Universidad de Guadalajara

Centro Universitario de Ciencias

Exactas e Ingenieras

Laboratorio

de
ELECTRONICA II
Prctica # 13

Medicion de los elementos de un modelo

hibrido pi

Ricardo Luna Badillo

Cdigo: 005060796
Fecha: 9-Junio-2011

Universidad de Guadalajara

Centro Universitario de Ciencias

Exactas e Ingenieras

Laboratorio

de
ELECTRONICA II
Prctica # 14

Amplificador realimentado

Ricardo Luna Badillo

Cdigo: 005060796
Fecha: 9-Junio-2011

Objetivo
El alumno validar el modelo hbrido-pi mediante la medicin de los elementos
del modelo.

Competencias
1. Determinar los elementos del modelo hbrido-pi.

Fundamentos Tericos
El modelo hbrido-pi es til para modelar al transistor para altas frecuencias. Se
llama as porque surge del modelo con parmetros hbridos, pero se completa
con algunos elementos para considerar el efecto de la alta frecuencia. En la

hre 0
figura 1-a se presenta el modelo hbrido simplificado (
) de un transistor
en seal pequea, y en la figura 1b se presenta el modelo hbrido-pi para alta
frecuencia. Para pasar de un modelo al otro se ha hecho lo siguiente: La

hie
resistencia

rb ' e
se ha renombrado como

hoe
, la conductancia

se ha

h fe ib

rce
representado por la resistencia

, la fuente de corriente controlada por

se

g m vb 'e
representa por la fuente de corriente controlada por voltaje

g m h fe / hie

(donde

Cb ' e
). Los elementos adicionales son

que corresponde al capacitor de

rbb '
unin de la unin colector base, y el resistor
que representa la resistencia
que existe entre la terminal de base del transistor y la regin de base efectiva
que se encuentra entre el emisor y el colector al interior del transitor.

Procedimiento para estimar el valor de los elementos del modelo hbrido-pi

Un procedimiento para estimar el valor de los elementos del modelo hbrido-pi

de un transistor, partiendo de la informacin de la hoja de datos es el
siguiente:
Los datos necesarios son:

rbb ' h fe hoe

a) Del transistor:

I CQ
a alguna corriente

fT
,

Cob
y

a algn valor

VCB
de

I CQ
b) De la polarizacin:

VCBQ
y

VT 35mv
Procedimiento: (usar

rbb '
1. Buscar en la hoja de datos el valor de

. En muchas ocasiones este dato

Re(hie )
se puede localizar como
o parte real de la impedancia de entrada en
alta frecuencia. Si no se localiza, es comn suponerlo entre 10 y 60 ohms.

gm
2. Calcular

g m I CQ / VT

usando

rb ' e
3. Calcular

usando

V
rb ' e T h fe
I CQ

rce
4. Calcular el resistor

como sigue:

(hoe )1
a. De la hoja de datos, o por medicin se determina

a una corriente

( I C )1
de colector dada

VA
b. Con estos valores se calcula el voltaje de Eearly

VA ( I C )1 / (hoe )1

usando:

c. Con el dato de la corriente de polarizacin de colector de operacin

I CQ

hoe
, se calcula

hoe I CQ / VA

usando:

rce
d. Se calcula

usando

rce 1/ hoe

Cb ' e
5. Calcular

como sigue

f
a. Se calcula

usando

fT
h fe

Cb ' e
b. Se calcula

Cb 'e

usando

1
2 f rb ' e

Cb ' c
6. Calcular

como sigue:

Cob
a. Se renombran:

Cb ' c1
como

VCB
,y

VCB1
como

Cb ' c
b. Calcular

Cb ' c

donde

n 1/ 3

usando

V V
Cb ' c1 D CB1
V V
D CBQ

VD 0.7V
y

EJEMPLO: Las especificaciones dadas por el fabricante para el transistor de propsito general de

h fe 50

fT 300MHz
silicio PN2222A de Fairchild incluyen los parmetros de:

I C 1ma Cob 8 pF
con

VCB 10V
mximo con

mnimo, con

mnimo

Re(hie )
,

de alta frecuencia igual a 60 mximo.

Con estos datos estime el valor de los componentes del equivalente hbrido-pi si el transistor

I CQ 10mA VCBQ 3V
opera con un

T 27C

hoe 100 S
. Suponga que se mida

I C 1mA
con

Solucin
Criterio: Debido a que los valores encontrados en la hoja de datos son mximos o mnimos es
necesario estimar un valor ms realista para un dispositivo elegido al azar. En este ejemplo se

fT 350 MHz h fe 100 Cob 6 pF

supondr:
,
a 27C se supondr a 50 mv.

rbb '
1.

