DISEO Y CONSTRUCCION DE UN AMPLIFICADOR MULTI-ETAPA CON TRANSISTORES

BJT

Jaime Salazar
Resumen
A
continuacin
se
presentara
procedimientos, clculos y desarrollo
detallado el cual se ha utilizado para el
diseo de un amplificador multietapa,
igualmente se conocer las caractersticas
de los transistores teniendo un
conocimiento bsico y detallado acerca de
los transistores.
Abstract
The following procedures, detailed
calculations and development which has
been used for designing a multi-stage
amplifier
is
present,
also
the
characteristics of the transistors is known
having a core and detailed knowledge of
the transistors.
Palabras claves (Keywords)
Transistores,
Multietapas,
Amplificadores,
Voltaje,
Corriente,
Discreto, Ganancia, impedancia.

El amplificador multietapa
procesa
seales de acuerdo a su modo de accin
(implementacin de transistores BJT),
tienen la capacidad de obtener
informacin as lo cual permitir mejores
caractersticas, igualmente tendr la
capacidad de amplificar una seal.
Disear, simular e implementar un
amplificador con su respectiva ganancia y
amplificadores.
Por medio de cuatro etapas, las cuales las
que iremos a utilizar son 2 seguidores y 2
inversores, igualmente se mostrar cada
procedimiento y calculo en la ejecucin y
elaboracin del multi-etapa
II. OBJETIVOS
1. Disear, implementar y evaluar un
amplificador multietapa.
2. Disear, simular e implementar un
amplificador discreto con las siguientes
3. Utilizar ORCAD para la simulacin
de cada uno de los parmetros ms
importantes de los amplificadores
multietapa.

III. PROCEDIMIENTO PARA EL

DISEO.
Para la elaboracin del amplificador
multietapas se llev a con los clculos
realizados por cada etapa.
I.

INTRODUCCIN

1. Disear e implementar un
amplificador
con
las

siguientes
caractersticas

condiciones

Ganancia de voltaje : Av=100

Fuentes de alimentacin: 15V
Manejo de seal a la entrada:
Vin=0.1Vp. (Medido a 10 kHz).
Resistencia de entrada mayor o igual
100K.
La resistencia de carga debe ser igual
o menor a 200.
2. Segundo paso:

Desarrollando el anlisis Realizado y la

informacin,
se
compraron
los
transistores que iban a ser operados y se
midi su respectivo (beta)

A. Iremos a realizar los clculos para el

AmplificadorMultietapa
1. Clculos primer etapa:
La primer etapa se selecciona un seguidor

1. Cuatro (4) 2N2222 y su beta :256

3. Tercer paso:
Partiendo de los parmetros conseguidos
y el beta calculado del transistor se
realizaron los calculos respectivos para el
desarrollo y el calcular los valores de los
elementos que hacen falta y poder
obetener el diseo del amplificador para
4. Cuarto paso:

Siguiendo el procedimiento iremos a

realizar el montaje y a probar que los
clculos realizados eran buenos.

IV DESARROLLO Y CALCULOS

=256
Realizamos un voltaje thevenin (Vth) y una
Resistencia Thevenin (Rth)

Vth=

30470k
470k+200k

Vth=6v
Rth=

470k200k
470k+200k

Rth=140 K
I B=

15v+6 v0.7 v
Rth+

I B=28,8 A

i o=

I c=7,39mA

Vce=13,742v

1
1
Z =( +
)
Rp r +Re

r 1=868

VS' VS'
+
Rp r + Re

Z =112,16K

Anlisis en PEQUEA SEAL

Vo=

Vi
r +Re

a=

r +Re

a=0,998
Vt
V t Vo
Z = V o = a=
Io
Io Vi
'

V S +( r 1ib1 ) +ib1 =0;

VS'
i b 1=
r + Re

io=i+ib

2. Clculos Segunda etapa:

La segunda etapa se selecciona un inversor

=256
Realizamos un voltaje thevenin (Vth) y una
Resistencia Thevenin (Rth)

