 V
6V
3.54 mA 3.5 mA
Tabla 2. Datos medidos (polarizacin con dos fuentes)
Grafica 1. Relacin entre VDS medido, simulado y calculado
Grafica 2. Relacin entre ID medido, simulado y calculado
Auto polarizacin
Con resistencia de source

os
dos
dos
VD 12.02
D
V
12 V
12 V
VD
5.99 V 5.93 V
S
6V
VG
-1.04 V -0.95 V
S
-1 V
ID
7.59
7.99 mA 7.74 mA
mA
Tabla 3. Datos medidos (auto polarizacin con resistencia de
source)
Sin resistencia de source

os
dos
dos
VD 11.99
D
V
12 V
12 V
VD
6.01 V 6.18 V
S
6V
VG
0V
S
0V
0V
VR
5.98 V 6.17 V
D
ID
13.35
mA
6V
13.4 mA 13 mA
Tabla 4. Datos medidos (auto polarizacin sin resistencia de source)
Con divisor de tensin

Medid Simula Calculad
os
dos
os
VD 19.83
D
V
20 V
VD 10.08
S
V
10.09 V 10 V
VG
-0.69 V -0.53 V
S
ID
3 mA
20 V
-0.58 V
2.98 mA 3 mA
Tabla 5. Datos medidos (con divisor de tensin)
Doble fuente
os
dos
dos
VD 11.98
D
V
12 V
12 V
VD
4.31 V 4.45 V
S
4V
VG
-0.74 V -0.8 V
S
-1 V
VS
-4 V
S
-4 V
ID
2.63
mA
-4 V
2.55 mA 2.65 mA
Tabla 6. Datos medidos (doble fuente)

Anlisis: al tratar de resolver los circuitos con el transistor FET tuvimos que
valernos de resoluciones de ecuaciones para tratar de resolverlos, as como
tambin la imposicin de algunos datos para facilitar los clculos. Los
parmetros fueron tomados de la gua de uso que viene con el FET y
tuvimos que tomar esos datos de los rangos indicados. Tambin cabe decir
que si el punto de trabajo debe estar a la mitad el valor de VDS debe ser
VDD/2, para trabajar a la mitad de la recta de carga.
Conclusiones
Los valores medidos se asemejan a los calculados y simulados, solo con un

pequeo margen de error debido a las resistencias o a las caractersticas del
FET. (Seccin 7-Analsis de Datos).
Se pudo comprobar que la corriente de drain que depende del voltaje gate
source, obedece casi exactamente a la ecuacin de shockley.
Id=Idss1-VGSVp2
Se puede observar que la curva caracterstica a la salida del FET es muy
similar a la de un BJT. (Anexos 11.1)
Puedo decir que para que las mediciones de esta prctica sean aceptables y
tengan el menor nmero de errores en las mismas con respecto a los
clculos tuvimos que ajustar las resistencias lo ms posible a las calculadas
teniendo en algunos casos que poner las resistencias en serie o en paralelo

ya que los valores de las mismas si se alejaban mucho cambian los valores
de corriente y voltaje a rangos que no son aceptables; es decir que para el
Transistor FET funcione correctamente las resistencias deben ser lo ms
exactas posibles.
Los valores de los JFET pueden ser diferentes aunque sean del mismo tipo
por lo que primero tuvimos que obtener los valores reales de Vp y de IDSS.
(Seccin 5-calculos-datos)
CONCLUSIONS
The measured values resemble each other to those calculated and feigned,
alone with a small error margin due to the resistances or to the
characteristics of FET. (Section 7-Analsis of Data).
It could be proven that the drain current that depends on the voltage gate
source, obeys the shockley equation almost exactly.
Id=Idss1-VGSVp2
One can observe that the characteristic curve to the exit of FET is very
similar to that of a BJT. (Annexes 11.1)
I can say that so that the mensurations of this practice are acceptable and
have the smallest number of errors in the same ones with regard to the
calculations we had to adjust the resistances the most possible thing to
those calculated having in some cases that to put the resistances in series
or in parallel since the values of the same ones if they went away a lot they
change the current values and voltage to ranges that are not acceptable;
that is to say that for the Transistor FET works the resistances correctly they
should be the most exact possible.
The values of JFET can be different although they are of the same type for
that that first we had to obtain the real values of Vp and of IDSS. (Section 5calculation-data)
Recomendaciones
Se recomienda utilizar el respectivo datasheet de los FET para verificar sus

