MOSFET Amplificadores

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, BOGOT D.C.
Prctica 8: Transistor MOSFET en circuitos

amplificadores
David Santiago Daza Quiroga dsdazaq@unal.edu.co, Fabian Hernan Villegas Manrique
fahvillegasm@unal.edu.co, Nicolas Moreno Franco jnmorenofr@unal.edu.co
AbstractSignal amplifiers are the basic applications we

have for a MOSFET transistor, thus the need to analyze and
understand how it works as they are critical in more complex
structures. A study conducted in this laboratory report.
Index TermsMOSFET, Zone of saturation, Amplifier, Common source, Common drain, Source follower.
I. INTRODUCCIN
N el presente informe se muestran los resultados
obtenidos durante la prctica de laboratorio en la cual se
realiz la verificacin del comportamiento de algunos tipos
de amplificadores, y el anlisis de los mismos, tambin se
comprueba el comportamiento de una fuente de corriente de
espejo sometido a distintas cargas.
En concreto se estudiar el amplificador de fuente comn y

de drenaje comn, as como la resultante de su combinacin
en serie.
II. MARCO TERICO
Entre los tipos de amplificadores bsicos que tenemos para
dispositivos MOSFET, tenemos el fuente comn y el drenaje
comn o seguidor de fuente.
Figura 2.1.2. Modelo de pequea seal amplificador fuente

comn [2].
De donde tenemos las relaciones:
Av =
Ai =
vout
= gm(go1 ||RD ||RL )
vin
(R1||R2)
Zin
Iout
Av =
gm(go1 ||RD ||RL )
=
Iin
RL
RL
Para esta configuracin se obtienen valores altos de ganancia

(mayor a 1) para la seal de entrada, ya sea de tensin o de
corriente.
B. Amplificador de Drenaje Comn o Seguidor de Voltaje

El esquema general puede verse en la figura 2.2.1.
A. Amplificador de Fuente Comn
Figura 2.2.1. Amplificador seguidor de voltaje [3].

Figura 2.1.1. Amplificador fuente comn [1].
Su modelo de pequea seal puede verse en la figura 2.1.2.
El correspondiente modelo de pequea seal puede verse

en la figura 2.2.2.
Figura 3.2. Circuito 1, Fuente de corriente espejo [5].

Figura 2.2.2. Modelo de pequea seal amplificador seguidor
de voltaje [4].
Posteriormente se realiz el montaje del circuito 2 con

valores para R1 = 12.5M, R2 = 3.7M, RD = 10.2 k,
RS = 600, C1= C2 = CS = 1 F, RL = 10 k, Vipp = 200
mV a una frecuencia de 10 kHz y VDD = 20 V.
III. PROCEDIMIENTO
De acuerdo a clculos previos, para la fuente de corriente
del esquema del circuito 1, se us una resistencia de referencia
de 6.12 k, un valor para VDD = 10V usando del chip
CD4007CN nicamente las compuertas NMOS.
Variando RL desde 0 hasta 10 k, se obtuvo la siguiente
tabla de datos.
TABLA I
IQ2 VS RL CIRCUITO 1
RL[k]
IQ1 [mA] IQ2 [mA]
10
1.05
0.872
9
1.05
0.934
8
1.05
0.988
7
1.05
1.02
6
1.05
1.06
5
1.05
1.1
4
1.05
1.14
3
1.05
1.18
2
1.05
1.23
1
1.05
1.28
0.1
1.05
1.34
Tabla 3.1. Toma de datos.
Y la correspondiente grfica.
Figura 3.1. Variacin de la corriente respecto a RL en el

circuito 1.
Figura 3.3. Circuito 2, Amplificador de fuente comn [6].

Bajo los valores iniciales encontramos una salida V0pp =
1 V, obteniendo una ganancia aproximada Av = 5. Luego
variamos la frecuencia para la seal de entrada con lo cual
obtuvimos la siguiente tabla.
TABLA II
AV VARIANDO FRECUENCIA DE VI
f[KHz]
0,1
1
10
100
500
1000
V0 [mVp] 321.5
479
500
500
500
489,03
V
AV [ V
3,21
4,79
5
5
5
4,93
]
Figura 3.4. Circuito 2, Amplificacin de fuente comn.
Los valores medidos de este circuito son V0pp = 787 mV

con una ganancia de Av = 3.93 V/V.
Igual que en el caso anterior, variamos la frecuencia de la
seal de entrada, cuyos resultados estn consignados en la
siguiente tabla.
Figura 3.5. Transferencia de tensiones.

