MATERIALES EMPLEADOS
Protoboard
Circuito Integrado HSF 4007
Resistencia de 1 k
3 multmetros
Fuente de tensin contna
Puntas de prueba
III.
Transistor Mosfet
REFERENTE TERICO
2
con el propsito de obtener canales fuertes con la aplicacin
de tensiones ms pequeas.
Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada o
IGFET (Insulated-gate field-effect transistor) es un trmino
relacionado que es equivalente a un MOSFET. El trmino
IGFET es un poco ms inclusivo, debido a que muchos
transistores MOSFET utilizan una compuerta que no es
metlica, y un aislante de compuerta que no es un xido. Otro
dispositivo relacionado es el MISFET, que es un transistor de
efecto de campo metal-aislante-semiconductor (Metalinsulator-semiconductor field-effect transistor).
HCF4007
PROCEDIMIENTO
V.
VI.
FORMULAS A EMPLEAR
DIAGRAMAS Y DATOS
MOSFET Canal N
Diagrama 1
Diagrama 2
VD
TABLA 2
IO (A)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
9.13 micro
17.5 micro
0.141 ma
0.176 ma
0.204 ma
0.223 ma
7.8 mv
15 mv
151.8 mv
0.211 v
0.277 v
0.361 v
0.39197
Diagrama 3
TABLA 4
TABLA 3
VDD
ID (A)
V
5 VTH
0.256 ma 4.71
5 VTH +1
0.257
5.69
5 VTH +2
0.259
6.69
5 VTH +3
0.26
7.69
5 VTH +4
0.261
8.71
5 VTH+ 5
0.263
9.69
9.2655 * 10^-3
VSG
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
VT
H
MOSFET Canal P
Diagrama 4
Diagrama 5
IO (A)
V
9.8 mV
10.7 mV
10
10
10
10
10
10
10
10
0.02 A
10
0.32 A
10
2.87 A
10
14.67A
10
0.038 mA
10
0.074 mA
10
0.746819 - 1.16807
V
VDD
5 VTH
5 VTH +1
5 VTH +2
5 VTH +3
5 VTH +4
5 VTH+ 5
TABLA 6
ID (A)
V
0.291 mA 5 V
0.304 mA 6 V
0.316 mA 7 V
0.328 mA 8 V
0.340 mA 9 V
0.351 mA 10 V
0.0553
VI. CONCLUSIN
VDO
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
P'
TABLA 5
IO (A)
0.031 mA
0.072 mA
0.105 mA
0.133 mA
0.158 mA
0.178 mA
V
0.1 V
0.2 V
0.3 V
0.4 V
0.5 V
0.6 V
0.00035595
Diagrama 6
BIBLIOGRAFA