Diagnstico y anlisis de fallas

Captulo I

Tcnicas de anlisis de fallas

1.

Procedimiento para el anlisis de fallas,

Cada vez que es necesario llevar a cabo un anlisis de fallas, deben seguirse
unas pautas muy parecidas a lo que sera una investigacin policial. Se debe
buscar la mayor cantidad de antecedentes posibles, averiguando sobre aspectos
de funcionamiento de las piezas falladas adems de una serie de preguntas
adicionales Sin embargo, lo importante es no tocar la pieza. Esto es as porque
es estrictamente necesario preservar en la medida de lo posible las evidencias
que conduzcan a las causas de la falla.

2.

Preguntas a hacerse sobre una fractura

En la figura 1 se muestra un esquema de los antecedentes que es preciso tomar

en cuenta a la hora de realizar un anlisis de fallas. En primer lugar, debe tenerse
una idea de la composicin qumica de los materiales involucrados en la falla, muy
especialmente lo concerniente directamente a la pieza fallada. Junto con la
compasin qumica es preciso conocer aspectos tales como el tratamiento trmico
y mecnico (temple, revenido, envejecido etc.) que presenta la pieza en cuestin.
Otro aspecto importante radica en los aspectos medio ambientales, es decir, las
condiciones en las cuales ocurri la falla, que estn vinculadas a agentes
qumicamente agresivos tales como gases, humedad, la presencia de
temperaturas medioambientales anormales etc. Desde luego el estado de

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esfuerzos asociado a la pieza que fall, es desde el punto de vista mecnico uno
de los antecedentes ms relevantes, puesto que el estado de carga incide de
manera importante en la fractura de la pieza. El poseer informacin de situaciones
de falla similares, es decir, el que existe un precedente de falla que involucre
condiciones similares o parecidas, tambin es importante y puede en determinado
momento ser vital en el momento tanto del anlisis como de las conclusiones
finales. Las condiciones de operacin siempre es importante de tener claras
debido a que condiciones de operacin errneas pueden significar precisamente
una falla relacionada con un exceso de esfuerzos o a una condicin anmala de
aplicacin de los mismos. Finalmente los aspectos humanos no son menos
importantes, sobre todo debido a la entrega parcial de la informacin o bien al
temor por eventuales sanciones que pudieran tener lugar por motivo de errores
humanos.

Material
comp. qca.,
trat. trmico

Precedentes,
otros casos
similares?

Medio
ambiente

Problema
de Anlisis
de Fallas

Factores
humanos:
verdades
parciales?

Condiciones
de operacin
incidentes?
Estado de
esfuerzos

Figura 1. Esquema de un esquema de anlisis de fallas.

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3.

Pasos a seguir en un anlisis de fallas.

De acuerdo a lo planteado en el punto anterior, los siguientes son los pasos

recomendados en un anlisis de fallas, con el objeto de tomar en consideracin
todos los aspectos que sean capaz de contribuir al anlisis del origen de la falla.
1.- Datos del medioambiente.
2.- Seleccin apropiada de las muestras.
3.- Examen visual preliminar de la pieza fallada.
4.- Ensayos no destructivos.
5.- Anlisis qumico.
6.- Caracterizacin mecnica de las piezas falladas.
7.- Anlisis microscpico por microscopa ptica y electrnica.
8.- Determinacin de los micromecanismos de fractura.
9.- Ensayos bajo condiciones de servicio (lo ms cercano a la realidad posible).
10.- Anlisis de la evidencia como un conjunto y formulacin de las conclusiones.

4. El microscopio electrnico de barrido.

La tcnica conocida con el nombre de Microscopa Electrnica de Barrido (SEM)
consiste en hacer incidir un haz de electrones suficientemente energizados, sobre
la muestra a observar. Estos electrones se generan en un filamento de LaB 6 o bien
de wolframio y son acelerados bajo una gran diferencia de potencial, usualmente
de 20 a 25 kV. En la figura 2 puede verse un aspecto de un microscopio
electrnico de barrido, pudiendo verse a la derecha la columna de aceleracin del
haz de electrones.
Tal como se aprecia en la figura 3, es posible distinguir el filamento emisor de
electrones en la parte superior, los que son acelerados hacia la zona inferior de la
columna, en donde se encuentra localizada la muestra.

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Figura 2.- Vista de un microscopio electrnico de barrido.

Potencial de aceleracin
y corriente de filamento
Lente 1

Lente 2

Lente 3
Control de
aumento
Muestra
Fotomultiplicador

Bombas de
vaco

Amplificador de video

Video
Monitores
Foto

Figura 3.- Esquema de un microscopio electrnico de barrido.