caractersticas.
Se recomienda calcular con el IDSS y el Vp real, para que los clculos sean
ms exactos.
Referencias
[1]http://www.worldlingo.com/ma/enwiki/es/Bayesian_probability
[2] http://arantxa.ii.uam.es/~jmoreno/razonamiento/tevidencia.htm
[3] http://www.eumed.net/libros/2008b/405/El%20concepto%20de
%20probabilidad%20subjetiva.htm
[4] http://www.uaq.mx/matematicas/estadisticas/xu4.html
Anexos
SIMULACIONES
Con dos fuentes.
Figura 10. Simulacin con Polarizacin con dos fuentes.
Tabla 7. Simulaciones-Configuracin con 2 fuentes
Figura 11. Recta de carga ingreso x=VGS (V) y=ID (mA)
Figura 12. Recta de carga salida x=VDS (V) y=ID (mA)
Auto polarizacin.
Figura 13. Simulacin con Polarizacin con resistencia de source.
Tabla 8. Simulaciones-Configuracin con resistencia de source
Figura 16. Simulacin con Polarizacin sin resistencia de source.
Tabla 9. Simulaciones-Configuracin sin resistencia de source
Con divisor de tensin.
Figura 19. Simulacin de Polarizacin con divisor de tensin.
Tabla 10. Simulaciones-Configuracin con divisor de tensin
Con doble fuente.
Figura 22. Simulacin de Polarizacin a doble fuente.
Tabla 11. Simulaciones-Configuracin con doble fuente

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Enviado por Jos Duchitanga

The channel JFET p, has an inverse structure to that of channel n; being

5. Ecuaciones del FET

El JFET es un dispositivo unipolar, ya que en su

La estructura fsica de un JFET (transistor de efecto de campo

El canal JFET n esta polarizada inversamente por que

El canal JFET p, cuenta con una estructura inversa a la de

En el smbolo del dispositivo, la flecha indica el sentido de la

La corriente tambin va que presenta un doble dependencia

Para el calculo de la JFET la ecuacin llamada ecuacin de

Trminos de indexacin: Transistor FET.

El estudio de la electrnica contina con el conocimiento de

Disear, comprobar, simular y calcular el funcionamiento de los

Polarizacin con dos fuentes.

Con resistencia de source.

Sin resistencia de source.

Polarizacin con divisor de tensin.

Polarizacin con fuente doble.

3.1 EL TRANSISTOR FET

Figura 1: Smbolos de los transistores JFET, canal N y canal P.

En el smbolo del dispositivo, la flecha indica el sentido de polarizacin

Figura 2: Estados del JFET canal N

Si en la estructura del transistor de canal n se aplica una tensin VDS mayor

Por la terminal de puerta (G) no circula ms que la corriente de fuga del

La corriente ID es directamente proporcional al valor de VDS.

La anchura del canal es proporcional a la diferencia entre VGS y VP.

Los dos puntos anteriores se recogen en la siguiente expresin: ID = ( VGS VP )VDS

Ecuaciones del FET

El desempeo del Transistor de Efecto de Campo (FET) fue propuesto por W.

Corriente de Drenaje de Saturacin

Voltaje de ruptura o Pinch Voltage.

Figura 3. Recta de carga

Figura 4. Zona de funcionamiento del FET

Polarizacin con dos fuentes.

Figura 5. Polarizacin con dos fuentes

Con resistencia de source.

Figura 6. Polarizacin con resistencia de source

Sin resistencia de source.

Figura 7. Polarizacin sin resistencia de source.

Polarizacin con divisor de tensin.

Figura 8. Polarizacin con divisor de tensin

Polarizacin con fuente doble.

Figura 9. Polarizacin con doble fuente.

Polarizacin con dos fuentes

Tabla 2. Datos medidos (polarizacin con dos fuentes)

Grafica 1. Relacin entre VDS medido, simulado y calculado

Grafica 2. Relacin entre ID medido, simulado y calculado

Con resistencia de source

Grafica 3. Relacin entre VDS medido, simulado y calculado

Grafica 4. Relacin entre ID medido, simulado y calculado

Sin resistencia de source

Tabla 4. Datos medidos (auto polarizacin sin resistencia de source)

Grafica 5. Relacin entre VDS medido, simulado y calculado

Grafica 6. Relacin entre ID medido, simulado y calculado

Con divisor de tensin

Tabla 5. Datos medidos (con divisor de tensin)

Grafica 7. Relacin entre VDS medido, simulado y calculado

Grafica 8. Relacin entre ID medido, simulado y calculado

Tabla 6. Datos medidos (doble fuente)

Grafica 9. Relacin entre VDS medido, simulado y calculado

Grafica 10. Relacin entre ID medido, simulado y calculado

Los valores medidos se asemejan a los calculados y simulados, solo con un

teniendo en algunos casos que poner las resistencias en serie o en paralelo