EL - an.CE Incompleta

Eletrnica
Analgica
Conselho Regional do SENAI-CE

Jorge Parente Frota Jnior
Presidente
Ivan Rodrigues Bezerra
Vice-Presidente
Alexandre Pereira Silva
Joo Fernandes Fontenelle
Francisco de Assis Alves de Almeida
Delegados das Atividades Industriais
Hermano Frank Jnior
Jos Fernando Castelo Banco Ponte
Marcos Pinheiro de Oliveira Cavalcante
Suplentes dos Delegados das Atividades Industriais
Samuel Brasileiro Filho
Representante do Ministrio da Educao e Cultura
Franco de Magalhes Neto
Suplente do Ministrio da Educao e Cultura
Alberto Fernandes de Farias Neto
Representante do Ministrio do Trabalho
Jos Nunes Passos
Suplente do Ministrio do Trabalho
Departamento Regional do SENAI-CE

Francisco das Chagas Magalhes
Diretor Regional
Cid Fraga
Gerente do Centro de Formao Profissional Waldyr Diogo de Siqueira
Federao das Industrias do estado do Cear

Servio Nacional de Aprendizagem Industrial
Departamento Regional do Cear
Centro de Formao Profissional
Waldyr Diogo
Eletrnica
Analgica
Fortaleza Cear
2004
2004. SENAI. Departamento Regional do Cear

Qualquer parte desta obra poder ser reproduzida, desde que citada a fonte.
SENAI/CE
Centro de Formao Profissional Waldyr Diogo de Siqueira CFP WDS
Ncleo de Educao Profissional NEP
Este projeto foi elaborado por colaboradores desta unidade de negcios cujos nomes esto
relacionados na folha de crditos.
Ficha Catalogrfica
S474
SENAI. CE. CFP. WDS. Eletrnica Analgica. Fortaleza, 2004. 321p. il
- ELETRICA ANALGICA I TTULO
CDU 621.3
SENAI
Servio Nacional
de Aprendizagem
Industrial
Departamento
Regional do Cear
Av. Francisco S, 7221

Barra do Cear
60.310-003 Fortaleza Cear
Telefax: (85) 485-7888
e-mail: senai-wds@sfiec.org.br
SUMRIO
1 RESISTORES
12
1.1 Caractersticas dos Resistores
12
1.2 Simbologia
14
1.3 Tipos de Resistores
15
1.4 Cdigo de Cores para Resistores
18
1.5 Interpretao de Cdigo
18
2 RESISTORES AJUSTVEIS
20
2.1 Simbologia
20
3 POTENCIMETROS
22
3.1 Funcionamento
22
3.2 Simbologia
22
3.3 Tipos de Potencimetros
23
3.4 Potencimetro de Fio

3.5 Potencimetro de Carbono (Carvo)
2325
28
3.6 Potencimetros com Chave

4 CAPACITOR ARMAZENAMENTO DE CARGAS
29
4.1 Descarga do Capacitor
32
4.2 Capacitncia
33
4.3 Tenso de Trabalho
34
5 TIPOS DE CAPACITORES
36
5.1 Capacitores Fixos Despolarizados
36
5.2 Capacitores Ajustveis
37
5.3 Capacitores Variveis
38
5.4 Capacitores Eletrolticos
38
5.5 Tipos de Capacitores Eletrolticos
41
5.6 Especificao Tcnica dos Capacitores
42
5.7 Apresentao das Caractersticas no Capacitor
42
5.8 cdigo de Cores para Capacitores
43
66 MATERIAIS SEMICONDUTORES
45
6.1 Estrutura Qumica dos Materiais Semicondutores
45
6.2 Dopagem
48
6.3 Cristal N
48
6.4 Cristal P
50
6.5 Influncia da Intensidade de Dopagem no Comportamento dos
53
Materiais Semicondutores
6.6 Influncia da Temperatura na Condutibilidade dos
54
Materiais Semicondutores
7 O DIODO SEMICONDUTOR
56
7.1 Simbologia e Aspecto Real
56
7.2 Formao do Diodo Juno PN
57
7.3 Comportamento dos Cristais aps a Juno
57
7.4 Aplicao de Tenso sobre o Diodo
60
7.5 Caractersticas de Conduo e Bloqueio do Diodo Semicondutor
63
7.6 O Diodo Semicondutor Ideal
64
7.7 O Diodo Semicondutor Real
65
7.8 A Curva Caracterstica do Diodo Real
68
7.9 Regime Mximos do Diodo em CC
71
8 RETIFICAO DE MEIA ONDA
73
8.1 Retificao de Meia Onda com Diodo Semicondutor
73
8.2 Funcionamento
74
8.3 Retificao de Meia Onda com Tenso de Sada Negativa
77
8.4 Tenso de Sada
77
8.5 Corrente de Sada
80
8.6 Inconvenientes da Retificao de Meia Onda
81
8.7 Fonte de Alimentao Meia Onda
82
9 RETIFICAO DE ONDA COMPLETA COM DIODOS
83
SEMICONDUTORES
9.1 Retificao de Onda Completa com Derivao Central
83
9.2 Funcionamento
84
9.3 Tenso e Corrente CC de Sada da Retificao com Derivao
88
Central
91
9.5 Relao entre Freqncia de Entrada e Freqncia de Sada
93
9.6 Retificao de Onda Completa em Ponte
93
9.7 Funcionamento
94
9.8 Tenso e Corrente CC de Sada da Retificao em Ponte
98
9.9 Fonte de Alimentao de Onda Completa
102
10 O FILTRO NAS FONTES DE ALIMENTAO
103
10.1 O Capacitor como Elemento de Filtragem
103
11 A TENSO DE ONDULAO
109
11.1 Fatores que Influenciam na Ondulao
110
11.2 Tenso na Sada nos Circuitos Retificadores com Filtro
113
11.3 Observao da Ondulao com Oscilao
116
11.4 Determinao do Capacitor de Filtro
117
11.5 O Capacitor de Filtro Ideal
119
11.6Tabela de Equao de Circuitos Retificadores
120
12 DIODO EMISSOR DE LUZ
126
12.1 Corrente Direta Nominal (IF)
127
12.2 Tenso Direta Nominal (VF)
127
12.3 Tenso Inversa Mxima (VR)
127
12.4 Led Bicolor
128
12.5 Led Infravermelho
129
12.6 Teste de Diodo Led
129
13 DIODO ZENER
131
13.1 Comportamento do Diodo Zener
131
13.2 Caractersticas do Diodo Zener
133
14 DIODO ZENER COMO REGULADOR DE TENSO
140
14.1 Funcionamento
141
14.2 Conduo Normal
141
14.3 Condies de Regulao
143
14.4 Regulao de Tenso com Tenso de Entrada Varivel
143
14.5 Aumento na Tenso de Entrada
144
14.6 Reduo na Tenso de Entrada
146
14.7 Concluso
148
14.8 Regulao de Tenso com Corrente de Carga Varivel
148
14.9 Aumento na Corrente de Carga
1501
14.10 Diminuio da Corrente de Carga
50
14.11 Regulao de Tenso com Corrente de Carga e Tenso de
151
Entrada Variveis
14.12 Fonte de Alimentao com Tenso de Sada Reguladora a
152
Diodo Zener
15 TRANSISTOR BIPOLAR ESTRUTURA BSICA
154
15.1 Estrutura Bsica
154
15.2 Tipos de Transistores
155
15.3 Terminais do Transistor
155
15.4 Simbologia
156
15.5 Aspecto Real dos Transistores
157
16 AS TENSES NOS TERMINAIS DO TRANSISTOR
159
16.1 As Junes do Transistor e a Polaridade das Tenses nos Terminais
159
16.2 Polarizao Simultnea das Duas Junes
162
17 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR BIPOLAR
166
17.1 A Corrente de Base
167
17.2 A Corrente de Coletor
169
17.3 A Corrente de Emissor
171
17.4 O Controle da Corrente de Base sobre a Corrente de Coletor
172
17.5 Ganho de Corrente de Transistor
174
18 O CIRCUITO DE COLETOR
176
18.1 Relao entre os Parmetros IC, VCE e IB
180
18.2 Relao entre os Parmetros do Transistor
183
19 DISSIPAO DE POTNCIA NO TRANSISTOR
184
19.1 A Dissipao nas Junes
184
19.2 Dissipao Mxima do Transistor
186
19.3 Fatores que Influenciam na Dissipao Mxima
186
19.4 Reduo da Potncia Dissipada em Funo do Aumento
189
de Temperatura Ambiente
19.5 Correntes de Fuga no Transistor
191
19.6 Movimento dos Portadores Minoritrios
193
19.7 Influncia de ICBO na Corrente de Coletor
195
19.8 Disparo Trmico
196
19.9 Influncia da Temperatura na Corrente de Coletor
197
19.10 Silcio Versus Germnio
199
20 CONFIGURAO DE LIGAO DO TRANSISTOR
200
20.1 Curvas Caractersticas na Configurao de Emissor Comum
200
20.2 Caracterstica de Sada do Transistor em Emissor Comum
201
20.3 Aplicao da Caracterstica de Sada em Emissor Comum
203
20.4 Traado da Reta de Carga
204
20.5 Aplicao da Reta de Carga
208
20.6 Ponto de Operao
212
20.7 Influncia do Ponto Quiescente no Circuito
212
20.8 A Escolha do Ponto de Operao
213
20.9 Curva de Dissipao Mxima
217
20.10 A Reta de Carga e a Curva de Dissipao de Potncia mxima
220
21 POLARIZAO DA BASE POR CORRENTE CONSTANTE
223
21.1 Anlise do Circuito de Base
224
21.2 Determinao do Resistor de Base
225
21.3 Estabilidade Trmica dos Circuitos Transistorizados
227
22 REGIES DE OPERAO DE UM TRANSISTOR
230
23 POLARIZAO DE BASE POR DIVISOR DE TENSO
236
23.1 Anlise do Circuito de Coletor
238
23.2 O Circuito de Base
240
24 REGULAO DE TENSO EM FONTES DE ALIMENTAO
242
24.1 Os Circuitos Reguladores
244
24.2 Princpio de Funcionamento
246
24.3 Fonte com Regulador de Tenso em Circuito Integrado
247
24.4 Reguladores de Tenso de Trs Terminais
248
24.5 Estudo do CI 555
258
24.6 O Flip-flop RS
259
260
24.8 Operao Monoestvel
261
24.9 Operao Estvel
264
24.10 Ciclo de Trabalho de uma Forma de Onda
266
25 AMPLIFICADOR OPERACIONAL
267
25.1 Simbologia de um Amplificador Operacional
267
25.2 Os Terminais de Alimentao do A.O.
268
25.3 Os Terminais de Entrada do A.O.
269
25.4 Caractersticas de um A.O.
271
25.5 Impedncia de Entrada
272
25.6 Impedncia de Sada
273
25.7 Ganho de Tenso Diferencial
275
25.8 Tenso de OFFSET de Sada
277
25.9 Rejeio de Modo Comum
278
25.10 Banda de Passagem
281
25.11 O Amplificador Operacional 741
282
25.12 Comparao entre Parmetros
283
25.13 Ajuste de OFFSET de Sada do 741
284
26 CARACTERSTICA DE TRANSFERNCIA DE UM 741
285
26.1 Ampliao da Regio de Operao Linear de um OP AMP
287
27 AMPLIFICADOR INVERSOR
291
27.1 Ganho do Amplificador Inversor
291
27.2 Impedncia de Entrada do Amplificador Inversor
295
27.3 Amplificador No-Inversor
296
27.4 Impedncia de Entrada do Amplificador No-Inversor
296
27.5 Amplificador Seguidor de Tenso
298
27.6 Impedncia do Seguidor de Tenso
299
27.7 Circuitos Aritmticos com AO
299
27.8 Somador com Pesos Diferentes
302
27.9 Circuito Subtrator
302
28 SENSORES
304
28.1 Termistores
314
28.2 Aplicaes dos Termistores
316
Referncias Bibliogrficas
320
1 RESISTORES
Os resistores so componentes utilizados nos circuitos com a finalidade de limitar a
corrente eltrica. A figura 1 mostra alguns resistores.
Fig. 1
Pelo controle da corrente possvel reduzir ou dividir tenses.

1.1 Caractersticas dos Resistores
Os resistores possuem caractersticas eltricas importantes:
a) Resistncia hmica
b) Percentual de Tolerncia
a) Resistncia hmica
o valor especfico de resistncia do componente. Os resistores so fabricados em
valores padronizados, estabelecidos por norma.
Ex: 120, 560, 1500.
b) Percentual de Tolerncia
Os resistores esto sujeitos a diferenas no seu valor que decorrem do processo de
fabricao. Estas diferenas se situam em 5 faixas de percentual:
12
20% de tolerncia
10% de tolerncia
5% de tolerncia
2% de tolerncia
1% de tolerncia
Os resistores com 20%, 10% e 5% de tolerncia so considerados resistores
comuns e os de 2% e 1% so resistores de preciso. Os resistores de preciso so
usados apenas em circuitos onde os valores de resistncia so crticos.
O percentual de tolerncia indica qual a variao de valor que o componente pode
apresentar em relao ao valor padronizado. A diferena no valor pode ser para
mais (+20%) ou para menos (-20%) do valor correto.
A tabela 1 apresenta alguns valores de resistor com o percentual de tolerncia e os
limites entre os quais deve se situar o valor real do componente.
Resistor
% Tolerncia
1000
10%
560
5%
O valor real estar entre

900 e 1100
- 5%
560 x 0,95 = 532
+ 5%
560 x 1,05 = 588
1%
Entre 532 e 588

- 1% 120 x 0,99 = 118,8
+ 1% 120 x 1,01 = 121,2
120
Valor do componente
-10%
1000 x 0,9 = 900
+10% 1000 x 1,1 = 1100
Entre 118,8 e 121,2

330
10%
Entre 297 e 363
18K
20%
Entre 14,4K e 21,6K
13
A tabela 2 apresenta a padronizao de valores para fabricao de resistores em

tolerncia de 5%.
Tabela 2 Srie de Valores E-24
10
11
12
13 15
16
18
20
22
24
27
30
33
36 39
43
47
51
56
62
68
75 82
91
Encontram-se ainda resistores com os valores da tabela 2 multiplicados por 0,1; 10;
100; 1000; 10000; 100000. Exemplos: 1,1; 180; 2700; 36K; 56K; 9,1M.
Pela tabela observa-se que os valores padronizados acrescidos das tolerncias
permitem que se obtenha qualquer valor de resistncia desejada.
Tomando 3 valores consecutivos da tabela, tm-se:
100
- 10% = 90
+10% = 110
120
- 10% = 108
+10% = 132
150
- 10% = 135
+10% = 165
1.2 Simbologia
A figura 2 mostra os smbolos utilizados para representao dos resistores indicando
o smbolo oficial que deve ser utilizado no Brasil, segundo a norma ABNT.
Fig. 2
14
As caractersticas especficas dos resistores em um diagrama aparecem ao lado do

smbolo ou no seu interior (fig. 3 e 4).
Fig.3
Fig. 4
1.3 Tipos de Resistores

Existem trs tipos de resistores quanto constituio:
a resistores de filme de carbono
b resistores de carvo
c resistores de fio
Cada um dos tipos tem, de acordo com sua constituio, caractersticas que o
tornam mais adequado que os outros tipos em sua classe de aplicao.
A seguir, so apresentados os processos bsicos de fabricao e aplicao do
componente.
a) Resistor de filme de carbono (Baixa Potncia)
O resistor de filme de carbono, tambm conhecido
como resistor de pelcula, constitudo por um
corpo cilndrico de cermica que serve de base
para a fabricao do componente (fig. 5).
Fig. 5
15
Sobre o corpo depositada uma fina

camada em espiral, de material resistivo
(filme de carbono) que determina o valor
hmico do resistor (fig, 6).
Fig. 6
Os terminais (lides de conexo) so colocados nas extremidades do corpo em

contato com a camada de carbono.
Os terminais possibilitam a ligao do elemento ao circuito (fig. 7).
Fig. 7
O corpo do resistor pronto recebe um revestimento que d acabamento na

fabricao e isola o filme de carbono da ao da umidade.
A figura 8 apresenta um resistor pronto, em

corte, aparecendo a conexo dos terminais e
o filme resistivo.
Fig. 8
As caractersticas fundamentais do resistor de filme de carbono so a preciso e a

estabilidade do valor resistivo.
b) Resistores de carvo (Mdia potncia)
O resistor de carvo constitudo por um corpo cilndrico de porcelana.
No interior da porcelana so comprimidas partculas de carvo que definem a
resistncia do componente (fig. 9).
16
Partculas de carvo
Fig. 9
Com maior concentrao de partculas de carvo o valor resistivo do componente

reduzido.
Apresentam tamanhos fsicos reduzidos. Os valores de dissipao e resistncia no
so precisos. Podem ser usados em qualquer tipo de circuito.
c) Resistores de fio (Mdia Alta potncia)
Constitui-se de um corpo de porcelana ou cermica que serve como base.
Sobre o corpo enrolado um fio especial (por exemplo: nquel-cromo) cujo
comprimento e seo determinam o valor do resistor.
A figura 10 apresenta um resistor de
fio em corte. Nela aparecem os
terminais, o fio enrolado e a camada
externa de proteo do resistor.
Fig. 10
Os resistores de fio tm capacidade para trabalhar com maior valores de corrente.

Este tipo de resistor produz, normalmente uma grande quantidade de calor quando
em funcionamento.
Para facilitar o resfriamento nos resistores que produzem grandes quantidades de
calor, o corpo de porcelana macio substitudo por um tubo de porcelana (fig. 11 e
12).
17
Fig. 11
Fig. 12
Resistores que dissipam grande quantidade de calor so

constitudos sobre um tubo oco de porcelana para facilitar o
resfriamento.
1.4 Cdigo de Cores para Resistores

O valor hmico dos resistores e sua tolerncia podem ser impressos no corpo do
componente, atravs de anis coloridos (fig. 13).
Fig. 13
A cor de cada anel e sua posio com relao aos demais anis, corretamente
interpretada fornece dados sobre o valor do componente.
A disposio das cores em forma de anis possibilita que o valor do componente
possa ser lido de qualquer posio.
1.5 Interpretao de Cdigo
O cdigo se compe de trs cores usadas para representar o valor hmico, e uma
para representar o percentual de tolerncia.
18
Para a interpretao correta dos valores de resistncia e tolerncia do resistor, os

anis tem que ser lidos em uma seqncia correta.
O primeiro anel colorido a ser lido aquele que est mais prximo da extremidade
do componente. Seguem na ordem: 2, 3 e 4 anis coloridos (fig. 14).
Fig. 14
Os trs primeiros anis coloridos (1, 2 e 3) representam o valor do resistor. O 4

anel representa o percentual de tolerncia (fig. 15).
Indicam o valor da resistncia

do resistor em OHMS ()
(Mais afastado) indica a tolerncia

Fig. 15
A tabela a seguir apresenta o cdigo de cores completo:

Cor
Preto
Marrom
Vermelho
Laranja
Amarelo
Verde
Azul
Violeta
Cinza
Branco
Ouro
Prata
Sem cor
Dgitos Significativos
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
-
Multiplicador
1 x
10 x
100 x
1000 x
10000 x
100000 x
1000000 x
0,1 x
0,01 x
-
Tolerncia
1%
2%
0,5%
0,25%
0,1%
5%
10%
20%
19
2 RESISTORES AJUSTVEIS
So resistores cujo valor de resistncia pode ser ajustado, dentro de uma faixa prdefinida.
A figura 1 mostra alguns resistores ajustveis.
Fig. 1
Estes tipos de resistores so utilizados em circuitos que exijam calibrao.

Existem dois tipos de resistores ajustveis:
-
Resistor ajustvel de fio (fig. 2)
Trimpot (fig. 3)
Fig. 2
Fig. 3
2.1 Simbologia
Os resistores ajustveis so representados pelos smbolos apresentados na figura
22. O smbolo normalizado est indicado (ABNT).
20
Fig. 22
ABNT
Nos esquemas, o valor hmico que aparece ao lado do smbolo dos resistores
ajustveis corresponde resistncia entre os terminais extremos (valor mximo).
21
3 POTENCIMETROS
So resistores com derivao que permite a variao do valor resistivo pelo
movimento de um eixo (fig.23).
Fig. 23
So usados nos equipamentos para permitir a mudana do regime de operao.

Exemplos: Potencimetro de volume permite o aumento ou
diminuio do nvel de intensidade do som.
Potencimetro de brilho permite o controle da
luminosidade das imagens.
3.1 Funcionamento
Entre os dois terminais extremos o potencimetro um resistor comum. Sobre este
resistor desliza um 3 terminal chamado de cursor que permite utilizar apenas uma
parte da resistncia total do componente (de um extremo at o cursor).
A figura 24 mostra um potencimetro, indicando o

movimento do eixo para variao da resistncia.
3.2 Simbologia
A figura 25 mostra os smbolos utilizados para representar os potencimetro,
salientando o smbolo normalizado pela ABNT.
22
Fig. 25
A diferena entre os smbolos dos resistores ajustveis e potencimetros aparece na

ponta da diagonal.
Os componentes cujo valor est sujeito modificao constante (potencimetros
usados no controle de volume, por exemplo) so denominados de variveis. Nos
seus smbolos aparece uma seta na ponta da diagonal.
Os componentes, cujo valor ajustado na calibrao e no sofre mais alterao, so
chamados de ajustveis. O resistor ajustvel um exemplo caracterstico deste tipo
de componentes.
3.3 Tipos de Potencimetros
Existem dois tipos de potencimetros:
- De fio
- De carbono
Linear
Logartmico
3.4 Potencimetro de Fio

Sobre uma tira de fibra isolante em forma de anel so enroladas vrias espiras de fio
especial (com resistividade elevada). Fixam-se terminais nas extremidades da fibra e
as pontas do fio, formando um resistor (fig. 26).
23
Fibra isolante
Espira de fio
Sobre o topo da fibra corre o contato mvel do cursor, que ligado mecanicamente
ao eixo do componente. O cursor ligado ao terminal do potencimetro (fig. 27).
Contato deslizante
Eixo rotativo
Terminal ligado ao contato mvel
Terminais externos
Espiras de fio
Fig. 27
Os potencimetros de fio para circuito so encontrados em valores de at 22K de

resistncia em potncias de dissipao de at 4W.
Nos potencimetros de fio a resistncia entre o cursor e os extremos varia
uniformemente com o movimento do eixo.
Se o eixo foi movimentado at a metade
do curso total, a resistncia entre o cursor
e os extremos a metade da resistncia
total (fig. 28).
Fig. 28
24
Se o cursor foi movimentado 1/4 do curso total em relao a um extremo, a

resistncia entre este extremo e o cursor 1/4 da resistncia total.
Entre o outro extremo e o cursor haver 3/4 da resistncia (fig. 29).
Fig. 29
Componentes com esta caracterstica so chamados de LINEARES. Portanto os

potencimetros de fio so sempre lineares.
POTENCIMETROS LINEARES
Variao da resistncia proporcional ao

movimento do eixo.
3.5 Potencimetro de Carbono (Carvo)

So semelhantes aos potencimetros de fio na sua construo. Diferem apenas em
um aspecto:
Nos potencimetros de carvo as espiras de fio especial (do potencimetro de fio)
so substitudas por uma camada de carbono que depositada sobre uma pista de
material isolante (fig.30).
Cobertura
Contato deslizante
Elemento resistivo (carvo)

Eixo Rotativo
Terminais externos
Terminal ligado ao
contato mvel
Fig. 30
25
Os potencimetros de carbono podem ser lineares ou logartmicos.

Os potencimetros de carvo lineares so semelhantes aos de fio.
A variao da resistncia entre um extremo e o cursor proporcional ao movimento
do eixo:
Posio do cursor
Resistncia entre um extremo e o cursor
Metade do curso total
Metade da resistncia total
1/3 do curso total
1/3 da resistncia total
3/4 do curso total
3/4 da resistncia total
A variao da resistncia dos potencimetros lineares em relao posio do

cursor se apresenta conforme o grfico da figura 31.
ngulo de
rotao do
eixo
Fig. 31
Resistncia entre o
cursor e o extremo de
referncia
Os potencimetros de carvo logartmicos se comportam de forma diferente, com

respeito relao entre a posio do cursor e a resistncia.
26
Quando se inicia o movimento do cursor, a resistncia sofre uma pequena variao.

medida que o cursor vai sendo movimentado, a variao na resistncia torna-se
cada vez maior.
A variao da resistncia entre um extremo e o cursor desproporcional ao
movimento do eixo:
Posio do cursor
Resistncia entre um extremo e cursor
1/4 do curso total
_1__ da resistncia total

20
1/2 do curso total
_1_ da resistncia total

5
3/4 do curso total
_1_ da resistncia total

2,5
O grfico da figura 32 mostra como a resistncia varia com relao posio do eixo
nos potencimetros logartmicos.
ngulo de
rotao do
eixo
Metade do
curso total
Fig. 32
Pequena
variao
resistiva
Resistncia entre
o cursor e o
extremo
de
27
3.6 Potencimetros com Chave

Em algumas ocasies utiliza-se o potencimetro para controle de volumes e ligao
do
aparelho.
Para cumprir esta finalidade so fabricados
potencimetros
logartmicos com uma chave presa ao eixo.
figura
33
apresenta
um
potencimetro
logartmico com chave.
28
4 CAPACITOR ARMAZENAMENTO DE CARGAS

O capacitor um componente capaz de armazenar cargas eltricas, sendo
largamente empregado nos circuitos eletrnicos.
Um capacitor se compe basicamente de

duas
placas
denominadas
de
de
material
condutor,
armaduras,
isoladas
Armaduras
eletricamente entre si por um material

Fig. 1
isolante chamado dieltrico (fig.1).
dieltrico
O material condutor que compe as armaduras de um capacitor eletricamente

neutro no seu estado natural.
Potenciais eltricos nulos
Em cada uma das armaduras o nmero total de

prtons e eltrons igual, portanto as placas no
tm potencial eltrico (fig. 2).
No existindo potencial eltrico em cada

uma das armaduras, no h diferena de
potencial ou tenso entre elas (fig. 3).
Fig. 3
29
OBSERVAO:
O fenmeno de armazenamento de cargas pelo capacitor pode ser compreendido
mais facilmente analisando o movimento de eltrons no circuito.
Por esta razo ser utilizado o sentido eletrnico da corrente eltrica no
desenvolvimento do assunto.
Conectando-se os terminais do capacitor a uma fonte de CC, o capacitor fica sujeito
diferena de potencial dos plos da fonte.
O potencial da bateria aplicado a cada uma das armaduras faz surgir entre elas uma
fora chamada de CAMPO ELTRICO, que nada mais do que uma fora de
atrao (cargas de sinal diferente) ou repulso (cargas de mesmo sinal) entre cargas
eltricas.
O plo positivo da fonte absorve eltrons da

armadura a qual est conectado enquanto o
plo
negativo
fornece
eltrons
outra
armadura (fig. 4).

Fig. 4
A armadura que fornece eltrons fonte fica

com ons positivos, adquirindo um potencial
positivo, e a armadura que recebe eltrons
da fonte fica com ons negativos, adquirindo
potencial negativo (fig. 5).
Fig. 5
30
Isto significa que ao conectar o capacitor a uma fonte de CC surge uma diferena de
potencial entre as suas armaduras.
A tenso presente nas armaduras do capacitor ter um valor to prximo ao da
tenso da fonte que, para efeitos prticos, pode-se considerar iguais (fig. 6).
Fig. 6
Um capacitor conectado diretamente a uma fonte de alimentao

apresenta entre suas armaduras uma tenso que pode ser considerada
igual a da fonte.
Quando o capacitor assume a mesma tenso da fonte de alimentao diz-se que o

capacitor est carregado.
Se, aps ter sido carregado, o capacitor for desconectado da fonte de CC suas
armaduras permanecem com os potenciais adquiridos (fig. 7).
Fig. 7
31
Isto significa dizer que, mesmo aps ter sido desconectado da fonte de CC, ainda
existe tenso presente entre as placas do capacitor.
Resumindo, pode-se dizer que: quando um capacitor conectado a uma fonte de
CC, ainda absorve energia desta fonte, armazenando cargas eltricas (ons positivos
e negativos) nas suas armaduras.
Esta capacidade de absorver e manter a energia em suas armaduras na forma de
cargas eltricas que define o capacitor como sendo um armazenador de cargas
eltricas.
A energia armazenada no capacitor na forma de desequilbrio eltrico entre suas
armaduras pode ser reaproveitada.
4.1 Descarga do Capacitor
Tomando-se um capacitor carregado e conectando seus terminais a uma carga
haver uma circulao de corrente, pois o capacitor atua como fonte de tenso (fig.
8).
resistor
Fig. 8
Isto se deve ao fato de que atravs do circuito fechado inicia-se o restabelecimento

do equilbrio eltrico entre as armaduras.
Os eltrons em excesso em uma das armaduras se movimentam para a outra onde
h falta de eltrons, at que se restabelea o equilbrio de potencial entre elas (fig.
9).
32
Fig. 9
Capacitor em descarga
Capacitor carregado
Capacitor descarregado
Durante o tempo em que o capacitor se descarrega, a tenso entre suas armaduras

diminui, porque o nmero de ons restantes em cada armadura cada vez menor.
Ao fim de algum tempo a tenso entre as armaduras to pequena que pode ser
considerada zero.
Quando um capacitor est em descarga, a tenso, entre suas
armaduras diminui at praticamente zero.
4.2 Capacitncia
A capacidade de armazenamento de cargas de um capacitor depende de alguns
fatores:
33
- da rea das armaduras:

Quanto maior a rea das armaduras, maior a capacidade de armazenamento de um
capacitor.
- da espessura do dieltrico:
Quanto mais fino o dieltrico, mais prximo esto s armaduras. O campo eltrico
formado entre as armaduras maior e a capacidade de armazenamento tambm.
- da natureza do dieltrico:
Quanto maior a capacidade de isolao do dieltrico, maior a capacidade de
armazenamento do capacitor.
A capacidade de um capacitor de armazenar cargas denominada de capacitncia.
MAIOR
MAIOR
CAPACITNCIA
ARMAZENAMENTO DE CARGAS
CAPACIDADE
DE
A unidade de medida de capacidade o FARAD representado pela letra F

entretanto, a unidade FARAD extremamente grande, o que leva ao uso de
submltiplos dessa unidade.
4.3 Tenso de Trabalho
Alm da capacitncia os capacitores tm ainda outra caracterstica eltrica
importante: a tenso de trabalho.
A tenso de trabalho a mxima que o capacitor pode suportar entre as suas
armaduras. A aplicao de uma tenso no capacitor superior a sua tenso de
trabalho mxima, pode provocar o rompimento do dieltrico fazendo com que o
capacitor entre em curto, perdendo as suas caractersticas.
34
Na maioria dos capacitores o rompimento do dieltrico danifica permanentemente o

componente.
Deve-se tomar o cuidado de utilizar sempre capacitores com

tenso de trabalho superior ao valor que o componente ir
trabalhar realmente.
35
5 TIPOS DE CAPACITORES
Atualmente encontra-se no mercado um grande nmero de tipos de capacitores,
empregando os mais diversos materiais.
Estes capacitores podem ser resumidos em quatro tipos bsicos:
-
Capacitores fixos despolarizados;
Capacitores ajustveis;
Capacitores variveis;
Capacitores eletrolticos.
A figura 11 mostra alguns capacitores na sua forma real.
Fig. 11
5.1 Capacitores fixos despolarizados

Apresentam um valor de capacitncia especfico, que no pode
ser alterado. A figura 12 mostra o smbolo usado para
representar os capacitores fixos despolarizados.
Fig. 12
Existem diversos tipos de capacitores fixos. Entre eles citam-se, por exemplo:
-
Capacitor de stiroflex (fig.13);
Capacitor de cermica (fig.14);
Capacitor de polister (fig.15).

