UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA

CARRERA DE INGENIERA ELCTRICA

DISEO Y CONSTRUCCIN DE DOS DIODOS DE POTENCIA,
VOLTAJE ANODO CTODO INVERSO DE 150 kV, CORRIENTE
NOMINAL DE 50mA PARA EL LABORATORIO DE ALTA
TENSIN DE LA UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA.
TESIS PREVIA A LA OBTENCIN DEL
TTULO DE INGENIERO ELCTRICO

AUTORES:

Jorge Luis Padilla Guarnizo

Jorge Luis Rodrguez Calle
DIRECTOR:

Ing. Flavio Quizhpi

Cuenca Ecuador
2013

DECLARATORIA DE RESPONSABILIDAD
EL contenido de esta tesis

es de exclusiva responsabilidad de los autores, y

autorizamos la utilizacin de la misma con fines acadmicos.

Cuenca, Junio del 2013.

JORGE LUIS PADILLA G.

JORGE LUIS RODRIGUEZ C.

Ingeniero FLAVIO QUIZHPI Director de Tesis.

CERTIFICA: Que la tesis con el ttulo DISEO Y CONSTRUCCIN DE DOS
DIODOS DE POTENCIA, VOLTAJE NODO CTODO INVERSO DE 150kV,
CORRIENTE NOMINAL DE 50mA PARA EL LABORATORIO DE ALTA
TENSIN DE LA UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA, ha sido
desarrollada por los estudiantes Jorge Luis Padilla Guarnizo y Jorge Luis Rodrguez
Calle, ha sido revisada y asesorada de acuerdo a los requerimientos establecidos en la
propuesta inicial y al cronograma definido, por lo que despus de reunir los
requisitos estipulados en los Documentos Generales e Instructivos de Graduacin de
la Universidad, autorizo su presentacin para los fines legales consiguientes.

Cuenca, Julio del 2013.

Ing. Flavio Quizhpi

DEDICATORIA

A dios por haberme dado el discernimiento, la palabra y la fortaleza para sortear las
tribulaciones.

A mis amados padres Ramiro Padilla y Mariana Guarnizo por apoyarme en todo
momento y darme sus sabios consejos para ser una persona mejor, a mi querido to
Livio Guarnizo por haber credo en m y ser un pilar fundamental en mi carrera, a
mis hermanos Elizabeth Padilla y Carlos Padilla por la paciencia y la comprensin, a
mi querida sobrina Mara Augusta por ensearme el sentido de la inocencia y el amor
sincero.

DEDICATORIA

A Dios por guiarme en cada uno de mis pasos, permitindome alcanzar mis metas
con sabidura y fortaleza.

A mis queridos padres, Segundo Rodrguez y Mara Edelina Calle por su esfuerzo y
dedicacin que hoy se ve reflejado en estas pginas.

A mis hermanos, Klever, Fredy y Cecilia, por el apoyo incondicional que me brindan
da a da.

A mis amigos y compaeros que estuvieron a mi lado durante toda mi carrera

universitaria, compartiendo gratos momentos.

II

AGRADECIMIENTOS

Al ingeniero Flavio Qhizhpi. Directo de tesis quien supo guiarnos de forma

profesional y desinteresada, en la realizacin de este trabajo.
Al personal del laboratorio quienes nos colaboraron muy amablemente.
A todos nuestros amigos y compaeros, que de uno u otra forma ayudaron a
la realizacin de este proyecto.
Un agradecimiento especial a la Ing. Mnica Romero y el Ing. Juan Carlos
Chuncho por habernos colaborado en el desarrollo de este trabajo.

