TENDENCIAS FUTURAS
INTRODUCCIN7
La informtica se desarroll bajo una divisa implcita: ms pequeo, ms
rpido, ms barato (smaller, faster, cheaper 8). Estas tres palabras al mismo
tiempo describan el acontecer y expresaban el deseo de la industria. Eran
similares a la divisa que el barn Pierre de Coubertin haba elegido para los
juegos olmpicos modernos, una terna de palabras latinas que describan la
misma idea para caracterizarlos: altius, citius, fortius (ms alto, ms rpido,
ms fuerte).
Hoy sabemos que la finalidad ltima de la revolucin informtica es la
construccin de lo que se ha llamado la Sociedad de la Informacin, una nueva
manera de relacionarnos entre nosotros y con la naturaleza, asistidos a cada
paso por las mquinas informticas para reducir al mnimo los procesamientos
algortmicos de la informacin y liberar as la mxima capacidad creadora de la
actividad humana.
Es, por lo tanto, una pregunta central de nuestro tiempo intentar responder
cundo ocurrir esta Sociedad de la Informacin.
SMALLER
En el comienzo de la electrnica lo primero que se advirti fue que cada vez
los circuitos eran ms pequeos. La trada comenz en smaller.
La microelectrnica comenz en 1961 con los circuitos integrados. En 1965
Gordon Moore adverta el crecimiento exponencial de la cantidad de
transistores de los circuitos. En un artculo en la revista Electronics publicaba
la idea primera de lo que hoy conocemos la ley de Gordon Moore. En este
entonces era director de Fairchild Semiconductor Corporation, una empresa
que forjara los primeros comienzos de la microelectrnica 9.
http://www.itapebi.com.uy/pdfs/1cni.PDF
Este artculo fue preparado para el Primer Congreso Nacional de Informtica,
Montevideo, 1997. Fue publicado en 1999 por la Oficina de Apuntes del CECEA como
Perspectivas y tendencias de la Informtica en el Uruguay.
8
una
Moore relat muchas veces esta historia. Una las ltimas versiones se encuentra en
entrevista
en
Business
W eek,
23jun97,
p.
66.
Moore tena tres datos: saba la fecha del primer transistor plano sobre silicio;
los primeros circuitos integrados, en 1961, tenan solamente 4 transistores y
observaba que en el presente es decir
1965 haban alcanzado la enorme suma de 200 transistores. De all peg un
salto al vaco y adelant que la densidad de transistores pareca duplicarse
cada ao. Gordon Moore sera consecuente con esta idea y se convertira en
uno de los pioneros del smaller, faster, cheaper: pocos aos despus fundara
Intel Corporation y liderara la revolucin de los microprocesadores y las
memorias electrnicas. En 1975, con la experiencia acumulada por Intel,
analiz la tendencia de nuevo y se declar que el nmero de transistores se
duplicaba cada dos aos. La cifra generalmente aceptada actualmente es
intermedia: cada 18 meses se duplica el nmero de transistores de los chips.
La Ley de Gordon Moore y algunas otras leyes relacionadas establecen que
los diferentes parmetros fsicos de los circuitos electrnicos integrados crecen
en forma exponencial en el tiempo. Estas leyes son tpicas leyes empricas
acerca de las cuales no existe mayor fundamentacin terica. Desde el
momento de su formulacin hasta el presente han sufridos algunas
modificaciones no substanciales en los valores de sus parmetros, pero su
validez ha permanecido esencialmente no cuestionada.
El nmero de transistores de un chip depende en forma crtica de las
dimensiones del transistor y de los dems elementos geomtricos empleados.
El tamao del chip no incide demasiado porque no se puede aumentar en
forma importante el tamao del trozo de silicio empleado. En la jerga tcnica
este problema se conoce como las reglas de diseo. El mosaico que forma el
chip emplea elementos que tienen un cierto tamao tpico. Este mdulo es
conocido como la regla de diseo empleada. El Cuadro 1 se presenta
algunas cifras.
Cuadro 1: Evolucin de las reglas de diseo de los circuitos integrados.
fecha reglas de diseo
1970
20 micras
1975
10 micras
1978
4,5 micras
1980
2 a 3 micras
1996
0,35 micras
1997
0,25 micras
1999
0,18 micras
ref.
[1]
[1]
[1]
[1]
[5]
[5]
[5]
Vale la pena sealar al pasar, como dato curioso porque no tiene importancia
de ningn tipo, que las dimensiones de las clulas son del orden de la micra.
10
comentarios
mejora de caractersticas
versin original
mejor ajuste actual
Comunicaciones
1,78
Resulta claro de estas cifras que la electrnica es una de las ramas que ms
ha crecido en la historia de la humanidad si la comparamos, por ejemplo, con
otra rea de crecimiento vertiginoso como es la aviacin. Sin embargo, las
cifras empricas muestran lo que es conocido por dems que las
comunicaciones crecen todava ms que la electrnica.
En el Cuadro 4 se presentan los coeficientes empricos actuales para el
crecimiento de la velocidad de procesamiento y del nmero de transistores de
los chips. Es interesante observar que la velocidad crece ms que la cantidad
de transistores, lo cual evidencia las mejoras de las tcnicas de diseo de los
procesadores por mayor empleo del paralelismo interno.
