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Cmo esta formada una estructura cristalina?

Esta formada por la distribucin de tomos, iones o molculas, y estn
empaquetados de manera ordenada y con patrones de repeticin que se
extienden en las tres dimensiones del espacio.

Cules son las 3 estructuras o empaquetados que comforman el 90%

de los metales?
cbica centrada en las caras FCC
hexagonal compacta HCP
cbica centrada en el cuerpo BCC

Qu es el crecimiento epitaxial y cules son los dos tipos de epitaxia?

R= Es simplemente un crecimiento de un cristal sobre un sustrato con la

misma o casi la misma estructura cristalina y parmetros de red. Los dos tipos
de epitaxia son homoepitaxia cuando los materiales substrato y la capa que se
crece son del mismo material y heteropitaxia cuando el material de substrato y
capa son de diferente material.
4 Cules son las dos condiciones esenciales que debe poseer el sustrato?
R= La primera es que debe tener sitio de nucleacin donde los tomos a
depositar pierdan su energa y lleguen a formar parte de la estructura cristalina
del slido.
La segunda es que el sustrato debe poseer una temperatura tal que,
una vez alcanzada la superficie por los tomos que contribuirn al crecimiento,
estos puedan moverse fcilmente hasta situarse en un lugar de la red
cristalina.
5 De qu manera los planos y direcciones del cristal se aplican prcticamente
en la electrnica?
Al ser representantes de la estructura cristalina, los planos y las direcciones de
un cristal nos ofrecen una resea de las propiedades y similitudes de un
material.
6 Justifique la existencia de los ndices de Miller
Para analizar las estructuras

Permite estudiar las posiciones de cualquier punto dentro de una celda unidad,
cualquier plano que queramos definir (y todos los planos paralelos y
equivalentes que forman una familia), cualquier direccin.

7 Cules son las principales funciones de encapsulado de IC?

Los procesos de fabricacin de circuitos integrados se basan en la actualidad,
en aumentar la densidad de integracin a base de disminuir el tamao de los
componentes (como los transistores) lo que permite una disminucin de las
tensiones de alimentacin y un aumento de la frecuencia mxima de trabajo
sin un aumento notable de la potencia consumida
8 Cul es el propsito de la metalizacin?
La metalizacin se emplea para formar las interconexiones entre los
componentes de un chip. Estas conexiones se forman depositando una tenue
capa de aluminio sobre toda la superficie del chip.
9 Describe en qu consiste el proceso de metalizacin con cobre.
Se graba la superficie del oxido grueso con la mscara de metalizacin, se
deposita uniformemente el metal quedando atrapado en el grabado. Un pulido
posterior elimina el Cu sobrante, se deposita un complejo de Cu sobrante en la
poliamida como aislante, para evitar la difusin sobre el oxido del Cu.
10De cuantas maneras evolucion la tabla de los elementos qumicos y
cuales fueron estas?
R=Evolucion de 4 maneras: primero fueron las Triadas de Dbereiner , luego
el cilindro de Chancourtois, despus la Ley de Octavas de Newlands y
finalmente la tabla peridica de Mendelyev.
11 Cuntos elementos qumicos tiene la tabla peridica actualmente y
cuntos de ellos son naturales y artificiales?
R= Actualmente tiene 118 elementos;

105 naturales y 13 artificiales.

12 Mencione cual es el semiconductor con mas uso en la electrnica y

porque?.
El cristal de Silicio y debido a que es un material muy abundante y cuando se
encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la
energa necesaria para saltar a la banda de conduccin dejando el
correspondiente hueco en la banda de valencia.

13 Mencione las principales aplicaciones del cristal de silicio en la electrnica.

Tiene un inters especial en la industria electrnica y microelectrnica como
material bsico para la creacin de obleas o chips que se pueden implantar
en transistores, pilas solares y una gran variedad de circuitos electrnicos.

14.- Que es la Implantacin Inica?

La implantacin de iones es un proceso por el cual los iones de un material
pueden ser implantados en otro slido, cambiando por tanto las propiedades
fsicas de ste ltimo.
15.- Las dos aplicaciones ms importantes de la Implantacin Inica son:

el dopado de semiconductores

el tratamiento de superficies metlicas

16.- Mencione al menos tres ventajas de la Implantacin Inica.:

Consigue aumentos de vida til de hasta cinco o diez veces (segn

la aplicacin) para un gran nmero de piezas y componentes crticos de
los ms variados procesos industriales.

No produce cambio alguno de dimensiones (no es un

recubrimiento, sino un tratamiento en profundidad)

No produce cambio alguno en el acabado superficial (respeta los

pulidos o las texturas iniciales)

17.- Mencione al menos dos Limitaciones de la Implantacin Inica:

Es una tcnica de lnea recta, lo que quiere decir que no se pueden

tratar dos componentes a la vez.

Es una tcnica de alto vaco, lo que significa altas inversiones en

equipos y mantenimiento, tiempos muertos de carga y descarga y
limitaciones de volumen dependiendo del tamao de la cmara de
tratamientos.

18. Para que es utilizado el mtodo de Czochralski?

Este mtodo es utilizado para la obtencin de silicio monocristalino mediante
un cristal semilla depositado por un bao de silicio. Es de amplio uso en la
industria electrnica para la obtencin de wafers u obleas, destinadas a la
fabricacin de transistores y circuitos integrados.

19. En que consiste el mtodo de Czochralski?

El mtodo consiste en tener un crisol (de cuarzo) que contiene el
semiconductor fundido. La temperatura se controla para que est en punto de
fusin. Se introduce una varilla que gira lentamente y tiene en su extremo un
pequeo monocristal del mismo semiconductor que acta como semilla. La
varilla se va elevando y, se va formando un monocristal cilndrico. Finalmente
se separa el lingote de la varilla y pasa a la fusin por zonas para purificarlo.