III

CONTENIDO

DEDICATORIA ........................................................................................................................... I
DEDICATORIA .......................................................................................................................... II
AGRADECIMIENTOS ..............................................................................................................III
CAPITULO 1............. ...1
1

CLCULO Y DISEO DE UN DIODO DE POTENCIA DE VOLTAJE NODO

CTODO INVERSO DE 150 kV CON UNA CORRIENTE NOMINAL DE 50
mA ................. ..1

1.1

Recursos disponibles ..................................................................................................... 1

1.1.1

Transformadores de Pruebas. ..................................................................... 1

1.1.2

Panel de control.. ............................................................................. 2

1.1.3

Osciloscopio .............................................................................. 4

1.1.4

Puesta a tierra del laboratorio........................................................................... 5

1.1.5

Barras de Conexin y barras aislantes......................................................................... 6

1.1.6

Corona de conexin y Pedestal de Piso ........................................................................ 7

1.1.7

Diodos...................................................................... 7

1.1.8

Capacitores ................................................................. 8

1.1.9

Resistencias................................................................... 10

1.1.10

Soporte de electrodos para pruebas de disrupcin .................................................... 10

1.1.11

Barra de descarga a tierra.. .................................................................. 12

1.1.12

Esferas de disrupcin y separador de esferas ............................................................ 13

1.1.13

Interruptor de puesta a tierra ................................................................... 14

1.2

Proceso de diseo ....................................................................................................... 14

1.2.1

Clculos de Voltaje.. ...................................................................... 15

1.2.2

Factor de Correccin ( K a )....................................................................... 16

1.3

Simulacin del sistema diodo de alta tensin ............................................................. 17

1.3.1

Simulacin del comportamiento del diodo en regin directa e inversa ..................... 17

1.3.2

Simulacin estado transitorio y permanente .............................................................. 19

1.3.2.1 Rgimen transitorio ..................................................................................................... 19

1.3.2.2 Rgimen permanente .................................................................................................. 23
1.3.3

Ecuaciones diferenciales del circuito diodo-resistencia con un inductor y un

capacitor en paralelo. .................................................................... 26

1.3.3.1 Circuito con un inductor en paralelo ........................................................................... 26

1.3.3.2 Corriente del capacitor ................................................................................................ 28
1.3.3.3 Voltaje en el capacitor ................................................................................................ 29
CAPITULO 2 ............................................................................................................................33
2

CONSTRUCCIN DE LOS ELEMENTOS ...........................................................33

2.1

Construccin de dos diodos de potencia de voltaje nodo ctodo inverso de

150kV con una corriente nominal de 50mA. ............................................................... 33

2.1.1

Eleccin de los diodos 2CL2FP. .................................................................. 33

2.1.2

Hojas de datos. .................................................................... 38

2.1.2.1 Diodo HVM12 ............................................................................................................ 38

2.1.2.1 Diodo HVCA 2CL2FP ................................................................................................ 39
2.1.2.2 Informacin tcnica de la Resistencia Film. ............................................................... 39
2.1.3

Cuadro de Procesos ........................................................................... 40

2.2

Proceso Mecnico ....................................................................................................... 41

2.2.1

Armado del circuito ........................................................................... 41

2.2.2

Cuerpo del diodo. .................................................................... 42

2.2.3

Aluminio........................................................................ 43

2.2.3.1 Caractersticas principales del aluminio ..................................................................... 43

2.2.3.2 Remaches .................................................................................................................... 43
2.2.3.3

Punta........................................................................................................................... 44

2.2.3.4

Tapa ............................................................................................................................ 44

2.2.3.5

Terminal del circuito .................................................................................................. 45

2.2.3.6

Terminal hacia la tapa ................................................................................................ 46

2.2.4

Calculo del volumen del cilindro ............................................................................... 47

2.3

Proceso Elctrico ........................................................................................................ 48

2.3.1

Llenado de aceite dielctrico y prueba de hermeticidad en los diodos de

potencia................................................................................ 48

2.3.2

Pruebas de la Rigidez Dielctrica del Aceite aislante ................................................ 50

2.3.3

Caractersticas del grilon y prueba de rigidez dielctrica ......................................... 51

2.3.4

Prueba de los diodos HVCA 2CL2FP ........................................................................ 54

2.3.5

Prueba de la resistencia en polarizacin directa e inversa de los diodos

diseados y construidos para el laboratorio .............................................................. 55

2.3.6

Prcticas del laboratorio de alta tensin con los diodos de potencia

diseados y construidos para el laboratorio. ............................................................. 56

2.3.6.1 Rectificacin de media Onda ...................................................................................... 56

2.3.6.2 Generacin y medicin de voltajes directos .............................................................. 58

2.3.6.3 Generacin y medicin del voltaje de impulso ........................................................... 59
CAPITULO 3 ............................................................................................................................63
3