36
Fig. 13
Fig. 14
Fig. 15
Estes capacitores se caracterizam por serem despolarizados, ou seja, qualquer uma

das suas armaduras pode ser ligada tanto a potenciais positivos como negativos.
Capacitores despolarizados no tem polaridade

especificada para ligao.
Alguns capacitores fixos podem apresentar-se em verso com os dois terminais nas
extremidades (axial) ou com dois terminais no mesmo lado do corpo (radial) (fig. 16
e 17).
Fig. 16
Fig. 17
De acordo com a necessidade de montagem pode-se utilizar um ou outro tipo.

5.2 Capacitores Ajustveis
So utilizados nos pontos de calibrao dos circuitos (fig. 18 e 19).
Fig. 18
Fig. 19
37
Apresentam valor de capacitncia ajustvel dentro de certos limites, por exemplo,

10pF a 30pF.
5.3 Capacitores Variveis
So utilizados em locais onde a capacitncia constantemente modificada. As
figuras 20 e 21 mostram um capacitor varivel e o seu smbolo.
Fig. 20
Fig. 21
5.4 Capacitores Eletrolticos

Os capacitores eletrolticos so capacitores fixos cujo processo de fabricao
permite a obteno de altos valores de capacitncia com pequeno volume.
A figura 24 permite uma comparao entre as dimenses de um capacitor eletroltico
e um no eletroltico de mesmo valor.
No eletroltico
Fig. 24
Eletroltico
O fator que diferencia os capacitores eletrolticos dos demais capacitores fixos o

dieltrico.
Nos capacitores fixos comuns o dieltrico de papel, mica ou cermica. O dieltrico
dos capacitores eletrolticos um preparado qumico chamado de eletrlito que
oxida pela aplicao de tenso eltrica, isolando uma armadura da outra.
38
A utilizao do eletrlito permite a reduo da distncia entre as armaduras a valores

mnimos, o que possibilita a obteno de maiores valores de capacitncia (desde
1F at os valores maiores que 20000F).
O capacitor selado em um invlucro de alumnio que isola as armaduras e o
eletrlito da ao da umidade.
DESVANTAGENS DO CAPACITOR ELETROLTICO
Os capacitores apresentam algumas desvantagens que so decorrentes do seu
processo de fabricao:
,
a) Polaridade;
b) Alterao de capacitncia;
c) Tolerncia.
a) Polaridade: A utilizao do dieltrico qumico (eletrlito) nos capacitores

eletrolticos apresenta algumas desvantagens. A formao da camada de xido
entre as placas depende da aplicao de tenso nas armaduras, com polaridade
correta.
A ligao de polaridades incorretas sobre as armaduras do capacitor provoca a
destruio do eletrlito, permitindo a circulao de corrente entre as armaduras.
O capacitor sofre um processo de aquecimento que faz o eletrlito ferver, podendo
inclusive provocar uma exploso do componente devido formao de gases no
seu interior.
Os capacitores eletrolticos polarizados so utilizados apenas em
circuitos alimentados por corrente contnua. Nos circuitos de corrente
alternada a troca de polaridade da tenso danifica o componente.
39
O smbolo dos capacitores eletrolticos expressa a polaridade das

armaduras (fig.25).
No componente a polaridade expressa de duas formas:
Fig. 25
- por um chanfro na carcaa, que indica o

terminal positivo (fig. 26).
Fig. 26
Terminal positivo
- por sinais de + impressos no corpo (fig. 27)
Fig. 27
b) Alterao da capacitncia: O capacitor eletroltico sofre alterao de capacitncia

quando no est sendo utilizado. Esta alterao se deve ao fato de que a formao
da camada de xido entre as armaduras depende da aplicao de tenso no
capacitor.
Quando o capacitor eletroltico permanece durante um perodo sem utilizao, o
dieltrico sofre um processo de degenerao que afeta sensivelmente a sua
capacitncia.
Capacitores eletrolticos que no esto em uso tm sua

capacitncia alterada.
40
Por esta razo, sempre que for necessrio utilizar um capacitor que estava estocado
durante algum tempo, deve-se conect-lo a uma fonte de tenso contnua durante
alguns minutos para permitir a reconstituio do dieltrico antes de aplic-lo no
circuito.
c) Tolerncia: Os capacitores eletrolticos esto sujeitos a uma tolerncia elevada no
valor real, com relao ao valor nominal. Esta tolerncia pode atingir valores de 20 a
30% e at mesmo 50% em casos extremos.
Os capacitores eletrolticos tm grande tolerncia no seu

valor de capacitncia.
5.5 Tipos de Capacitores Eletrolticos

Existem dois tipos de capacitores eletrolticos, que esto relacionados com o tipo de
dieltrico empregado:
-
Capacitor eletroltico de xido de alumnio
Capacitor eletroltico de xido de tntalo
As figuras 28 e 29 mostram um capacitor eletroltico de xido de alumnio e outro de

tntalo.
Fig. 28
Fig. 29
Os capacitores eletrolticos de xido de tntalo apresentam uma vantagem sobre os

eletrolticos de alumnio:
41
- A capacitncia dos capacitores de xido de tntalo sofre menor variao com o

passar do tempo.
5.6 Especificao Tcnica dos Capacitores
Os capacitores so especificados tecnicamente por:
-
Tipo;
Capacitncia;
Tenso de trabalho
Exemplos: Capacitor de polister, 0,46F
600V
Capacitor eletroltico 2200F
63V
5.7 Apresentao das Caractersticas nos Capacitores

A capacitncia e a tenso de trabalho dos capacitores expressa no corpo do
componente de duas formas:
-
Diretamente em algarismos;
Atravs de um cdigo de cores.
A figura 33 apresenta alguns capacitores com os valores de capacitncia e a tenso

de trabalho expresso diretamente em algarismos.
Fig. 33
Os valores so apresentados normalmente em microfarads (F) ou picofarads (pF).
42
Observao: Quando os capacitores so menores que 1F (Exemplos: 0,1F;

0,0047F; 0,012F) o zero que precede a vrgula no impresso no corpo do
componente. Aparece diretamente um ponto, que representa a vrgula.
Exemplos:
Valor impresso no corpo
Valor do capacitor
0,1F
.1F
0,047F
.47F
0,012F
.012F
0,68F
.68F
5.8 Cdigos de Cores para Capacitores

A figura 34 mostra o cdigo de cores para capacitores e a ordem de interpretao
dos algarismos.
Fig. 34
43
Observao: o valor de capacitncia expresso pelo cdigo de cores dado em

picofarads (pF).
Exemplos:
Amarelo Violeta Laranja Branco Azul
47000 pF
10% 630V 47pF
Laranja Branco Amarelo Branco Vermelho

390000 pF
10% 250V 0,39F
44
6 MATERIAIS SEMICONDUTORES
So materiais que podem apresentar caractersticas de isolante ou de condutor,
dependendo da forma como se apresenta a sua estrutura qumica.
Um exemplo tpico de material semicondutor o carbono. Dependendo da forma
como os tomos do carbono se interligam, o material formado pode se tornar
condutor ou isolante.
Duas formas bastante conhecidas de matria formada por tomos de carbono so:
-
O diamante
O grafite
Diamante
Material de grande dureza que se forma pelo arranjo de tomos de carbono em
forma de estrutura cristalina. eletricamente isolante.
Grafite
Material que se forma pelo arranjo de tomos de carbono em forma triangular.
condutor de eletricidade.
6.1 Estrutura Qumica dos Materiais Semicondutores
Os materiais semicondutores se caracterizam por serem constitudos de tomos que
tem 4 eltrons na camada de valncia (TETRAVALENTES).
A figura 1 apresenta a configurao de dois tomos que do origem a materiais
semicondutores.
45
Silcio
14 Prtons
14 Eltrons
Germnio
32 Prtons
32 Eltrons
4 eltrons na
ltima camada
Fig. 1
Os tomos que tm quatro eltrons na ltima camada tm tendncia a se agruparem

segundo uma formao cristalina.
Neste tipo de ligao cada tomo se combina com quatro outros, fazendo com que
cada eltron pertena simultaneamente a dois tomos (fig. 2 e 3).
Ligao covalente
Fig. 2
Fig. 3
Este tipo de ligao qumica denominado de

ligao
covalente,
representada
simbolicamente por dois traos que interligam

os dois ncleos (fig. 4).
Fig. 4
46
Quando um tomo tetravalente se associa por

ligaes covalentes a quatro outros, a ligao
representada conforme mostra a figura 5.
Fig. 5
As ligaes covalentes se caracterizam por manter os eltrons fortemente ligados

aos dois ncleos associados.
Por esta razo as estruturas cristalinas puras, compostas unicamente por ligaes
covalentes, adquirem caractersticas de isolao eltrica.
As estruturas cristalinas puras de elementos tetravalentes so
eletricamente isolantes.
O silcio e o germnio puros so materiais semicondutores com caracterstica

isolante quando agrupados em forma de cristal.
A figura 6 mostra a configurao cristalina

do silcio de forma planificada.
Fig. 6
Observa-se que cada tomo realiza quatro ligaes

covalentes com os tomos vizinhos. O aspecto real de
ligao dos tomos de uma estrutura cristalina de
germnio ou silcio est apresentado na figura 7.
Fig. 7
47
6.2 Dopagem
A dopagem um processo qumico que tem por finalidade introduzir tomos
estranhos a uma substncia na sua estrutura cristalina.
A prpria natureza executa um processo de dopagem propiciando a existncia de
impurezas na estrutura qumica dos cristais que se instalam durante a sua
formao.
A dopagem pode tambm ser realizada em laboratrios, com um objetivo mais
especfico:
- Colocar no interior da estrutura de um cristal uma quantidade correta de uma
determinada impureza, para que o cristal se comporte conforme as condies
necessrias em termos eltricos.
Nos cristais semicondutores (germnio e silcio, principalmente) a dopagem
realizada para atribuir ao material certa condutibilidade eltrica.
A forma como o cristal ir conduzir a corrente eltrica e a sua condutibilidade
dependem do tipo de impurezas utilizado e da quantidade de impureza aplicada.
6.3 Cristal N
Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina uma quantidade de
tomos com mais de quatro eltrons na ltima camada, forma-se uma nova estrutura
cristalina denominada de cristal N.
Tomando-se como exemplo a introduo de tomos de
fsforo que possuem cinco eltrons na ltima camada
de cristal (fig. 8).
Fig. 8
48
Dos cinco eltrons externos do fsforo

Eltron
livre
apenas quatro encontram um par no

cristal
que
possibilite
formao
covalente (fig. 9).

Fig. 9
O quinto eltron do fsforo no forma ligao covalente porque no encontra eltron

na estrutura que possibilite esta formao.
Este eltron isolado tem a caracterstica de se libertar facilmente do tomo,
passando a vagar livremente da estrutura do cristal, constituindo-se um portador livre
de carga eltrica.
Cada tomo de impureza fornece um eltron livre dentro da estrutura do cristal
semicondutor (fig. 10).
Fig. 10
Com a adio de uma determinada quantidade de impurezas o cristal, que era puro
e isolante, passa a ser condutor de corrente eltrica, atravs dos portadores livres
(eltrons), que podem circular na banda de conduo.
importante observar que, embora o material tenha sido dopado, seu nmero total
de eltrons e prtons igual, de forma que o material continua eletricamente neutro.
49
O cristal semicondutor dopado com impurezas de maior nmero de eltrons (como o

fsforo) denominado de cristal N porque a corrente eltrica conduzida no seu
interior por cargas negativas (fig. 11 e 12).
Corrente de eltrons
Cristal N
Cristal N
Fig. 11
Fig. 12
Observa-se que o cristal N conduz a corrente eltrica, independentemente da

polaridade da bateria.
6.4 Cristal P
A utilizao de tomos com menos de quatro eltrons na ltima camada para o
processo de dopagem d origem a um tipo de estrutura chamada de cristal P.
O tomo de ndio, por exemplo, que tem trs eltrons na
ltima camada, d origem a um cristal P quando utilizado na
dopagem (fig. 13)
Fig. 13
Quando os tomos de ndios so colocados na estrutura do cristal puro verifica-se a

falta de um eltron para que os elementos tetravalentes se combinem de forma
covalente (fig.14).
50
Falta 1
eltron
Fig. 14
Esta ausncia no interior do cristal denominada de lacuna, sendo representada por

uma carga eltrica positiva na estrutura qumica (fig. 15).
Lacuna
Fig. 15
A lacuna no propriamente uma carga positiva, mas sim, a ausncia de uma carga
negativa.
Os cristais dopados com tomos de menos de quatro eltrons na camada externa
so denominados de cristais P porque a conduo de corrente eltrica no seu
interior se d pela movimentao das lacunas.
O movimento de lacunas no cristal P pode ser facilmente observado, quando se
analisa a conduo de corrente passo a passo.
51
Quando se aplica uma diferena de potencial aos extremos de um cristal P, uma

lacuna ocupada por um eltron que se movimenta deixando uma lacuna em seu
lugar (fig. 16 e 17).
Fig. 16
Fig. 17
Esta lacuna preenchida pelo eltron seguinte, que torna a criar outra lacuna atrs
de si (fig. 18).
Fig. 18
Assim, a lacuna ser preenchida por outro eltron gerando nova lacuna, at que
esta lacuna seja preenchida por um eltron proveniente da fonte (fig. 19 e 20).
Movimento da lacuna
Movimento dos eltrons
Fig. 19
Fig. 20
As lacunas se movimentam na banda de valncia dos tomos e os eltrons que as

preenchem, na banda de conduo.
A conduo de corrente por lacunas no cristal P independe da polaridade da fonte
de tenso (fig. 21 e 22).
Corrente de lacunas
Corrente de lacunas
Fig. 21
Fig. 22
52
Conclui-se que os cristais P e N, isoladamente, conduzem a corrente eltrica

qualquer que seja a polaridade de tenso aplicada aos seus extremos.
Os cristais P e N so a matria prima para a fabricao dos componentes
eletrnicos modernos tais como: diodos, transistores, circuitos integrados.
6.5 Influncia da Intensidade de Dopagem no Comportamento dos Materiais
Semicondutores
A conduo de corrente eltrica nos materiais semicondutores depende dos
portadores livres de carga na estrutura qumica.
Os cristais dopados mais intensamente se caracterizam por apresentarem maior
condutibilidade, porque sua estrutura apresenta um maior nmero de portadores
livres (fig. 23 e 24).
Material N
Dopagem fraca
Fig. 23
Material N
Dopagem forte
Fig. 24
Controlando a quantidade de impurezas introduzidas na estrutura cristalina, a faixa

proibida, localizada entre as faixas de valncia e conduo, pode ser reduzida a uma
largura desejada (fig. 25, 26 e 27).
Largura da
faixa
proibida
Fig. 25
Material isolante
53
Largura da
faixa
proibida
Fig. 26
Material semicondutor
Fracamente dopado
Largura da
faixa
proibida
Fig. 27
Material semicondutor
Fortemente dopado
Observando-se a quantidade de energia necessria para tornar os materiais

condutores, nos grficos acima, verifica-se que o aumento da dopagem o material
levado conduo mais facilmente.
6.6
Influncia
da
Temperatura
na
Condutibilidade
dos
Materiais
Semicondutores
A temperatura exerce influncia direta sobre o comportamento dos materiais
semicondutores no que diz respeito condutibilidade eltrica.
Quando a temperatura de um material semicondutor aumenta, a energia trmica
adicional faz com que algumas ligaes covalentes da estrutura se desfaam.
Cada ligao covalente que se desfaz pelo acrscimo de temperatura propicia a
existncia de dois portadores livres de energia a mais na estrutura do cristal (fig. 28
e 29).
54
Aquecimento
Ligao covalente desfeita

pela energia trmica
Fig. 29
A existncia de um maior nmero de portadores aumenta a condutibilidade do

material, permitindo a circulao de correntes maiores no cristal (fig. 30).
Aquecimento
Fig. 30
55
7 DIODO SEMICONDUTOR
O diodo semicondutor um componente que apresenta a caracterstica de se
comportar como condutor ou isolante dependendo da forma como a tenso
aplicada aos seus terminais.
Uma
das
aplicaes
transformao
de
do
corrente
diodo
na
alternada
em
corrente contnua utilizada, por exemplo, nos

eliminadores de pilhas (fig. 31).
Fig. 31
7.1 Simbologia e Aspectos Real

O diodo semicondutor representado nos esquemas pelo smbolo apresentado na
figura 32.
O terminal da seta representa o material P, denominado de ANODO do diodo,
enquanto o terminal da barra representa o material N, denominado de CATODO do
diodo (fig. 33).
Fig. 33
Fig. 32
Seta
Barra
ANODO
CATODO
A identificao dos terminais (anodo e catodo) no componente real pode aparecer

de duas formas:
Fig. 34
- Smbolo impresso sobre o corpo do componente (fig. 34)
CATODO
ANODO
56
- Uma barra impressa sobre o corpo do

ANODO
componente, que indica o catodo (fig. 35).
Fig. 35
CATODO
Observa-se que o comportamento de qualquer componente eletrnico fabricado com

materiais semicondutores depende diretamente da sua temperatura de trabalho.
Esta dependncia denominada de DEPENDNCIA TRMICA, constituindo-se
em fator importante que deve ser considerado quando se projeta ou monta circuitos
com estes componentes.
A figura 36 apresenta alguns tipos construtivos de diodos, utilizados em circuitos
eletrnicos.
Fig. 36
7.2 Formao do Diodo Juno PN

O diodo se constitui na juno de duas pastilhas de material semicondutor: uma de
material N e uma de material P (fig. 37).
Zona de
fuso
CALOR
Fig. 37
JUNO PN
7.3 Comportamento dos cristais aps a juno

Aps a juno das pastilhas que formam o diodo ocorre um processo de
acomodamento qumico entre os cristais.
57
Na regio da juno alguns eltrons livres

saem do material N e passam para o
material
P,
recombinando-se
com
as
lacunas das proximidades (fig. 38).

Fig. 38
O mesmo ocorre com algumas lacunas que

passam do material P para o material N e se
recombinam com os eltrons livres (fig. 39).
Fig. 39
Forma-se na juno uma regio onde no

existem portadores de carga, porque esto
todos recombinados, neutralizando-se. Esta
regio
denominada
de
regio
de
DEPLEXO (fig. 40).
Fig. 40
Regio de deplexo - sem portadores
Como conseqncia da passagem de cargas de um cristal para outro se cria um

desequilbrio eltrico na regio da juno.
Os eltrons que se movimentaram do material
N para o P geram um pequeno potencial
eltrico negativo (fig. 41).
Fig. 41
Zona de potencial negativo gerado pelos
eltrons que no pertenciam ao material P
58
As lacunas que se movimentaram para o material N geram um pequeno potencial

eltrico positivo (fig. 42).
Zona de potencial positivo gerado

pelas lacunas que no pertenciam
ao material N.
Fig. 42
Verifica-se que na regio da juno existe uma diferena de potencial,

proporcionada pelo movimento dos portadores de um cristal para outro.
Este desequilbrio eltrico denominado de
barreira de potencial.
No funcionamento do diodo esta barreira de
potencial se comporta como uma pequena
bateria dentro do componente (fig. 43).
Efeito similar a uma

bateria
provocado
pela barreira de
potencial
Fig. 43
importante observar que a barreira de potencial NEGATIVA NO CRISTAL P e

POSITIVO NO CRISTAL N.
A tenso proporcionada pela barreira de potencial no interior do diodo depende do
material utilizado na sua fabricao.
Nos diodos de germnio a barreira de potencial tem aproximadamente 0,2V e nos
diodos de silcio aproximadamente 0,7V (fig. 44 e 45).
Ge
- 0,2V +
Si
Fig. 44
- 0,7V +
Fig. 45
59
No possvel medir a tenso da barreira de potencial, aplicando um voltmetro aos

terminais de um diodo, porque esta tenso existe apenas internamente no
componente. No todo, o componente continua neutro, uma vez que no foram
acrescentados nem retificados portadores dos cristais.
7.4 Aplicao de Tenso Sobre o Diodo
A aplicao de tenso sobre o diodo estabelece a forma como o componente se
comporta eletricamente.
A tenso pode ser aplicada ao diodo de duas formas diferentes, denominadas
tecnicamente de:
a) Polarizao direta
b) Polarizao inversa
a) POLARIZAO DIRETA
A polarizao do diodo denominada de
polarizao direta quando a tenso POSITIVA
aplicada ao MATERIAL P e a tenso
NEGATIVA ao MATERIAL N (fig. 46).
Fig. 46
O plo positivo da fonte repele as

lacunas do material P em direo ao
plo negativo, enquanto os eltrons
livres so repelidos pelo plo negativo
em direo ao plo positivo (fig. 47).
Fig. 47
60
Se a tenso da bateria externa maior que a tenso da barreira de potencial, as

foras de atrao e repulso provocadas pela bateria externa permitem aos
portadores adquirir velocidade suficiente para atravessar a regio onde h ausncia
de portadores (fig. 48).
Diodo de Silcio
V > 0,7 (Barreira
de potencial)
Fig. 48
Observa-se que nesta condio existe um fluxo

de portadores livres dentro do diodo, atravs da
juno (fig. 49).
Fig. 49
A polarizao direta faz com que o diodo permita a circulao de corrente eltrica no
circuito, atravs do movimento dos portadores livres (figs. 50 e 51).
A lmpada limita corrente no

circuito
Fig. 50
Fig. 51
Quando o diodo est polarizado diretamente, conduzindo corrente eltrica diz-se

que:
61
O DIODO EST EM CONDUO

Um diodo semicondutor polarizado diretamente ( +
) entra
em CONDUO, permitindo a passagem de corrente eltrica.
importante observar que a seta do smbolo do diodo

indica o sentido de circulao convencional da
corrente (fig. 52).
Fig. 52
b) POLARIZAO INVERSA
A polarizao inversa de um diodo consiste na
aplicao de tenso positiva no material N e negativa
no material P (fig. 53).
Fig. 53
Nesta situao os portadores livres de cada cristal so atrados pelos potenciais da

bateria para os extremos do diodo (fig. 54).
Fig. 54
Observa-se que a polarizao inversa provoca

um alargamento da regio de depleo, porque
os portadores so afastados da juno (fig. 55).
Regio de deplexo
Fig. 55
62
No existe fluxo de portadores atravs da juno, quando o diodo polarizado

inversamente. Portanto, conclui-se que a polarizao inversa faz com que o diodo
impea a circulao de corrente no circuito eltrico.
Quando o diodo est polarizado inversamente, impedindo a circulao de corrente
diz-se que:
O DIODO EST EM BLOQUEIO (figs. 56 e 57)
Fig. 56
Fig. 57
Um diodo semicondutor polarizado inversamente (
) entra em
bloqueio, no permitindo a passagem de corrente eltrica.
7.5 Caractersticas de Conduo e Bloqueio do Diodo Semicondutor

As caractersticas do diodo fornecem informaes sobre o seu comportamento nos
circuitos eletrnicos durante os estados de conduo ou bloqueio (figs. 58 e 59).
Em conduo
Fig. 58
Em bloqueio
+
I
+
(Sem conduo de corrente)
Fig. 59
63
7.6 O Diodo Semicondutor Ideal

Como diodo ideal se compreende um diodo que apresente caractersticas especiais,
conduzindo ou bloqueando completamente.
a) CONDUO NO DIODO IDEAL E CIRCUITO EQUIVALENTE
Um diodo ideal, polarizado diretamente, deve conduzir a corrente eltrica sem
apresentar resistncia, comportando-se como interruptor fechado (fig. 60).
Diodo ideal em conduo
Fig. 60
O interruptor fechado denominado de circuito equivalente do diodo ideal em

conduo.
Os circuitos equivalentes so circuitos com componentes simples (interruptores,
resistores, capacitores) que atravs dos quais se obtm o mesmo efeito que com um
nico componente mais complexo.
So usados como ferramenta para auxiliar na compreenso do comportamento de
componentes mais complexos nos circuitos.
b) BLOQUEIO DO DIODO IDEAL
Polarizado inversamente um diodo semicondutor ideal deve se comportar como um
isolante perfeito, impedindo completamente a circulao de corrente. A condio de
bloqueio de um diodo tambm pode ser denominada de corte do diodo, porque o
diodo corta a circulao de corrente.
64
Em circuito equivalente o diodo ideal em bloqueio pode ser representado como um

interruptor aberto (fig. 61).
Diodo ideal em bloqueio
Fig. 61
7.7 O Diodo Semicondutor Real

O diodo real apresenta algumas diferenas em relao ao diodo ideal.
Estas
diferenas
existem
porque o processo de purificao dos
cristais
semicondutores para a fabricao de componentes eletrnicos no perfeito.

Aps a purificao ainda existe nos cristais uma pequena quantidade de impurezas
originrias da formao do material na natureza.
Estas impurezas, chamadas de portadores minoritrios, resultantes da deficincia na
purificao fazem com que as caractersticas de conduo e bloqueio dos diodos
reais se distanciem dos ideais.
a) CONDUO NO DIODO REAL
Dois fatores diferenciam o diodo real do ideal no sentido de conduo:
-
A barreira de potencial
A resistncia interna
A barreira de potencial, existente na juno dos cristais, faz com que o diodo entre
em conduo efetiva apenas a partir do momento em que a tenso da bateria
externa atinge um valor maior que a tenso interna (fig. 62).
65
Diodo de Silcio
Barreira de potencial 0,7 V
Fig. 62
A resistncia interna devida ao fato de que o cristal dopado no um condutor

perfeito. O valor da resistncia interna dos diodos na conduo normalmente
menor que 1.
Assim, um circuito equivalente do diodo real em conduo apresenta os elementos
representativos da barreira de potencial e da resistncia interna (fig. 63).
Diodo real em conduo
Resistncia Interna
Bateria - interna
Fig. 63
Na maioria dos casos em que o diodo utilizado, as tenses e resistncias externas

do circuito so muitas maiores que os valores internos do diodo (0,7V; 1). Assim,
se pode normalmente considerar o diodo real igual ao ideal no sentido de conduo,
sem provocar um erro significativo.
No circuito da figura 64, por exemplo, a tenso e resistncia externa ao diodo so
to grandes, comparadas com os valores do diodo, que se pode considerar o
modelo ideal sem qualquer prejuzo.
Fig. 64
66
I = 49,3V = 0,0328
I = _50 = 0,0333
1500
1501
ERRO = 0,0333 0,328 = 0,0005A

Erro desprezvel face a tolerncia do resistor.
b) BLOQUEIO NO DIODO REAL
Devido presena dos portadores minoritrios resultantes da purificao imperfeita,
o diodo real em bloqueio no capaz de impedir completamente a existncia de
corrente no sentido inverso.
Esta corrente inversa que circula no diodo, denominada de CORRENTE DE FUGA,
da ordem de alguns microampres.
Isto significa que no sentido inverso o diodo apresenta uma resistncia elevadssima
(vrios Megahoms).
O circuito equivalente do diodo real em bloqueio apresenta esta caracterstica
configurada (fig. 65).
Diodo real em bloqueio
Fig. 65
R = Vrios megohms
Como a corrente de fuga muito pequena, comparada com a corrente de conduo,

a resistncia inversa do diodo pode ser desprezada na anlise da grande maioria
dos circuitos, considerando-se o diodo como ideal.
67
7.8 A Curva Caracterstica do Diodo Real

O comportamento dos componentes eletrnicos pode ser expresso atravs de uma
curva caracterstica que permite determinar a condio de funcionamento do
dispositivo em um grande nmero de situaes.
A curva caracterstica do diodo mostra o seu comportamento na conduo e no
bloqueio.
a) REGIO DE CONDUO
Durante a conduo do diodo, a corrente do circuito circula no cristal. Devido
existncia da barreira de potencial e da resistncia interna do diodo verifica-se a
presena de um pequeno valor de tenso sobre o diodo (fig. 66).
Diodo de Silcio
Fig. 66
A curva caracterstica do diodo em conduo mostra o comportamento da queda de

tenso em funo da corrente que flui no circuito (fig. 67).
ID (mA)
Quadrante
de conduo
300
200
100
Fig. 67
68
Analisando a curva caracterstica de conduo, verifica-se que a tenso do diodo

sofre um pequeno aumento quando a corrente aumenta (fig. 68).
ID = 100 mA
Ponto A
VD = 0,75 V
Ponto B
ID = 200 mA
VD = 0,8 V
0,7
0,75
0,8
VD (V)
Fig. 68
Atravs da curva verifica-se tambm que enquanto a tenso sobre o diodo est
abaixo de 0,7V (no caso do silcio) a corrente circulante muito pequena (regio c
da curva). Isto se deve ao fato de que a barreira de potencial se ope ao fluxo de
cargas no diodo.
Devido existncia desta barreira de potencial, a regio tpica de funcionamento dos
diodos fica acima da tenso de conduo caracterstica (fig. 69).
ID (mA)
Diodo de Silcio
Regio de funcionamento
69
b) REGIO DE BLOQUEIO
No bloqueio o diodo semicondutor no atua como isolante perfeito, permitindo a
circulao de uma corrente de fuga, de valor muito pequeno (da ordem de
microampres).
Esta corrente de fuga aumenta, medida que a tenso inversa sobre o diodo
aumenta (fig. 70).
Ponto A
Tenso inversa
V = 100V
Corrente de fuga
I = 20 A
Tenso inversa
V = 200 V
Corrente de fuga
I = 40 A
Ponto B
Fig. 70
Figura 71 apresenta a curva do diodo com os dois quadrantes: de conduo e de

bloqueio.
Corrente direta de conduo
Miliampres ou ampres
Tenso de
barreira de
potencial
0,2V para Ge
0,7V para Si
Tenso direta
de conduo
Tenso reversa
Corrente reversa de fuga

microampres
Corrente
de fuga
Fig. 71
70
7.9 Regimes Mximos do Diodo em CC

Os regimes mximos do diodo em CC estabelecem os limites da tenso e corrente
que podem ser aplicados ao componente em circuitos de corrente contnua, sem
provocar danos a sua estrutura.
Analisando o comportamento do diodo em conduo e bloqueio verifica-se que os
fatores que dependem diretamente do circuito ao qual o diodo est conectado so:
a) Corrente de conduo (IF)
b) Tenso reversa (VR)
A tenso de conduo VD no depende do circuito (0,7 para silcio e 0,2 para
germnio) e a corrente de fuga tambm depende apenas do material do diodo
(alguns microampres).
a) CORRENTE MXIMA DE CONDUO
A corrente de conduo mxima de cada tipo de diodo dada pelo fabricante em
folhetos tcnicos. Nestes folhetos, a corrente mxima de conduo aparece
designada pela sigla IF proveniente do idioma ingls:
IF
Corrente mxima de conduo em