Inmediatamente se procedi a hacer el montaje del circuito
3 mostrado en la figura 8, con los valores para los componentes
iguales a los del circuito 2 de fuente comn.
f[KHz]
V0 [mV]
AV [ V
]
V
TABLA III
0,1
1
10
100
500
391,02
395
392.55
372.74
329,65
3.91
3,95
3,92
3,72
3,21
1000
329,45
3,21
Finalmente para el montaje del circuito 4 con valores de C1

= C2 = C3 = 1 F, R1 =1k, RD = RS = RL = 220 , R2 =
3 k, VDD = 20 V y Vipp = 400 mV a una frecuencia de 10
kHz se obtuvo una salida V0pp = 162 mV con una ganancia
de Av = 0,405 V/V.
Figura 3.6. Circuito 3, Amplificador de fuente comn

Degenerado [7].
Figura 3.9. Circuito 4, Amplificador de Drenaje comn [8].

Variando la frecuencia en la seal de entrada obtenemos los
valores de la siguiente tabla.
Figura 3.7. Circuito 3, Amplificacin de fuente comn

degenerado.
TABLA IV
f[KHz]
0,1
1
10
100
500
V0 [mVp]
6.7
70.9
79.9
81
81
V
]
AV [ V
0,033
0,355
0,399
0,405
0,405
1000
81
0,405
Figura 3.10. Circuito 4, Amplificacin drenaje comn.
V. PREGUNTAS
A. A qu se debe el hecho de que la resistencia de carga de
las fuentes de corriente deba estar en un rango determinado de
valores, o de lo contrario no se garantizar el funcionamiento
como espejo de corriente?

Finalmente, uniendo los circuitos de fuente comn y drenaje
comn como lo ilustra el esquema del circuito 5, y con los
valores para los elementos ya utilizados, tenemos V0pp = 70
mV con una ganancia de Av = 0,35 V/V.
Al aumentar el valor de la resistencia de carga con valores

muy altos respecto al valor de referencia, la corriente a travs
del transistor disminuye drsticamente afectando la eficiencia
de la fuente de corriente para el valor calculado.
Dado que la resistencia de referencia no es alterada, se
garantiza que los transistores siempre estn en saturacin, por
tanto el aumento de la resistencia de carga hace que la fuente
que alimenta la configuracin no posea la suficiente potencia
para suplir los requerimientos cada vez mayores de corriente
que exige la carga.
Por lo anterior se puede considerar una fuente de corriente
ideal para valores de carga menores a 8 k, en donde la
corriente es constante de 1 mA.
B. Describa la transicin del transistor Q1 (fuentes de corriente en espejo) a travs de las regiones de operacin del
Mosfet, conforme la resistencia RL aumenta desde RL = 0
hasta RL
Figura 3.12. Circuito 5, Amplificacin en cascada.

IV. ANLISIS
El circuito 1, la fuente de corriente, al variar RL como
lo muestra la TABLA 3.1 y la grfica correspondiente, se
deduce que dicha corriente disminuye para valores superiores
para RL a los 8 k, alejndose del valor ideal de 1 mA. Por
tanto RL no debe superar los 8 k.
En el circuito 2 tenemos Zi = R1 || R2, Zi = 2.85 M, Zo
= RL || RD, Zo = 5.05 k.
La tabla de variacin de frecuencias de entrada para el
circuito 3.2 devela que no incide en la ganancia de respuesta
del circuito ya que se mantiene en valores muy estables y
cercanos entre s.
Para el circuito 3 tenemos Zi = R1 || R2, Zi = 2,85 M,
Zo = RL || RD, Zo = 5.05 k.
Los transistores siempre estarn en saturacin por tanto

tendr un comportamiento constante de 1 mA hasta la carga
mxima soportada, en donde empezar a decaer la corriente
con el aumento de la carga.
Lo anterior implica la determinacin previa de valores y
seleccin del transistor en funcin de la corriente esperada y
la carga mxima a soportar.
C. Describa el comportamiento real de los circuitos amplificadores en funcin de la frecuencia de trabajo y explique en
sus propias palabras a que se puede deber este fenmeno
Dada la evidencia encontrada, no podemos inferir variaciones importantes en relacin a la ganancia de los distintos
amplificadores dado por la variacin de la frecuencia de la
seal.
En el circuito 4 tenemos Zi = R1 || R2, Zi = 750 , Zo =

RL || RS, Zo = 110 .
D. Basado en la teora y en los diseos realizados, realice

una breve descripcin de las ventajas, desventajas y posibles
escenarios de aplicacin, para cada una de las cuatro configuraciones de amplificadores trabajadas. Tenga en cuenta
aspectos como ganancia, frecuencia de trabajo y limitaciones
de pequea seal, impedancias de entrada y salida, entre
otros.
Al variar la frecuencia de entrada no se evidencia variacin

en la relacin de ganancia del circuito.
La configuracin de fuente comn ofrece impedancias de

entradas altas y de salidas bajas, y una ganancia alta aunque
la salida est invertida respecto a la seal de entrada.
Finalmente con el circuito 5, como la unin de los circuitos