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La columna se encuentra a alto vaco, con el objeto de impedir que el haz de

electrones pierda energa por choques con las molculas de aire. Se instalan
lentes electromagnticas, con el fin de controlar el haz de electrones, los que son
detectados por el fotomultiplicador, una vez que han hecho impacto sobre la
muestra. La seal, se procesa electrnicamemnte y se enva a una pantalla de
televisin, para ser observada.
Detalle del generador de electrones
En la figura 4 se muestra el detalle del generador de electrones. Est compuesto
por un ciclindro de Wehnelt, dentro del cual se encuentra el filamento emisor de
electrones.
El filamento se encuentra conectado a una fuente de alto voltaje, teniendo la
posibilidad de controlar la polarizacin a travs de un resistencia variable. A la
salida de este dispositivo, el haz de electrones posee un dimetro d 0 siendo 0 el
ngulo de divergencia.
La interaccin entre el haz de electrones y la muestra, es de naturaleza compleja.
En la figura 5 es posible observar los distintos fenmenos de interaccin
producidos.

Figura 4.- Detalle del generador de electrones.

El haz incidente, si tiene la suficiente energa, podra atravesar la muestra, lo que

da origen a la miscroscopa electrnica de transmisin, que no es objetivo de
anlisis. Si los electrones del haz incidente experimentan choques elsticos ya sea
con los ncleos de los tomos de la muestra o bien con los electrones de la
misma, son reflejados o retrodispersados con gran energa, lo que da origen a una
seal conocida como backscattering electrons, electrones primarios o electrones
retrodispersados.
Con esta seal se construyen tpicamente mapas de

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composicin qumica de la superficie de la muestra, debido a que en esta

modalidad, las diversas composiciones qumicas aparecen con diversos tonos de
grises en la pantalla del microscopio.
Cuando los choques que se producen entre los electrones del haz incidente y los
electrones de la muestra son inelsticos, se genera una seal consistente en
electrones de baja energa, tambin conocidos como electrones secundarios. Con
este tipo de electrones es posible construir imgenes que informen de la topogafa
de la superficie de la muestra, lo que resulta particularmente til en el campo de la
fractografa.
Al impactar los electrones sobre la superficie de la muestra, se generan tambin
rayos X, como se explicar ms adelante. Estos rayos emitidos por la muestra
poseen una longitud de onda y por tanto una energa, caracterstica de los
elementos que constituyen la muestra, por lo que son utilizados para realizar
anlisis de composicin qumica. En el campo del anlisis de fallas, esta
modalidad permite realizar estudios cuantitativos y semi cuantitativos de
sustancias no identificadas presentes en los materiales que se estudian.

Figura 5.- Representacin esquemtica de los distintos tipo de enteraccin producida entre
el haz de electrones y la muestra.

Penetracin de los electrones

El rango de penetracin de los electrones, corresponde a la distancia medida
desde la superficie de la muestra, que el electrn viaja a lo largo de una
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trayectoria. Esta penetracin depende fuertemente del voltaje de aceleracin

aplicado y para el caso de electrones retrodispersados, que son lo ms
penetrantes, dicho rango se encuentra entre 0.12 y 2.4 micras, ver figura 6.

Figura 6.- Esquema mostrando la penetracin del haz de electrones.

Tal como se aprecia en la figura anterior, la zona de la muestra que interacta con
el haz de electrones corresponde a una regin tridimensional con forma de pera.
Los electrones secundarios poseen un menor rango de penetracin, situndose en
unos 10 para el caso de metales y en unos 100 para el caso de aislantes. Tal
como se indica en la figura 7, tambin el nmero atmico juega un papel
importante en la penetracin del haz de electrones.Efectivamente, al aumentar el
nmero atmico de la muestra, disminuye la penetracin del haz de electrones.

Figura 7.- Penetracin del haz de electrones en funcin del voltaje incidente y del nmero atmico
de la muestra.

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Rayos X
Hay dos interacciones entre el haz de electrones incidentes y la muestra, que
conducen a la generacin de rayos X, dando origen a los dos tipos de espectros
conocidos: continuo y caracterstico.
Cuando un haz de electrones es desacelerado, por impacto con un ncleo, la
prdida de energa se manifiesta por la emisin de un fotn de rayo X, cuya
energa incluso puede llegar a ser igual a la energa del electrn incidente. En
realidad, la energa del fotn producido puede variar de forma continua hasta
eventualmente llegar a ser igual a la energa del fotn incidente, tal como se
muestra en la figura 8.

Figura 8.- Espectro de rayos X del molibdeno como funcin del voltaje aplicado.