CORRENTE
regime contnuo.
(FORWARD) DE CONDUO
Abaixo esto colocados dois comerciais e suas caractersticas de corrente mxima

(IF).
TIPO
IF
SKE 1/12
1, 0 A
1N4004
1,0 A
71
b) TENSO REVERSA MXIMA

As tenses reversas colocam o diodo em
bloqueio. Nesta condio toda a tenso
aplicada ao circuito fica aplicada sobre o
diodo (fig. 72).
Cada diodo a estrutura preparada para suportar um determinado valor de tenso
reversa. Aplicando um valor de tenso reversa superior ao especificado para cada
diodo, a corrente de fuga aumenta excessivamente e o diodo danificado.
Os fabricantes de diodo fornecem em folhetos tcnicos o valor caracterstico de
tenso mxima que o diodo suporta sem sofrer a ruptura.
Este valor aparece designado pela sigla VR.
VR
Tenso reversa mxima

em regime contnuo
72
8 RETIFICAO DE MEIA ONDA

Retificao o nome dado ao processo de transformao de corrente alternada em
corrente contnua.
A retificao utilizada nos equipamentos eletrnicos com a finalidade de permitir
que equipamentos de corrente contnua sejam alimentados a partir da rede eltrica
CA.
A retificao de meia onda um processo de transformao de CA em CC, que
permite o aproveitamento de apenas um semiciclo da tenso de entrada na carga
(fig. 1).
Tenso para a
carga
Fig. 1
O circuito retificador de meia onda com diodo empregado em equipamento que

no exigem uma tenso contnua pura, como por exemplo, os carregadores de
bateria.
8.1 Retificao de meia onda com diodo semicondutor
As caractersticas de conduo e bloqueio do diodo semicondutor podem ser
utilizadas para obter uma retificao de meia onda a partir da corrente alternada da
rede eltrica domiciliar.
73
A figura 2 mostra a configurao de

um circuito retificador de meia onda
com diodo.
Fig. 2
8.2 Funcionamento
Tomando-se como referncia o circuito
retificador de meia onda com diodo da
figura 3.
Fig. 3
a) PRIMEIRO SEMICICLO
Durante o primeiro semiciclo a tenso positiva no ponto A, com relao ao ponto B.
Esta polaridade de tenso de entrada coloca o diodo em conduo, permitindo a
circulao de corrente (fig. 4).
Fig. 4
A tenso sobre a carga assume a mesma forma da tenso de entrada (fig. 5).
Fig. 5
74
O valor do pico de tenso sobre a carga menor que o valor do pico de tenso da
entrada porque o diodo, durante a conduo, apresenta uma pequena queda de
tenso VD (0,7 para silcio e 0,2 para germnio) (fig. 6).
Fig. 6
Entretanto, na maioria dos casos, a queda de tenso do diodo pode ser desprezada
porque seu valor muito pequeno em relao ao valor total do pico de tenso sobre
a carga.
A queda de tenso sobre o diodo deve ser considerada apenas quando o circuito
retificador for aplicado a tenses pequenas (menores que 10V).
b) SEGUNDO SEMICICLO
Durante o segundo semiciclo a tenso de entrada negativa no ponto A, com
relao ao ponto B.
Esta polaridade de tenso de entrada coloca o diodo em bloqueio, impedindo a
circulao de corrente (fig. 7).
Fig. 7
75
Nesta condio toda a tenso de entrada aplicada sobre o diodo que atua como
interruptor aberto, e a tenso na carga nula porque no h circulao de corrente
(fig. 8).
Fig. 8
Observa-se que para cada ciclo da tenso de entrada apenas um semiciclo passa
para a carga, enquanto o outro semiciclo fica sobre o diodo. Os grficos da figura 9
ilustram o que foi descrito.
Tenso na entrada
Tenso no diodo de
silcio
Tenso na carga
Fig. 9
76
A forma de tenso encontrada na carga denominada de tenso contnua pulsante.

contnua porque a corrente, quando flui, flui sempre no mesmo sentido, o que
uma caracterstica da tenso contnua e pulsante porque a circulao de corrente
ocorre em forma de pulsos.
8.3 Retificao de Meia Onda com Tenso de Sada Negativa
Dependendo da forma como o diodo est colocado no circuito retificador, pode-se
obter uma tenso CC positiva ou negativa em relao ao terra (fig. 10 e 11).
Tenso de sada positiva
Forma de sada
Fig. 10
Invertendo
o diodo
Tenso de sada
negativa
A polaridade
de sada
invertida
Fig. 11
8.4 Tenso de Sada

A tenso de sada de uma retificao contnua, embora pulsante. Para medir esta
tenso de sada utiliza-se um voltmetro de CC ou multmetro (fig.12).
77
Voltmetro ou
Multmetro
Fig. 12
Ao conectar-se um voltmetro de CC (ou multmetro em escala de tenso CC) na

sada de uma retificao, a tenso indicada pelo instrumento ser a mdia entre os
perodos de existncia e inexistncia de tenso.
Os multmetros (em escala de VDC) e os voltmetros de CC
indicam sempre um valor de TENSO CONTNUA MDIA.
Na retificao de meia onda se alternam os perodos de existncia e inexistncia de

tenso sobre a carga (fig. 13).
VRL
Fig. 13
Conseqentemente, o valor de tenso CC mdia sobre a carga (medindo com

voltmetro CC na sada da retificao) est muito abaixo do valor efetivo CA aplicado
entrada do circuito (fig.14).
(EM VD)
Mdio
Mdia cc da retificao de
meia onda
Fig. 14
A tenso mdia na sada dada pela equao:
78
Onde:
EM - VD
VCC = ________
VCC = tenso contnua mdia sobre a carga.

EM = tenso de pico da CA aplicado ao circuito (EM = VCA .
2)
VD = queda de tenso tpica do diodo (0,3V ou 0,7V)
Obs: Os livros e publicaes de eletrnica costumam denominar o valor tenso de

pico (VP) de tenso mxima (EM). Por esta razo nas equaes apresentadas ser
utilizada a notao EM para a tenso de pico.
Quando as tenses de entrada (VCAef) forem superiores a 10V pode-se eliminar a
queda de tenso do diodo que se torna desprezvel, reescrevendo a equao
conforme apresentado abaixo:
Simplificando os termos
obtm-se 0,45, logo: VCC = VCA . 0,45
A seguir so apresentados dois exemplos de clculo empregando a frmula

completa e a frmula simplificada.
EXEMPLO 1
Dados: VCA = 6V (menor que 10V)
Carga
VD = 0,7V (silcio)
E
M - VD
(VCA . 2 ) - VD
VCC = _______
= ______________
VCC = (6 . 1,41) 0,7

3,14
VCC = 2,47V
79
EXEMPLO 2
Dados:
VCA = 50V (maior que 10V)
Carga
VCC = VCA . 0,45

VCC = 50 . 0,45
VCC = 22,5V
A equao da tenso de sada vlida tanto para retificao com tenso de sada
positiva como negativa.
Na retificao de meia onda a corrente de sada tambm pulsante, uma tenso
sobre a carga pulsante (fig. 15).
I SADA
Corrente Pulsante
Fig. 15
Isto implica que a corrente mdia na sada (sobre carga) uma mdia entre os
perodos de existncia e inexistncia de corrente (fig. 16).
I SADA
Fig. 16
80
O valor da corrente mdia de sada pode ser determinado a partir da tenso e da

resistncia de carga:
Corrente
de sada
VCC
I CC = _____
mdia
RL
O clculo da corrente mdia de sada muito importante porque serve como de

partida para a escolha do diodo que ser utilizado no circuito.
8.6 Inconvenientes da Retificao de Meia Onda
A retificao de meia onda apresenta alguns inconvenientes, decorrentes da
condio de funcionamento:
A tenso de sada pulsante, diferindo sensivelmente de uma tenso contnua (fig.
17).
Fig. 17
O rendimento baixo (45%) em relao tenso eficaz de entrada (fig. 18).
Fig. 18
Nas retificaes com transformador existe um mau aproveitamento da capacidade

de transformao porque a corrente circula em apenas um semiciclo (fig. 19).
81
Circulao apenas nos

semiciclos positivos
Fig. 19
8.7 Fonte de Alimentao Meia Onda

O circuito retificador de meia onda pode ser utilizado como fonte de alimentao
para um circuito eletrnico.
Para que se tenha uma fonte de alimentao completa deve-se acrescentar ao
circuito retificador:
-
Uma chave liga-desliga;
Um fusvel de proteo;
Uma chave seletora 110/220.
As figuras 20 e 21 mostram o esquema e o circuito de uma fonte de alimentao

meia onda completa.
Fig. 20
Fig. 21
82
9 RETIFICAO
DE
ONDA
COMPLETA
COM
DIODOS
SEMICONDUTORES
um processo de converso de corrente alternada em corrente contnua que faz um
aproveitamento dos dois semiciclos da tenso de entrada (fig.1).
1 ciclo
Entrada
Circuito retificador de onda

completa
Tenso para a carga
Fig. 1
O circuito retificador de onda completa o mais empregado nos equipamentos

eletrnicos porque realiza um melhor aproveitamento da energia aplicada a entrada.
A retificao de onda completa com diodos semicondutores pode ser realizada de
duas formas distintas:
-
Empregando um transformador com derivao central e dois diodos;
Empregando 4 diodos ligados em ponte.
9.1 Retificao de Onda Completa com Derivao Central

Retificao de onda completa com derivao central denominao tcnica do
circuito retificador de onda completa que emprega dois diodos e um transformador
com derivao central.
A figura 2 apresenta a configurao deste tipo de circuito retificador.
83
Fig. 2
Este tipo de retificao tambm chamado de retificao de onda completa

CENTERTAPE.
A expresso center tape inglesa e significa derivao central.
9.2 Funcionamento
O princpio de funcionamento do circuito retificador de onda completa pode ser
facilmente compreendido, considerando-se cada um dos semiciclos da tenso de
entrada isoladamente.
Considerando-se o terminal central do secundrio como referncia verifica-se a
transformao de duas polaridades opostas nos extremos das bobinas (fig. 3).
(Referncia)
Carga
Fig. 3
84
Nesta condio verifica-se que o diodo D1 polarizado diretamente, conduzindo,

enquanto o diodo D2 polarizado inversamente, entrando em bloqueio.
Substituindo os diodos por seus circuitos equivalentes ideais obtm-se a
configurao apresentada na figura 4.
Fig. 4
A condio de conduo de D1 permite a circulao de corrente atravs da carga do

terminal positivo para o terminal positivo para o terminal de referncia (fig. 5).
Negativo em relao ao
potencial mais positivo.
Fig. 5
A tenso aplicada carga a tenso existente entre o terminal central do

secundrio e o extremo superior do transformador (fig. 6).
85
Tenses iguais
(instantaneamente)
Fig. 6
Durante todo o semiciclo analisando o diodo D1 permanece em conduo e a tenso

na carga acompanha a tenso da parte superior do secundrio (fig.7).
VRL
Fig. 7
No segundo semiciclo da tenso de entrada ocorre uma inverso na polaridade do
secundrio do transformador (fig. 8).
Carga
Fig. 8
86
Nesta condio o diodo D2 entra em conduo e o diodo D1 em bloqueio (fig. 9).
Carga
Fig. 9
A corrente circula pela carga, passando atravs de D2 que est em conduo, no

mesmo sentido que circulou no primeiro semiciclo (fig. 10).
Fig. 10
A tenso aplicada carga a tenso da bobina inferior do secundrio do

transformador (fig. 11).
Tenses iguais
(instantaneamente)
Fig. 11
87
Durante todo o semiciclo analisando o diodo D2 permanece em conduo e a tenso

na carga acompanha a tenso da parte inferior do secundrio (fig. 12).
Fig. 12
Analisando um ciclo completo da tenso de entrada verifica-se que o circuito

retificador entrega dois semiciclos de tenso sobre a carga:
Um semiciclo do extremo superior do secundrio atravs da conduo de D1;
Um semiciclo do extremo inferior do secundrio atravs da conduo de D2

(fig. 13).
Fig. 13
9.3 Tenso e Corrente CC de Sada da Retificao com Derivao Central

Tenso de Sada
A retificao de onda completa com ponto mdio entrega a carga dois semiperodos
de tenso para cada ciclo da tenso de entrega (fig. 14).
88
V ENTRADA
V SADA
Ponte ou derivao central
Fig. 14
O valor de tenso mdia sobre a carga (medido com um voltmetro de CC na sada)

uma mdia dos valores fornecidos pelos pulsos de tenso (fig. 15).
Tenso de pico dos
pulsos na sada
Tenso CC mdia na
sada
Fig. 15
O rendimento da retificao de onda completa com ponto mdio o dobro da

retificao de meia onda:
Tenso mdia
na sada
VCC = 2
EM - VD
__________
onde EM = VCA .
O valor EM determinado em funo da tenso CA presente entre a derivao

central e um dos extremos do transformador (fig. 16).
Fig. 16
89
Isto se deve ao fato de que, na retificao de onda completa com posto mdio, cada
metade do secundrio do transformador est ativa durante um perodo e inativa em
outro.
Observando atentamente este tipo de retificao possvel visualizar que o conjunto
se constitui de duas retificaes de meia onda, cada uma atuante em um dos
semiciclos conforme mostra a seqncia da figura 17.
Fig. 17
Para tenses de entrada acima de 10VCA pode-se desconsiderar a queda de tenso

no diodo, desenvolvendo a equao como:
90
VCC =
EM - VD
_________
desconsiderando VD tm-se:
EM
VCC = 2 . ____
como EM = VCA .
VCC = 2 . VCA .
2 simplificando
2
2/ tm-se
VCC = 2 . VCA . 0,45

Tenso contnua mdia
na sada
VCC = VCA . 0,9
9.4 Corrente de sada

A corrente mdia na sada da retificao de onda completa depende da tenso
mdia:
Corrente contnua mdia
ICC = VCC
RL
de sada
A seguir esto apresentados dois exemplos de clculo de tenso e corrente CC para

a retificao de onda completa com ponto mdio.
EXEMPLO 1
Tenso CA no secundrio
menor que 10V, logo:
VCC = 2 . EM VD
91
EM = VCA . 2
VCC = 2
VCC = 2 .
EM = 6 . 2
EM = 8,46 V
8,46 0,7
3,14
7,76
3,14
VCC = 2 . 2,47
VCC = 4,94 V
ICC = VCC
RL
ICC = 4,94 = 4,94mA

1000
ICC = 4,94mA
EXEMPLO 2
Tenso
no
secundrio
maior que 10VCA

VCC = VCA . 0,9
VCC = 20 . 0,9
VCC = -18V
OBSERVAO
A tenso de sada negativa devido posio dos diodos.
92
ICC = VCC
RL
ICC = -18V
820
ICC = -21,9mA
9.5 Relao entre freqncia de entrada e freqncia de sada

Na retificao de onda completa cada ciclo da tenso CA de entrada transformado
em dois semiciclos de tenso sobre a carga. Desta forma, a freqncia dos picos de
tenso sobre a carga o dobro da freqncia da rede (fig. 18).
Fig. 18
9.6 Retificao de Onda Completa em Ponte

A retificao em ponte, com quatro diodos entrega a carga uma onda completa que
seja necessrio utilizar um transformador com derivao central.
A figura 19
apresenta a configurao da retificao de onda completa em ponte.
Fig. 19
93
Este tipo de retificao tambm conhecido como retificao por PONTE DE ONDA.
A retificao em ponte pode ser feita sem a necessidade de um transformador de
entrada.
9.7 Funcionamento
Considerando a tenso positiva no terminal de entrada superior (fig.20).
Fig. 20
A condio de polarizao dos diodos se apresenta:

D1 anodo positivo em relao ao catodo = CONDUO
D2 catodo positivo em relao ao anodo = BLOQUEIO
D3 catodo negativo em relao ao anodo = CONDUO
D4 anodo negativo em relao ao catodo = BLOQUEIO
Substituindo-se os diodos pelos seus circuitos equivalentes ideais se obtm a
configurao apresentada na figura 21.
94
Carga
Fig. 21
Eliminando-se os diodos em bloqueio, que no interferem no funcionamento do

circuito verifica-se que D1 e D3 em conduo fecham circuito eltrico, aplicando a
tenso do primeiro semiciclo sobre a carga (fig. 22).
Fig. 22
Recolocando-se os diodos na forma de componente (eliminando os circuitos

equivalentes) observa-se como a corrente flui no circuito no primeiro semiciclo (fig.
23).
Fig. 23
95
No segundo semiciclo ocorre a inverso da polaridade nos terminais de entrada do
circuito (fig. 24).
Carga
Fig. 24
A condio de polarizao dos diodos se apresenta:

D1 Anodo negativo em relao ao catodo BLOQUEIO
D2 Catodo negativo em relao ao anodo CONDUO
D3 Catodo positivo em relao ao anodo BLOQUEIO
D4 Anodo positivo em relao ao catodo CONDUO
Eliminando os diodos em bloqueio e substituindo os diodos em conduo pelos seus
circuitos equivalentes ideais obtm-se a configurao apresentada na figura 25.
Carga
Fig. 25
96
O circuito eltrico fechado por D2 e D4 aplica a tenso da entrada sobre a carga,

fazendo a corrente circular na carga no mesmo sentido que no primeiro semiciclo
(fig. 26).
Fig. 26
Recolocando os diodos na forma original, observa-se a forma como a corrente

circula no circuito (fig. 27).
Fig. 27
A ponte retificadora entrega a carga os dois semiciclos, da mesma forma que a

retificao de ponto central (fig. 28).
ENTRADA
CA
SADA
CC
PULSANTE
Fig. 28
97
A freqncia da CC pulsante o dobro da freqncia da rede.
A ponte retificadora tambm pode ser representada

em esquema conforme mostra a figura 29.
Fig. 29
Nesta simbologia a barra do diodo aponta a sada

positiva e a seta a sada negativa (fig. 30).
Fig. 30
9.8 Tenso e Corrente CC de Sada da Retificao em Ponte

Tenso de Sada
A ponte retificadora de Gretz fornece na sada o mesmo tipo de forma de onda que
retificao com ponto mdio (fig. 31).
Fig. 31
H, contudo, uma diferena em termos de tenso de pico sobre a carga, devido ao

fato de que na ponte retificadora em cada semiciclo existem dois diodos em srie.
Desta forma o pico de tenso sobre a carga 1,4V menor que o pico de tenso na
entrada (para diodos de silcio) (fig. 32).
Fig. 32
98
A tenso CC mdia de sada dada pela equao:
Tenso CC mdia
na sada
Para tenses acima de 20VCA na entrada da ponte pode-se desconsiderar as quedas

de tenso nos diodos (2VD) de forma que o desenvolvimento da equao resulta em:
VCC = VCA . 0,9
Para tenses acima de 20VCA na entrada da

ponte.
O valor VCA da equao, para circuitos retificadores em ponte, o valor da tenso

aplicado aos extremos dos diodos que compem a ponte, conforme mostra a figura
33.
Fig. 33
Este aspecto determina uma vantagem da retificao em ponte sobre a retificao

com derivao central.
Para uma mesma tenso de sada, a retificao em ponte usa apenas uma tenso
no secundrio enquanto a retificao com derivao central necessita de duas
tenses com terminal central comum. A ponte, porm, usa 4 diodos.
As figuras 34 e 35 mostram claramente o que foi descrito.
99
VCC = VCA . 0,9

VCC = 27V
Fig. 34
VCC = VCA . 0,9

VCC = 30 . 0,9
VCC = 27V
Fig. 35
Conseqentemente, o transformador melhor aproveitado nas retificaes em ponte

porque o secundrio trabalha integralmente nos dois semiciclos.
Corrente na Sada
A corrente mdia na sada dada pela mesma equao utilizada na retificao
ponto mdio:
Corrente CC mdia
na sada
VCC
ICC = _________
RL (carga)
A seguir esto desenvolvidos dois exemplos de clculo de tenso e corrente CC de

sada para a retificao em ponte.
100
Tenso CA
menor que 20V
VCC = 2[ EM 2VD]
EM = VCA .
VCC =
EM = 15 .
2 21,2 1,4
3,14
VCC = 2 . 6,3
ICC = VCC
RL
= 2
EM = 21,2V
19,8
3,14
VCC = 12,6V
ICC = 12,6V
2200
ICC = 5,7mA
Tenso CA maior
que 20V
VCC = VCA . 0,9
VCC = 110 . 0,9

ICC = 99V
300
VCC = 99V
ICC = 330mA
101
9.9 Fonte de Alimentao de Onda Completa

Os circuitos retificadores de onda completa so utilizados como fonte de alimentao
para circuitos de freio eletromagnticos, alimentao de eletroms, brinquedos
como carrinhos de autorama.
As figuras 36 e 37 mostram os circuitos de fontes de alimentao onda completa
com as etapas identificadas.
Fig. 36
Fig. 37
1 Entrada
2 Controle e Proteo
3 Rebaixamento ou Elevao da tenso
4 Retificao
102
10 O FILTRO NAS FONTES DE ALIMENTAO

Tenses contnuas puras se caracterizam por apresentarem polaridade definida e
ser constante ao longo do tempo.
A figura 1 mostra o grfico de uma tenso contnua pura fornecida por uma bateria.
Fig. 1
Tenses fornecidas pelos circuitos retificadores, tanto de meia onda como de onda
completa, so pulsantes. Embora tenham a polaridade definida, as tenses
fornecidas pelos circuitos retificadores sofrem constante variao de valor, pulsando
conforme tenso senoidal aplicada ao diodo (fig. 2).
Meia onda
Fig. 2
Onda completa
10.1 O Capacitor como Elemento de Filtragem

A capacidade de armazenamento de energia dos capacitores pode ser utilizada
como recurso para realizar um processo de filtragem na tenso de sada de um
circuito retificador.
103
O capacitor conectado diretamente nos terminais de sada da retificao (fig. 5 e

6).
Meia onda
Onda completa
Fig. 5
Fig. 6
Nos intervalos de tempo em que o diodo conduz, circula corrente atravs da carga e
tambm para o capacitor. Neste perodo o capacitor armazena energia (fig. 7).
Carga
Fig. 7
Nos intervalos de bloqueio do diodo o capacitor tende a descarregar a energia

armazenada nas armaduras.
Como no possvel a descarga atravs da retificao, porque o diodo est em
bloqueio, a corrente de descarga se processa pela carga (fig.8).
104
Carga
Fig. 8
Portanto, a tenso contnua pulsante fornecida pelos circuitos retificadores no serve

para a alimentao de equipamentos de corrente contnua, devido s diferenas
entre sua forma de onda de sada e a forma de uma contnua pura (fig. 3).
CC Pulsantes
Diferentes da
CC Pura
Fig. 3
A necessidade de realizar a alimentao dos equipamentos de corrente contnua a

partir da rede eltrica CA levou utilizao de circuitos de filtro.
Nas fontes de alimentao os filtros tm por finalidade permitir a

obteno de uma CC mais pura.
105
Os filtros so colocados entre a retificao e a carga, e atuam sobre a tenso de

sada dos circuitos retificadores aproximando tanto quanto possvel a sua forma de
uma tenso contnua pura (fig.4).
Fig. 4
Como o capacitor est em paralelo com a carga, a tenso presente nas armaduras
aplicada carga (fig. 9).
VC = VRL
Fig. 9
A corrente absorvida pela carga fornecida pelo capacitor. Com o passar do tempo
a tenso do capacitor diminui devido a sua descarga (fig. 10).
Capacitor descarregando sobre a carga
Fig. 10
106
O capacitor permanece descarregado at que o diodo conduza novamente, fazendo

uma recarga nas suas armaduras (fig. 11).
Fig. 11
Com a colocao do capacitor a carga passa a receber tenso durante todo o

tempo.
As figuras 12 e 13 mostram uma comparao entre a tenso de sada de uma
retificao de meia onda sem filtro e com filtro.
A carga recebe tenso
A carga recebe tenso durante todo o tempo

Tempo que a carga no
recebe tenso
Fig. 12
Fig. 13
A presena de tenso sobre a carga durante todo o tempo, embora com valor
varivel, proporciona a elevao do valor mdio de tenso fornecido (fig. 14 e 15).
107
Tenso mdia
Sem filtro
Fig. 14
Com um capacitor de filtro
Fig.15
A colocao de um filtro aumenta o valor da tenso mdia de sada

de um circuito retificador.
108
11 A TENSO DE ONDULAO
O capacitor colocado em circuito retificador est sofrendo sucessivos processos de
carga e descarga.
Nos perodos de conduo do diodo o capacitor sofre carga e sua tenso aumenta.
Nos perodos de bloqueio o capacitor se descarrega e sua tenso diminui (fig. 16).
Fig. 16
t1 = tempo em que o capacitor sofre carga (sua tenso aumenta)

t2 = tempo em que o capacitor e descarrega parcialmente sobre a carga (sua tenso
diminui).
A forma de onda da tenso de sada no chega a ser uma contnua pura,
apresentando uma variao entre um valor mximo e um valor mnimo, denominada
de ONDULAO ou RIPPLE (fig. 17).
V Sada
V Capacitor
Ondulao
Fig. 17
109
ONDULAO ou RIPPLE a variao de tenso existente na forma

de onda de tenso de sada fornecida por um circuito retificador com
filtro capacitivo.
A diferena de tenso entre o valor mximo e o mnimo que a ondulao atinge

denominada de Tenso de Ondulao de Pico a Pico, abreviada por Vondpp (fig. 18).
Fig. 18
A tenso de ondulao na sada de uma fonte tambm denominada de

COMPONENTE ALTERNADA de sada da fonte.
Um dos fatores que definem a qualidade de um circuito retificador o valor da
componente alternada presente na sua sada.
Quanto menor o valor da componente alternada presente na sada de
uma fonte melhor a sua qualidade.
11.1 Fatores que Influenciam na Ondulao

A ondulao na sada de um circuito retificador depende fundamentalmente de trs
fatores:
a da capacidade de armazenamento do capacitor;
b da corrente absorvida pela carga;
c do tempo que o capacitor permanece descarregando.
110
Observando atentamente os fatores se verifica que todos influenciam na descarga

do capacitor, que resulta na ondulao.
Os fatores que influenciam na ondulao so aqueles que

influenciam na descarga do capacitor.
a A capacidade de armazenamento de um capacitor expressa pela sua

capacitncia.
Quanto maior o valor do capacitor, maior a capacidade de armazenamento. Assim,
um capacitor de filtro maior mantm a tenso de sada mais constante, diminuindo a
ondulao (fig. 19 e 20).
Fig. 19
Fig. 20
Capacitor de filtro com maior capacitncia TENSO DE ONDULAO

MENOR.
b A corrente absorvida pela carga responsvel pela descarga do capacitor.

Quando a corrente absorvida pela carga menor, o capacitor descarrega mais
lentamente. Como conseqncia, a reduo de tenso do capacitor menor,
obtendo-se menor ondulao (fig. 21 e 22).
111
Fig. 21
I1 maior que I2
Fig. 22
VOND1 maior que VOND2
Entretanto, a corrente de carga o ponto de partida para o clculo da fonte.

necessrio que o circuito projetado tenha capacidade de alimentar a carga mesmo
na pior situao de consumo.
Por esta razo no se pode contar com modificaes de consumo para melhorar o
desempenho de sada de uma fonte de alimentao.
c O tempo de descarga influencia a ondulao, visto que quanto mais tempo o
capacitor descarrega, menor a tenso nas suas armaduras.
Por esta razo, para uma mesma carga e mesmo capacitor de filtro, os circuitos de
onda completa tm menor ondulao (fig. 23 e 24).
Fig. 23
Fig. 24
112
Em onda completa o capacitor carregado duas vezes a cada ciclo de entrada (fig.
25).
CARGA
DO
CAPACITOR
Fig. 25
11.2 Tenso na Sada nos Circuitos Retificadores com Filtro

A tenso CC mdia de sada em circuitos retificadores com filtro dada pela
equao:
VCC = EM - VONDpp
2
Onde:
VCC
Tenso CC na sada
EM
Tenso de Pico VCA .
2 , desconsiderando-se
a queda nos diodos

VONDpp
Tenso de ondulao de pico a pico
Quando um circuito retificador com filtro capacitivo est sem carga no h

ondulao. A tenso de sada uma CC perfeita.
113
A tenso de sada , neste caso:

VONDpp
VCC = EM - _______
2
VCC = EM
ou
como
VCC = VCA .
VONDpp = 0
tem-se
Isto vlido tanto para a retificao de meia onda com filtro como para a onda
completa com filtro (fig. 26 e 27).
Onda completa
sem carga
Meia onda
sem carga
Fig. 27
Fig. 26
Quando no h carga na sada, a tenso de sada dos circuitos

retificadores de meia onda e onda completa com filtro a mesma.
Um exemplo ilustra o comportamento da tenso de sada de uma retificao de meia

onda com filtro sem e com carga.
VCC = EM
VCC = VCA .
VCC = 15 . 1,41 = 21,2V

VCC = 21,2V
114
Conectando-se um osciloscpio em modo DC na sada da fonte, a forma de onda

observada seria uma CC pura (fig. 28).
Ref
Fig. 28
Quando a carga aplicada a ondulao aparece, fazendo com que a tenso de

sada caia para valores inferiores a EM.
A reduo na tenso de sada se deve a ondulao, e ser tanto maior quanto maior
for a corrente solicitada pela carga.
A ligao da carga a uma fonte provoca o aparecimento da ondulao,

resultando em uma reduo da tenso de sada.
Admitindo-se uma carga que provoque uma ondulao de 3Vpp.

VONDpp
VCC = EM - _______
2
EM = VCA .
2 (desprezando a queda do
diodo)
VCC = 21,2 3,0Vpp

2
VCC = 19,7V
A forma de onda da sada, observada em osciloscpio, em modo DC, seria a

mostrada na figura 29.
115
Fig. 29
O valor mdio da tenso da sada CC, devido ondulao, cairia de 21,2V (sem
carga) para 19,7V (mdia entre 21,2 e 18,2) devido carga.
11.3 Observao da Ondulao com Osciloscpio
A ondulao um componente alternada presente no topo da forma de onda
fornecida por uma fonte com filtro capacitivo e carga na sada.
Como o valor desta ondulao normalmente igual ou menor que 10% do valor da
CC fornecida pela fonte, tornasse difcil medir o seu valor exato usando o
osciloscpio no modo DC (fig.30).
Ondulao
(Difcil de medir com preciso)
Referncia
Fig. 30
116
Para obter uma medida precisa da tenso de ondulao de pico a pico utiliza-se o
modo AC. Neste modo de entrada o componente CC da sada eliminado de forma
que o osciloscpio apresenta na tela apenas a ondulao na tela.
As figuras 31 e 32 mostram mesma sada de uma fonte, nos modos DC e AC de
entrada.
Fig. 31
Fig. 32
Para medir com preciso o valor da tenso de ondulao na sada de

uma fonte deve-se utilizar o modo de entrada AC no osciloscpio.
11.4 Determinao do Capacitor de Filtro

A tenso de sada de uma retificao com filtro dada pela equao:
Vondpp
VCC = EM - ______
2
Pela equao verifica-se que a tenso de sada depende da tenso de ondulao. A
tenso de ondulao depende do tipo de circuito retificador (meia onda, onda
completa), do valor do capacitor de filtro e da corrente da carga.
117
Observa-se que a tenso de ondulao depende de vrios fatores que esto

relacionados entre si. Esta dependncia torna difcil a formulao de uma equao
exata que determine o valor de capacitor a ser usado para uma tenso prestabelecida.
Entretanto, devido a grande tolerncia de valor dos capacitores eletrolticos (at
50%) pode-se formular uma equao simplificada para o seu clculo.
Esta equao pode ser usada para clculo de capacitores de filtros para at 20% de
ondulao de pico a pico sem introduzir um erro significativo.
A equao simplificada para o clculo do valor do capacitor de filtro :
C = T Imx_
VONDpp
Onde:
C = valor do capacitor de filtro em F
T = perodo aproximado de descarga do capacitor
meia onda
T = 16,6 ms p/60Hz
onda completa
T = 8,33 ms p/60Hz
Imx = corrente de carga mxima em mA

VONDpp = tenso pico a pico de ondulao em Volts.
O fator T determinado em funo do tipo de retificao usado (meia onda ou onda

completa), a corrente de carga mxima pela lei de OHM e a tenso de pico a pico de
ondulao assume o valor desejado (VONDpp at 20% de VCC).
A seguir esto apresentados dois exemplos de emprego de equao para
determinao do capacitor de filtro.
A Deseja-se montar uma fonte retificadora de meia onda para tenso de sada 12v
corrente de 150mA, com ondulao de 2Vpp.
118
Qual o valor do capacitor de filtro?