Re(hie ) 40
y

VT
. Adems, el valor de

para el silicio

Re(hie )
es dada a travs de

de alta frecuencia, y considerando el criterio mencionado, s

rbb ' 40
estima

gm

I CQ
VT

0.01
200mS
0.05

2.

rb ' e

VT
(0.05)100
h fe
500
I CQ
10 10 3

3.

VA 103 /10 106 100V

4.

hoe 10 103 /100 1104 S

rce 1/10 4 10 K
f

fT 350 106

3.5MHz
h fe
100

5.

Cb 'e

1
1

91 pF
2 f rb 'e 2 (3.5 106 )(500)
n

Cb ' c

1/3
VD VCB1
12 0.7 1
Cb ' c1
(6 10 )
4.6 pF
V V

0.7 3
CBQ
D

6.
En la figura 2 se muestra el modelo hbrido-pi con los valores estimados.

Procedimiento para medir los elementos del modelo hibrido-pi

Circuito de prueba
En la figura 3 se muestra el circuito que ser utilizado para medir los
elementos del modelo hibrido-pi. Es bsicamente el amplificador emisor comn
con una resistencia Rs aadida en la entrada. Se identifican tres puntos donde
se realizaran mediciones de voltajes va, vb, y vL en diversas condiciones. Para
facilitar el procedimiento, se realizaran algunas aproximaciones basadas en
escoger valores convenientes de algunos componentes.

rb 'e
Medicin de

gm
y

Estas mediciones se realizan en la banda de frecuencias medias. En la figura 4

se muestra el circuito equivalente de seal pequea correspondiente, donde
RB=Rb1||Rb2. Si el valor de corriente de colector en DC no es muy alto, se

rbb ' rb ' e

puede forzar la condicin
, y por otro lado, si RL se escoge
suficientemente bajo, se puede desperdiciarse, por lo que un circuito
aproximado es el mostrado en la figura 5.

En el circuito de entrada de la figura 5, es conveniente definir el resistor

equivalente

Req RB Prb 'e

Req
Es posible determinar el valor de
como sigue

Req

va vb
a partir de conoces el valor de

vb
RS

va vb va
1

RS vb

va
Donde se pueden utilizar los valores de pico, o pico a pico para

Req
vez conocido el valor de
ecuacin.

RS

vb
y

. Una

rb 'e
, es posible calcular

despejando de la pasada

rb 'e

RB Req
RB Req

vL
Por otro lado, del circuito de la figura 5, el voltaje

se obtiene como

vL ( g mvb ' e ) RL

vb ' e vb
Pero

, entonces

vL g m RL vb

vL
Si se conoce el valor de

vb
y

gm
por medicin,

gm

1
RL

se puede calcular como

vL

vb

vL
El signo negativo en la ecuacin para calcular

indica un desfase de 180 en

gm
los voltajes, pero se elimina en la ecuacin de
pico, o pico a pico.

Cb ' e
Medicin de

si se utilizan los valores de

Cb ' c
y

El circuito equivalente de seal pequea y alta frecuencia del circuito de la

figura 3 se muestra en la figura 6. Es igual al de la figura 4, pero con

Cb ' e

Cb ' c

capacitores
y
aadidos. La medicin de estas capacitancias se basa en
reconocer que, a pesar de la cantidad de componentes, es posible
representarlo como un circuito RC pasa-bajas simple, luego se puede medir la
frecuencia de corte a partir de lo cual se determinan las capacitancias.

En la figura 7 se presenta una versin simplificada del circuito de la figura 6. Se

obtiene al representar la parte resistiva del circuito de entrada por su
equivalente de Thevenin, donde:

RB

RB ( rs RS )

vth vs
y

rth RB P(rs RS )
R 'L
Adems, en el circuito de salida se define el resistor

R 'L rce P RC P RL RC P RL

como

En la figura 7 se presenta un circuito equivalente con menos componentes que

el de la figura 6 pero todava no es evidente la formacin de un circuito pasa-

rbb ' rth

bajas simple. ste se obtienes forzando la condicin

vb vb ' e

rbb '
despreciar

con el fin de que al

se tenga

, y luego, se cortocircuita la salida, con lo cual se

Cb ' c

Cb ' e

logra que el capacitor

se conecte en paralelo con
. Esto se ilustra en la
figura 8. Es conveniente hacer notar que el corto circuito en la salida se logra
con un capacitor de valor apropiado conectado del colector a tierra, y no
directamente con un alambre que se despolarizara el transistor.

vL
Es posible demostrar que la respuesta para el voltaje
pasa-bajas como la mostrada en la figura 9.

