Diodos de propsito general:

Los diodos rectificadores de propsito general tienen un tiempo de recuperacin inversa

relativamente grande, en el caso tpico de 25s, y se usan en aplicaciones de baja velocidad
donde no es crtico el tiempo de recuperacin, como lo son los rectificadores y
convertidores de diodo para aplicaciones con una frecuencia de entrada baja de hasta 1KHz.
Estos diodos cumplen especificaciones de corriente desde menos de 1A y hasta varios miles
de amperes, y las especificaciones de voltaje van de 50V hasta 5KV. En general, estos diodos se
fabrican por difusin (Consiste en la insercin de tomos dopantes dentro del semiconductor debido a la alta
temperatura a que ste es sometido. Con ello se consigue un perfil en la concentracin de dopantes. El proceso consiste
en introducir las obleas de semiconductor en un horno y dejar pasar a travs de ellas un gas, el cual contiene las
impurezas. La temperatura es de 800 a 1200C para el Si (Silicio) y de 600 a 1000C para el Gas (Arseniuro de galio)

[1]).

Diodos de recuperacin rpida:

Los diodos de recuperacin rpida tienen un tiempo de recuperacin corto, en el caso
normal menor que 5s. Se usan en circuitos convertidores de CD a CD y de CD a CA,
donde con frecuencia la velocidad de conmutacin tiene una importancia crtica. Estos
diodos abarcan especificaciones de voltaje desde 50V hasta 3KV, y de menos de 1A hasta
cientos de amperes. Para voltajes nominales mayores que 400V, los diodos de recuperacin
rpida se suelen fabricar por difusin, y el tiempo de recuperacin se controla por difusin
de platino o de oro. Para voltaje nominales menores de 400V los diodos epitaxiales (La
epitaxia se refiere a un proceso en la fabricacin de circuitos integrados. A partir de una cara de un cristal de material
semiconductor, o sustrato, se hace crecer una capa uniforme y de poco espesor con la misma estructura cristalina que
este. Mediante esta tcnica se puede controlar de forma muy precisa el nivel de impurezas en el semiconductor, que son
los que definen su carcter (N o P). Para hacer esto se calienta el semiconductor hasta casi su punto de fusin y se pone
en contacto con el material de base para que, al enfriarse, recristalice con la estructura adecuada. [2]) proporcionan

velocidades mayores de conmutacin que las de los diodos por conmutacin.

Diodos de carburo de silicio:

El carburo de silicio (SiC) es un material nuevo en la electrnica de potencia. Sus
propiedades fsicas mejoran mucho las del Si y del GaAs. Sus principales caractersticas
son:

Comportamiento ultrarrpido en conmutacin, la temperatura no influye sobre el

comportamiento de conmutacin.

No tiene tiempo de recuperacin inversa.

El campo elctrico mximo es superior al que soporta el Si.

Menor resistencia en conduccin.

Mayor conductividad trmica.

En la figura 1 se observa una comparacin del diodo de SiC frente diodos de recuperacin
rpida y ultrarrpida, en el cual se observa que su tiempo de recuperacin del diodo de SiC
es el mejor y sus prdidas son las ms bajas.

Figura 1. Comparacin de diodos de Si de recuperacin rpida y ultra rpida frente a los

diodos de SiC, en una aplicacin de un convertidor elevador. [3]
Las caractersticas elctricas de los diodos de SiC los hacen de gran importancia para
aplicaciones de potencia a altas temperaturas y aplicaciones de conmutacin a alta
frecuencia.

Referencias:
[1] Difusin en estado slido.
wikipedia, Escuela de ingeniera. Disponible:
https://es.wikipedia.org/wiki/Difusin_en_estado_slido
[2] Epitaxia.
wikipedia,
https://es.wikipedia.org/wiki/Epitaxia

Escuela

de

ingeniera.

Disponible:

[3] Lic. Robert Isias Quispe Romero. Dispositivos electrnicos de ltima generacin y
alta
potencia.
Ceti,
Escuela
de
ingeniera.
Disponible:
http://www.usmp.edu.pe/vision2012_lima/SEMINARIOS/seminariosJueves/dispositivos.pd
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