Dados meia onda (T = 16,6ms)
IRL = 150mA
VONDpp = 2V
C = T . Imx_
VONDpp
C = 1245 F
C = 16,6 . 150mA
2Vpp
B A mesma fonte em onda completa.

Dados - onda completa T = 8,33ms
IRL = 150mA
VONDpp = 2V
C = T . Imx_
VONDpp
C = 625 F
C = 8,33 . 150
2
Alm da capacitncia do capacitor de filtro deve-se tambm especificar a sua tenso

de isolao. A tenso de isolao deve ser sempre superior ao maior valor de tenso
que o capacitor ir realmente funcionar. Por exemplo:
Tenso de sada
Tenso de isolao a
(sobre o capacitor)
ser usada
12V
16V
17V
25V
28V
40V
11.5 O Capacitor de filtro ideal

O capacitor de filtro seria aquele que possibilitasse a obteno de uma tenso de
sada sem componente alternada (ondulao inexistente). Certamente o valor de
capacitncia deste capacitor seria elevadssimo para que sua capacidade de
armazenamento fosse suficiente para manter a tenso de sada absolutamente
constante.
119
Entretanto a utilizao prtica de um capacitor como filtro implica em um

compromisso entre alguns fatores:
Diminuir o percentual de ondulao obriga ao uso de capacitores de
maior capacitncia e, portanto, maior volume e custo mais elevado.
Por esta razo, verifica-se at que ponto compensador diminuir a tenso de

ondulao de pico a pico de 20% para 5% de CC em relao ao custo e volume do
capacitor.
Na prtica, os capacitores utilizados como filtro so normalmente eletrolticos porque
possui maior capacitncia por volume.
Se uma tenso de ondulao da ordem de 10% de VCC elevada demais para que
uma fonte de alimentao possa ser usada em um determinado equipamento, utilizase circuito eletrnico destinado especialmente a regulao da tenso de sada, sem
que seja necessrio aumentar a capacitncia do filtro.
A corrente de pico repetitiva a razo pela qual no se pode aumentar
indefinidamente o capacitor de filtro de uma fonte.
11.6 Tabela de Equaes de Circuitos Retificadores
A tabela 4 apresenta as equaes para o clculo dos principais parmetros das
fontes retificadoras.
Os valores que aparecem na tabela so:
VCC* - tenso CC na sada, desconsiderando a queda nos diodos.
120
VCC - tenso CC na sada com carga mxima e considerando a queda nos diodos.
EM - tenso de pico da CA (VCA .
2 ) aplicada ao (s) diodo (s).
VD - queda tpica em um diodo ( 0,3V ou 0,7V).

VONDpp tenso de ondulao de pico a pico ( desejada ou liga em osciloscpio).
VCCNL tenso de sada sem carga.
Imx corrente de carga mxima em mA.
RL resistncia da carga em .
IRL corrente de carga.
As tenses de sada fornecidas no levam em considerao a resistncia interna
dos transformadores, quando usados. Esta resistncia pode causar diferenas da
ordem de 10% para menos nas tenses de sada.
As tenses de pico inversas encontradas atravs das equaes da tabela so os
valores reais aos quais o diodo est sujeito. Ao selecionar o diodo deve-se usar um
com tenso reversa repetitiva mxima maior que o valor encontrado no clculo.
121
122
A seguir esto apresentados 2 exemplos de utilizao da tabela.

EXEMPLO 1
Circuito retificador de onda completa em ponte, sem filtro, tenso de entrada C, 8V,
carga 27. Diodos silcio.
Tenso de sada
necessrio considerar a queda nos diodos (VCA < 20V)
VCC = 2
EM = VCA .
VCC = 2_
EM 2VD
2
11,3 2 . 0,7
VCC = 0,636 . 9,9
EM = 8 . 1,41
EM = 11,3V
VCC = _2_ 11,3 1,4
VCC = __2__ . 9,9

3,14
VCC = 6,3V
Percentual de ondulao
Valor fixo = 48%
Tenso reversa de trabalho em cada diodo
VRWM = EM
VRWM = 11,3V
123
Corrente mdia em cada diodo

VCC
IFAV = _____
2RL
6,3V
IFAV = _______
= 6,3V
2 . 27
54
IFAV = 117mA
Poderia se utilizar, por exemplo, um diodo com as seguintes caractersticas:

VRWM = 25V
IFAV = 200mA
EXEMPLO 2
Circuito retificador de onda completa com derivao central, diodos de silcio, com
filtro, tenso CA de entrada 35V, carga 230mA, ondulao desejada 5Vpp.
Tenso de sada
No necessrio considerar a queda nos diodos (VCA > 10V)
VONDpp
VCC = EM - _______
2
EM = VCA .
VONDpp = 5V (fornecido)
EM = 35 . 1,41
EM = 49,4V
5V
VCC = 49,4 - ____
2
VCC = 46,9V
Percentual de ondulao
VONDpp
. 100
% OND = ___________
. 100
% OND = __________
5V
12 . VCC
5V
. 100
% OND = __________
3,46 . 46,9V
12 . 46,9V
% OND =
5V . 100
162,2V
% OND = 3,1%
124
Percentual de regulao
CCNL VCC . 100
% R =V
_________
VCC
VCCNL = EM (retificao onda completa)
VCCNL = 49,4V
VCC = 46,9V (com carga)
% R = 49,4 46,9V . 100

46,9V
% R = 2,5 . 100
46,9V
% R = 5,3%
Clculo do capacitor de filtro

C = T . _Imx_
T = 8,33ms = onda completa
Imx = 230mA (fornecido)
VONDpp
VONDpp = 5V (valor desejado fornecido)

C = 383
F
C = 8,33 . 230
5
Usando os valores comerciais, o capacitor poderia ser de 470F, 63V.

Tenso reserva de trabalho em cada diodo
VRWM = 2EM
VRWM = 2 . 49,4V
VRWM = 98,8V
Corrente mdia em cada diodo

IRL
IFAV = _____
2
IFAV = 230mA
2
IFAV = 115mA
Poderiam ser utilizados, por exemplo, 2 diodos com as seguintes caractersticas:

VRWM = 150V
IFAV = 200mA
125
12 DIODO EMISSOR DE LUZ

um tipo especial de diodo semicondutor que emite luz quando polarizado
diretamente.
O diodo emissor de luz, identificado comumente como DIODO LED
representado pelo smbolo apresentado na figura 1.
Fig. 1
Os diodos LED so encontrados com as mais diversas formas e dimenses. A figura

2 apresenta alguns tipos construtivos de diodos LED.
Fig. 2
O catodo de um diodo LED pode ser identificado por um corte na base do

encapsulamento (fig. 3).
CATODO
Fig. 3
VISTA DE BAIXO
O diodo LED utilizado principalmente em substituio s lmpadas incandescentes

de sinalizao, devido a uma srie de vantagens que apresenta, tais como:
126
Baixo consumo
Nenhum aquecimento
Alta resistncia a vibraes
Grande durabilidade
12.1 Corrente Direta Nominal (IF)

um valor de corrente de conduo indicado pelo fabricante no qual o diodo LED
apresenta um rendimento luminoso timo (normalmente 20mA).
12.2 Tenso Direta Nominal (VF)
Especificao que define a queda da
tenso tpica do diodo no sentido de
conduo. A queda de tenso nominal
(VF) ocorre no componente quando a
corrente direta tem valor nominal (IF)
(fig. 4).
Fig.4
Para valores de corrente direta diferente do valor nominal (IF) a tenso direta de
conduo sofre pequenas modificaes de valor.
12.3 Tenso Inversa Mxima (VR)
Especificao que determina o valor de tenso mxima que o diodo LED suporta no
sentido inverso sem sofrer ruptura.
A tenso inversa mxima dos diodos LED pequena (da ordem de 5V) uma vez que
estes componentes no tm por finalidade a retificao.
A tabela 2 apresenta as caractersticas de alguns diodos LED.
127
TABELA 2
LED
COR
VF a IF = 20mA IF mx.
LD 30C
Vermelho
1,5V
100 mA
LD 37
Verde
2,4V
60 mA
LD 35
Amarelo
2,4V
60 mA
12.4 Led Bicolor

O led bicolor consiste, na verdade, de dois leds colocados dentro de uma mesma
cpsula.
Estes LEDs tem trs terminais (fig. 5 e 6).
Fig. 5
Fig. 6
Um dos terminais comum aos dois LEDs. Dependendo da cor que se deseja
acender polariza-se um dos diodos (fig. 7 e 8).
ACENDE
UMA COR
ACENDE
OUTRA
COR
Fig. 7
Fig. 8
128
12.5 LED Infra-Vermelho

A luz infra-vermelha um tipo de luz que no visvel ao olho humano. Este tipo de
luz usado principalmente em alarmes contra roubos e circuitos do gnero.
Existem diodos LEDs que emitem luz vermelha. Estes LEDs funcionam como os
outros, porm no se pode observar visualmente se esto ligados ou no.
12.6 Teste do Diodo LED
Os diodos LEDs podem ser testados como um diodo comum, usando um multmetro
na escala de resistncia.
Em um sentido teste deve indicar baixa resistncia e, em outro, alta resistncia. (fig.
9 e 10).
Fig. 9
129
Fig. 10
OBSERVAO:
Em alguns casos, dependendo do multmetro utilizado para o teste, o LED acende
durante o teste com polarizao direta.
130
13 DIODO ZENER
O diodo zener um tipo especial de diodo utilizado como regulador de tenso. A sua
capacidade de regulao de tenso empregada principalmente nas fontes de
alimentao, visando obteno de uma tenso de sada fixa.
O diodo zener essencialmente um regulador de tenso.
O diodo zener representado nos diagramas pelo smbolo

mostrado na figura 1.
Fig. 1
13.1 Comportamento do Diodo Zener

O comportamento do diodo zener depende fundamentalmente da forma como
polarizado.
a) Com polarizao direta;
b) Com polarizao inversa.
POLARIZAO DIRETA: com polarizao direta o diodo zener se comporta da

mesma forma que um diodo retificador, entrando em conduo e assumindo uma
queda de tenso tpica.
A figura 2 mostra um diodo zener polarizado e a figura 3 mostra a curva
caracterstica de conduo.
Fig. 2
Fig. 3
131
Polaridade diretamente, o diodo zener se comporta como um diodo

retificador convencional.
Normalmente o diodo zener no utilizado com polarizao direta nos circuitos

eletrnicos.
POLARIZAO INVERSA: at um determinado valor de tenso inversa, o diodo
zener se comporta como um diodo comum, ficando em bloqueio.
No bloqueio, circula no diodo zener uma pequena corrente de fuga, conforme mostra
a figura 4.
Fig. 4
O sinal negativo de Iz (-Iz) na figura 4 indica que esta corrente circula no sentido
inverso pelo diodo.
Em um determinado valor de tenso inversa, o diodo zener entra em conduo,
apesar de polarizado inversamente.
corrente inversa aumenta
rapidamente e a tenso sobre o

zener se mantm praticamente
constante (fig.5).
Fig. 5
132
O valor de tenso inversa que faz com que o diodo zener entre em conduo
denominado de TENSO ZENER.
Tenso zener (Vz) a tenso que aplicada inversamente a um
diodo zener provoca a sua conduo.
Enquanto houver corrente inversa circulando no diodo zener tenso sobre seus
terminais se mantm praticamente no valor de tenso zener.
O funcionamento tpico do diodo zener com corrente inversa, o que

estabelece uma tenso fixa sobre seus terminais.
importante observar que, no sentido reverso, o diodo zener difere do diodo

retificador convencional.
Um diodo retificador nunca chega a conduzir intensamente no sentido reverso, e se
isto acontecer o diodo estar em curto, danificado permanentemente.
O diodo zener levado propositalmente a conduzir no sentido reverso, visando
conter a tenso zener constante sobre seus terminais, sem que isto danifique o
componente.
13.2 Caractersticas do Diodo Zener
As caractersticas eltricas importantes do diodo zener so:
a) Tenso Zener;
b) Potncia Zener;
c) Coeficiente de Temperatura;
d) Tolerncia.
133
a) Tenso Zener:
A tenso zener (tenso de ruptura) dos diodos zener depende do processo de
fabricao e da resistividade da juno semicondutora. Durante a ruptura o diodo
zener fica com o valor de tenso zener sobre seus terminais.
A tenso zener a tenso que fica sobre o componente na condio
de funcionamento normal.
Os diodos zener so fabricados para valores de tenso zener da ordem de 2V at

algumas dezenas de volts. Este valor fornecido pelo fabricante nos folhetos
tcnicos dos diodos zener.
b) Potncia Zener:
O diodo zener funciona na regio de ruptura, apresentando um valor determinado de
tenso sobre seus terminais (VZ) e sendo percorrido por uma corrente inversa. (fig.
6).
Fig. 6
Nestas condies, verifica-se que o componente dissipa potncia em forma de calor.

A potncia dissipada dada pelo produto de tenso e corrente:
P=V.I
POTNCIA
PZ = VZ . IZ
POTNCIA ZENER
134
Os diodos zener so fabricados para determinados valores de potncia de

dissipao (o,4W, 1W, 10W).
Estes valores determinam a dissipao mxima que o componente pode suportar.
Cada diodo zener tem um valor de dissipao mxima que fornecido pelo
fabricante nos folhetos tcnicos.
Utilizando os valores de tenso zener e potncia zener mxima, fornecidos pelo
fabricante, pode-se determinar a corrente mxima que o zener pode suportar.
PZ = VZ . IZ
PZmx = VZ . IZmx
PZmx
IZmx = ________
VZ
Este valor da corrente no pode ser exercido sob pena de danificar o diodo zener
por excesso de aquecimento.
Os diodos zener de pequena potncia (at 1W) podem ser encontrados em
encapsulamento de vidro ou plstico enquanto os de maior potncia so geralmente
metlicos para facilitar a dissipao de calor (fig. 7 e 8).
Fig. 8
Fig. 7
A regio de funcionamento do zener determinada por dois valores de corrente,

uma vez que sua tenso inversa constante.
135
Estes valores de corrente so:
IZ mximo
IZ mnimo (fig. 9)
Fig. 9
O valor de IZ mximo determinado pela potncia zener:

PZ
IZ mx = _______
VZ
O valor de IZ mnimo definido como 10% do valor de IZ mximo.
IZ mx
IZ min = ______
10
c) Coeficiente de Temperatura:
Os diodos zener so fabricados com materiais semicondutores, que sofrem
influncia da temperatura nas suas condies de funcionamento (dependncia
trmica).
A tenso zener se modifica com a variao de
temperatura do componente.
A influncia da variao de temperatura na tenso zener expressa sob a forma de

relao entre dois valores (tenso e temperatura). Esta relao define em quantos
milivolts a tenso zener se modifica para cada grau centgrado de alterao da
temperatura do componente.
136
COEFICIENTE DE
MV / C
TEMPERATURA
Devido a uma diferena no princpio de funcionamento interno, os diodos zener so

divididos em dois grupos:
TENSO ZENER COEFICIENTE DE TEMPERATURA
SIGNIFICADO
At 6V
- mV / C
A tenso sobre o zener

diminui com o aumento da
temperatura.
Acima de 6V
+ mV / C
A tenso sobre o zener

aumenta com o aumento da
temperatura.
As curvas caractersticas da figura 10 e 11 exemplificam a dependncia tcnica nos

dois grupos de diodo zener.
Fig. 10
Fig. 11
OBSERVAO:
Os valores de tenso zener fornecidos pelo fabricante nos folhetos tcnicos so
vlidos para a temperatura de 25C.
137
d) Tolerncia:
A tolerncia do diodo zener especifica a variao que pode existir entre o valor
especificado e o valor real de tenso reversa do diodo zener.
Isto significa que um diodo zener de 12V pode ter uma tenso reversa real, por
exemplo, de 11,5V.
Para especificar a tolerncia os fabricantes de diodo zener utilizam uma codificao:
-
Tolerncia de 5% - a designao do diodo zener vem acompanhada de uma

letra A.
Exemplo: 1N4742 A
Consultando o manual de diodos zener se verifica que o diodo 1N4742 de 12V,

1W.
A letra A indica que pode existir uma variao de 5% no valor de tenso do zener
(de 11,4V a 12,6V).
-
Tolerncia de 10% - a designao do diodo vem sem letra no final.

Exemplo: 1N4133
Caractersticas 5,1V; 1W; 10% de tolerncia (de 4,6V a 5,6V).

A tabela a seguir apresenta a especificao de alguns diodos zener.
138
139
14 O DIODO ZENER COMO REGULADOR DE TENSO

As caractersticas de comportamento do diodo zener na regio de ruptura permitem
que o componente seja utilizado em circuitos que possibilitam a obteno de uma
tenso regulada, a partir de fontes que forneam tenses variveis ou mesmo com
cargas de consumo varivel (fig. 1).
Converso
Regulao com
zener
Filtro
Carga
varivel
CC pulsante
CC filtrada
CC regulada
Fig. 1
Para que o diodo zener seja utilizado como regulador de tenso necessrio
introduzir junto com o componente, no circuito regulador, um resistor que limite a
corrente do zener abaixo do seu valor mximo (IZ mximo).
A figura 2 apresenta a configurao caracterstica de um circuito regulador de tenso
com o diodo zener.
ENTRADA
TENSO
NO
REGULADA
SADA
TENSO
REGULADA
RS RESITOR LIMITADOR
CARGA
Fig. 2
140
A tenso sobre a carga a mesma do diodo zener porque carga e zener esto em
paralelo.
14.1 Funcionamento do Circuito Regulador
O circuito regulador com diodo zener deve receber na entrada uma tenso no
mnimo 40% maior que o valor desejado na sada para que seja possvel efetuar a
regulao. Assim, se a tenso de sada desejada de 6V, o circuito regulador deve
utilizar um diodo zener com VZ = 6V e tenso de entrada de pelo menos 8,5 (fig. 3).
Fig. 3
14.2 Condio Normal

A aplicao de tenso de entrada superior a tenso de ruptura do diodo zener,
coloca o componente na regio de ruptura.
Desta forma a tenso sobre o zener assume o valor caracterstico VZ (fig. 4).
Fig. 4
141
Como o diodo zener e a carga esto em paralelo, assumem a mesma tenso (fig. 5).
VRL =VZ
Fig. 5
Nesta condio circula corrente atravs da carga e do diodo zener (fig. 6).
Fig. 6
Atravs do resistor limitador circula a soma das correntes do zener e da carga (fig.
7).
Fig. 7
Estas correntes provocam uma queda de tenso sobre o resistor, cujo valor
exatamente a diferena entre a tenso da entrada e a tenso do zener (fig. 8).
142
VRS = VENT VZ
Fig. 8
Esta a condio normal de funcionamento do circuito (fig. 9).
Fig. 9
14.3 Condies de Regulao

A partir da condio normal de funcionamento so possveis trs situaes distintas:
-
Regulao de tenso quando a tenso de entrada est sujeita a variaes.
Regulao de tenso quando o consumo de corrente de carga pode ser

varivel.
Regulao de tenso quando a tenso de entrada e a corrente de carga

variam.
14.4 Regulao de Tenso com Tenso de Entrada Varivel

Esta situao muito comum em circuitos eletrnicos alimentados pela rede eltrica
CA.
143
A tenso fornecida pelas fontes retificadoras alimentadas pela rede eltrica CA varia
proporcionalmente em relao tenso de entrada (fig. 10).
Fig. 10
Para conseguir que a tenso CC aos circuitos eletrnicos alimentados pela rede CA
seja constante, so utilizados circuitos reguladores com diodo zener.
A seguir est descrita a forma como circuito regulador atua quando ocorre variao
na tenso de entrada, tomando como referncia um circuito na condio normal de
funcionamento (fig. 11).
Fig. 11
14.5 Aumento na Tenso de Entrada

Quando ocorre um aumento na tenso de entrada, este aumento tende a se
transferir para a carga.
144
Entretanto, o zener em paralelo com a carga mantm a tenso na carga constante; a

do zener diminui, permitindo a circulao de um valor de corrente zener maior: (fig.
12 e 13).
V Z = RZ
Fig. 12
. IZ
Fig. 13
Resumindo:
Com o aumento na tenso de entrada:
a) A tenso e corrente na carga permanecem praticamente constantes;
b) A corrente do zener aumenta.
A soma das correntes do zener e carga (IZ + IRL) circula no resistor limitador.
Com o aumento na corrente do zener aumenta tambm a corrente no resistor
limitador (IL + IZ
= IRS ).
Com acrscimo da corrente no resistor limitador a sua queda de tenso aumenta

compensando o aumento na tenso de entrada (fig. 14 e 15).
145
Fig. 14
Fig. 15
Na prtica, observa-se um pequeno aumento na tenso zener (por exemplo, de 6V

para 6,1V).
A figura 16 ilustra o comportamento do circuito regulador com o aumento da tenso
de entrada.
Fig. 16
14.6 Reduo na Tenso de Entrada

Quando h uma reduo na tenso de entrada o zener se comporta de forma
inversa. Embora a tenso de entrada diminua, o zener em paralelo com a carga
mantm a tenso de sada constante.
Para que a tenso no zener (e na carga) permanea constante a resistncia interna
do zener aumenta, de forma que a corrente zener diminui (VZ = Rz
. IZ ) (fig. 17 e
18).
146
Fig. 17
Fig. 18
Com a diminuio de IZ a corrente que circula no resistor limitador (IZ + IRL) se reduz.
Isto provoca a reduo na queda de tenso no resistor limitador, compensando a
reduo na tenso de entrada (fig. 19 e 20).
Fig. 20
Fig. 19
Verifica-se que a tenso sobre a carga permanece praticamente constante (6V e

5,9V) mesmo que a tenso de entrada diminua significativamente (8,5V para 7,5V).
A figura 21 ilustra o comportamento do circuito regulador com a reduo na tenso
de entrada.
VRS diminui
Permanece
praticamente
constante
VENT diminui
Fig. 21
147
14.7 Concluso
Analisando as duas situaes de regulao, conclui-se que as diferenas de tenso
de entrada ficam sobre o resistor limitador, permitindo a carga receber uma tenso
praticamente constante (fig. 22).
Fig. 22
14.8 Regulao de Tenso com Corrente de Carga Varivel

As variaes de tenso de alimentao em funo da corrente de carga ocorrem,
principalmente,
devido
caractersticas
dos
filtros
utilizados
nas
fontes
retificadoras.
A variao na tenso de ondulao na sada das fontes provoca alteraes na
tenso fornecida em funo da corrente consumida pela carga.
O diodo zener pode ser utilizado, formando um circuito regulador, que possibilita o
fornecimento de tenso constante, independentemente do consumo de corrente pela
carga.
A seguir analisada a forma como o diodo zener se comporta frente s variaes da
corrente de carga, tomando como base um circuito na condio normal, com valor
de carga mdia (fig. 23).
148
(carga mdia)
Fig. 23
Considerando-se que a tenso de entrada seja constante, pode-se afirmar que a

tenso sobre o resistor limitador constante (fig. 24).
VRS constante enquanto
VI for constante
Fig. 24
Isto implica em que a corrente, que circula atravs do resistor limitador, tenha um
valor constante independente das variaes de carga.
Resumindo, pode-se dizer:
Vi = constante
VRS = constante
IRS = constante
Como IRS dado pela soma IZ + IRL pode-se escrever:
Tenso de entrada
constante
IZ + IRL = constante
149
A partir desta concluso pode-se analisar o comportamento do circuito quando a

corrente de carga varia.
14.9 Aumento na Corrente de Carga
Quando a corrente de carga aumenta, a corrente no diodo zener diminui, porque a
soma de IZ + IRL sempre constante.
IRL
+ IZ
= constante
As figuras 25 e 26 ilustram o que foi descrito.
CONDIO MODIFICADA
Fig. 25
Fig. 26
IRL = aumentou 20mA

IZ
= diminuiu 20mA
IRS = permanecem constante

14.10 Diminuio da Corrente de Carga
Quando a corrente de carga diminui, a corrente no zener aumenta, fazendo com que
a corrente no limitador permanea constante.
IRL
+ IZ
= constante
150
As figuras 27 e 28 ilustram o comportamento do circuito com reduo IRL.
Fig. 27
Fig. 28
IRL = diminuiu 20mA

IZ
= aumentou 20mA
IRS = permanecem constante

Observando as duas situaes de variao da corrente de carga se observa que o
zener absorve estas variaes, de forma que a tenso sobre a carga permanea
constante (fig. 29).
Fig. 29
14.11 Regulao de Tenso com Corrente de Carga e Tenso de Entrada

Varivel
Na maioria dos casos os circuitos reguladores esto sujeitos a variaes
simultneas de tenso de entrada e corrente de carga.
151
Nestas condies o comportamento do circuito pode ser resumido em duas

situaes:
-
As variaes de tenso de entrada aparecem sobre o resistor limitador;
As variaes de corrente de carga se traduzem em variaes na corrente do

zener (fig. 30).
VARIAES DE
TENSO
VARIAES DE
CORRENTE DE CARGA
Fig. 30
14.12 Fonte de Alimentao com Tenso de Sada regular a Diodo Zener

Uma fonte de alimentao com tenso de sada regular a diodo zener se compe
basicamente dos trs blocos apresentados na figura 31.
Retificao
Filtro
Regulao
com zener
Tenso CC
regulada
CA
Fig. 31
A retificao transforma a CA em CC pulsante, podendo ser meia onda ou

onda completa.
A filtragem aproxima a forma de tenso de sada CC.

152
A regulao recebe a tenso filtrada, que contm uma ondulao e que varia
em funo da carga e da CA de entrada, entregando na sada uma tenso
constante (fig. 32).
Fig. 32
A figura 33 mostra o chapeado de uma placa de circuito impresso para uma fonte de
CC com tenso de sada regulada a zener, identificando os blocos do circuito.
RETIFICAO
FILTRAGEM
ESTABILIZAO
Fig. 33
OBSERVAO
No aparecem no circuito a chave liga-desliga, o fusvel, a chave seletora
110V/220V e o transformador porque esto fora da placa de circuito impresso.
153
15 TRANSISTOR BIPOLAR ESTRUTURA BSICA

O transistor bipolar um componente eletrnico constitudo por materiais
semicondutores, capaz de atuar como controlador da corrente, o que possibilita o
seu uso como amplificador de sinais ou como interruptor eletrnico.
Em qualquer uma das duas funes o transistor encontra ampla aplicao:
-
Amplificador de sinais = equipamentos de som e imagem e controles

industriais.
Interruptor eletrnico = controles industriais, calculadoras e computadores

eletrnicos.
O transistor bipolar proporcionou um grande desenvolvimento eletrnica, devido a

sua versatilidade de aplicao, constituindo-se em elemento chave de grande parte
dos equipamentos eletrnicos.
15.1 Estrutura Bsica
A estrutura bsica do transistor se compe de duas pastilhas de material
semicondutor, de mesmo tipo, entre as quais colocada uma terceira pastilha,
bastante mais fina, de material semicondutor com tipo diferente de dopagem,
formando uma configurao semelhante a um sanduche (fig.1).
Material com
dopagem diferente
MESMA
DOPAGEM
Fig. 1
154
15.2 Tipos de Transistores

A configurao da estrutura, em forma de sanduche, permite que se obtenha dois
tipos distintos de transistores:
-
Um com pastilhas externas de

material N e pastilha central de
material P (fig. 2).
Fig. 2
Este tipo de transistor denominado de TRANSISTOR BIPOLAR NPN.