20. Cules son los componentes empleados en el mtodo de Czochralski.?

* Un horno, que incluye un crisol de slice fundida

Un soporte de grafito

Un mecanismo de rotacin

Un calentador y una fuente de alimentacin.

21 Qu caractersticas tiene una oblea de Silicio crecido por el mtodo Zona

Flotante?
Presenta una alta resistividad y contiene una concentracin de
impurezas ms bajas que las normalmente obtenidas por el mtodo de
Czochralski
22 Por qu motivos no es tan usado el mtodo Zona Flotante?
Es ms costoso de implementar que Czochralski y para la mayora
de los dispositivos las caractersticas que tiene la oblea no son relevantes.
23 En Pocas palabras, describe el mtodo de crecimiento Zona Flotante
Se coloca un cilindro de Si policristalino y se hace pasar a travs de una bobina
de calentamiento, lo que crea una zona de fundido. Se siembra un cristal en el
extremo inferior para iniciar el crecimiento. Cuando la zona
flotante se
desplaza hacia arriba el silicio monocristalino se solidifica en el extremo
inferior y se convierte en una extensin de la semilla
24.-Por qu el xigeno se combina fcilmente con casi todos los elementos?
R= por qu es el segundo elemento ms electronegativo de la tabla peridica
lo cual le da mayor capacidad de captar electrnes.

25.-Como se forma un xido?

R= Combinando 1 o ms atmos de oxigeno y algn otro elemento , con
excepcin de los gases nobles , el fluor y algunos metales no reactivos (Au,Pt
etc).
26 Explica el proceso de difusin
el dopante que queremos introducir se pone en contacto con el
semiconductor, a los cuales se le pone a una temperatura alta para poderse
producir la aleacin.
27 En que afecta la temperatura en el proceso de difusin?
La temperatura se tiene que controlar muy bien, dado que sino la
concentracin de impurezas puede variar bastante en tan solo 50 C.
28 Qu es una frmula qumica?
Una frmula qumica es una combinacin de smbolos y subndices que
indican la constitucin elemental y la proporcin en que se unen los tomos
que forman una sustancia.
29 Qu es un compuesto?
Un compuesto es una sustancia que est formada de 2 o ms elementos
qumicamente combinados y siempre tienen la misma masa relativa de los
elementos que la componen.

30 Qu significa el nmero de Valencia?

Es el nmero de enlaces qumicos que ese elemento puede formar con
otros. Son los electrones que se ganan, pierden o comparten.
31 Mencione un mtodo para escribir una frmula.
Formula emprica: para escribir la frmula el orden de aparicin de los
elementos es inverso al nombre del compuesto, o yuxtaposicin de los
nombres de los elementos del compuesto.
32 Cul es el principio bsico para escribir cualquier frmula?
Se debe tener en cuenta el principio de que los compuestos deben ser
elctricamente neutros, es decir la carga elctrica positiva total es igual a la
carga elctrica negativa total.
33.-CUAL ES EL OBJETIVO DE HACER CRECER LOS CRISTALES?

para obtener la calidad ms alta posible la menor cantidad de

impurezas, la menor cantidad de fracturas.

34.-EN QUE CONSISTE EL PROCESO DEL METODO DE BRIDGMAN?

Consiste en provocar la fusin del polvo del cuarzo para cristalizarse y

eliminar las impurezas para obtener un cristal puro.

Porque al desarrolar esta tcnica se han obtenido cristales de mayor

calidad y menos impurezas residuales ya que no hay contacto del cristal
con la pared de la ampolla.

35.- CUAL ES LA IMPORTANCIA DE LA SEMILLA EN EL PROCESO DE Brigman?

Cuando la semilla tiene contacto con la superficie del semiconductor

fundido, este se fusiona a la semilla, solidificndose con su red cristalina
orientada de misma direccion en la que el monocristal crece.

36 .-QUE VENTAJAS OFRECE EL COMPUESTO ARSENIURO DE GALIO RESPECTO

AL COMPUESTO DE SILICIO?
poseen la propiedad de amplificar las seales electrnicas sin perder mucha
energa y no sufren demasiados daos trasmitiendo seales analgicas.
37 Cual fue la aportacin mas importante de Robert Noyce?
Describe una metodologa para fabricar conjuntamente transistores,
resistencias y condensadores sobre una base de silicio en la que los
transistores se disponian en el plano inferior y las conexiones formaban planos
superiores paralelos al de los transistores.
38 Cuales son las principales aplicaciones de la tecnologia planar?
La miniaturizacion de los dispositivos electronicos mediante chips pero mas
importante a los microprocesadores.
39 MENSIONA ALMENOS 3 VENTAJAS DE LA TECNOLOGIA PLANAR.
1- Bajo costo
2- Tamao reducido
3- Gran confiabilidad Todos los componentes se fabrican simultneamente sin
soldar y se reducen las fallas tanto elctricas como mecnicas.

4- Mejores Prestaciones Debido a su bajo costo pueden emplear circuitos ms

complejos para conseguir mejores caractersticas de funcionamiento. Se
emplean circuitos redundantes a fin de lograr alta confiabilidad.
5- Igualdad de caractersticas. Dado que los transistores se fabrican
simultneamente y por el mismo proceso, los parmetros correspondientes as
como la variacin de caractersticas con la temperatura tienen prcticamente
los mismos valores.
40 Describa el proceso tecnolgico planar paso a paso.