La mxima absorcin de energa se produce cuando toda la energa del electrn

incidente es ocupada en generar un fotn de rayos X. Dado que la energa es
inversamente proporcional a la longitud de onda, esta mxima energa absorbida
corresponder a un fotn con mnima longitud de onda, denominada SWL (short
wave limit). Este lmite vara con el voltaje de aceleracin de los electrones
incidentes y decrece a medida que el voltaje aumenta.
El espectro correspondiente a 25 kV, presenta dos mximos caractersticos,
conocidos como espectro caracterstico. Este espectro tiene su origen en la
interaccin de los electrones incidentes con las capas de electrones ms internas
de los tomos de la muestra. Si el electrn incidente tiene energa suficiente,
puede arrancar electrones internos de las capas K, L o M y dejar el tomo en un
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estado excitado o ionizado. El tomo luego, es capaz de retornar a su estado

bsico, por la transicin de un electrn externo hasta la vacancia de la capa
interna, tal como se muestra en la figura 9. En este proceso el tomo pierde
energa, emitiendo un fotn de rayo X, cuya longitud de onda es caracterstica
debido a que dicha transicin est relacionada con una cantidad precisa de
energa.

Ejected orbital electron

Incident electron

Scattered primary electron

Electron relaxation and

photon generation

X-Ray photon
emitted
Photon
internally
converted and
Auger electron
emitted

Figura 9.- Esquema de la generacin del espectro caracterstico.

En la figura 10, se muestra un esquema de las transiciones electrnicas asociadas

a un tomo. Si un electrn de la capa K es removido, entonces un elecrtn de la
capa L puede pasar a ocupar el lugar de ste, dando origen a una radiacin
identificada como K. Si es un electrn de la capa M el que pasa a ocupar el lugar
del electrn removido en la capa K, se genera una radiacin denominada K.

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Electrn removido K

Ka

Kb

Electrn removido L
La

Electrn removido M
Ma

Electrn removido N

N
N
Normal

Figura 10.- Esquema de las transiciones electrnicas producidas en un tomo.

Resolucin o poder resolutivo de un microscopio

La resolucin es la mnima distancia a la cual dos puntos pueden distinguirse
como un par de puntos separados. Por lo tanto, es conveniente que este valor sea
pequeo. La resolucin depende de la longitud de onda empleada () y de la
apertyura de la ltima lente (). La resolucin vierne dada por:

R 0.61

(1)

Para un potencial de aceleracin de :

80 kV
100 kV

=0.04338
=0.03880

Es interesante tomar en cuenta que en el microscopio ptico, la longitud de onda

usada es del orden de 4000, lo que da una resolucin menor.
Profundidad de campo
La profundidad de campo corresponde a la distancia, medida en forma
perpendicular al haz incidente, que permanece enfocada simultneamente. Una
de las ventajas del microscopio electrnico de barrido es su gran profundidad de
campo.

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Figura 11.- Esquema mostrando la profundidad de campo.

En la figura 11, la profundidad de campo corresponde a la distancia QQ. Si es

el ngulo de convergencia de la lente, M es el aumento empleado, d p es la
resolucin del microscopio y es la resolucin del ojo humano, se puede
demostrar que:

M
QQ
'

''

dp

(2)

As por ejemplo, sabiendo que la resolucin del ojo humano es de 0.1 mm (=0.1
mm), trabajando a 10.000 aumentos, si la resolucin del microscopio es de 50
(=p), y usando una lente con un ngulo de 0.5x10 -2 rad se tiene que QQ=1 m,
lo cual es suficiente para los aumentos usados.
Defectos de las lentes electromagnticas
Los defectos de las lentes electromagnticas, son anlogas a las encontradas en
lentes pticas y son las siguientes:
1. Aberracin esfrica: se debe a las distintas fuerzas de enfoque entre el
centro y la periferia de la lente.
s=Cs3

(3)

en que es el ngulo de convergencia de la lente y Cs es una constante.

2. Aberracin cromtica:
misma velocidad.

se debe a que no todos los electrones tienen la

C=CC(E/Eo)

(4)

en que es el ngulo de convergencia de la lente, E es la variacin de voltaje

con que se aceleran los electrones, E0 es el potencial de aceleracin y Cc es una
constante.

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3. Efectos de difraccin:
difraccin, segn:

al atravesar una pequea rendija, se produce

D=1.22/

(5)

en que es la longitud de onda del haz de electrones, D es el ancho de la banda

de difraccin y el ngulo de convergencia de la lente.
4. Astigmatismo: se debe al enfoque diferente en distintos planos y se corrige
con lentes denominadas Stigmators.
(1), y (2) obligan a disminuir pero por (3) hay que aumentarla, por lo tanto,
existe un ptimo: 0.0039 radianes.
Referencias

1. Amelinckx et al, Modern Diffraction an Imaging Techniques in Material Science

(North-Holland) 1970.
2. Datley, The Scanning Electron Microscope (C.U.P.) 1972.
3. Holt et al, Quantitive Scanning Microscopy, Academic Press) 1974.
4. J. Goldstein y H. Yakowitz, Practical Scanning Electron Microscopy, Plenum
Press, NY and London, 1979.
5. Thornton, Scanning Electron Microscopy (Chapman and Hall) 1968.
6. Wells, Scanning Electron Microscopy (McGraw-Hill) 1974.

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