-
Outro com pastilha externas

de
material
central
de
pastilha
material
N,
denominado de TRANSISTOR
BIPOLAR PNP (fig. 3).
Fig. 3
Os dois tipos de transistores podem cumprir as mesmas funes diferindo apenas na

forma como as fontes de alimentao so ligadas ao circuito eletrnico.
Existem dois tipos de transistores bipolares: NPN e PNP
15.3 Terminais do Transistor

Cada uma das pastilhas formadoras do
transistor conectada a um terminal que
permite a interligao da estrutura do
componente aos circuitos eletrnicos
(fig. 4).
Fig. 4
155
Os terminais recebem uma designao que permite distinguir cada uma das
pastilhas:
-
A pastilha central denominada de BASE, representada pela letra B.
Uma das pastilhas externas denominada de COLETOR, representada pela

letra C.
A outra pastilha externa denominada de EMISSOR, representada pela letra

E.
A figura 5 apresenta os dois tipos de transistores, com a identificao dos terminais.
Fig. 5
O transistor possui trs terminais: coletor, base e emissor.
Embora as pastilhas do coletor e do emissor sejam do mesmo tipo de material

semicondutor, no possvel trocaras ligaes de um terminal com o outro nos
circuitos eletrnicos porque existe diferena de volume de material semicondutor e
de intensidade de dopagem entre as pastilhas.
15.4 Simbologia
A figura 6 apresenta o smbolo dos transistores NPN e PNP, indicando a designao
dos terminais.
156
Fig. 6
A diferena entre os smbolos dos dois transistores apenas o sentido da seta no
terminal emissor.
Alguns transistores, fabricados para aplicaes especficas, so dotados de
blindagem.
Esta blindagem consiste em um invlucro metlico ao redor das pastilhas
semicondutoras, que tem por finalidade evitar que o funcionamento do transistor seja
afetado por campos eltricos ou magnticos do ambiente.
Estes transistores apresentam um quarto

terminal, ligado blindagem para que esta
possa ser ligada terra do circuito eletrnico.
O smbolo destes transistores mostra a
existncia do quarto terminal (fig. 7).
Fig. 7
15.5 Aspecto Real dos Transistores

Os
transistores
podem
se
apresentar
nos
mais
diversos
formatos
(encapsulamentos).
Os seus formatos geralmente variam em funo:
157
Do fabricante;
Da funo da montagem;
Do tipo de montagem;
Da capacidade de dissipar calor.
A figura 8 apresenta alguns tipos construtivos de transistores.
(1)
(5)
Fig. 8
Por esta razo, a identificao dos terminais do transistor deve sempre ser feita com
o auxlio de um manual de transistores ou folheto tcnico especfico do fabricante do
transistor.
158
16 AS TENSES NOS TERMINAIS DO TRANSISTOR

O estudo do princpio de funcionamento do transistor consiste em uma anlise do
movimento dos eltrons livres e lacunas no interior do componente, provocado pela
aplicao de tenses externas ap coletor, base e ao emissor.
Para que os portadores se movimentem no interior da estrutura do transistor
necessrio aplicar tenses aos seus terminais.
O movimento dos eltrons livres e lacunas est intimamente ligado a polaridade da
tenso aplicada a cada um dos terminais do transistor.
Por esta razo a polaridade da tenso de funcionamento dos terminais do transistor
NPN diferente da polaridade dos transistores PNP.
16.1 As Junes do Transistor e a Polaridade das Tenses nos Terminais
A estrutura fsica do transistor propicia a formao de duas junes entre cristais P e
N:
- Uma juno PN, entre o cristal da

base e o cristal do emissor, chamado
de juno base-emissor (fig. 1).
Fig. 1
- Uma juno PN, entre o cristal da

base e o cristal do coletor, chamado
de juno base-coletor (fig. 2).
Fig. 2
159
Ao unirem-se as trs pastilhas semicondutoras de um transistor ocorre um processo

de difuso dos portadores.
Como em um diodo, este processo de difuso da origem a uma barreira de potencial
em cada juno.
No transistor, portanto existem duas barreiras de potencial que se formam com a
juno dos cristais:
-
A barreira de potencial na juno base-emissor;
A barreira de potencial na juno base-coletor.
As figuras 3 e 4 mostram as barreiras de potencial nos dois tipos de transistor.
Fig. 3
Fig. 4
a) A JUNO BASE-EMISSOR:
Na condio normal de funcionamento, denominada de funo na regio ativa, a
juno base-emissor polarizada diretamente.
TRANSISTOR NA REGIO ATIVA:

JUNO BASE-EMISSOR POLARIZADA DIRETAMENTE
160
A conduo da juno base-emissor provocada pela aplicao de tenso externa

entre base e emissor, com polaridade correta (tenso positiva no material P e
negativa no material N).
As figuras 5 e 6 mostram a polaridade das tenses de base e de emissor em cada
topo de transistor.
Fig. 5
Fig. 6
b) A JUNO BASE-COLETOR:
Na regio de funcionamento ativo, a juno base-coletor polarizada inversamente.
TRANSISTOR NA REGIO ATIVA:

JUNO BASE-COLETOR POLARIZADA INVERSAMENTE.
O bloqueio da juno base-coletor provocado pela aplicao de tenso externa

entre base e coletor, com polaridade adequada (tenso positiva no material N e
negativa no material P).
161
As figuras 7 e 8 mostram a polaridade das tenses de coletor em relao base em

cada tipo de transistor.
Fig. 7
Fig. 8
16.2 Polarizao Simultnea das duas Junes

Para que o transistor funcione corretamente as duas junes devem ser polarizadas
ao mesmo tempo.
Isto pode ser feito aplicando duas tenses externas entre os terminais do transistor
(fig. 9 e 10).
NPN
Fig. 9
162
PNP
Fig. 10
OBSERVAO: As baterias representam as tenses de polarizao.

Pode-se ainda obter a polarizao correta das junes utilizando outra configurao
de ligao das baterias.
A figura 11 mostra a forma alternativa de polarizao, tomando o transistor NPN
como exemplo.
Fig.11
Analisando a figura observa-se:

-
A bateria B1 polariza juno base-emissor do transistor diretamente.
A bateria B2 aplica uma tenso positiva ao coletor maior que a tenso positiva
da base.
Se o coletor mais positivo que a base ento a base mais negativa de forma que
a juno base-coletor fica polarizada inversamente (fig. 12).
163
Fig. 12
O coletor mais positivo que
A base negativa em
a base, logo
relao ao coletor.
TRANSISTOR REGIO ATIVA

-
A juno base-emissor deve ser polarizada diretamente;
A juno base-coletor deve ser polarizada inversamente.
A alimentao simultnea das duas junes, atravs das baterias externas, d

origem a trs tenses entre os terminais do transistor.
Tenso de base a emissor

denominada de VBE (fig.13).
Fig. 13
Tenso de coletor a base,

denominada de VCB (fig. 14).
Fig. 14
164
Tenso de coletor a emissor

denominada de VCE (fig.15).
Fig. 15
Dispondo as trs tenses em uma mesma figura se observa que as tenses VBE +
VCB somadas so iguais a VCE (fig. 16).
VCE = VBE + VCB
Fig. 16
Para o transistor NPN a regra tambm vlida, invertendo-se apenas a polaridade

das baterias de polaridade das baterias de polarizao (fig. 17).
VCE = VBE + VCB
Fig. 17
165
17 PINCPIO DE FUNCINAMENTO DO TRANSISTOR BIPOLAR

A aplicao de tenses externas ao transistor provoca o movimento dos eltrons
livres e lacunas no interior da estrutura cristalina.
O movimento dos portadores livres d origem a trs correntes que circulam os trs
terminais do transistor (fig. 18).
Fig. 18
A corrente do terminal EMISSOR denominada de corrente de emissor

representada pela notao IE, a do terminal BASE de corrente de base (IB) e a do
terminal COLETOR de corrente (IC). Por conveno se estabeleceu que toda a
corrente que entra no transistor positiva e a corrente que sai negativa.
As figuras 19 e 20 mostram os dois tipos de transistor com as suas correntes.
Fig. 19
Fig. 20
166
O princpio de funcionamento, que explica a origem das correntes no transistor o

mesmo para os transistores NPN e PNP.
Por esta razo usa-se estudar o princpio de funcionamento apenas de um tipo. O
comportamento do tipo no analisado semelhante, diferindo apenas na polaridade
das baterias e no sentido das correntes.
17.1 A Corrente de Base
A corrente de base provocada pela tenso aplicada entre a base e o emissor do
transistor (VBE).
Tomando-se como exemplo o transistor PNP, para analisar o efeito causado pela
tenso VBE tm-se:
-
O potencial positivo aplicado ao emissor repele as lacunas do material P em

direo base (fig. 21).
Fig. 21
Se a tenso VBE tiver um valor adequado (0,6V para o silcio e 0,3V para
germnio) as lacunas adquirem velocidade suficiente para atravessar a
barreira de potencial formada na juno base-emissor, recombinando-se com
os eltrons livres da base.
167
Esta recombinao d origem a corrente de base (fig. 22).
Fig. 22
Devido pequena espessura da base e tambm do seu pequeno grau de dopagem

e recombinao acontece em pequena escala (poucos portadores que provm do
emissor podem se recombinar). Isto faz com que a corrente de base seja pequena,
com valores que situam na faixa de microampres ou miliampres.
IB
Pequeno valor
Como o emissor fortemente dopado, um grande nmero de lacunas se desloca em

direo base, repelidos pela tenso positiva do emissor e atrados pela tenso
negativa da base.
A base, entretanto, no tem eltrons livres suficientes para recombinar com a maior
parte destas lacunas que provm do emissor.
Assim, um grande nmero de lacunas atinge a base em grande velocidade e no se
recombina, por falta de eltrons livres disponveis (fig. 23).
168
Fig. 23
A corrente de base provocada pela aplicao de um potencial

VBE ao transistor. Esta corrente muito pequena porque se deve
recombinao de portadores na base.
17.2 A Corrente de Coletor

As lacunas provenientes do emissor que no se recombinam se caracterizam por
serem portadores minoritrios na base do transistor que de material N (lacunas
presentes em um material N so portadores minoritrios).
A barreira de potencial da juno coletor-base favorece o deslocamento das lacunas
da base para o coletor, onde existe um alto potencial negativo.
As lacunas que atingem o coletor, passando atravs da juno base-coletor do
origem corrente de coletor (fig. 24).
169
GRANDE IC
(Devido
ao
Grande
Nmero de lacunas no
Recombinados na base.)
PEQUENA IB
(Pequena Recombinao
na Base.)
Fig. 24
A corrente de coletor tem valores muita maiores que a corrente de base porque a
grande maioria das lacunas, que partem do emissor, no se recombinam sendo
absorvidos pelo coletor.
IC
IB
IC muito maior que IB

Em geral, do total de lacunas que entra no emissor de um transistor PNP apenas 5%
(ou menos) correspondem a corrente da base. Os restantes 95% (ou mais)
correspondem a corrente de coletor (fig. 25).
170
Fig. 25
17.3 A Corrente de Emissor

Analisando-se um transistor PNP e suas correntes se verifica que:
-
A corrente de emissor entra no transistor;
As correntes de base e coletor saem do transistor (fig. 26).
Fig. 26
A corrente de base formada por portadores que vem do emissor e recombinam na

base.
A corrente de coletor formada por portadores que vem do emissor e no se
recombinam, dirigindo-se ao coletor.
171
Conclui-se, portanto, que tanto a corrente de base como a corrente de coletor

provm do emissor, da forma que se pode afirmar IC + IB = IE (fig. 27).
Fig. 27
17.4 O Controle da Corrente de Base sobre a Corrente de Coletor

A principal caracterstica do transistor reside no fato de que a corrente de base
(pequena corrente) exerce um controle eficiente sobre a corrente de coletor (IC).
A CORRENTE DE BASE CONTROLA
A CORRENTE DE COLETOR
Este controle se deve ao fato de que a corrente de base influi na largura de barreira
de potencial da juno base-emissor.
Quando a tenso VBE aumenta, a barreira de potencial na juno base-emissor
torna-se mais estreita (fig. 28)
172
Fig. 28
O estreitamento da barreira de potencial entre a base e o emissor permite que um

maior nmero de portadores do emissor atinjam a base.
Esta maior quantidade de portadores absorvida pelo coletor, uma vez que a base
no tem capacidade para recombin-los. Verifica-se, ento um aumento na corrente
de coletor.
CONCLUSO
B aumenta
C aumenta
Por analogia pode-se afirmar:

B diminui
C diminui
Isto significa que a corrente de base de um transistor atua como corrente de controle
e a corrente de coletor como corrente controlada.
B controla C
173
17.5 Ganho de Corrente do Transistor

Atravs de um transistor possvel utilizar uma pequena corrente (B) para controlar
a circulao de uma corrente de valor muito maior (C) que a outra:
Uma pequena
Uma
CONTROLADA
corrente B
corrente
C muito maior
A corrente controlada (C) e a corrente de controle (B) podem ser relacionadas entre
si para determinar quantas vezes uma maior que a outra:
Resulta em um nmero que indica quantas
C
___
vezes a corrente de coletor maior que a
corrente de base.
O resultado desta relao denominado tecnicamente de ganho de corrente

contnua entre base e coletor, representado pela letra grega (BETA) em corrente
contnua ou hFE.
HFE ou DC
C
= ___
B
Ganho de corrente contnua

entre base e coletor.
Conhecendo-se o ganho de corrente entre base e coletor do transistor (DC)

possvel determinar a corrente de coletor.
C
DC = ___
B
C = DC . B
174
importante salientar que o fato do transistor permitir um ganho de corrente entre

base e coletor no significa que sejam geradas ou criadas correntes no seu interior.
Todas as correntes que circulam em um transistor so provenientes da fonte de
alimentao, cabendo ao transistor apenas controlar a quantidade de corrente
fornecida por estas fontes.
Os transistores no geram correntes, atuando apenas como

controladores das quantidades de correntes fornecidas
pelas fontes de alimentao.
175
18 O CIRCUITO DE COLETOR
Na grande maioria dos circuitos transistorizados o coletor do transistor conectado a
fonte de alimentao atravs de um resistor, denominado de resistor de coletor,
geralmente abreviado por RC (fig. 1).
Fig. 1
O resistor de coletor completo o CIRCUITO ou MALHA DE COLETOR, que o

composto pelo grupo de componentes onde circula a corrente de coletor (fig. 2).
MALHA
Fig. 2
DE
COLETOR
176
Observando a figura 2 se verifica que a malha de coletor se compe do resistor de

coletor RC em srie com o transistor (coletor-emissor), aos quais est aplicada a
tenso VCC.
Sendo um circuito srie, a malha de coletor obedece a segunda Lei Kirchhoff que
estabelece que a soma das quedas de tenso em um circuito igual tenso
aplicada aos seus extremos.
Na malha de coletor, a tenso VCC fornecida pela bateria se distribui em duas
parcelas:
Uma parcela sobre o resistor de coletor, denominada de queda de tenso no

resistor de coletor, VRC.
Uma parcela entre coletor e emissor do transistor (VCE), conforme a figura 3.
Fig. 3
Conforme estabelece a Lei Kirchhoff, a soma das quedas de tenso nos

componentes da malha de coletor igual tenso aplicada malha. A partir disto,
pode-se determinar a equao da malha de coletor:
VCC = VCE + VRC
EQUAO DA
MALHA DE COLETOR
177
Analisando particularmente cada um dos membros da equao da malha de coletor

tm-se:
VCC a tenso fornecida pela bateria ao circuito. Desconsiderando-se a influncia
da resistncia interna pode-se admitir que VCC tem um valor constante, independente
da corrente que o circuito solicitar.
VRC a queda de tenso no resistor de coletor. O valor desta queda de tenso,
segundo a Lei de Ohm, depende de dois fatores: do valor do resistor (RC) e da
corrente que est circulando (C).
EQUAO DA QUEDA DE TENSO
VRC = RC . C
NO RESISTOR DE COLETOR
Esta expresso matemtica nada mais do que a Lei de Ohm aplicada ao resistor
de coletor.
V = R .
VRC = RC . C
A queda de tenso no resistor de coletor (VRC) tem como principal caracterstica o
fato de ser proporcional a corrente de coletor do transistor.
Se a corrente de coletor se torna maior (C+) a queda de tenso sobre o resistor de
coletor aumenta (RC . C+ = VRC+).
A queda de tenso no resistor de coletor
(VRC) proporcional a corrente de coletor (C).
178
VCE A tenso coletor emissor o ltimo membro da equao da malha de coletor.

O valor de VCE o resultante da equao. VCE depende da tenso de alimentao e
da queda de tenso em RC:
VCC = VCE + VRC
operando tm-se
VCE = VCC - VRC
TENSO COLETOR-EMISSOR
DO TRANSISTOR
Atravs de um exemplo pode-se ilustrar o emprego das equaes da malha de

coletor.
Um transistor com resistor de coletor de 680 tem uma corrente de coletor de 6mA.
A bateria fornece uma tenso de 12V a malha de coletor. Qual a queda de tenso
no resistor de coletor e a tenso coletor emissor do transistor.
A figura 4 mostra o esquema da

malha de coletor citada.
Fig. 4
Queda de tenso
no resistor de coletor
VRC = RC . C
VRC = 68 . 0,006A
VRC = 4,1V
179
Tenso de coletor emissor

do transistor
VCE = VCC - VRC
VCE = 12V 4,1V

VCE = 7,9V
A figura 5 apresenta novamente a

malha de coletor com os valores de
tenso em cada elemento.
Fig. 5
18.1 Relao Entre os Parmetros C, VCE e B

Ao considerar que a queda de tenso VRC depende de C, se afirma que VRC
depende tambm de B. Desenvolvendo a equao da queda de tenso no resistor
de coletor tm-se.
VRC = RC . C
como C = B .
VRC = RC . (B . )
C
Nesta equao os valores de RC e so constantes, logo se pode dizer que o valor
da queda de tenso no resistor de coletor depende diretamente da corrente de base.
Tomando-se um circuito a transistor com duas correntes de base diferentes se pode
verificar a relao entre os valores de , C, RC e VCE.
180
A figura 6 apresenta o circuito usado como exemplo.
Fig. 6
OBSERVAO
O resistor RB na base do transistor serve para limitar a corrente de base do
transistor.
Adimitindo-se como primeiro valor de corrente da base 40A os valores do circuito
so:
C = B .
C = 40A . 100
C = 4mA
VRC = C . RC
VRC = 0,004A . 820
VRC = 3,3V
VCE = VCC - VRC
VCE = 10V 3,3V
VCE = 6,7V
A figura 7 mostra o circuito com os valores obtidos com 40A na base do transistor.
4 mA
3,3 V
10 VCC
A
40
6,7 V
VDE
Fig. 7
181
Adimitindo-se um segundo valor de corrente de base - 70A os valores do circuito

so:
C = B .
C = 70A . 100
C = 7mA
VRC = C . RC
VRC = 0,007A . 820
VRC = 5,8V
VCE = VCC - VRC
VCE = 10V 5,8V
VCE = 4,2V
A figura 8 mostra o circuito com os

valores obtidos com 70A na base do
transistor.
Fig. 8
Colocando os dados do circuito nas duas situaes em uma tabela se observam o

comportamento dos valores C, VRC e VCE quando a corrente de base modificada.
Corrente de
Corrente de coletor Queda de tenso no
base BC
resistor de coletor VRC
Tenso coletor emissor do

transistor
40A
4mA
3,3V
6,7V
70A
7mA
5,8V
4,2V
Pela tabela se verifica que:

Se B aumenta - C aumenta
Se C aumenta - VRC aumenta
Se VRC aumenta - VCE diminui
182
Relacionando apenas os dados relativos ao transistor pode se resumir o

comportamento do circuito assim:
VCE
VCE
Considerando-se que a corrente de base B depende da tenso VBE pode-se incluir

mais este parmetro no comportamento do transistor:
B
VBE
logo
B
VBE
18.2 Relao Entre os Parmetros do Transistor
VBE
VCE
VBE
VCE
VRC
VRC
183
19 DISSIPAO DE POTNCIA NO TRANSISTOR

Todo o componente sujeito a uma diferena de potencial e percorrido por uma
corrente eltrica dissipa uma determinada potncia (P = V. ).
Pode-se citar, por exemplo, uma lmpada que ao receber tenso sobre seus
terminais percorrido por uma corrente, dissipando energia em forma de luz e calor.
No transistor tambm existe uma dissipao de potncia. A circulao de corrente
eltrica atravs das junes do transistor, provocada pela aplicao de tenses aos
seus terminais, d origem a uma dissipao de potncia no interior do componente.
Esta dissipao se d em forma de energia trmica, ou seja, produo de calor,
resultando em um aquecimento do transistor.
19.1 A Dissipao nas Junes
A dissipao de potncia, em forma de calor, ocorre nas duas junes do transistor.
Estas potncias dissipadas so denominadas de potncia de coletor (PC) e Potncia
de base (PB).
A potncia total dissipada no transistor , portanto:
Potncia total = PC + PB
Entretanto, analisando as tenses e correntes presentes nas duas junes verificase que a tenso e corrente presente na juno base emissora (VBE e B) so muito
pequenas, comparadas com a tenso e corrente presente na juno coletor base
(VCB e C) (fig.1).
184
FIG. 1
Por esta razo, a potncia dissipada na juno base-emissor muito pequena

comparada com a potncia dissipada na juno base-coletor.
Potncia Total = PC + PB
Muito pequena comparada com PC
Assim, a potncia dissipada na base do transistor desprezada e se considera que

a potncia total dissipada no transistor a prpria potncia dissipada no coletor:
Ptotal = PC
A potncia de coletor depende da tenso de coletor base (VCB) e da corrente de
coletor (C):
PC = VCB. C
Por questes de facilidade prtica e objetivando a resoluo de circuitos
transistorizados atravs de curvas caractersticas, esta equao substituda por
outra aproximada, cujo erro desprezvel.
PC = VCE . C
POTNCIA TOTAL DISSIPADA

NO TRANSISTOR
185
19.2 Dissipao Mxima no Transistor

O calor produzido pela dissipao de potncia (PC = VCE . C) provoca a elevao da
temperatura dos cristais semicondutores que compe o transistor, podendo leva-lo a
destruio.
OBSERVAO:
Os cristais dos transistores de germnio no devem ultrapassar a temperatura de
90C e dos transistores de silcio no devem ultrapassar 120C.
Para que o transistor no seja destrudo pelo aquecimento excessivo do cristal a
potncia dissipada limitada a um valor que permite o funcionamento do
componente.
Este valor, denominado de Potncia de dissipao mxima (PC max) fornecido
pelo fabricante do transistor nos manuais e folhetos tcnicos.
Potncia de dissipao mxima o limite de dissipao que um
transistor pode suportar sem sofre danos por sobreaquecimento.
19.3 Fatores Que Influenciam na Dissipao Mxima
O limite de dissipao da potncia estabelecida em funo de dois fatores:
a) Resistncia trmica do encapsulamento
b) Temperatura externa ao transistor
a) Resistncia Trmica: A resistncia trmica consiste na oposio apresentada
por um material ao fluxo do calor.
186
Em termos de transistor, a resistncia trmica do encapsulamento, representada

pela notao Rthj-a, diz respeito oposio imposta pelo encapsulamento a
transmisso do calor gerado internamente para o meio ambiente (fig. 2).
Fig. 2
Os transistores fabricados para capacidades de dissipao mais elevada

(denominados de transistores de potncia) so normalmente encapsulados em
invlucros metlicos (fig. 3).
Fig. 3
Os encapsulamentos metlicos se caracterizam por apresentar uma baixa

resistncia trmica, transmitindo com mais eficincia o calor para o meio ambiente.
Os
transistores
de
baixa
dissipao
(denominados
transistores
de
sinal)
encapsulados em invlucros plsticos (fig. 4).
Fig. 4
187
Os encapsulamentos plsticos so utilizados nestes transistores porque a

quantidade de calor gerada na estrutura pequena.
b) Temperatura Externa ao Transistor: Alm da resistncia trmica, a transmisso
de calor entre dois pontos depende tambm da diferena de temperatura entre estes
pontos.
Para que haja transmisso um ponto deve estar a temperatura mais alta que o outro
(fig. 5).
Mesma temperatura sem transmisso de calor

Fig. 5
Transmisso de calor de P1 para P2 devido diferena de temperatura
A quantidade de calor transmitida maior quando a diferena de temperatura

grande entre os dois pontos, e menor quando a diferena pequena. Isto explica,
por exemplo, porque uma xcara de caf esfria mais rapidamente no inverno que no
vero.
A partir desta dependncia entre a quantidade de calor transmitido e a diferena de
temperatura se conclui que:
A quantidade de calor transmitida da juno do transistor para o

ambiente depende da diferena de temperatura entre a juno e o
ambiente.
188
Quanto mais baixa a temperatura do ambiente, melhor a transmisso de calor do

interior do transistor para fora, menor o seu aquecimento.
Assim, dois transistores trabalhando com as mesmas tenses e correntes (mesma
potncia
dissipada PC) iro sofrer aquecimentos
diferentes
se estiverem
funcionando em temperaturas diferentes.

O transistor que estiver funcionando em um ambiente mais quente sofrer maior
aquecimento porque a quantidade de calor transmitida para fora menor.
Devido influncia da temperatura na transmisso de calor a

especificao de potncia mxima de dissipao do transistor
dada em funo da temperatura.
Por exemplo:
TRANSISTOR BC547
POTNCIA DE DISSIPAO MXIMA
500mw 25C menos
OBSERVAO
As potncias de dissipao mxima fornecida pelos
fabricantes sempre so referentes temperatura de 25C, a
menos
que
haja
outra
temperatura
indicada
especificamente.
19.4 Reduo da Potncia Dissipada em Funo do Aumento de Temperatura

Ambiente
Em muitas ocasies se faz necessrio utilizar transistores em circuitos que iro
funcionar em temperaturas superiores a 25C.
189
Nestas ocasies necessrio considerar que o valor de potncia de dissipao

mxima fornecida pelo fabricante no pode ser empregado porque valido somente
at 25C.
O aumento de temperatura ambiente pode ser compensado, fazendo com que o
transistor dissipe uma potncia menor, gerando uma menor quantidade de calor,
internamente e evitando a destruio por aquecimento excessivo.
TEMPERATURA AMBIENTE
POTNCIA DE DISSIPAO MENOR
MAIOR QUE 25C
QUE O VALOR NOMINAL (a 25C)
O grau de reduo que a potncia nominal deve sofrer em funo do aumento de

temperatura varia de transistor para transistor.
Os fabricantes fornecem um grfico de dissipao total de potncia em funo da
temperatura ambiente (Ptot = Tamb, que indica a potncia mxima no transistor para
os diversos valores de temperatura ambiente (fig. 6).
Fig. 6
190
A figura 7 ilustra o emprego do grfico, determinando a potncia de dissipao

mxima dos transistores BC546, BC547, BC548 para uma temperatura ambiente de
50C.
Para mxima
BC546, BC547,
BC548
A 50C
400mW
Fig. 7
19.5 Correntes de Fuga no Transistor

Os transistores so fabricados com materiais semicondutores P e N. estes materiais
sofrem um processo de purificao e dopagem para conterem as lacunas e eltrons
livres.
Entretanto, os materiais P e N no so perfeitamente puros, de forma que cada
material contenha apenas um tipo de portadores.
O material tipo P apresenta uma grande quantidade de lacunas e apenas uma
pequena quantidade de eltrons livres. Por esta razo, no material P, as lacunas so
denominadas de portadores majoritrios (principais) e os eltrons livres de
portadores minoritrios (fig. 8).
191
Fig. 8
O material do tipo N apresenta uma grande quantidade de eltrons livres, que so os

portadores majoritrios e um pequeno nmero de lacunas que so os seus
portadores minoritrios (fig. 9).
Fig. 9
A existncia dos portadores minoritrios nos materiais semicondutores se deve

fundamentalmente a dois fatores:
-
Imperfeio nos processos de purificao dos cristais que sempre

apresentam um pequeno grau de impurezas;
A ruptura das ligaes qumicas pela energia trmica (aquecimento) (fig. 10).
192
Lacuna gerada pelo

rompimento da ligao
covolante (pelo aquecimento)
Fig. 10
19.6 Movimento dos Portadores Minoritrios

Os portadores minoritrios sofrem a influncia das tenses externas aplicadas ao
componente semicondutor, movimentando-se no interior da estrutura cristalina.
Como no caso dos diodos, o movimento dos portadores minoritrios s importante
quando a juno entre os cristais est inversamente polarizada.
No caso dos diodos, durante a polarizao inversa, o movimento dos portadores
minoritrios d origem a uma pequena corrente de fuga (fig. 11).
Polarizao Direta
- 100V
0,6
+V
Corrente de fuga em um diodo, provocada

pelos portadores minoritrios.
Polarizao Inversa
Fig. 11
Nos transistores, o movimento dos portadores minoritrios importante apenas na

juno base-coletor porque esta juno est normalmente com polarizao inversa
(fig.12).
193
Polarizao inversa da
juno base-coletor
Fig. 12
O movimento dos portadores minoritrios na juno base-coletor, inversamente

polarizada, d origem a uma pequena corrente de fuga entre base e coletor (fig. 13).
Fig. 13
Esta corrente representada pela notao ICBO que significa: corrente de fuga
entre coletor e base com emissor aberto (fig. 14).
Fig. 14
194
19.7 Influncia de ICBO na Corrente de Coletor

A corrente de coletor depende diretamente da corrente de base. Esta dependncia
est matematicamente expressa na equao que define o ganho de corrente do
transistor:
hFE = DC = IC
IB
Operando esta equao se obtm a expresso para determinao de IC a partir de
I B:
x = IC
IB
IC = DC . IB
A partir desta equao se verifica que com corrente de base IB = 0 a corrente de

coletor IC :
IC = DC . IB
se IB = 0
IC = DC . 0 = 0
Ou seja, quando no h corrente de base a corrente de coletor deve ser nula.

Entretanto a prtica isto no ocorre.
Aplicao de tenso entre o coletor e emissor do transistor (VCE), mesmo sem
corrente de base (IB = 0), provoca a circulao de uma pequena corrente de coletor
denominada de corrente de fuga entre coletor e emissor com a base aberta,
representada pela notao ICEO (fig. 15).
ICED = corrente de fuga entre

coletor e emissor com base aberta.
195
Esta corrente de saturao reversa (ICEO) provocada pela corrente de fuga ICBO.
Ao circular atravs da juno base-coletor a corrente ICEO provoca uma
recombinao de portadores na base que tem um efeito resultante semelhante
aplicao de corrente de base no transistor, gerando a corrente ICEO.
ICEO , portanto, uma corrente aproximadamente (BETA) vezes maior que ICEO.
ICEO ICBO . DC
Este fator tem determinado uma crescente utilizao dos transistores de silcio
substituio aos transistores de germnio.
19.8 Disparo Trmico
O disparo trmico, tambm denominado de AVALANCHE TRMICA, um
fenmeno que ocorre no transistor devido a corrente de fuga ICBO e que pode levlos destruio por aquecimento excessivo.
A medida em que o transistor funciona em um circuito eletrnico ocorre um
aquecimento das junes, pela dissipao de potncia (PC = VCE . IC).
O aquecimento da juno provoca um aumento na corrente de fuga ICBO.
Como a corrente de coletor composta de duas parcelas IC = IB
+ ICBO, o
aumento de ICBO resulta em IC maior.

Com IC maior, a potncia dissipada aumenta (VCE . IC
PC
) e o transistor sofre
novo aquecimento. A maior temperatura da juno provoca novo aumento em ICBO.