Vth=

V R2
R2 +R2

Vt
V t Vo
Z = V o = a=
Io
Io Vi

Vth=12,8v
Rth =

( r 1ib1) +VsE =0;

R1R2
R 1+R 2

Vs E=( r 1ib1 )

Rth=1,8 K
I B=

i o+ Ib+Ib=x=

15 v+12,8 v0.7v
Rth+

i o=

Ibr 1

I B=45A
io=Ib(x=

I c=11,5mA

vtest

r 1
++1)

Vce=15,05v
r 1=555

r 1

Rout =
(

Anlisis en PEQUEA SEAL

Rout=

r 1
r 1
+ +1

Rout=3.39

r 1
+ +1)

r 1

1
1
Z = +
Rp r +Re

=256

Realizamos un voltaje thevenin (Vth) y una

Resistencia Thevenin (Rth)

Z =6 K

Vth=

Vth=12,52v

Vi
Vo=
r +Re
a=

V R2
R2 +R2

Rth=

r +Re

R1R2
R 1+R 2

Rth=16,5 K

a=11,7
I B=

15v+12,52 v0.7v
Rth+

I B=6,5 A
I c =6,8mA

Vce=13,68v
r 1=943,3

3. Clculos tercera etapa:

La tercera etapa se selection un inversor

Anlisis en PEQUEA SEAL

Vth=6,04v
Rth=

Rth=140 K

Vt
V t Vo
Z = V o = a=
Io
Io Vi
1
1
Z = +
Rp r +Re

R1R2
R 1+R 2

I B=

15v+12,52 v0.7v
Rth+

I B=28,8 A

Z =2,2k

I c =7,35mA
a=

Vce=13,74v

r +Re

r 1=868

a=10,8

Rout=Rc=2,2k

Anlisis en PEQUEA SEAL

4. Clculos tercera etapa:

La Cuarta etapa se selection un seguidor

=256
Realizamos un voltaje thevenin (Vth) y una
Resistencia Thevenin (Rth)

V R2
Vth=
R2 +R2

Vt
Vo
Z = V o =i b1 a=
Io
Vi

Vs+ ( r 1ib1 ) + ib1=0;

i b 1=

Vo=

Q2N2222

Vs
( r 1 + )

Vs
r +Re

1
1
Z = +
Rp r +Re

Anexo 2: tabla de propiedades

Z =112,12k

tip41

a=

r +Re

a=0,998
ANEXOS

Anexo 1: tabla de propiedades

CONCLUSIONES
Un amplificador multietapas son circuitos
que se disean a partir de mltiples
transistores entre los cuales estn el
transistor de unin bipolar (BJT),
Transistor de efecto de campo (JFET), y
transistores de electrnica de potencia;
estos transistores, pueden estar acoplados
entre si ya sea en forma de capacitor o
entre si mismo.
Con la elaboracin de este trabajo nos
conlleva a un desarrollo apropiado, y la
realizacin de un amplificador
multietapas.

Para el diseo del amplificador

multietapas se debe tener en cuenta un
factor muy importante los cuales son los
parmetros para obtener un control y
ajustar las configuraciones de cada etapa
del amplificador y las etapas requeridas
(valga la redundancia), sin dejar atrs las
caractersticas de trabajo de los
transistores
En el momento de disear, este presenta
complejas configuraciones. Para la
obtencin de la ganancia. Cuando se
analiza la red de dos puertos, obtenemos
ganancia por etapas.

AGRADECIMIENTOS
Durante este semestre son muchos los
conceptos e indicaciones que han
permitido el desarrollo de este trabajo.
En primer lugar quiero agradecer a la
Ingeniera Yesenia Restrepo Chaustre que
a lo largo de este semestre nos ha
enseado y a su vez en el desarrollo de la
labor del diseo Multietapas.
BIBLIOGRAFIA
ALLAN R. HAMBLEY electrnica, Ed.
Prentice Hall, 2da Edicin, 2005 [1]

SMITH, sedra,
Microelectronic and
Circuits, Oxford University, 5th Edition,
2004. [2]