ENSAYO DE LOS DIODOS DE ALTA TENSIN ...............................................63

3.1

Normas ........................................................................................................................ 63

3.1.2

Norma ASTM D-877. ............................................................................ 65

3.1.2.1

Rigidez dielctrica en el aceite aislante ..................................................................... 65

3.1.2.2

Muestra....................................................................................................................... 67

3.1.2.3

Seguridad ................................................................................................................... 67

3.1.2.4

Aplicacin .................................................................................................................. 67

3.1.3

Norma DIN.53481 ...................................................................... 68

3.1.3.1

Rigidez dielctrica en el Grilon.................................................................................. 68

3.2

Protocolo de Pruebas ................................................................................................. 69

3.3

Verificacin de la ecuacin de Schockley ................................................................... 70

3.4

Sistema doblador ........................................................................................................ 75

CAPITULO 4 ............................................................................................................................78
4

CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES .......................................................78

4.1

Conclusiones ............................................................................................................... 78

4.2

Recomendaciones ........................................................................................................ 84

ANEXOS ..................................................................................................................86

BIBLIOGRAFA ......................................................................................................87

NDICE DE TABLAS

Tabla 1.1 Descripcin de las caractersticas tcnicas del transformador ...................................2

Tabla 1.2 Descripcin de pantalla del panel de control .............................................................2
Tabla 1.3 Descripcin del mando del panel de control ..............................................................3
Tabla 1.4 Caractersticas del osciloscopio del laboratorio de Alta Tensin [2].........................4
Tabla 1.5 Caractersticas de las barras de conexin del laboratorio de alta tensin ..................6
Tabla 1.6 Caractersticas de las barras de conexin del laboratorio de alta tensin ..................6
Tabla 1.7 Caractersticas de la corona y pedestal del laboratorio de alta tensin ......................7
Tabla 1.8 Diodos existentes en el laboratorio de alta tensin ....................................................8
Tabla 1.9 Capacitores existentes en el laboratorio de alta tensin .............................................8
Tabla 1.10 Resistencias existentes en el laboratorio ................................................................10
Tabla 1.11 Caractersticas del soporte de electrodos para pruebas de disrupcin del
laboratorio de alta tensin.........................................................................................10
Tabla 1.12 Descripcin de los electrodos para pruebas en el laboratorio ................................11
Tabla 1.13 Caractersticas de la barra de descarga a tierra laboratorio de alta tensin ...........13
Tabla 1.14 Parmetros de los diodos construidos como tesis para el laboratorio de alta
tensin.......................................................................................................................15
Tabla 1.15 Caractersticas del diodo 2CL2FP [5] ....................................................................17
Tabla 2.1 Informacin tcnica del diodo HVM12 [9]..............................................................38
Tabla 2.2 Informacin tcnica del diodo 2CL2FP [10] ...........................................................39
Tabla 2.3 Resistencia film 1g ohm 1/2w 5%[6] .......................................................................39
Tabla 2.4 Resultados de la prueba de rigidez dielctrica del aceite .........................................51
Tabla 2.5 Caractersticas del Grilon [12] ................................................................................52
Tabla 2.6 Datos Obtenidos de la prueba de Grilon ..................................................................53
Tabla 2.7 Resultados de la prueba de Grilon ...........................................................................53
Tabla 2.8 Prueba de resistencia de los diodos 2CL2FP ...........................................................54
Tabla 2.9 Prueba de resistencia de los diodos 2CL2FP ...........................................................55
Tabla 2.10 Resultado del diodo de potencia 1 vs el diodo del laboratorio ..............................57
Tabla 2.11 Resultado del diodo de potencia 2 vs el diodo del laboratorio ..............................57
Tabla 2.12 Resultado de la prueba de medicin de voltaje directo .........................................59
Tabla 2.13 Resultado de la prueba generacin de voltaje de impulso .....................................60

Tabla 3.1 Organismos de Normalizacin .................................................................................63

Tabla 3.2 Rigidez dielctrica [8] ..............................................................................................67
Tabla 3.3 Descripcin de la prueba. [4] ...................................................................................68
Tabla 3.4 Datos obtenidos de la prueba en baja tensin de los diodos de potencia .................72
Tabla 3.5 Datos obtenidos del circuito doblador......................................................................77