A equao mostra que a corrente de fuga ICBO amplificada pelo transistor da
mesma forma como corrente de base.
196
Nos circuitos a transistor, a corrente ICEO (provocada pela corrente de fuga ICBO) e
a corrente IC (provocada pela corrente de base IB) circulam ao mesmo no terminal
coletor do transistor (fig. 16).
Fig. 16
Conclui-se, ento, que a corrente real de coletor de um transistor sempre a soma

destas duas correntes.
IC = (
DC . IB) + (
DC . ICBO)
OBSERVAO:
A corrente de fuga entre coletor e emissor com a base aberta ICEO , em valor
exato, igual a ICBO ( + 1).
Porm devido ao fato do DC dos transistores ser normalmente elevado (maior que
100) pode-se na prtica desprezar o acrscimo da unidade considerando ICEO =
ICBO x DC.
19.9 Influncia da Temperatura na Corrente de Coletor
O aquecimento um dos fatores responsveis pela gerao de portadores
minoritrios nos materiais semicondutores, provocando o rompimento das ligaes
covalentes do cristal.
197
A partir do momento em que um transistor sofre um aumento de temperatura o maior

nmero de portadores minoritrios na estrutura provoca um aumento na corrente de
fuga ICBO (que construda pelo movimento destes portadores).
A figura 17 apresenta uma curva caracterstica de transistor que mostra o
comportamento da corrente de fuga ICBO frente s variaes de temperatura.
Fig. 17
Atravs desta curva verifica-se claramente que a corrente ICBO aumenta na medida
que a temperatura do transistor se torna mais elevada.
A corrente de fuga ICBO dobra a cada 10C aproximadamente nos transistores de
silcio e 6C nos de germnio. Uma vez que parte da corrente de coletor causada
por ICBO (IC = IB . + ICBO . ), os aumentos de ICBO provocados pelo aumento de
temperatura do transistor se refletem num acrscimo em IC.
198
A corrente de coletor do transistor sofre influncia da

temperatura devido s variaes de ICBO.
19.10 Silcio Versus Germnio

Embora
variao
da
corrente
de
fuga
ICBO
com
temperatura
seja
aproximadamente a mesma (a cada 6C no germnio e 10C no silcio), os

transistores de silcio se caracterizam por apresentarem um valor inicial de ICBO at
500 vezes menor do que os transistores de germnio na mesma temperatura.
199
20 CONFIGURAES DE LIGAO DO TRANSISTOR

20.1 Curvas Caractersticas na Configurao de Emissor Comum
A configurao de ligao do transistor mais utilizada a de emissor comum, razo
pela qual as curvas caractersticas dos transistores, fornecidas pelos fabricantes,
so relativas a esta forma de ligao.
A figura 1 mostra um esquema ilustrativo de um transistor ligado em emissor
comum.
Fig. 1
Analisando a figura 7 se verifica que, na configurao de emissor comum, quatro

parmetros so fundamentais:
VBE, IB, VCE e IC
Os valores VBE e IB so denominados de parmetros de entrada e os valores VCE e

IC de parmetros de sada da configurao emissor comum.
Portanto, para representar atravs de grficos o comportamento do transistor em
emissor comum so necessrias duas curvas caractersticas:
-
Uma que expressa o comportamento dos parmetros da entrada do transistor,

denominada de CURVA CARACTERSTICA DE ENTRADA;
200
Uma que expressa o comportamento dos parmetros de sada, denominada

de CURVA CARACTERSTICA DE SADA.
20.2 Caracterstica de Sada do Transistor em Emissor Comum

Do conjunto de curvas caractersticas que pode ser levantado a partir dos valores
eltricos do transistor, a curva que assume maior importncia a curva
caracterstica de sada, tambm denominada de caracterstica de coletor.
Os parmetros de sada do transistor so IC e VCE. Entretanto, sabe-se que os
valores VCE e IC dependem do valor de IB.
A curva caracterstica de sada construda de forma a permitir que se relacionem
as grandezas IC, VCE e IB em um nico grfico.
CARACTERSTICA DE
RELAO
SADA EM EMISSOR
IB IC VCE
COMUM
A figura 2 mostra a caracterstica de sada do transistor BC 547.
Fig. 2
201
As curvas mostram a dependncia da corrente de coletor (IC) em funo da tenso

coletor-emissor, mantendo a corrente de base em um valor constante.
Nos manuais esta curva identificada como ICf (VCE) IB parmetro (l-se: corrente de
coletor em funo da tenso coletor-emissor para valores fixos de corrente de base).
Deve-se observar que os transistores PNP os parmetros nas curvas so negativos:
-IB e VCE (as correntes IB e IC no transistor PNP saem do transistor e o coletor
negativo com relao ao emissor) (Fig. 3 e 4).
Fig. 3
Fig. 4
Outro aspecto importantssimo a ressaltar com relao s curvas caractersticas

fornecidas pelo fabricante de um transistor que estas curvas representam o
comportamento mdio de um grande nmero de transistores testados.
Isto significa que, na prtica, o comportamento do componente pode apresentar
alguma diferena com relao curva.
202
As curvas caractersticas fornecidas por um fabricante representam o

comportamento mdio de um grupo de componentes de mesma
especificao.
20.3 Aplicao da Caracterstica de Sada em emissor Comum

A caracterstica de sada em emissor comum encontra a sua maior aplicao na
determinao das condies de funcionamento de um transistor em um circuito.
Dispondo de valores do circuito, tais como a tenso de alimentao e o valor do
resistor de coletor, traa-se a reta de carga que permite determinar graficamente o
comportamento transistor em um circuito.
Reta de Carga
A reta de carga traada sobre a curva caracterstica de sada do transistor,
permitindo que se determine graficamente a tenso presente sobre o transistor e
sobre o resistor de coletor em funo da corrente de base (fig. 5).
Fig. 5
203
20.4 Traado da Reta de Carga

Traado da reta de carga leva em conta dois fatores:
-
A tenso de alimentao do circuito;
O valor do resistor de coletor.
Isto significa que para cada transistor, e em cada circuito, existe uma reta de carga
especfica.
Para traar a reta de carga utilizam-se dois pontos que ocorrem em duas situaes
especiais do transistor:
Ponto de corte;
Ponto de saturao
O ponto de corte a situao em que o transistor est sem corrente de base.

Usando as equaes do transistor se verifica o seu comportamento nesta situao:
IC= IB .
como IB = 0
IC = 0
VRC = IC . RC
como IC = 0
VRC = 0
VCE = VCC VRC
como VRC = 0
VCE = VCC
tem-se
VCE = VCC
IC = 0
Estes dois valores representam um ponto na curva caracterstica de sada do

transistor. Tomando como exemplo o circuito da figura 6 o ponto de corte fica na
posio mostrada na figura 7.
204
Fig. 6
Fig. 7
Este um dos pontos da reta de carga.

O ponto de saturao a situao em que se aplica ao transistor uma corrente de
base suficiente para fazer com que a tenso de coletor a emissor caia praticamente
a zero.
Considerando a tenso de coletor a emissor como zero tem-se:
VCE = VCC VRC
como VCE = 0
VRC = IC . RC
IC = VRC
RC
VRC = VCC
como VRC = VCC
IC = VCC
RC
205
Na situao de saturao a corrente de coletor

assume o valor mximo, como se o resistor de
coletor estivesse ligado diretamente a fonte de
alimentao.
ICSat
VCC
= R
C
Este valor de corrente de coletor denominado

de CORRENTE DE SATURAO.
No circuito tomado como exemplo a tenso de alimentao de 30V e o resistor de
coletor de 470. Portanto a corrente de saturao :
ICSat =
VCC
RC
ICSat =
VCE 0
30V
470
ICSat = 63mA
IC = 63mA
Estes dois valores do origem a outro ponto sobre a curva caracterstica do

transistor (fig. 8).
VCE = 0
IC = 63
Fig. 8
206
importante salientar que tanto o ponto de corte como o de saturao dependem

fundamentalmente da tenso de alimentao e do valor do resistor de coletor. Caso
estes valores sejam modificados, os pontos de saturao e corte tem a sua posio
alterada sobre a curva caracterstica.
Os pontos de saturao e corte dependem da tenso
de alimentao e do valor do resistor de coletor.
Este o segundo ponto da reta de carga. Unindo os dois pontos tm-se as retas de
carga do circuito usado como exemplo (fig. 9 e 10).
Fig. 9
Fig. 10
Esta reta de carga serve apenas para o circuito apresentado: transistor BC 547, VCC
= 30V e RC = 470.
Caso o transistor, a alimentao ou o valor do resistor de coletor seja modificado
deve-se traar outra reta de carga de acordo com os novos dados.
207
20.5 Aplicao da Reta de Carga

Uma vez traada a reta de carga pode-se determinar graficamente os valores da
tenso VCE, da tenso sobre o resistor de coletor e da corrente de coletor do
transistor, para cada valor de corrente de base.
Tomando-se o circuito de exemplo (transistor BC 547, VCC = 30V e RC = 470)
pode-se determinar as tenses e correntes na malha de coletor quando a corrente
de base for, por exemplo, 100A.
A resposta obtida atravs do ponto de encontro entre a reta de carga e a curva de
corrente de base 0,1mA (fig. 11).
Fig. 11
208
Projetando o ponto encontrado at o eixo horizontal encontra-se o valor do VCE do

transistor (fig. 12).
VCE = 13V
Fig. 12
Encontra-se tambm a tenso sobre o resistor de coletor do circuito (fig. 13).
209
VRC = 17V
Fig. 13
Projetando o ponto encontrado at o eixo vertical, encontra-se a corrente de coletor

do transistor (fig. 14).
IC = 35mA
Fig. 14
210
A seguir, esto apresentados dois exemplos de reta de carga e determinao de

parmetros de um circuito atravs da curva caracterstica de sada.
VCC = 6
RC = 120
IB
= 100 A
VCE = 3,4 V
VRC = 2,6 V
IC
= 21,5 mA
VCC = 7,5 V
RC = 330
IB
7,5 V
= 80 A
VCE = - 3,2 V
VRC = - 4,3 V
IC
= - 13 mA
211
20.6 Ponto de Operao

Ponto de operao ou ponto quiescente a denominao dada ao conjunto de
valores de tenso e corrente que se estabelecem automaticamente em um circuito a
partir da sua alimentao.
A figura 15 mostra um circuito com

um transistor no ponto de operao:
VCE = 10V
VRC = 14V
IC
24 V
= 52mA
Fig. 15
Uma vez estabelecidos os valores do ponto de operao, se nenhuma modificao

for realizada no circuito, os valores permanecero constantes.
A escolha correta do ponto de operao fundamental, na medida em que todo o
funcionamento do circuito se dar em torno das condies estabelecidas por este
ponto.
20.7 Influncia do Ponto Quiescente no Circuito
O ponto de funcionamento determina, em outras palavras, a condio normal de
funcionamento de um circuito, que se estabelece a partir da alimentao.
A importncia do ponto de operao de um circuito eletrnico pode ser comparada,
por exemplo, importncia do ajuste da posio de referncia do trao do
osciloscpio para uma medida de tenso CC.
Se a referncia est mal ajustada, todas as medidas realizadas estaro erradas.
212
O mesmo ocorre com os circuitos eletrnicos. Se o ponto de operao estiver mal

posicionado, todo o funcionamento do circuito estar prejudicado.
20.8 A Escolha do Ponto de Operao
O ponto de operao de um circuito com um transistor sempre estar sobre a reta de
carga deste circuito. Logo, pode-se afirmar que o ponto de funcionamento depende
dos fatores que determinam a reta de carga (fig. 16 e 17).
-
Transistor utilizado
Tenso de alimentao
Resistor de coletor.
ICM = VCC
RC
Fig. 17
Fig. 16
De acordo com a funo que o circuito ir desempenhar, o ponto de operao pode

se situar em qualquer posio sobre a reta de carga do circuito.
213
As figuras 18, 19 e 20 mostram 3 exemplos de ponto quiescente.
IC
Fig. 18
Fig. 19
Fig. 20
Na maioria dos circuitos eletrnicos o

ponto de operao localizado na
regio central da reta de carga (fig.
21).
Fig. 21
A partir do momento em que o ponto quiescente localizado sobre a reta de carga

ficam automaticamente estabelecidos os valores da malha de coletor.
Tomando como exemplo o circuito apresentado a seguir (fig. 22 e 23).
214
Caracterstica de sada
IC = f(VCE) : IB = parmetro
24 V
Fig. 22
Fig. 23
Escolhendo um ponto de operao na regio central da reta de carga, conforme

mostra a figura 24.
Fig. 24
215
Deste ponto quiescente se obtm:

a) A tenso entre coletor-emissor (fig. 25).
b) A queda de tenso no resistor de coletor (fig. 26).
c) A corrente de coletor (fig. 27).
Fig. 25
Fig. 26
Fig. 27
Estes valores so valores do ponto quiescente, razo pela qual so denominados

de:
VCEQ : tenso coletor-emissor no ponto

quiescente.
VRCQ : queda de tenso no resistor de
coletor no ponto quiescente.
ICQ
: corrente
de coletor
no
ponto
quiescente (fig. 28).

Fig. 28
216
No exemplo utilizado estes valores so:

VCEQ = 10,5V
VRCQ = 13,5V
ICQ = 50mA
OBSERVAO:
Pequenas diferenas devido impreciso grfica e espessura dos traos no
desenho no so significativas.
Para obter os valores quiescentes (VCEQ, VRCQ e ICQ) necessrio aplicar ao
transistor uma determinada corrente de base quiescente (IBQ).
O valor desta corrente de base obtido diretamente do grfico.
No grfico da figura 29, utilizado como

exemplo, o ponto de operao est
colocado sobre a curva de IB = 0,2mA.
Esta a corrente necessria para
obter as condies desejadas.
Fig. 29
20.9 Curva de Dissipao Mxima

Utilizando o valor de potncia de dissipao mxima do transistor e a equao PC =
VCE . IC pode-se traar sobre a curva de sada do transistor o limite de dissipao
ponto a ponto.
217
Na equao PC = VCE . IC o valor de PC dado pelo fabricante.

Tendo o valor de PC e escolhendo diversos valores para VCE acha-se os valores de
IC mximo.
Por exemplo Transistor BC247 PC = 500mw a 25C.
Escolhendo alguns valores para VCE, tais como:

5V; 10V; 20V; 40V.
218
Colocando-se os pontos em dois eixos IC e

VCE tm-se a curva de dissipao mxima o
transistor 25C (500mw) (fig. 30).
Fig. 30
A regio da caracterstica de sada acima da curva traada denominada de regio

de dissipao excessiva e a regio abaixo da curva traada a regio de
funcionamento (fig. 31).
Regio de dissipao
excessiva
Regio de funcionamento
Fig. 30
219
Se for necessrio determinar a reduo da potncia de dissipao mxima, para

funcionamento em temperaturas maiores que 25C, usa-se o grfico Ptot = (Tamb) e
depois se realiza o traado sobre a caracterstica de sada utilizando o valor
encontrado (fig. 32 e 33).
TRAADO DA CURVA LIMITE DE POTNCIA
TRANSISTORES BC 413, BC 414 50C
Dissipao total de potncia
Curva limite de
potncia a 50 C
240mW
Fig. 32
Fig. 33
20.10 A Reta de Carga e a Curva de Dissipao de Potncia Mxima

A reta de carga expressa todas as possibilidades de funcionamento de um transistor
para um determinado valor de resistor de coletor e de tenso de alimentao.
220
Como a curva de dissipao de potncia mxima estabelece o limite da regio de

funcionamento para um transistor, faz-se necessrio que a reta de carga esteja
sempre situada abaixo desta curva.
figura
34
mostra
curva
caracterstica de sada do transistor

BC 413 com a curva de dissipao
mxima a 50C (240mw).
Fig. 34
Os resistores de coletor (RC) e as tenses de alimentao (VCC) devem ser

selecionados de modo a darem origem a retas de carga que se situam sempre
abaixo da curva de limite de dissipao (fig. 35 e 36).
Fig. 35
Fig. 36
221
Quando a reta de carga est abaixo da curva limite de dissipao qualquer ponto de
operao escolhido poder ser utilizado sem o risco de provocar dissipao
excessiva no transistor.
222
21 POLARIZAO DA BASE POR CORRENTE CONSTANTE

Denomina-se de polarizao de base o processo de obteno da corrente de base
necessria para levar o transistor a ponto de operao.
Dentre os processos de polarizao de base o mais simples o de polarizao por
corrente constante.
Atravs do traado da reta de carga e da determinada do ponto de funcionamento
(PQ) fica determinada a corrente de base quiescente (IBQ) (fig. 1 e 2).
IC = f(VCE) IB = parmetro
Fig. 2
Fig. 1
No mtodo de polarizao por corrente de base constante, o corrente de base

quiescente (IBQ) obtido atravs de um resistor, denominado de resistor de base,
que ligado entre a base e a tenso de alimentao (fig. 3).
223
RESISTOR DE POLARIZAO DE BASE
Fig. 3
21.1 Anlise do Circuito de Base

O circuito de base se compe do resistor de base (RB) e da juno base-emissor
ligados em srie e aplicados a tenso de alimentao (fig. 4).
Fig. 4
O circuito de base tambm denominado de malha de base.

Considerando que a juno base-emissor do transistor se comporta como um diodo,
o circuito equivalente da malha de base fica conforme mostram as figuras 5 e 6.
Fig. 5
Fig. 6
224
Observando o circuito equivalente verifica-se que o diodo base-emissor

polarizado diretamente, permitindo a circulao de corrente atravs do resistor.
Esta corrente, que circula atravs do resistor, a corrente de base (fig. 7).
CIRCUITO EQUIVALENTE
Fig. 7
CIRCUITO REAL
21.2 Determinao do Resistor de Base

A corrente que circula na base do transistor (IB) depende:
-
Do valor do resistor (elemento de controle)
Da tenso de alimentao j definida
Do tipo de transistor utilizado j definido
Do circuito equivalente se verifica que a corrente circulante na base dada pela

equao:
IBQ =
VCC - VBE
RB
VCC tenso de alimentao

VBE tpico do transistor
RB - resistor de base
225
Operando esta equao se obtm a frmula para determinar o resistor de base:

IBQ = VCC - VBE
RB
RB = VCC - VBE
IBQ
A seguir est apresentado um exemplo completo de determinao do resistor de

base para a obteno de um ponto de operao desejado.
Dado o circuito apresentado a seguir com o transistor BC 200 (silcio) e sua curva
caracterstica de sada, determinar o valor do resistor de base necessrio para obter
um VCEQ = -3V (a reta de carga para 330 j est traada na curva).
226
Verificando o encontro da reta de

curva com a curva de IB = 80A se
verifica que este ponto determina
um VCEQ de aproximadamente
3,2V (fig. 8).
Fig. 8
Considerando que a diferena de 0,2V admissvel, o valor de IBO necessrio 0A

Para determinar o valor de RB aplica-se a equao.
RB = VCC - VBE
IBQ
RB = 7,5 0,6 = 86.250

0,00008
O valor comercial mais prximo para RB 82K.

O resistor de base utilizado para a polarizao por corrente de base constante
normalmente de valor elevado (por exemplo, 68K, 220K, 470K) por que as
correntes de base dos transistores so baixa (microampres e miliampres).
21.3 Estabilidade Trmica dos Circuitos Transistorizados
A corrente de coletor dos transistores est sujeita a variaes de valor em funo da
temperatura, devido as correntes de fuga ICBO e ICEO.
227
IC = IB + ICBO . ( + 1)
DEPENDENTE DA
TEMPERATURA
A corrente de coletor responsvel pela tenso no resistor de coletor (VRC = IC . Q) e

conseqentemente, pela tenso VCE (VCE = VCC VRC).
Assim as variaes da corrente de coletor, ocasionadas pelas variaes de
temperatura, modificam a forma como as tenses se dividem entre o transistor e o
resistor de coletor, retirando o transistor do ponto de funcionamento (fig. 9).
Deslocamento de PQ com o AUMENTO DE TEMPERATURA
Fig. 9
As variaes de temperatura tendem a fazer com que o ponto de

funcionamento do circuito se desloque.
Aumento de temperatura
deslocamento para a parte superior da
reta de carga.
Reduo de temperatura
para a parte inferior da reta de carga.
228
Todo o circuito eletrnico com transistores apresenta um certo grau de instabilidade

trmica.
O ganho de corrente mais baixo do transistor deve ser compensado, atravs de um
aumento correspondente na corrente de base quiescente IBQ.
Para aumentar IBQ o valor de RB deve ser reduzido (fig. 18).
IBQ = 0,2mA
ICQ = 36mA
RB MENOR
VCEQ = 12V
VRCQ = 12V
CORRIGIDOS
Fig. 18
CONCLUSO
Quando for necessrio o VCE de um transistor polarizado por
corrente de base constante deve-se aumentar a corrente de base,
reduzindo o valor de RB.
229
22 REGIES DE OPERAO DE UM TRANSISTOR

O ponto de operao de um transistor pode ser localizado em qualquer posio ao
longo da reta de carga.
De acordo com a posio da reta de carga em que o ponto de operao se situa dizse que o transistor est operando em uma das trs regies denominadas:
a) Regio de corte (fig. 19)
b) Regio de saturao (fig. 20)
c) Regio ativa (fig. 21)
Fig. 19
Fig. 20
Fig. 21
A) Regio de Corte
Um transistor est na regio de corte quando a juno base-emissor est polarizada
inversamente.
A polarizao inversa na juno BE torna a corrente de base nula.
Com base na equao de IC e na corrente IB = 0 tm-se:
IC = . IB + . ICBO
onde . ICBO = ICEO
IC = . 0 + . ICBO
IC = . ICBO
230
A corrente de coletor apenas de fuga (corrente de saturao reversa ICEO) e seu

valor da ordem de microampres nos transistores de silcio.
Com a corrente de coletor praticamente nula no h queda no resistor de coletor
(VRC = IC . RC) e o VCE do transistor o prprio valor da tenso de alimentao do
circuito.
NO CORTE
figura
22
mostra
um
VCE = VCC
circuito
transistorizado com a juno BE polarizada

inversamente, de forma a estar em corte.
Fig. 22
Na reta de carga o ponto de corte

est sobre o eixo horizontal (fig. 23).
Ponto
de
corte
Fig. 23
231
TRANSISTOR NA
JUNO BE
REGIO DE CORTE
JUNO CB
INVERSAMENTE POLARIZADAS
VCE = VCC
Nos transistores de silcio em geral basta cortar a corrente de base para levar o
transistor ao corte, sendo desnecessrio polarizar inversamente a juno BE.
A figura 24 mostra um transistor de

silcio polarizado na regio de corte.
15 VCC
Fig. 24
B) Regio de Saturao
Um transistor est na regio de saturao quando a tenso VBE maior que a
tenso VCE.
A figura 25 mostra um transistor

que est operando na regio de
saturao.
Fig. 25
232
TRANSISTOR NA
JUNO BE
REGIO DE SATURAO
JUNO CB
VCE = VCC
DIRETAMENTE POLARIZADAS
Na curva caracterstica de sada

a
regio
de
saturao
fica
prxima ao eixo vertical, onde

os valores de VCE so mnimos
e os valores de IC so mximos
(fig. 26).
Fig. 26
Nas curvas caractersticas de sada normais a regio de saturao correspondente a

uma faixa muito estreita.
Por
esta
razo
alguns
manuais
trazem uma segunda caracterstica

de sada somente para a regio de
saturao (fig. 27).
Fig. 27
233
C) Regio Ativa
A regio ativa corresponde a todo o

trecho da reta de carga entre as
regies de corte e de saturao
(fig. 28).
Fig. 28
Esta a regio caracterstica de funcionamento dos estgios amplificadores.

Para pontos de operao nesta regio so vlidas as regras de polarizao.
- juno base-emissor
polarizao direta
- juno base-coletor
polarizao inversa
As figuras 29 e 30 mostram a caracterstica de sada e as tenses eltricas de um

transistor polarizado na regio ativa.
234
18 VCC
Fig. 30
Fig. 29
Em resumo, pode-se dizer que um transistor estar na regio ativa sempre que VCE
for maior que VBE e menor que VCC (ou seja, fora das regies de saturao e corte).
TRANSISTOR
REGIO ATIVA
NA
JUNO BE DIRETAMENTE POLARIZADA

JUNO CB INVERSAMENTE POLARIZADA
VBE < VCE < VCC
235
23 POLARIZAO DE BASE POR DIVISOR DE TENSO

A polarizao da base de um transistor pode ser feita a partir da utilizao de um
divisor de tenso, atravs do qual se aplica uma tenso VBE entre base e emissor do
transistor.
A figura 1 mostra um circuito transistorizado que emprega este tipo de polarizao,
denominado de polarizao de base por divisor de tenso.
Fig. 1
O divisor de tenso aplica uma tenso base (VB) que polariza diretamente a juno
base-emissor do transistor, provocando a circulao da corrente IBQ.
Na polarizao de base por divisor de tenso a finalidade do divisor

fornecer base uma tenso que polariza diretamente a juno base-emissor.
Como o emissor est aterrado, a tenso de base VB a prpria tenso VBE aplicada
ao transistor (fig. 2).
236
VCC
Fig. 2
O valor da corrente IBQ ajustado aumentando ou diminuindo a tenso VBE, que

fornecida pelo divisor.
Normalmente os circuitos polarizados por divisor de tenso tm ainda um resistor de
emissor (RE), que tem por finalidade melhorar a estabilidade trmica do circuito (fig.
3).
VCC
A incluso de um resistor de emissor no circuito de polarizao de um

transistor tem por finalidade melhorar a sua estabilidade trmica.
237
A polarizao por divisor de tenso acrescida do resistor de emissor a mais

empregada porque propicia um alto grau de estabilidade trmica ao circuito.
Outra caracterstica importante deste tipo de polarizao a menor variao dos
valores de polarizao quando o transistor substitudo.
23.1 Anlise do Circuito de Coletor
Nos circuitos polarizados por divisor a malha de coletor se compe:
Da fonte de alimentao;
Do resistor de coletor;
Do transistor;
Do resistor de emissor (fig. 4).

Fig. 4
A tenso fornecida pela fonte se distribui sobre os componentes do circuito de

coletor (fig. 5).
Queda de tenso em RC
Tenso coletor-emissor do transistor
Fig. 5
238
Segundo a Lei de Kircchoff para circuitos srie, a soma das tenses equivale
tenso de alimentao.
VRC + VCE + VRE = VCC
As quedas de tenso no resistor de coletor (VRC) e no resistor de emissor (VRE)
dependem da corrente no circuito de coletor (fig. 6)
VRC = IC . RC
VRE = IE . RE
Fig. 6
A diferena entre IC e IE muito pequena, pois corresponde ao valor de IB (IE = IC +

IB). Por esta razo, costuma-se considerar IE = IC.
VRE = IC . RE
As equaes do circuito de coletor so:
VCC = VRC + VCE + VRE
VRC = IC . RC
VRE = IC . RE
A seguir est apresentado um exemplo de aplicao das equaes do circuito de
coletor.
239
Dado o circuito apresentado ao
10V
lado, determinar os valores de

VRC, VRE e VCE.
Com os dados disponveis possvel calcular os valores de VRC e VRE.

VRC = IC . RC
VRC = 1000 . 0,004A
VRE = IC . RE
VRE = 270 . 0,004A
VRC = 4v
VRE = 1,08v
Dispondo de VCC, VRC e VRE pode-se determinar o VCE do transistor.

VCC = VRC + VCE + VRE
VCE = 10 (4,0 + 1,08)
VCE = VCC (VRC + VRE)

VCE = 10 5,08
VCE = 4,92V
23.2 O Circuito de Base

O circuito de base, que corresponde ao divisor de tenso, tem por finalidade
polarizar diretamente a juno base-emissor do transistor, provocando a circulao
da corrente IBQ.
Quando o circuito de polarizao utiliza um resistor de emissor, a tenso aplicada
entre base e emissor (VBE) a diferena entre a tenso de base e a tenso de
emissor (fig. 7).
240
VBE = VB - VRE
Fig. 7
A tenso VBE aplicada juno base-emissor (que se comporta como um diodo em

conduo) d origem a uma corrente de base (fig. 8 e 9).
Fig. 8
Fig. 9
A prpria curva caracterstica da juno base-emissor , essencialmente, a curva

caracterstica de um diodo em conduo.
Atravs da aplicao do valor correto de VBE se obtm a condio de funcionamento
desejada para o circuito.
241
24 REGULAO DE TENSO EM FONTES DE ALIMENTAO

A necessidade de projetar e montar fontes reguladas de boa qualidade provm do
fato que as fontes no reguladas nem sempre atendem os requisitos necessrios
para todas as aplicaes.
Existem fundamentalmente duas razes pelas quais as fontes no reguladas se
tornam inadequadas em certas aplicaes:
1 A regulao pobre: Como resultado de uma regulao pobre, verifica-se uma
variao na tenso de sada quando a carga varia. A influncia de uma regulao
pobre no desempenho de uma fonte de CC pode ser observada atravs de dois
grficos, um de uma fonte ideal e outro de uma fonte real (fig. 1 e 2).
FONTE IDEAL
Fig. 1
FONTE NO REGULADA
Fig. 2
2 A estabilizao pobre: A tenso de sada varia conforme as variaes de

tenso de entrada.
Nas fontes no reguladas, as variaes de tenso de entrada (na rede AC)
provocam variaes proporcionais na tenso de sada (fig. 3).
242
Fig. 3
Existem circuitos eletrnicos cuja finalidade melhorar o desempenho das fontes de

alimentao,
fornecendo
um
valor
pr-estabelecido
de
tenso
de
sada,
independentemente das variaes que ocorrem na corrente de carga na tenso da

linha de alimentao CA.
Normalmente, estes circuitos so denominados de reguladores de tenso, embora
sejam na realidade reguladores e estabilizadores de tenso (fig. 4).
VENT > VSADA
Fig. 4
243
Deve-se sempre considerar que no existe um sistema regulador de tenso perfeito.

As variaes na tenso de entrada sempre provocam pequenas alteraes na
tenso de sada.
Os sistemas reguladores devem funcionar de tal forma que as variaes na tenso
de sada (que sempre existem) sejam as menores possveis.
24.1 Os Circuitos Reguladores
Os circuitos reguladores so classificados em dois grupos, segundo a posio do
elemento regulador em relao carga:
-
Regulador paralelo;
Regulador srie.
Regulador Paralelo
Um circuito regulador classificado de paralelo quando o elemento regulador
colocado em paralelo com a carga (fig. 5).
Fig. 5
REGULAO PARALELA
Um exemplo tpico de regulao paralela a regulao com diodo zener.