de la figura 8 es tipo

La frecuencia de corte del circuito de la figura 8 est dada por

f c1

1
2 (rth Prb ' e )C1

Donde

C1 Cb ' e Cb 'c

C1
Basado en lo anterior es posible determinar
siguiente:

rth
Con el valor de

siguiendo el procedimiento

rb 'e
y

vL
conocidos y sin varias la amplitud de

a) Colocar un corto de AC en la salida.

b) Ajustar la frecuencia en algn valor dentro de la banda de frecuencias
medias.

vb
c) Medir la amplitud de voltaje

Vmax
(llamar a este voltaje

vb
d) Aumentar la frecuencia hasta que la amplitud de

baje a 0.7071 del

Vmax
valor que tena en frecuencias medias(

f c1
e) Medir esta frecuencia, la cual se representa por

f c1
f) Calcular el capacitor C1 usando la ecuacin de

C1

1
2 f c1 (rth Prb ' e )

, es decir

C1
Con el procedimiento anterior, se determina la capacitancia

Cb ' e

que corresponde

Cb ' c

a la suma de
y
hacer otra medicin.

, pero para determinar cada una de stas es necesario

Considere ahora el caso en que se elimina el corto de AC. Es posible demostrar

Cb ' c
que el capacitor

y el circuito de salida se pueden sustituir por un solo

CM
capacitor conectado a tierra llamada
est dado por:

o capacitancia de Miller, cuyo valor

CM Cb 'c (1 g m R 'L )
Cb ' c
El capacitor Miller queda conectado con el capacitor
como se ilustra en la
figura 9, donde de nuevo se forma un circuito pasa-bajas con el capacitor
compuesto

C2 Cb 'e CM
El modelo del capacitor de Miller es vlido siempre y cuando la frecuencia de
operacin satisfaga:

C1
Se puede repetir el procedimiento descrito para medir

C2
medir

Cb ' e
. Una vez conocidos estas capacitancias,

CM

Cb ' c
y

se obtienen

C1

despejando las ecuaciones de

Cb 'c

, pero ahora para

, es decir:

C2 C1
g m RL

Cb ' c C1 Cb ' c

DATOS PARA LA PRCTICA

Circuito en DC
1) Escoger un transistor cuya hoja de datos se tenga disponible
2) Calcular un amplificador emisor comn tpico (por ejemplo: Vcc=12V,
ICQ= 3mA, RE=470, VCEQ=5V, fL=100Hz). Llenar la tabla 1, y la
primer fila de la tabla II.
3) Construir y medir el circuito en DC. Llenar la segunda fila de la tabla II
Circuito en AC y en alta frecuencia
(Usar Rs =1k y RL=100)
4) Estimar el valor de los elementos del modelo hibrido-pi segn el

rbb '
procedimiento indicado (con excepcin de
fila de la tabla III.

rb ' e

rce
y

) llenar la primer

gm

5) Realizar la medicin de
y
siguiendo el procedimiento y usando
una frecuencia de 10KHz como frecuencia en la banda de frecuencias
medidas (observe que rs=50, debido al generador).
6) Realizar la medicin de C1 siguiendo el procedimiento indicado,
usando dos capacitores en paralelo de 10F y 0.1F del colector a
tierra para hacer el corto de AC.

7) Realizar la medicin de C2 siguiendo el procedimiento (Observe que

rce
se ha despreciado

como se indica en la ecuacin de RL.

8) Verifique la validez de la inecuacin de la frecuencia.

Cb ' c
9) Determinar

Cb ' e
y

usando las ecuaciones antes propuestas.

Simulacin

CLCULOS Y MEDICIONES
Transistor usado: 2N222
=200

Clculos
Proponer el valor de rbb
'

rb b =40 o h m
Calcular gm

gm=

Icq 2.73ma
=
=0.78 mS
VT
35 mv

Calcular rbe

r b' e=

VT
h fe=2.75 Ko h m
Icq

Calcular hoe con VA=100V

h oe=

Icq
=27.3 uS
VA

Calcular rce

rce=

1
=36.63 ko h m
h oe

Calcular Cbe

fB=

fT
=1.75 MHz
h fe

Calcular Cbe

C b' e=

1
=33 pf
2 pifBrb ' e

Calcular Cbc

C b' e=cb c' 1

VD +Vcb 1
=6.3 pf
VD +VCBQ

Mediciones
Tabla I.- Clculo del amplificador

RE

Rb1

Rb 2

RC

CE

Ci

Co

470

7.6K

1.8K

1.8K

200u

10u

1u

Tabla II.- Polarizacin

Calculado
Medido

VCC

I CQ

VCEQ

VCBQ

12
12

4.73
4.56

5.8
5.71

4.8
5.02

Tabla III.- Modelo hbrido-pi

Estimado
Medido

rb ' e

gm

Cb ' e

Cb 'c

2.7K
2.5K

.78mS
.76mS

35pf
35.782pf

6.7pf
6.5pf