NDICE DE FIGURAS

Figura 1.1. Vista de los elementos disponibles en el laboratorio ...............................................1

Figura 1.2. Transformador de pruebas del laboratorio de alta tensin ......................................2
Figura 1.3. Parte superior de izquierda a derecha HV9150, HV9151 Y HV9152, parte inferior
izquierda a derecha, voltaje del primario y conectores para el osciloscopio ..............3
Figura 1.4. Zona de mando del panel de control del laboratorio de alta tensin .......................4
Figura 1.5. Osciloscopio del laboratorio de alta tensin [3] ......................................................5
Figura 1.6. Puntos de conexin de la puesta a tierra del laboratorio .........................................5
Figura 1.7. Lado izquierdo, barra conectora modelo HV9108, lado derecho, barra conectora
modelo HV9119 y HV9118........................................................................................6
Figura 1.8. Barras aislantes del laboratorio de alta tensin ......................................................7
Figura 1.9. Lado izquierdo modelo HV9109, lado derecho Modelo HV9110 del laboratorio
de alta tensin .............................................................................................................7
Figura 1.10. Vista anterior y posterior de los diodos existentes en el laboratorio de alta
tensin.........................................................................................................................8
Figura 1.11. Vista anterior y posterior de los capacitores HV9141 y HV9120, el circulo color
blanco muestra donde se puede formar el partidor capacitivo para la medicin de
voltaje .........................................................................................................................9
Figura 1.12. Capacitores HV9130 del laboratorio de alta tensin .............................................9
Figura 1.13. Capacitores del laboratorio de alta tensin ..........................................................9
Figura 1.14. Resistencias del laboratorio de alta tensin ......................................................10
Figura 1.15. Soporte de electrodos para prueba de disrupcin, donde se encuentra la manija
manual, la conexin hacia el panel de control, indicador analgico y la conexin a
tierra ..........................................................................................................................11
Figura 1.16. Electrodos de 16.5cm de dimetro a la izquierda y electrodos de 5cm de
dimetro a la derecha existentes en el laboratorio de Alta Tensin .......................12
Figura 1.17. Electrodos tipo esfera de 9.5cm de dimetro a la izquierda, electrodos de 5cm
de dimetro en el centro y electrodo de 1.8cm de dimetro a la derecha .................12
Figura 1.18. Electrodos tipo punta de 5cm de largo a la izquierda y electrodos cilndricos de
5cm de largo y 1.3cm de dimetro a la derecha .......................................................12
Figura 1.19. Barra de descarga a tierra del laboratorio de alta tensin ..................................13

Figura 1.20. HV9125 en la parte superior y HV9126 en la parte inferior ...............................14

Figura 1.21. Interruptor de puesta a tierra del laboratorio de Alta Tensin ............................14
Figura 1.22. Circuito para la medicin de voltaje alterno en el secundario del transformador
del laboratorio de alta tensin...................................................................................15
Figura 1.23. Grafica de la ecuacin de Schockley con los parmetros de los diodos 2CL2FP19
Figura 1.25. Simulacin del rgimen transitorio circuito con carga R ....................................20
Figura 1.26. Circuito con carga RL, esquematizado en simulink para rgimen transitorio.....21
Figura 1.27. Simulacin del rgimen transitorio circuito con carga RL ..................................21
Figura 1.28. Circuito con carga RC, armado en simulink para rgimen transitorio ................22
Figura 1.29. Simulacin del rgimen transitorio circuito RC ..................................................22
Figura 1.30. Circuito con carga R, armado en simulink para rgimen permanente.................23
Figura 1.31. Simulacin de rgimen permanente, circuito con carga R ................................24
Figura 1.32. Circuito con carga RL, armado en simulink para rgimen permanente ..............24
Figura 1.33. Simulacin de rgimen permanente, circuito con carga RL ................................25
Figura 1.34. Circuito con carga RC, armado en simulink para rgimen permanente ..............25
Figura 1.35. Simulacin de rgimen permanente, circuito con carga RC ...............................26
Figura 1.36. Circuito valido para determinar la ecuacin de corriente ....................................27
Figura 1.37. Grfica de la corriente en el Inductor. .................................................................28
Figura 1.38. Circuito RC para el clculo de la corriente y voltaje en el capacitor ..................29
Figura 1.39. Simulacin del voltaje y corriente en el capacitor ...............................................32
Figura 2.1. Resistencia film 1G ohm 1/2w 5% [7] ..................................................................35
Figura 2.2. Circuito diodo de alta tensin ................................................................................35
Figura 2.3. Circuito, diodo de alta tensin ...............................................................................37
Figura 2.4. Dimensiones fsicas del diodo HVM12 [10] .........................................................38
Figura 2.5. Dimensiones del diodo 2CL2FP [6] ......................................................................39
Figura 2.6. Cuadro de procesos elctricos y mecnicos ..........................................................40
Figura 2.7. Circuito en 3D. Diodo, resistencias .......................................................................41
Figura 2.8. Dimensiones del circuito, diodo, resistencia ........................................................42
Figura 2.9. Cuerpo del diodo ...................................................................................................42
Figura 2.10. Remache ..............................................................................................................43
Figura 2.11. Punta ....................................................................................................................44
Figura 2.12. Vista en corte de la punta ....................................................................................44
Figura 2.13. Tapa .....................................................................................................................45