244
Regulador Srie
Um circuito regulador classificado de srie quando o elemento regulador
colocado em srie com a carga (fig. 6).
REGULAO
SRIE
Fig. 6
Na regulao srie, as variaes de tenso da entrada so absorvidas pelo

elemento regulador, entregando a carga a uma tenso de sada praticamente
constante (fig. 7).
TENSO
PRATICAMENTE
CONSTANTE
Fig.7
Neste tipo de circuito, apenas o elemento regulador dissipa potncia.
245
Regulao Srie com Transistor

Os reguladores de tenso do tipo srie com transistor so largamente empregados
na alimentao de circuitos eletrnicos devido a sua boa capacidade de regulao.
A figura 8 apresenta o modelo mais simples de circuito regulador de tenso srie
com transistor.
Fig. 8

O princpio de funcionamento do circuito pode ser analisado com base nas tenses
presentes no circuito.
A associao diodo zener-resistor, ligada tenso de entrada, permite a obteno
de uma tenso constante (VZ), independentemente das variaes da tenso de
entrada (fig. 9).
Fig. 9
246
A tenso constante do diodo zener aplicada base do transistor, ou seja, a tenso

de base do transistor estabilizada no valor VZ.
VB = VZ
Como a carga est ligada ao circuito na posio de resistor de emissor, a tenso

sobre esta carga ser a tenso aplicada base (VZ) menos a queda na juno base
emissor (VBE) (fig. 10).
VRL = VB - VBE
ou
VS = VZ - VBE
Fig. 10
A diferena entre a tenso de entrada e a tenso na carga (VRL) fica entre coletor e
emissor do transistor (VCE) (fig. 11).
VS = VE VCE
Fig. 11
24.3 Fonte com Regulador de Tenso em Circuito Integrado

Incorpora num nico encapsulamento todos os circuitos que fazem parte da
regulao de tenso da fonte. Como:
247
Circuitos para fonte de referncia;
Amplificador de erro;
Dispositivo de controle e proteo de sobrecarga.
Desta forma diminui toda complexidade de projeto, construo, custo e diminuio

considervel do espao utilizado.
Possuem proteo trmica que os torna praticamente indestrutveis contra curtocircuito na sada.
conveniente incluir no circuito capacitores de desacoplamento de transitrios, tanto
na entrada como na sada do regulador.
24.4 Reguladores de Tenso de Trs Terminais
Exemplo de reguladores com tenso de sada fixa:
Srie 78XX, LM340 e LM309 V sada positiva;
Srie 79XX e LM320 V sada negativa.
OBSERVAO:
Pode-se obter tenso de sada ajustvel com reguladores com tenso de sada fixa,
sendo que o valor ajustvel mnimo o valor de tenso especificada no
componente.
Exemplo de reguladores com tenso de sada ajustvel:
LM117, LM217, LM317, LM338, LM350 V sada positiva;
Lm337 V sada negativa.
248
Aspecto Fsico
So fabricados em vrios tipos de encapsulamentos, os mais comuns so: TO-3 e
TO-220.
VSADA
AJUSTE
TO 220
VENT
TO 3
Identificao dos Terminais:
Encapsula. TO220 TO220
TO220
TO220
TO3
TO220 TO220
Terminais
78XX
79XX LM117;217;317;350 LM337 LM338K LM340 LM338T
1
Entrada Comum
Ajuste
Ajuste Entrada Comum Ajuste
2
Comum Entrada
Sada
Entrada Sada
Sada
Sada
3
Sada
Sada
Entrada
Sada Comum Entrada Entrada
Estudo da Srie 78XX:
Diagrama de Blocos
1 Circuito de Disparo: Circuito de proteo que desliga o regulador (tenso de

sada (Vs) igual a 0), quando a diferena entre a tenso de entrada (Ve) e Vs for
menor que a especificada (valor tpico 2V).
2 Gerador de Corrente: Fornece uma corrente constante ao elemento de
referncia, independente da Ve e Vs.
249
3 Elemento de Referncia: Fornece uma tenso constante ao amplificador de

erro.
4 Amplificador de Erro: Compara a tenso do elemento de referncia com uma
amostra da Vs, obtida do divisor de tenso formado por R1 e R2. A diferena de
tenso amplificada e enviada ao elemento de controle.
5 Elemento de Controle: Recebe o sinal do amplificador de erro e varia sua
queda se tenso interna em funo do erro.
6 Proteo Trmica: Proteo contra curto-circuito, se a corrente de sada (Is) for
maior que a especificada, interrompe a Is atravs do elemento de controle.
7 Proteo de Sobrecarga: Protege o elemento de controle quando o regulador
se desconecta, permitindo a passagem da corrente inversa.
Circuito Interno
250
Tipos:
TIPO
Vs
Ve mn(V)*
Ve mx(V)*
Is mx(A)*
Is pico (A)*
7805
5
7,3
35
1,5
3,5
7806
6
8,35
35
1,5
3,5
7808
8
10,5
35
1,5
3,5
7810
10
12,5
35
1,5
3,5
7812
12
14,6
35
1,5
3,5
7815
15
17,7
35
1,5
3,5
7818
18
21
35
1,5
3,5
7824
24
27,1
40
1,5
3,5
(*) Os valores indicados nesta tabela podem ser diferentes, dependendo do fabricante.
Nomenclatura:
L 78
Nome da srie
Ismx, se:
XX
Tenso de sada
M 0,5A
S 2,0A
Ausente 1,5A
Limites de temp.
(C), se:
C 0 a 115
Ausente 55 a 155
Encapsulamento,
se:
V TO 220
T TO-3
Circuito Tpico:
Tenso
depois do
filtro = V
Especificaes e recomendaes tcnicas:
- A diferena de tenso entre Ve e Vs deve ser suficiente para permitir a operao

adequada do regulador, observando-se que esta diferena influencia na dissipao
de potncia do regulador;
- Deve-se manter uma corrente mnima que assegure a tenso de sada no valor
esperado. Para garantir esta corrente acrescenta-se ao circuito um resistor em
paralelo com a sada;
251
- As especificaes do componente informam a variao da tenso de sada

provocada pela corrente de carga, chamada de regulao de carga, e pela tenso
de entrada, chamada de regulao de linha;
- A srie 78XX e LM340 possuem reguladores com tenso de sada positiva fixa na
faixa de 5 a 24V;
- A srie 79XX e LM320 possuem reguladores com tenso de sada negativa fixa na
faixa de 5 a 24V;
- Os capacitores de entrada e de sada ajudam a manter a tenso de sada
constante, alm de absorverem as variaes de tenso de alta freqncia. Devem
ser posicionados o mais prximo possvel do regulador. Os de tntalo ou cermicos
so os mais recomendados, faixa de valores tpicos 10F a 1F.
Reguladores com tenso de sada fixa como reguladores ajustveis
Conectando-se um componente que provoque uma queda de tenso (resistor, diodo,

etc.) entre o terminal do regulador GND e o terra do circuito, obteremos uma tenso
de sada maior que a especificada. O valor desta tenso ser o resultado da soma
do valor da queda de tenso com a tenso especificada pelo regulador.
Vs = Vr + Vreg
Exemplo:
252
Clculo de resistor:
R = (Vs Vreg)/Iq
Iq a corrente quiescente (valores
tpicos na faixa de 3,2mA a 5mA).
Potncia do resistor 1/4W.
7805
R=0
270
470
750
1K
1K2
1K5
1K8
2K
2K2
2K5
2K7
3K
3K2
3K5
3K7
4K
4K2
4K5
4K7
5K
5K2
5K5
5K7
6K
6K2
6K5
6K7
7K
7K2
7K5
7K7
Tabela de resistores para Vs diversas:

7806
R=0
270
470
750
1K
1K2
1K5
1K8
2K
2K2
2K5
2K7
3K
3K2
3K5
3K7
4K
4K2
4K5
4K7
5K
5K2
5K5
5K7
6K
6K2
6K5
6K7
7K
7K2
7K5
7808
R=0
270
470
750
1K
1K2
1K5
1K8
2K
2K2
2K5
2K7
3K
3K2
3K5
3K7
4K
4K2
4K5
4K7
5K
5K2
5K5
5K7
6K
6K2
6K5
6K7
7K
7810
R=0
270
470
750
1K
1K2
1K5
1K8
2K
2K2
2K5
2K7
3K
3K2
3K5
3K7
4K
4K2
4K5
4K7
5K
5K2
5K5
5K7
6K
6K2
6K5
7812
R=0
270
470
750
1K
1K2
1K5
1K8
2K
2K2
2K5
2K7
3K
3K2
3K5
3K7
4K
4K2
4K5
4K7
5K
5K2
5K5
5K7
6K
7815
R=0
270
470
750
1K
1K2
1K5
1K8
2K
2K2
2K5
2K7
3K
3K2
3K5
3K7
4K
4K2
4K5
4K7
5K
5K2
7818
R=0
270
470
750
1K
1K2
1K5
1K8
2K
2K2
2K5
2K7
3K
3K2
3K5
3K7
4K
4K2
4K5
7824
R=0
270
470
750
1K
1K2
1K5
1K8
2K
2K2
2K5
2K7
3K
VS
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
Obs: Pode-se ainda projetar uma fonte regulvel utilizando regulador de tenso de
sada fixa da mesma maneira dos reguladores regulveis, com a diferena que a
tenso mnima de sada ser a especificada no componente.
253
Reguladores ajustveis:
A configurao bsica do circuito para se obter tenses de sada ajustvel
mostrada abaixo:
R1 e R2 formam um divisor de tenso que atua como elemento de amostra.
Vs = Vr1 + Vr2 = Ir1.R1 + Ir2.R2
Ir2 = Ia + Ir1, onde Ia a corrente de ajuste.

Vs = Ir1.R1 + R2 (Ia + Ir1)
Vs = Ir1.R1 + Ir1.R2 + Ia.R2
Como:
Ir1 = Vref/R1, ento:

Vs = Vref(R1 + R2)/R1 + Ia.R2
Vs = Vref(1 + R2/R1) + Ia.R2
Valores Tpicos:
Vref = 1,25V
Ia de 50A a 100A
R2 = 4k7
R1 = 240
254
Caractersticas de Alguns Reguladores Ajustveis

1. LM317
Definio:
um regulador de tenso positiva de trs terminais que pode fornecer at 1,5A e

tenso de sada entre 1,25V e 37V.
Caractersticas:
Caractersticas do LM317
Tenso de referncia
Regulao de linha
Regulao de carga
Regulao trmica
Corrente mnima de carga
Limite de corrente ve vs = 15v
Valor min.
1,2
1,5
Valor tpico
1,25
0,02
0,3
0,04
3,5
2,2
Valor mx.
1,3
0,07
1,5
0,07
10
3,4
Unidade
V
%/V
%
%/W
mA
A
Nomenclatura:
LM317 X
Corrente de sada mxima, se: K ou T 1,5A
H 0,5A
Aspecto Fsico:
Normalmente fabricado em encapsulamentos TO-220.
Circuito Tpico:
255
Especificaes e recomendaes tcnicas:
- No possvel tenso de sada menor que a tenso de referncia (Vref = 1,25V);

- importante o uso de capacitores (de preferncia de cermica ou de tntalo,
100F) na entrada e na sada prximos ao regulador.
- O uso de diodos, em paralelo com os capacitores, permite as descargas dos
mesmos, evitando que elas ocorram pelo interior do integrado, podendo danific-los.
2. LM350
Definio:
um regulador de tenso positiva de trs terminais que pode fornecer at 3A e

tenso ajustvel entre 1,25 e 33V.
Aspecto Fsico:
Normalmente fabricado em encapsulamento TO-220.
Circuito Tpico:
Semelhante ao circuito do LM317.

256
3. LM338
Definio:
um regulador de tenso positiva de trs terminais que pode fornecer at 5A e

tenso de sada ajustvel entre 1,2V a 32V.
Aspecto Fsico:
Normalmente fabricado em encapsulamento TO-3.
Circuito Aplicativo:
Tabela de Reguladores
Regulador
LM117
LM217
LM309
LM317
LM337
LM338
LM350
Ve mn.
4
4
4
4
-4
4
4
Ve mx.
40
40
40
40
-40
40
36
Vs
1,2 a 37
1,2 a 37
5 (fixo)
1,2 a 37
-1,2 a 37
1,2 a 32
1,2 a 33
Is mx.
1,5
1,5
1
1,5
1,5
5
3
Desligamento
2,5
2,5
2
2,5
-2,5
2,7
2,5
257
24.5 Estudo do CI 555

Composto de um divisor de tenso, dois comparadores, um flip-flop RS e um
transistor de descarga, observem: (fig. 1 e 2).
Fig. 1 Circuito Interno do C1555
Fig. 2 Aspecto
258
24.6 O Flip-flop RS
Observando a figura 3, cada coletor alimenta a base oposta do transistor atravs de
Rb.
Neste circuito, transistor est saturado enquanto o outro est em corte.
Para o transistor saturado Vc 0, logo no h alimentao para a base do outro
transistor e sua Vc Vce, que por sua vez produz Ib suficiente para manter o
transistor em saturao, ele entra em corte.
Acrescentando-se mais componentes, obtm-se um flip-flop RS, que um circuito
que pode fixar a sada Q alta ou baixa.
Uma entrada S alta implica Q alto.
Uma entrada R alta implica Q baixo.
A sada permanece em um dado estado at ser disparada para o estado oposto (fig.
4).
+ VCC
Fig. 3- Oscilador Biestvel a Transistor
259
Fig. 4 - flip-flop

O comparador superior tem uma entrada de tenso de limiar (6) e uma entrada de
tenso de controle (5).
Na maioria das aplicaes, a entrada de controle no utilizada, de modo que a
tenso de controle igual a 2/3 de Vcc.
Sempre que a tenso de limiar exceder tenso de controle, o comparador ter
sada alta, o que ativa (set) o flip-flop (Q = 1).
O coletor do transistor de descarga est no pino 7. Quando este pino ligado a um
capacitor, uma sada Q alta do FF satura o transistor e descarrega o capacitor.
Quando Q baixo, o transistor entra em corte e o capacitor inicia o processo de
carga.
A sada complementar conectada ao pino 3. Quando o pino 4 (desativar) est
aterrado, inibe o dispositivo. Quando no for utilizado conectado alimentao.
A entrada inversora do comparador inferior chamada de disparo.
Devido ao divisor de tenso, a entrada no inversora tem uma tenso de 1/3 de
Vcc.
260
No momento em que a tenso de disparo for menor que 1/3 de Vcc, a sada do
comparador torna-se alta desativando o FF (Q = 0).
O pino 1 o terra.
O pino 8 a alimentao (4,5V a 16V).
24.8 Operao Monoestvel (fig. 5 e 6)
No momento em que a entrada de disparo for menor que 1/3 de Vcc, o comparador
inferior tem uma sada alta e desativa (reset) o FF (S = 0, R = 1 e Q = 0), levando ao
corte o transistor de descarga, permitindo que o capacitor se carregue atravs de R.
No momento que a tenso do capacitor for maior que 2/3 de Vcc, o comparador
superior tem uma sada alta, o que ativa (set) o FF (S = 1, R = 0, pois apenas um
pulso, Q = 1).
Logo que a sada se torna alta, o transistor satura, iniciando o processo de descarga
do capacitor (S = 0, R = 0 e Q = 1).
Clculo do tempo de permanncia do estado instvel:
261
+ VCC
5 K
limiar
5 K
4
5 K
1 - terra
Fig. 5 (multivibrador monoestvel)
Fig. 6 (circuito do multivibrador monoestvel)
262
Fig. 7 (formas de onda tpicas da configurao monoestvel)
A figura 7 mostra as formas de onda tpicas.

A entrada de disparo um pulso estreito.
O pulso deve ser menor que 1/3 de Vcc para desativar o FF e permitir que o
capacitor se carregue.
O capacitor se carrega atravs de R.
Quanto maior a constante de tempo RC, mais tempo leva para a tenso do capacitor
atingir 2/3 de Vcc.
O pino 5 conectado ao terra atravs de um capacitor tipicamente de 0,01F, isto
fornece a filtragem do rudo da tenso de controle.
Se aterrarmos o pino 4 ocorrer a inibio do FF, para evitar um acionamento
indesejvel, costuma-se lig-lo ao potencial positivo de Vcc.
263
24.9 Operao Estvel (fig. 8 e 9)

Quando a sada Q for baixa, o transistor estar em corte e o capacitor estar
carregado atravs de Ra + Rb.
A constante de tempo ser (Ra + Rb)C.
A tenso de limiar aumenta medida que o capacitor se carrega.
No momento em que a tenso de limiar for maior que 2/3 de Vcc, o comparador
superior ter sada alta, ativando o FF (S = 1, R = 0 e Q = 1).
Mas neste momento o transistor saturar aterrando o pino 7, descarregando o
capacitor atravs de Rb. A constante de tempo ser (RbC).
Quando a tenso do capacitor estiver menor que 1/3 de Vcc, o comparador inferior
ter sada alta, desativando o FF (S = 0, R = 1 e Q = 0).
Fig. 8 (multivibrador astvel)
264
Fig. 9 (multivibrador astvel)
A figura 10 mostra as formas de onda tpicas, pode-se observar que a carga e

descarga do capacitor acontecem exponencialmente.
A sada uma forma de onda retangular no simtrica, j que o tempo de carga
maior que o tempo de descarga.
2/3VCC
1/3VCC
VCC
t
T
Fig. 10 (formas de onda tpicas da configurao astvel)
265
24.10 Ciclo de Trabalho de uma Forma de Onda

a razo entre o tempo em nvel alto e o tempo do ciclo completo. Especifica o nvel
de assimetria.
D = t_
T
D = Ra + Rb_
Ra + 2Rb
(100%)
Dependendo das resistncias Ra e Rb, o ciclo de trabalho encontra-se entre 50 e

100%. Fazendo-se Rb muito maior que Ra, obtm-se uma onda quadrada (ciclo de
operao 50%).
Clculo da Freqncia de Sada
CARGA:
2Vcc Vcc = (Vcc Vcc)(1 3

3
3
- 1Vcc
__3___ = 2Vcc
3
- t1
RC
- t1
RC
1n (1 ) = t1___ _
2
(Ra + Rb)C
- 0,693(Ra + Rb)C = - t1
t1 = 0,693(Ra + Rb)C
DESCARGA: (o clculo semelhante)
TEMPO TOTAL: (perodo)
t2 = 0,693 RbC
T = t1 + t2
T = 0,693(Ra + 2Rb)C
FREQNCIA:
F=
1,443____
(Ra + 2Rb)C
266
25 AMPLIFICADOR OPERACIONAL
O amplificador operacional, tambm denominado de AO, um circuito eletrnico
com caractersticas que se aproximam a de um amplificador ideal, encontrado
atualmente em forma de circuito integrado (fig.13).
Fig. 13
A importncia do amplificador operacional se deve fundamentalmente a sua

versatilidade que o torna aplicvel em muitas reas especficas da eletrnica, tais
como: instrumentao, circuitos industriais, circuitos de udio, circuitos eletrnicos
para clculos, filtros de sinais entre outras.
A denominao amplificador operacional tem origem no fato de que estes circuitos
foram utilizados inicialmente para realizar operaes matemticas como adio,
subtrao, multiplicao atravs de circuitos eletrnicos.
25.1 Simbologia de um Amplificador Operacional
O smbolo utilizado para representar o amplificador operacional um tringulo que
aponta no sentido do fluxo de sinal.
Ao tringulo so acrescentados terminais que apresentam os pontos de conexo
com o circuito externo (fig. 14).
Fig. 14
267
Os amplificadores operacionais podem apresentar uma srie de terminais com

funes definidas.
Existem fundamentalmente 5 terminais que fazem parte de todos os tipos de AO:
-
2 terminais para alimentao
1 terminal de sada
1 terminal de entrada no inversora
1 terminal de entrada inversora.
A figura 15 mostra o smbolo genrico de um amplificador operacional.
Fig. 15
25.2 Os Terminais de Alimentao do AO

Os amplificadores operacionais apresentam uma caracterstica singular no que diz
respeito s tenses de alimentao:
-
So alimentados por duas tenses simtricas (por exemplo: + 15V e 15V).
A figura 16 ilustra a forma comum de alimentao de um AO, a partir de uma fonte

simtrica.
Fig. 16
268
importante observar que os Aos no so ligados

diretamente ao terra ou OV da fonte simtrica.
O prprio circuito interno dos Aos obtm terra ou
OV internamente (fig. 17).
Fig. 17
Isto no significa que outros componentes ou circuitos que estejam ligados ao AO

no necessitem do terra. Este terra para o circuito externo pode ser obtido no
terminal O da fonte simtrica.
A figura 18 mostra um exemplo de circuito onde existem componentes externos
ligados ao terra do circuito.
Fig. 18
25.3 Os Terminais de Entrada do AO

A finalidade de um amplificador operacional realizar uma amplificao tanto de
tenses contnuas como alternadas.
Os amplificadores operacionais possuem duas entradas de sinal:
-
Uma entrada inversora, indicada pelo sinal - no smbolo do AO
Uma entrada no inversora indicada pelo sinal + no smbolo do AO (fig. 19).
269
Fig. 19
Para os sinais ou tenses aplicadas na entrada inversora (-) o AO se comporta como

um amplificador com relao de fase de 180 entre sada e entrada. Isto , se o sinal
aplicado na entrada - torna-se mais positivo, o sinal de sada torna-se mais
negativo (fig. 20).
Fig. 20
Os sinais aplicados entrada inversora (-) de um AO so

amplificados com a fase invertida (180).
Para os sinais aplicados entrada no inversora (+) o AO se comporta como um

amplificador com relao de fase de 0 entre a sada e a entrada.
Isto , se o sinal aplicado na entrada + torna-se mais positivo o sinal de sada
torna-se mais positivo (fig. 21).
270
Fig. 21
Os sinais aplicados entrada no inversora (+) de um AO so

aplicados sem inverso de fase.
25.4 Caractersticas de um AO
As caractersticas ou parmetros de um AO so informaes fornecidas pelos
fabricantes que possibilitam ao usurio determinar, entre diversos Aos, aquele que
se aplica a cada necessidade.
As caractersticas mais importantes de um AO so:
a) Impedncia de entrada
b) Impedncia de sada
c) Ganho de tenso em malha aberta
d) Tenso offset de sada
e) Rejeio de modo comum
f) Banda de passagem
As caractersticas de um amplificador operacional podem ser analisadas segundo
dois pontos de vista distintos: considerando o AO como IDEAL ou considerando-o
como REAL.
271
Os fabricantes de amplificadores operacionais procuram continuamente desenvolver

novos circuitos cujas caractersticas se aproximam das ideais.
Por esta razo em cada uma das caractersticas faz-se uma comparao entre ideal
e real.
25.5 Impedncia de Entrada
a impedncia que existe entre os

terminais
de
entrada
do
amplificador
operacional (denominada de Zi) (fig. 22).

Fig. 22
OBSERVAO
Para maior clareza os terminais de alimentao so omitidos nas figuras.
AO IDEAL um amplificador operacional ideal deve apresentar impedncia de
entrada infinita (Zi = ).
Uma impedncia de entrada infinita atribui ao AO ideal uma caracterstica
particularmente interessante.
As entradas de sinal no absorvem corrente (operando apenas com tenso, como
um FET).
Vi
Ii = Z
i
como Zi =
Ii =
Vi
logo
I = 0
AO REAL Os amplificadores operacionais reais, construdos em forma de circuito

integrado tm uma impedncia de entrada da ordem de vrios megaohms (M).
272
Devido ao alto valor de Zi os amplificadores operacionais reais em forma de circuito

integrado, podem ser considerados como ideais no que diz respeito impedncia de
entrada.
Esta aproximao do ideal permite que se admita que as entradas de um AO real
no absorvam corrente.
As entradas de um AO no absorvem corrente, sendo

excitadas apenas pela tenso aplicada.
25.6 Impedncia de Sada
a impedncia do estgio de sada do

AO, denominada de Zo.
nvel
de
impedncia
circuito
de
equivalente,
sada
pode
a
ser
representada como um resistor em srie

com o terminal de sada AO (fig. 23).
Fig. 23
AO IDEAL: Um amplificador operacional ideal deve apresentar impedncia de sada

nula (zero ), ou seja, comporta-se como uma fonte de tenso ideal para a carga,
sem resistncia interna (fig. 24).
Fig. 24
273
A ausncia de impedncia de sada permite que a tenso na sada de um AO ideal

dependa apenas dos sinais de entrada e da amplificao, sendo independente da
corrente solicitada pela carga (fig. 25).
VO
INDEPENDENTE
DO
VALOR DA CORRENTE I0
Fig. 25
AO REAL: Em um amplificador operacional real a impedncia de sada existe,

podendo variar desde poucos ohms (ex. 5) at valores como 1000.
Atravs de recursos externos ao AO pode-se ainda, em alguns casos, reduzir a
impedncia de sada para menos de 1.
Esta impedncia de sada atua como uma resistncia interna provocando uma
queda na tenso de sada VO (fig. 26)
VO = V - (IO . ZO)
QUEDA DE TENSO DEVIDA

A IMPEDNCIA DE SADA
Fig. 26
Desta forma se conclui que a tenso VO na sada de um AO real depende:

-
Das tenses nas entradas
Do ganho do AO
Da corrente solicitada pela carga.

274
25.7 Ganho de Tenso Diferencial

O sinal a ser amplificado por um AO pode ser aplicado de trs maneiras:
-
Entre entrada inversora (-) e terra
Entre entrada no inversora (+) e terra
Entre as duas entradas (+) e (-) (fig. 27).
Fig. 27
Quando o sinal aplicado entre uma entrada e a outra o AO atua como

AMPLIFICADOR DIFERENCIAL amplificando a diferena entre as duas tenses de
entrada.
Nesta situao, o ganho obtido entre sada e entrada denominado de GANHO DE
TENSO DIFERENCIAL.
Ganho de tenso diferencial a amplificao proporcionada pelo
AO para a diferena de tenso (ou sinal) entre as entradas + e -.
O ganho de tenso diferencial pode ainda ser definido em malha aberta ou malha
fechada.
Nas folhas de dados os fabricantes fornecem o ganho de tenso diferencial em
malha aberta (Ad), que amplificao fornecida pelo AO quando no h ligao
externa entre o terminal de sada e entrada (sem realimentao) (fig. 28).
Fig. 28
275
Ganho de tenso diferencial em malha aberta (Ad) a

amplificao
fornecida
pelo
AO
em
um
circuito
sem
realimentao.
Alguns autores representam o ganho diferencial em malha aberta pela notao AVOL.
AO IDEAL: O ganho de tenso diferencial em malha aberta de um amplificador
operacional ideal deve ser infinito (Ad =).
AO REAL: Os amplificadores operacionais modernos em geral apresentam um Ad
que varia entre 103 e 109. Este ganho normalmente expresso em dB nos manuais
(dB = 20 . log Vo).
Vi
O ganho propiciado por um AO pode ser diminudo desde o valor Ad (ganho
diferencial em malha aberta) at mesmo ao valor l se for necessrio.
Esta reduo no ganho obtida pela realimentao, que so componentes externos
ao AO, interligando a sada com a entrada.
A figura 29 mostra um circuito amplificador com

AO e com componentes para realimentao
(malha fechada).
Fig. 29
Esta uma das caractersticas mais importantes de um AO: ganho em malha

fechada
definido
somente
pelos
componentes
externos
que
fazem
realimentao.
O ganho de um AO definido externamente pelos componentes
que compem a realimentao, at no mximo o valor Ad.
276
25.8 Tenso de OFFSET de Sada

Um amplificador operacional deve amplificar os sinais aplicados as suas entradas.
Se as duas entradas esto a um potencial zero (aterradas atravs de resistores
iguais, por exemplo) a tenso de sada deve ser zero (fig. 30).
Fig. 30
Qualquer valor de tenso, que esteja presente na sada de um AO que tem as

entradas aterradas (a zero volt), denominada de tenso offset de sada.
Tenso offset de sada a tenso presente na sada de um AO
quando suas duas entradas esto com potencial zero.
AO IDEAL: Um AO ideal deve ter uma tenso de offset nula, ou seja, a sada deve
estar a zero volt se ambas as entradas estiverem ao potencial de terra.
AO REAL: Em geral, a tenso de offset dos AOs reais da ordem de poucos
milivolts.
Alguns amplificadores operacionais tm terminais que possibilitam, atravs do
circuito externo, ajustar a tenso de sada para zero quando as entradas estiverem
ao potencial de terra. Este ajuste normalmente denominado de OFFSET NULL.
A figura 31 mostra o smbolo de um AO com dois terminais especficos para ajuste
de OFFSET NULL.
277
Fig. 31
25.9 Rejeio de Modo Comum

Quando as duas entradas do AO recebem sinal, o AO deve atuar como amplificador
diferencial, amplificando a diferena entre as duas tenses (fig. 32).
VO = AD . (VA VB)
Ganho
Diferencial
Fig. 32
Aplicando-se o mesmo sinal s duas entradas a diferena entre as duas tenses

ser sempre zero (fig. 33).
VA = VB
logo
VA VB = 0
Fig. 33
278
Assim sendo, a tenso de sada deve ser sempre zero, porque no h diferena a
ser amplificada.
VO = Ad . (VA VB)
VO = Ad . 0
VO = 0V
Denomina-se de rejeio de modo comum (CMRR) a capacidade de um AO de no

amplificar tenses que sejam comuns s duas entradas. A rejeio de modo comum
tambm conhecida como ganho de modo comum (AVCM).
AO IDEAL: Um amplificador operacional ideal deve ter uma rejeio de modo
comum infinita (CMRR =) amplificando apenas a diferena entre a tenso das duas
entradas.
Um exemplo facilita a compreenso da rejeio de modo comum.
Supondo-se um AO com ganho 100 em duas situaes diferentes:
SITUAO 2
SITUAO 1
VA = 1,1V
VA = 6,1V
VB = 1,0V
VB = 6,0V
VA VB = 0,1V
VA VB = 0,1V
VO = Ad . (VA VB) = 10V
VO = Ad . (VA VB) = 10V
279
Verifica-se que na situao 1 o AO rejeitou a tenso de 1V, amplificando apenas a

diferena (0,1V). Na situao 2 da mesma forma o AO rejeitou o valor comum s
duas entradas (6V) amplificando apenas a diferena (0,1V).
Este AO tem um CMRR =
AO REAL: Um amplificador operacional real amplifica tambm as tenses comuns
aos dois terminais de entrada, mas com ganho muito menor (centenas de vezes
menores).
As mesmas situaes usadas no AO ideal poderiam apresentar resultado diferente
em um AO real.
SITUAO 1
SITUAO 2
VA = 1,1V
VA = 6,1V
VB = 1,0V
VB = 6,0V
VA VB = 0,1V
VA VB = 0,1V
VO = Ad . (VA VB) = 10,01V
VO = Ad . (VA VB) = 10,06V
A diferena entre os dois valores de VO se deve ao fato de que o AO no rejeitou

completamente os valores de tenso comuns as duas entradas.
Obs: Os valores apresentados so apenas ilustrativos.
O valor de CMRR para os Aos reais dado em dB.
280
25.10 Banda de Passagem

Os amplificadores operacionais podem apresentar um ganho diferencial (Ad) to
grande quanto 100.000 ou 200.000.
Este ganho, entretanto, no constante ao longo de toda a faixa de freqncias
amplificadas.
A figura 34 mostra o grfico de ganho de um AO em funo de freqncia
amplificada.
Fig. 34
Por este grfico se observa que at 5Hz o ganho decresce sensivelmente com o
aumento da freqncia at que em 1NHz o ganho atinja valor unitrio.
Denomina-se banda de passagem a faixa de freqncia em que o ganho do circuito
se mantm at 70% do ganho mximo (que corresponde a 3dB em relao ao
mximo).
No caso da curva apresentada como exemplo o ganho mximo de 106dB (200.000
vezes).
281
A faixa de passagem vai at a freqncia em que o ganho 103dB (140.000 vezes).