Cuadro 4: Mejor ajuste actual al crecimiento de la microelectrnica. [3]
rea de actividad
crecimiento de los MIPS
crecimiento del nmero de
transistores
B
k
1,56 0,002374
1,37
1,492
estos lmites hacia el 2003. Otros autores sostienen que el proceso ser ms
lento y que recin en el 2010 se llegar a 0,1 micras 11. Su propuesta de nueva
tecnologa consiste en reemplazar los transistores por islotes atmicos de 20
nanometros de largo (0,02 micras) que contienen unos 60 tomos de silicio de
largo, porque todava no se manifiestan en forma molesta las propiedades
cunticas. Algunos van ms lejos, en la Universidad de Minnesota anunciaron
recientemente la posibilidad de almacenar un nico electrn por vez [7] y esto
permitira llevar muy lejos el lmite fsico de aplicacin de la ley de Gordon
Moore.
Cualquiera sea la posicin adoptada, parece existir acuerdo en los comienzos
del siglo XXI algo muy trascendente ocurrir con la microelectrnica y no es
claro que se puede continuar al ritmo en que se vena. Al detenerse el smaller
es de esperar consecuencias importantes para el cheaper y el faster.
La respuesta clsica al agotarse las posibilidades de chips ms densos es
emplear, en forma masiva, el paralelismo. Este problema fue estudiado desde
varias dcadas atrs, en particular por Gene Amdahl, el diseado de la IBM
/360. Por acumulacin de procesadores pueden crearse mquinas ms
potentes a partir un chip dado, pero este mecanismo tiene algunas sorpresas:
El lmite del paralelismo de mquinas se encuentra en la velocidad de
comunicacin de los buses internos de los chips. Los MIPS se
encuentran limitados por los lmites fsicos de la comunicacin y stos,
por la velocidad de la luz.
A los chips les est ocurriendo otro fenmeno: la complejidad de la
interconexin. Cada vez ms la superficie del chip est destinada a
interconectar transistores [6]. Este fenmeno que se manifiesta a nivel
de chips tambin ser notorio en las placas y por este lado tambin hay
una limitacin importante.
El paralelismo cambia la ecuacin de cheaper. Hasta hoy, lo mismo
costaba menos en forma exponencial. Al depender del paralelismo,
desaparece este efecto. Se llega al lmite de costo y, en adelante, ms
capacidad de procesamiento significar un costo proporcional.
Estas consideraciones muestran que parece estarse llegando al borde del
smaller, faster, cheaper.
11
parque
14
18
24
31
41
53
69
90
1173
1525
1983
2578
3351
4357
5664
7363
ventas en
45
59
77
100
130
169
219
285
371
482
626
814
1058
1376
1789
2325
0.5-1
m
m)
y
realizar
la
distribucin
del
boro.
de
apertura
de
ventanas
para
contactos
transistores de pelcula fina), por otra parte, es una pelcula que se deposita sobre
un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin de los TFTs es
como pantallas de cristal lquido o LCDs).
Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction
Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET
(Metal-Insulator-Semiconductor FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente
(source). La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de
efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el
voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y
fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los
MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la
corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin con la que
circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET,
adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener
en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos.
As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de
campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la
aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de
conduccin o no conduccin, respectivamente. Los transistores de efecto de
campo MOS son usados extenssimamente en electrnica digital, y son el
componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.
En esta seccin, se considera el FET de metal xido semiconductor (MOSFET).
Este FET se construye con la terminal de compuerta aislada del canal con el
dielctrico dixido de silicio (SiO2), y ya sea en modo de empobrecimiento o bien
de enriquecimiento. Estos dos tipos se definen y consideran en las siguientes
secciones.
MOSFET de empobrecimiento
El MOSFET de empobrecimiento se construye con un canal fsico construido entre
el drenaje y la fuente. Como resultado de ello, existe una iD entre drenaje y fuente
cuando se aplica una tensin, v DS.
El MOSFET de empobrecimiento de canal n se establece en un sustrato p, que es
silicio contaminado de tipo p. Las regiones contaminadas de tipo n de la fuente y el
drenaje forman conexiones de baja resistencia entre los extremos del canal n y los
contactos de aluminio de la fuente (S) y el drenaje (D). Se hace crecer una capa
de SiO2, que es un aislante, en la parte superior del canal n. Se deposita una capa
de aluminio sobre el aislante de SiO 2 para formar el material de compuerta (G). El
desempeo del MOSFET de empobrecimiento, es similar al del JFET. El JFET se
controla por la unin pn entre la compuerta y el extremo de drenaje del canal. No
existe dicha unin en el MOSFET enriquecimiento, y la capa de SiO 2 acta como
aislante. Para el MOSFET de canal n, una v GS negativa saca los electrones de la
regin del canal, empobrecindolo. Cuando vGS alcanza VP, el canal se estrangula.
Los valores positivos de vGS aumentan el tamao del canal, dando por resultado
un aumento en la corriente de drenaje. MOSFET de enriquecimiento
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones
PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs
de sus terminales. Los transistores bipolares se usan generalmente en electrnica
analgica. Tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital como la
tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est formado por dos
Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy
estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su
funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras
que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca recombinacin de