Figura 2.14. Terminal del circuito ...........................................................................................45

Figura 2.15. Terminal hacia la tapa..........................................................................................46
Figura 2.17. Diodo ensamblado ...............................................................................................47
Figura 2.18. Dimensiones del cilindro .....................................................................................47
Figura 2.19. Llenado del diodo con aceite a vaco...................................................................50
Figura 2.20. Equipo para realizar la medicin de rigidez dielctrica del aceite ......................50
Figura 2.21. Circuito para realizar prueba de rigidez dielctrica de los materiales .................52
Figura 2.22. Circuito verificador de la resistencia en ambas polarizaciones ...........................55
Figura 2.23. Circuito rectificador de media onda ....................................................................56
Figura 2.24. Circuito generador de voltaje contino ...............................................................58
Figura 2.25. Circuito para generar impulso y medir el BIL de un elemento ...........................60
Figura 2.26. Resultado de la prueba generacin de voltaje de impulso ...................................61
Figura 2.27. Resultado de la prueba generacin de voltaje de impulso ...................................61
Figura 3.1. Prueba de rigidez dielctrica en los aceites [17]....................................................66
Figura 3.2. Esquema para la verificacin de la ecuacin de Schockley ..................................71
Figura 3.3. Esquema armado para la verificacin de la ecuacin de Schockley .....................71
Figura 3.4. Curva regin directa diodo 1 .................................................................................73
Figura 3.5. Curva regin directa diodo 2 .................................................................................73
Figura 3.6. Curva regin directa diodo laboratorio ..................................................................74
Figura 3.7. Circuito doblador de tensin [20] ..........................................................................76

CAPITULO 1

CLCULO Y DISEO DE UN DIODO DE POTENCIA DE

VOLTAJE NODO CTODO INVERSO DE 150 kV CON
UNA CORRIENTE NOMINAL DE 50 mA
En este captulo se presenta los criterios empleados para realizar el

diseo de los diodos de potencia para el laboratorio de Alta Tensin de la

Universidad Politcnica Salesiana sede Cuenca. Los mismos toman en cuenta
parmetros que estn en funcin de las necesidades de la aplicacin, se describen los
elementos disponibles en el laboratorio para realizar las diferentes pruebas y se
ejecuta una simulacin en el software Matlab-R2011b con el objetivo de verificar el
correcto funcionamiento de los mismos.

1.1

Recursos disponibles
El laboratorio de Alta Tensin de la Universidad Politcnica Salesiana

sede Cuenca cuenta con equipos de marca TERCO [1], se describe a continuacin
las caractersticas de los elementos disponibles.

Figura 1.1. Vista de los elementos disponibles en el laboratorio

1.1.1

Transformadores de Pruebas
La tabla 1.1 presenta las caractersticas tcnicas del transformador del

laboratorio y la figura 1.2 una fotografa del mismo.

1

Tabla 1.1 Descripcin de las caractersticas tcnicas del transformador

Figura 1.2. Transformador de pruebas del laboratorio de alta tensin

1.1.2

Panel de control
En la Tabla 1.2 se observa el modelo y la descripcin de las pantallas del

panel de control y en la figura 1.3 se muestra una fotografa del mismo.