No grfico exemplo, a banda de passagem vai de 0 at 7Hz aproximadamente (fig.
35).
Fig. 35
Banda de passagem a faixa de freqncia em que o ganho de um

circuito com AO se mantm at 70% do valor Ad.
Existem configuraes de ligao do AO que permitem extender a banda de

passagem at centenas de quilohertz e at mesmo a megahertz no caso de alguns
Aos especiais.
25.11 O Amplificador Operacional 741
Um dos amplificadores operacionais mais utilizados na atualidade o 741.
O campo de aplicao deste AO to extenso que um grande nmero de
fabricantes de circuitos integrados produz amplificadores operacionais com
caractersticas e designaes praticamente idnticas (MA 741, LM 741, MC 741, SN
72741).
Uma anlise comparativa entre o 741 e um AO ideal mostra que em muitas
caractersticas o 741 pode ser considerado como ideal.
282
25.12 Comparao Entre Parmetros

A tabela 1 faz uma comparao entre as caractersticas de um AO ideal e as
caractersticas do 741 (tpicas).
CARACTERSTICA
IDEAL
741
Impedncia de entrada (Zi)
2M
Impedncia de sada (Zo)
75
Ganho em malha aberta (Avol)
130dB (200000)
Rejeio de modo comum
90dB
Outras caractersticas do AO 741: Alm das caractersticas internas importantes as

folhas de dados trazem especificaes relativas aos fatores externos ao AO.
Estes valores so mximos e se excedidos podem danificar permanentemente o
dispositivo.
OBSERVAO
As caractersticas apresentadas correspondem ao AO LM741.
Tenso de Alimentao: 22V
Dissipao de potncia: 500mW
Tenso de entrada (Nota 1): 15V
Tenso de entrada diferencial (Nota 2): 30V
Durao de curto circuito na sada (Nota 3): indefinida
Temperatura mxima de operao: 0C a 70C
NOTA 1 mxima tenso que pode ser aplicada entre uma entrada (inversora ou
no inversora) e o terra. Em qualquer caso, no deve exceder a tenso de
alimentao.
283
NOTA 2 mxima tenso que pode ser aplicada entre duas entradas (inversora e
no inversora).
NOTA 3 o AO LM 741 tem um circuito interno de proteo contra sobrecarga.
25.13 Ajuste de OFFSET de Sada do 741
A figura 36 mostra a dissipao dos terminais do 741 nos encapsulamentos circular
e DIL.
Fig. 36
Os dois terminais indicados com a designao OFFSET NULL so utilizados para

correo do offset na tenso de sada, atravs de circuito externo.
A figura 37 mostra o AO 741 com o circuito externo necessrio para o ajuste da
offset da tenso de sada.
Fig. 37
284
26 CARACTERSTICA DE TRANSFERNCIA DE UM AO
O ganho de um AO em malha aberta (sem realimentao) altssimo, atingindo
valores de ordem de 10000 ou mais.
Isto significa que se aplicando uma diferena de 10 milivolts entre as duas entradas
a tenso de sada ser, por exemplo:
VS = (VA . VB)Ad
VO = 0,01 . 10000 = 100V
(VA VB) = 10Mv
VO = 100V
Entretanto, como a maioria dos Aos alimentada a partir de fontes de baixa tenso
( 15V, por exemplo), a tenso de sada nunca sobe alm do valor de alimentao
(fig. 1).
VO = (VA VB) . Ad
VO mx = : 15V
Fig. 1
Quando a tenso de sada de um AO atinge um valor igual (ou prximo) tenso de

alimentao, diz-se que o AO atingiu a SATURAO.
SATURAO a situao em que a tenso de sada de um AO atinge o
seu valor mximo para uma determinada tenso de alimentao.
Como um AO alimentado por tenses simtricas, a saturao pode ocorrer para a

tenso de sada positiva ou negativa. Estas situaes so chamadas de saturao
positiva e saturao negativa.
285
Na prtica, a saturao sempre fica um pouco abaixo da tenso de alimentao. Por

exemplo:
VCC = 15V
- VCC = -15V
Saturao positiva
13V
Saturao negativa
-13V
As figuras 2 e 3 mostram as duas situaes de saturao.
VO = Vi . Ad
VO = 0,015V . 10000 = 15V
VO limitada a + 8,5V
SATURAO POSITIVA
Fig. 2
VO = Vi . Ad
VO = 0,015V . 10000 = 15V
VO limitada a 8,5V
SATURAO NEGATIVA
Fig. 3
Quando maior foi o ganho em malha aberta (Ad) de um AO menor ser a tenso
entre as entradas para leva-lo a saturao.
Colocando-se em grfico o comportamento do AO obtm-se o resultado mostrado na
figura 4.
Fig. 4
286
Este grfico denominado de CARACTERSTICA DE TRANSFERNCIA DO AO.

Neste grfico, usado como exemplo, enquanto a tenso entre as entradas est
abaixo de 15V (positivos ou negativos) a tenso de sada obedece a equao VO =
Vi. Ad correspondendo a uma verso amplificada do sinal Vi.
Considerando em um comportamento linear aberta seja constante, a equao de
1 grau resultando em um comportamento linear (reta inclinada) na regio central da
caracterstica de transferncia.
Devido linearidade de sada em funo da tenso de entrada, esta regio
denominada de regio linear.
Um AO funcionando como amplificador deve trabalhar somente na regio linear,
onde a tenso VO uma rplica amplificada da tenso Vi.
A figura 5 mostra a caracterstica de transferncia de um AO com as trs regies de
funcionamento.
Fig. 5
Um amplificador de sinais com AO deve funcionar na regio

linear da curva caracterstica de transferncia.
26.1 Ampliao da Regio de Operao Linear de um OP AMP

Devido ao alto ganho de malha aberta a regio linear de um AO muito estreita,
situando-se entre alguns milivolts positivos e negativos (fig. 6).
287
Fig. 6
Isto significa, por exemplo, que se um AO sem realimentao fosse usado como
amplificador de sinais, o sinal de entrada teria que estar limitado a poucos milivolts.
Entretanto, a regio linear de operao de um AO pode ser ampliada atravs da
reduo do ganho do AO usando de realimentao negativa.
A realimentao negativa consiste em retornar uma parte do sinal de sada para a
entrada inversora, atravs do circuito externo.
A figura 7 mostra um AO com um divisor de tenso externo (R1 e R2) que faz a
realimentao negativa.
Fig. 7
Supondo-se, por exemplo, um circuito com ganho de tenso AV = 100 (estabelecido

por R1 e R2 externos) e alimentado por 15VCC (fig. 8).
288
VO = Vi . AV
Fig. 8
A tenso VO est limitada aos valores 13V aproximadamente. Para que se obtenha
13V na sada com um circuito com ganho 100 faz-se necessrio aplicar 0,013V a
sua entrada.
0,13V . 100 = + 13V
VO = Vi . AV
- 0,13V . 100 = - 13V
Comparando-se as caractersticas de transferncia de um AO em malha aberta e em

malha fechada com ganho 100 se verifica a ampliao da regio linear de alguns
molivolts at 130mV (no exemplo) (figs. 9 e 10).
Fig. 9
289
Fig. 10
Os grficos mostram como a reduo do ganho permite um aumento da regio

linear.
Os circuitos que usam Aos na regio linear so chamados de circuitos linear.
Como exemplo desses circuitos, citam-se:
-
Amplificador inversor
Amplificador no-inversor
Seguidor de tenso
Somador
Subtrator
290
27 AMPLIFICADOR INVERSOR
O amplificador operacional possui uma entrada de sinal inversora que permite sua
utilizao como amplificador de sinal com inverso de fase de 180 entre sada e
entrada (fig. 11).
Fig. 11
Para que o AO opere na regio linear faz-se necessrio acrescentar a malha

realimentao negativa ao circuito.
A figura 12 mostra a configurao de um amplificador inversor com AO (foram
omitidas e os terminais de alimentao para maior clarezas da figura).
Fig.12
27.1 Ganho do Amplificador Inversor

O ganho (AV) do amplificador inversor depende apenas dos componentes da malha
realimentao.
291
Esta dependncia pode ser comprovada com base numa anlise do circuito.
Faz-se necessrio, nesta anlise, considerar a impedncia de entrada do AO do
amplificador ideal (infinita).
Admitindo-se que a impedncia de entrada infinita, define-se que a entrada do
sinal no absorve corrente do circuito externo (fig. 13).
Fig. 13
Uma vez que no h circulao de corrente na entrada do AO a queda de tenso na

impedncia de entrada nula (fig. 14).
V2 = 0
V1 = I i . Z i
como Ii = 0
V1 = OV
Fig. 14
Verifica-se que tanto a entrada no-inversora (aterrada) como a inversora tem

potencial de OV. Embora a entrada inversora (-) no esteja ligada fisicamente ao
terra, seu potencial nulo (fig. 15).
292
Fig. 15
Este ponto denominado de terra virtual do AO (fig. 16).
Fig. 16
O potencial nas entradas de um AO to pequeno que pode ser

considerado como nulo. As entradas correspondem a um TERRA
VIRTUAL.
Ao aplicar-se uma tenso entrada do amplificador inversor circula uma corrente no

resistor R1. Como se o terra virtual a 0V, o valor desta corrente dado pela lei de
Ohm (fig. 17).
I = Vi
R1
V i = I . R1
Fig. 17
293
Uma vez que a entrada do AO no absorve corrente, a mesma que circula no

resistor R1 passa atravs de R2 (fig. 18).
Fig. 18
O resistor R2 est ligado entre a sada do circuito e o terra virtual (0V) de forma que
a queda de tenso em R2 igual a tenso de sada VO. Esta tenso pode ser
calculada pela lei de Ohm:
V O = I . R2
Como se dispe das equaes do VO e Vi pode-se determinar a equao do ganho

no circuito amplificador inversor.
AV = - VO
Vi
A V = - I . R2
I . R2
O sinal de menos a frente da expresso indica a inverso de fase (180).

Simplificando o termo I, comum ao denominador e numerador, tem-se a equao
pronta.
GANHO DA TENSO DO
AMPLIFICADOR INVERSOR
AV = - R2_
R1
294
A equao mostra que o ganho do circuito depende dos componentes que compem
a malha de realimentao.
A figura 19 mostra um amplificador inversor com ganho 10 (10 com inverso de
fase).
AV = RO = - 10K
1K
Ri
AV = - 10
Fig. 19
O resistor R3 no influencia no ganho e seu valor deve ser igual ao paralelo R1 e R2.
R3 = R1 . R2
R1+R2
27.2 Impedncia de Entrada do Amplificador Inversor
Admitindo-se que o terminal de entrada inversora um terra virtual, a impedncia de
entrada do circuito (Zi) ser o prprio valor de resistor onde se aplica o sinal (fig. 20).
Zi = R1
Fig. 20
295
27.3 Impedncia de Sada do Amplificador Inversor

A impedncia de sada (ZO) do amplificador inversor sempre muito menor que
impedncia de sada do prprio AO.
ZO (amplificador)
<< ZO (operacional)
Valores tpicos de ZO so menores que 1 .

27.4 Amplificador No-inversor
Para a obteno de um amplificador no-inversor utiliza-se a entrada no-inversora
do AO, o que resulta em VO em fase com Vi (fig. 21).
Fig. 21
A malha de realimentao (R2 e R1) necessria para manter o AO na sua linear de

funcionamento.
Ganho de amplificador no-inversor
O
ganho
(AV)
do
amplificador
no-inversor
normalmente
determinado
considerando-se o AO como ideal:

-
Impedncia de sada
ZO = 0
Impedncia de entrada
Zi =
296
Ganho diferencial
Ad =
Com estas aproximaes, que no prejudicam o resultado prtico, a equao do

ganho do amplificador no-inversor :
GANHO DE TENSO DO
AMPLIFICADOR NO-INVERSOR
AV = (1 + R2)
R1
Nesta equao dois aspectos so importantes:

-
A ausncia do sinal negativo, que indica que o sinal de sada est em fase
com o sinal de entrada;
Se R2 >> R1 (R2 muito maior que R1) a equao pode ser reduzida a AV = R2 .
R1
Impedncia de entrada do amplificador no-inversor

No amplificador no-inversor o sinal de entrada aplicado diretamente entrada
no-inversora do AO. Desta forma, a impedncia de entrada (Zi) a prpria
impedncia de entrada do AO.
Zi (amplificador) = Zi (do manual do AO)
Impedncia de sada do amplificador no-inversor
A impedncia de sada (ZO) do amplificador no-inversor tambm sempre menor
que a impedncia de sada do prprio AO (ZO).
ZO (amplificador) << ZO (do manual do AO)
Os valores tpicos so menores que 1.
297
27.5 Amplificador Seguidor de Tenso

O circuito seguidor de tenso, tambm conhecido como BUFFER, um amplificador
de ganho de tenso = 1.
Fig. 22
O seguidor de tenso um tipo particular de amplificador no-inversor. A figura 23

mostra o circuito seguidor de tenso com AO.
Fig. 23
Aplicando-se a equao do ganho de tenso (AV) do amplificador no inversor ao

circuito seguidor de tenso tem-se:
AV = 1 + R2
R1
Como R2 um curto e R1 a impedncia de entrada inversora (R2 = 0 ; R1 = )
AV = 1 + 0
298
GANHO DE CIRCUITO
SEGUIDOR DE TENSO
AV = 1
27.6 Impedncias do Seguidor de Tenso

Em termos de impedncia o circuito seguidor de tenso se comporta como o
amplificador no inversor.
Zi = impedncia de entrada do AO
Z0 tipicamente menor que 1.
Por esta razo o circuito seguidor usado como casador de impedncia.
27.7 Circuitos Aritmticos com AO
So circuitos com amplificador operacional capaz de realizar operaes aritmticas.
Dentre eles destacam-se:
a) somador
b) subtrator
a) Circuito Somador: o somador um circuito com amplificador operacional capaz de
fornecer na sada uma tenso igual a soma das tenses aplicadas nas entradas.
A figura 24 mostra um circuito somador de duas entradas.
Fig. 24
299
Considerando-se que a entrada inversora no absorve corrente e que o ponto A no

circuito um terra virtual, pode-se analisar o comportamento do somador.
Aplicando-se duas tenses (V1 e V2) nas entradas circularo as correntes I1 e I2
cujos valores so:
I1 = V1 e
R1
I2 = V2 (fig. 25).
R2
Fig. 25
As correntes I1 e I2 se somam no n A e circulam atravs do resistor R3, uma vez

que a entrada do AO no absorve corrente (fig. 26).
Fig. 26
A tenso de sada dada pela lei de Ohm:

VO = -(I1 + I2) R3 ou VO = -(I1 . R3) + (I2 . R3)
Se os valores de R1, R2 e R3 so iguais, tem-se:
VO = -( I1 . R) + (I2 . R3)
Como I1 . R = V1
I2 . R = V2
300
VO = - (V1 + V2)
A tenso de sada numericamente igual a soma de V1 e V2, porm com sinal

negativo devido ao uso da entrada inversora.
Se for necessrio obter as somas de V1 e V2 com o sinal correto pode-se usar um
amplificador inversor com ganho 1 aps o somador (fig. 27).
Fig. 27
Deve-se tomar cuidado quando uma das tenses a ser somada for negativa, pois a
corrente desta entrada ser diminuda das demais (fig. 28).
VO = - [V1 + (-V2)]
VO = - [V1 - V2]
Fig. 28
O circuito somador pode ser constitudo com qualquer nmero de entradas (fig. 29).
301
R1 = R2 = R3 = ... = Rn
VO = - (V1 + V2 + V3 + ... + Vn)
Fig. 29
27.8 Somador com Pesos Diferentes

Quando o somador tem todos os resistores iguais, todas as tenses tm peso igual.
Entretanto, quando isto no acontece, deve-se usar outra equao para determinar
a tenso de sada (fig. 30).
VO = - (V1 . RA ) + (V2 . RA) + ... + (Vn . RA )
R1
R2
Rn
Fig. 30
Nesta equao, os valores RA, RA,......, RA, representam o ganho (peso) dado pelo
R1 R2
Rn
circuito a cada entrada.
27.9 Circuito Subtrator
O AO pode ser utilizado para a obteno de um circuito que realiza a subtrao
entre tenses. O efeito de subtrao obtido aplicando uma tenso na entrada
inversora e outra no-inversora.
302
A figura 31 mostra o circuito subtrator.
Fig. 31
Se todos os resistores forem de igual valor, a tenso de sada dos circuitos ser
dada por:
VO = - (V2 V1)
O sinal negativo indica a inverso do sinal do resultado da subtrao e pode ser
eliminado da mesma forma que no circuito somador.
Este tipo de circuito pode ainda ser construdo de tal forma que R1 = R2 e R3 = R4.
Neste caso, o circuito realiza a subtrao e amplifica o resultado conforme a razo
R4 / R1. A equao do circuito se torna:
V =
R4 (V2 - V1)
R1
para R4 = R3 e R2 = R1
Nesta condio o circuito conhecido como amplificador diferencial, pois amplifica a

diferena entre as duas tenses aplicadas.
303
28 SENSORES
Para as reas de eletricidade e eletrnica, o termo sensor se aplica a todo o
dispositivo ou componente capaz de transformar uma grandeza fsica (ou sua
variao) em uma grandeza eltrica.
Assim, por exemplo, denominado de sensor de luminosidade um componente
capaz de transformar uma variao de intensidade luminosa em variao de
resistncia eltrica.
Existem realmente componentes eletrnicos que so sensveis luz. Estes
componentes so ditos FOTOELTRICOS ou FOTOSSENSVEIS.
Sendo sensveis luz, os componentes fotoeltricos podem ser utilizados como
sensores de:
-
Existncia ou no-existncia de luz: utilizado principalmente para a contagem

de objetos;
Nvel
de iluminamento: utilizado em fotmetros para os processos
fotogrficos;
-
Variao de iluminamento: utilizado, por exemplo, para o controle automtico

da iluminao em rodovias, para a deteco de objetos pela cor, etc...
Entre os componentes fotoeltricos citam-se:

A) LDR
B) Fotodiodo
C) Fototransistor
A) LDR
304
O LDR ou resistor dependente da luz (do ingls Light Dependent Resistor) um

componente constitudo base de material semicondutor que se caracteriza por
apresentar uma resistncia varivel em funo da intensidade da luz incidente.
LDR
Resistncia eltrica dependente da intensidade

da luz incidente.
Talvez por ser um dos componentes sensveis luz mais antigos, o LDR
conhecido por uma srie de designaes, dentre as quais as mais usuais so:
fotoresistor, fotoclula, clula fotoeltrica.
As figuras 3, 4 e 5 mostram o formato construtivo tpico de uma fotoclula e os
smbolos usados usualmente para represent-la.
Fig. 3
Fig. 4
Fig. 5
Os LDRs apresentam uma resistncia elevada quando colocados no escuro e

sofrem uma reduo de resistncia medida que a incidncia de luz sobre o
componente aumenta.
Os valores de resistncia dos LDRs no escuro e no claro variam de tipo para tipo,
com variaes tpicas que vo desde alguns Megaohms no escuro at algumas
centenas de ohms em ambientes com grande intensidade de luz.
Um aspecto importante que a variao da resistncia de um LDR em funo da luz
NO LINEAR, conforme mostra a curva caracterstica tpica da figura 6.
305
Fig. 6
As figuras 7 e 8 mostram as curvas de sensibilidade espectral dos fotoresistores de

sulfeto de cdmio e de sulfeto de chumbo, comparando com a faixa da radiao
visvel (curvas tracejadas).
Fig. 7
Fig. 8
O LDR pode ser utilizado em um divisor de tenso de forma que o resultado seria
uma tenso de sada dependente da intensidade luminosa (fig. 9).
306
TENSO VARIVEL EM
FUNO DA INTENSIDADE
LUMINOSA
Fig. 9
Este divisor associado, por exemplo, a um disparador Schmitt poderia ser utilizado
para comandar uma lmpada que s acender a noite (fig. 10).
Fig. 10
Embora a tenso de entrada varie vagarosamente medida que o ambiente

escurece ou clareia, o disparador Schmitt se encarrega de chavear corretamente o
rel que aciona a lmpada.
Uma das vantagens do LDR em relao aos outros sensores sensveis luz reside
no fato de que, apesar de ser semicondutor, no tem junes PN de forma que pode
ser utilizado em CA.
307
Outra vantagem a sua sensibilidade que a torna particularmente interessante em

locais onde o nvel de iluminao baixo.
Sua maior desvantagem reside no tempo de resposta
O LDR apresenta um tipo de memria luminosa que retarda a variao de
resistncia do componente sempre que a clula estiver exposta a uma certa
quantidade de luz por algum tempo.
Isto limita a faixa de funcionamento em freqncia , no mximo, algumas centenas
de Hertz.
B) Fotodiodo
um diodo fabricado em encapsulamento especial que
permita a incidncia de luz sobre a juno PN.
Geralmente o encapsulamento metlico e possui uma
lente para a concentrao da luz sobre a juno (fig. 11).
Fig. 11
A indicao do anodo ou catodo varia de tipo para tipo, de forma que a maneira mais
prtica de identificar os terminais atravs do catodo do fabricante ou do teste com
o multmetro.
O
fotodiodo
utilizado
normalmente
com
polarizao inversa. Nesta situao a corrente

circulante uma corrente de fuga (fig. 12).
FOTODIODO
Fig. 12
A aplicao de luz no fotodiodo provoca a liberao de portadores nos cristais,

ocasionando um aumento na corrente reversa.
FOTODIODO
Corrente reversa proporcional a intensidade

luminosa incidente no componente.
308
A figura 13 mostra a curva caracterstica tpica de um fotodiodo (apenas na regio de

utilizao com polarizao inversa).
Fig. 13
Nesta curva caracterstica est representada a corrente circulante no fotodiodo sem

a presena de luz. Esta corrente, denominada de corrente de escuro, muito
pequena, mas sempre existe.
Para verificar o comportamento do fotodiodo perante a variao da intensidade
luminosa pode-se traar uma perpendicular sobre a curva caracterstica, passando
por um determinado valor de tenso reversa (fig. 14).
Fig. 14
309
Conforme mostram as linhas tracejadas, a aplicao de uma tenso de 15V reversos

resulta em uma corrente reversa de:
-
45A para 400 lux de intensidade luminosa (ponto A no grfico);
85A para 800 lux de intensidade luminosa (ponto B);
170A para 1600 lux de intensidade luminosa (ponto C).
importante observar que a variao da corrente reversa se situa na faixa dos

microampres.
Para que esta pequena variao de corrente possa dar origem a variaes de
tenso apreciveis costuma-se utilizar o fotodiodo em srie com resistores de valor
elevado (na faixa das dezenas a centenas de K) (fig. 15).
Fig. 15
Um aspecto importante a considerar que a corrente de fuga tambm depende da

temperatura do diodo, o que pode causar problemas quando um fotodiodo utilizado
em locais onde a variao de temperatura muito ampla.
A figura 16 mostra a curva de sensibilidade espectral de um fotodiodo de germnio,
comparada com a faixa visvel (linha tracejada).
310
Fig. 16
Os fotodiodos tm maior sensibilidade em relao a outros dispositivos optoeletrnicos sendo muito utilizado em aplicaes em que a intensidade luminosa seja
muito varivel e podem alcanar freqncia de corte da ordem de 50KHz.
A maior desvantagem dos fotodiodos reside na pequena corrente de sada, mesmo
quando sujeito a uma grande taxa de iluminao.
C) Fototransistor
Os fototransistores so transistores que apresentam um encapsulamento que
permite a incidncia de luz sobre os cristais semicondutores.
A figura 17 mostra dois tipos de encapsulamento tpicos para fototransistores.
Conforme mostra esta figura, a construo e os terminais de um fototransitor so

similares a de um transistor convencional.
311
O smbolo de um fototransistor o mesmo de um

transitor convencional, acrescido das setas que
indicam a sensibilidade luz (fig. 18).
O funcionamento do fototransistor tem como base o fato da juno base-coletor, que

sempre polarizada inversamente, se comportar como um fotodiodo.
A incidncia de luz sobre o fotodiodo base-coletor d origem a uma corrente
reversa (semelhante a ICBO) que amplificada beta () vezes no coletor. Esta
corrente proporcional a intensidade luminosa qual o transistor est sujeito.
Portanto, pode-se dizer:
A corrente de coletor do fototransistor proporcional s variaes de
intensidade luminosa sobre o componente.
A figura 19 mostra a curva caracterstica de um fototransistor tpico.
Fig. 19
Nestas curvas a corrente de base (dos transistores convencionais) foi substituda

pelo iluminamento.
312
Apesar de possuir o terminal-base como qualquer outro transistor este raramente

utilizado, sendo mais comum a excitao somente atravs da luz (fig. 20).
Fig. 20
Caso seja necessrio, no entanto, alterar a tenso de coletor para um determinado

iluminamento, possvel polarizar a base da mesma forma que um transistor
convencional (fig. 21).
Fig. 21
Este mtodo, contudo, reduz a sensibilidade do circuito.

Os fototransistores tm freqncia de corte mais baixa que os fotodiodos, situandose tipicamente em alguns quilohertz.
313
Existem fototransistores fabricados especialmente para trabalhar em conjunto com

diodos emissores de luz (LED).
O transistor e o diodo formam um par casado em que o comprimento de onda
emitido pelo diodo o ideal para o funcionamento do fototransistor.
Este tipo de utilizao tornou-se to popular que foram criados os fotoacopladores
que so constitudos por um diodo LED e um fototransistor em um encapsulamento
tipo circuito integrado (figs. 22 e 23).
ASPECTO REAL
Fig. 22
SMBOLO
Fig. 23
Devido alta isolao eltrica existente entre o LED e o fototransistor (acoplamento

apenas por luz), os fotoacopladores so muito utilizados como elo de ligao entre
os estgios onde existem CC e CA.
28.1 Termistores
So componentes semicondutores cuja resistncia eltrica varia com a temperatura.
So utilizados toda a vez que se necessitar transformar uma variao de
temperatura em um sinal eltrico.
A figura 24 mostra o aspecto tpico destes componentes e os smbolos.
Fig. 24
314
Os termistores podem ser utilizados tanto em CC quanto em CA.

A) Termistor PTC
um termistor com coeficiente de temperatura positivo (Positive Temperature
Coeficiente), ou seja, a resistncia aumenta com a elevao da temperatura.
Termistor PTC
Aumenta a temperatura
Aumenta a resistncia
A figura 25 ilustra o comportamento de um termistor PTC.
Fig. 25
Observa-se entre 70 e 100 o comportamento tpico do PTC.
315
Cada PTC tem uma faixa de temperatura onde existe grande variao de resistncia
em funo das variaes de temperatura. nesta faixa que se situa a aplicao
ideal do termistor.
B) Termistor NTC
um termistor com coeficiente de temperatura negativo (Megative Temperatura
Coeficiente), ou seja, a resistncia diminui com o aumento de temperatura.
Aumenta a temperatura
Termistor NTC
Diminui a resistncia
A figura 26 mostra o grfico tpico de um NTC ilustrando a variao de resistncia

em funo da temperatura.
Fig. 26
28.2 Aplicaes dos Termistores

Os termistores, tanto NTC como PTC, podem ser utilizados de duas formas distintas:
a) Atuando como sensores, se comportando de acordo com a temperatura do
equipamento;
316
b) Atuando sobre o equipamento, de acordo com as condies de tenso ou

corrente do mesmo.
Como sensores de temperatura, os termistores so utilizados, por exemplo, para a
manuteno do ponto de operao de transistores (fig. 27).
Fig. 27
Neste circuito um aumento de temperatura tende a provocar um aumento na

corrente de coletor (devido a ICBO). Entretanto, o aumento na temperatura provoca
uma reduo na resistncia do NTC, reduzindo o VBE do transistor e corrigindo o
ponto de operao.
Outro exemplo de aplicao dos termistores o controle de temperatura (fig. 28).
Fig. 28
317
A variao na temperatura do termistor (NTC ou PTC) provoca uma variao na

tenso aplicada entrada do disparador Schmitt.
Atravs do rel acoplado ao disparador pode-se comandar resistncias de
aquecimento ou aparelhos de refrigerao.
A outra forma de utilizao geralmente utiliza o termistor em srie com a carga, de
forma que a corrente de carga (ou parte dela) circule atravs do termistor.
Neste tipo de aplicao prpria dissipao de potncia no termistor provoca o seu
aquecimento, fazendo variar a sua resistncia.
Nos aparelhos de TV a cores existe uma bobina para a desmagnetizao do tubo.
Ao ligar o aparelho, esta bobina deve produzir por alguns segundos um campo
magntico intenso que depois deve praticamente desaparecer.
Para que isto acontea, a bobina de desmagnetizao conectada em srie com
um PTC (fig. 29).
Fig. 29
Ao ligar a alimentao, o PTC est frio e com baixa resistncia. A corrente circulante
intensa, produzindo o campo desmagnetizante.
A corrente da bobina circula atravs do PTC provocando uma dissipao que eleva
a temperatura do componente.
318
Com a elevao da temperatura, a resistncia do PTC aumenta, reduzindo a

corrente na bobina.
Aps alguns segundos, o sistema atinge o equilbrio com o PTC em alta resistncia,
o que praticamente elimina o campo desmagnetizante que j cumpriu a sua funo.
319
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
SENAI.DN. Eletrnica bsica. Rio de janeiro: SENAI, s.n.t.

SILVEIRA. George Cajazeiras. Notaes de aulas, s.n.t.
320
EQUIPE TCNICA
COORDENAO: Lenidas Fernandes Macedo Jnior
ELABORAO: George Cajazeiras Silveira
DIGITAO E DIAGRAMAO: Sandra Lcia Carvalho de Arajo
CORREO ORTOGRFICA: Rosngela Ftima Carvalho de Arajo
NORMALIZAO BIBLIOGRFICA: Ncleo de Informao Tecnolgica - NIT

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Eletrnica

Conselho Regional do SENAI-CE

Departamento Regional do SENAI-CE

Federao das Industrias do estado do Cear

2004. SENAI. Departamento Regional do Cear

SENAI. CE. CFP. WDS. Eletrnica Analgica. Fortaleza, 2004. 321p. il

- ELETRICA ANALGICA I TTULO

Av. Francisco S, 7221

1.1 Caractersticas dos Resistores

1.3 Tipos de Resistores

1.4 Cdigo de Cores para Resistores

1.5 Interpretao de Cdigo

3.3 Tipos de Potencimetros

3.4 Potencimetro de Fio

3.6 Potencimetros com Chave

4.1 Descarga do Capacitor

4.3 Tenso de Trabalho

5.1 Capacitores Fixos Despolarizados

5.2 Capacitores Ajustveis

5.3 Capacitores Variveis

5.4 Capacitores Eletrolticos

5.5 Tipos de Capacitores Eletrolticos

5.6 Especificao Tcnica dos Capacitores

5.7 Apresentao das Caractersticas no Capacitor

5.8 cdigo de Cores para Capacitores

6.1 Estrutura Qumica dos Materiais Semicondutores

6.5 Influncia da Intensidade de Dopagem no Comportamento dos

7.1 Simbologia e Aspecto Real

7.2 Formao do Diodo Juno PN

7.3 Comportamento dos Cristais aps a Juno

7.4 Aplicao de Tenso sobre o Diodo

7.5 Caractersticas de Conduo e Bloqueio do Diodo Semicondutor

7.6 O Diodo Semicondutor Ideal

7.7 O Diodo Semicondutor Real

7.8 A Curva Caracterstica do Diodo Real

7.9 Regime Mximos do Diodo em CC

8 RETIFICAO DE MEIA ONDA

8.1 Retificao de Meia Onda com Diodo Semicondutor

8.3 Retificao de Meia Onda com Tenso de Sada Negativa

8.4 Tenso de Sada

8.5 Corrente de Sada

8.6 Inconvenientes da Retificao de Meia Onda

8.7 Fonte de Alimentao Meia Onda

9 RETIFICAO DE ONDA COMPLETA COM DIODOS

9.3 Tenso e Corrente CC de Sada da Retificao com Derivao

9.5 Relao entre Freqncia de Entrada e Freqncia de Sada

9.6 Retificao de Onda Completa em Ponte

9.8 Tenso e Corrente CC de Sada da Retificao em Ponte

9.9 Fonte de Alimentao de Onda Completa

10 O FILTRO NAS FONTES DE ALIMENTAO

10.1 O Capacitor como Elemento de Filtragem

11.1 Fatores que Influenciam na Ondulao

11.2 Tenso na Sada nos Circuitos Retificadores com Filtro

11.3 Observao da Ondulao com Oscilao

11.4 Determinao do Capacitor de Filtro

11.5 O Capacitor de Filtro Ideal

11.6Tabela de Equao de Circuitos Retificadores

12 DIODO EMISSOR DE LUZ

12.1 Corrente Direta Nominal (IF)

12.2 Tenso Direta Nominal (VF)

12.3 Tenso Inversa Mxima (VR)

12.4 Led Bicolor

12.5 Led Infravermelho