2 y 4, se encontr que su ganancia de 0,35 V/V.
Los amplificadores de drenaje comn tambin llamados

seguidor de tensin se utilizan generalmente para acoples de
Al variar la frecuencia, de forma semejante al caso

anterior, no se devela incidencia en la variacin de la
ganancia, permaneciendo constante dentro de la gama de
frecuencias.
impedancias.
El circuito combinado ltimo en su fase inicial amplifica
una seal de tensin que en su segunda parte procurar
entregar de la forma ms limpia a travs del drenaje comn.
VI. CONCLUSIONES
La potencialidad de un elemento no radica necesariamente en la complejidad de su funcionalidad, puede ser

una cualidad que logre emerger gracias al ingenio de
quien cree sus posibilidades. Ejemplos claros son la rueda
y los semiconductores; en su sencillez se fundamenta
nuestro pasado, presente y futuro.
En el anlisis de circuitos es prctico y eficiente recurrir
a modelos ideales de comportamiento para los distintos
elementos, sin embargo no hay que olvidar que para
su implementacin real es necesario nuevamente realizar
dichos anlisis con parmetros reales.
Analizar un elemento de un circuito con modelos
matemticos ms precisos (como el diodo) puede ser
complejo, an ms si se combinan varios elementos en
distintas configuraciones, por ello, el uso de un buen
software de simulacin puede ser de gran utilidad, ahorrando esfuerzo, tiempo y evitando el error humano en la
ejecucin lineal de clculos.
VII. REFERENCIAS
[1] Francisco J. Franco P. AMPLIFICADORES DE

ENTRADA SIMPLE [Online]. Pgina: 17. Tomada de:
https://cv3.sim.ucm.es/access/content/group/portal-uatducma43/webs/material_original/apuntes/PDF/04_amplificadores_ent
rada_simple.pdf
rada_simple.pdf
rada_simple.pdf
https://cv3.sim.ucm.es/access/content/group/portal-uatducma43/webs/material_original/apuntes/PDF/04_amplificadores_en
trada_simple.pdf
[5] Jair F. Ladino M. Transistor MOSFET en
circuitos amplificadores [online]. Pgina: 2. Tomada de:
https://drive.google.com/viewerng/viewer?a=v&pid=sites&srci
d=ZGVmYXVsdGRvbWFpbnxlbGVjdHJvbmljYWFuYWx
vZ2F1bmFsfGd4OjE0YmE1NGRhMDYzNDljYjI&u=0


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AbstractSignal amplifiers are the basic applications we

En concreto se estudiar el amplificador de fuente comn y

Figura 2.1.2. Modelo de pequea seal amplificador fuente

Para esta configuracin se obtienen valores altos de ganancia

B. Amplificador de Drenaje Comn o Seguidor de Voltaje

A. Amplificador de Fuente Comn

Figura 2.2.1. Amplificador seguidor de voltaje [3].

El correspondiente modelo de pequea seal puede verse

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Figura 3.2. Circuito 1, Fuente de corriente espejo [5].

Posteriormente se realiz el montaje del circuito 2 con

Figura 3.1. Variacin de la corriente respecto a RL en el

Figura 3.3. Circuito 2, Amplificador de fuente comn [6].

Figura 3.4. Circuito 2, Amplificacin de fuente comn.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, BOGOT D.C.

Los valores medidos de este circuito son V0pp = 787 mV

Figura 3.5. Transferencia de tensiones.

Finalmente para el montaje del circuito 4 con valores de C1

Figura 3.6. Circuito 3, Amplificador de fuente comn

Figura 3.9. Circuito 4, Amplificador de Drenaje comn [8].

Figura 3.7. Circuito 3, Amplificacin de fuente comn

Figura 3.8. Transferencia de tensiones.

Figura 3.10. Circuito 4, Amplificacin drenaje comn.

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Figura 3.11. Transferencia de tensiones.

Al aumentar el valor de la resistencia de carga con valores

Figura 3.12. Circuito 5, Amplificacin en cascada.

Los transistores siempre estarn en saturacin por tanto

En el circuito 4 tenemos Zi = R1 || R2, Zi = 750 , Zo =

D. Basado en la teora y en los diseos realizados, realice

Al variar la frecuencia de entrada no se evidencia variacin

La configuracin de fuente comn ofrece impedancias de

Finalmente con el circuito 5, como la unin de los circuitos

Los amplificadores de drenaje comn tambin llamados

Al variar la frecuencia, de forma semejante al caso

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, BOGOT D.C.

La potencialidad de un elemento no radica necesariamente en la complejidad de su funcionalidad, puede ser

[1] Francisco J. Franco P. AMPLIFICADORES DE

[6] Jair F. Ladino M. Transistor MOSFET en

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