Tabla 1.2 Descripcin de pantalla del panel de control

Figura 1.3. Parte superior de izquierda a derecha HV9150, HV9151 Y HV9152,

parte inferior izquierda a derecha, voltaje del primario y conectores para el
osciloscopio
En la tabla 1.3 se muestra la descripcin de la zona de mando del panel de control y
en la figura 1.4 se observa una fotografa de la misma. La lista de la tabla se observa
de arriba hacia abajo.

Tabla 1.3 Descripcin del mando del panel de control

Figura 1.4. Zona de mando del panel de control del laboratorio de alta tensin

1.1.3

Osciloscopio
En la tabla 1.4 se muestra las caractersticas tcnicas del osciloscopio

existente en el laboratorio de alta tensin y en la figura 1.5 se presenta una fotografa

del mismo.

Tabla 1.4 Caractersticas del osciloscopio del laboratorio de Alta Tensin [2].

Figura 1.5. Osciloscopio del laboratorio de alta tensin [3]

1.1.4

Puesta a tierra del laboratorio

El laboratorio de alta tensin cuenta con una puesta a tierra, a travs de

una malla independiente, con un valor de 0.6 y sus conexiones estn dispuestas
de la siguiente manera.

El primer punto de conexin de derecha a izquierda donde sale el cable color verde
con amarillo es para el elemento HV9133, el segundo punto de conexin es para la
puesta a tierra del transformador y el piso sobre la cual se colocan los diferentes
elementos y el tercer punto de conexin es para colocar a tierra

la jaula que

mantiene la distancia de seguridad.

En la figura 1.6 se muestra una foto de las conexiones de tierra del laboratorio.

Figura 1.6. Puntos de conexin de la puesta a tierra del laboratorio

1.1.5

Barras de Conexin y barras aislantes

En la tabla 1.5 se observa las caractersticas de las barras de conexin

del laboratorio y en la figura 1.7 se muestra una fotografa de las mismas.

Tabla 1.5 Caractersticas de las barras de conexin del laboratorio de alta tensin

Figura 1.7. Lado izquierdo, barra conectora modelo HV9108, lado derecho, barra
conectora modelo HV9119 y HV9118

La tabla 1.6 presenta las caractersticas de las barras aislantes del laboratorio y la
figura 1.8 muestra una fotografa de las mismas.

Tabla 1.6 Caractersticas de las barras de conexin del laboratorio de alta tensin

Figura 1.8. Barras aislantes del laboratorio de alta tensin

1.1.6

Corona de conexin y Pedestal de Piso

La tabla 1.7 muestra las caractersticas de la corona de conexin y del

pedestal de piso y en la figura 1.9 se observa una fotografa de los mismos.

Tabla 1.7 Caractersticas de la corona y pedestal del laboratorio de alta tensin

Figura 1.9. Lado izquierdo modelo HV9109, lado derecho Modelo HV9110 del
laboratorio de alta tensin

1.1.7

Diodos
La tabla 1.8 presenta las caractersticas

tcnicas de los diodos

del

laboratorio y la figura 1.10 muestra una fotografa de los mismos.

Tabla 1.8 Diodos existentes en el laboratorio de alta tensin

Figura 1.10. Vista anterior y posterior de los diodos existentes en el laboratorio de

alta tensin

1.1.8

Capacitores
La tabla 1.9 presenta las caractersticas tcnicas de los capacitores del

laboratorio y la figura 1.11 muestra una foto de los mismos.

Tabla 1.9 Capacitores existentes en el laboratorio de alta tensin

Figura 1.11. Vista anterior y posterior de los capacitores HV9141 y HV9120, el

circulo color blanco muestra donde se puede formar el partidor capacitivo para la
medicin de voltaje
La figura 1.12 y 1.13 muestran una fotografa de los capacitores disponibles en el
laboratorio.

Figura 1.12. Capacitores HV9130 del laboratorio de alta tensin

Figura 1.13. Capacitores del laboratorio de alta tensin

1.1.9

Resistencias
La tabla 1.10 presenta las caractersticas tcnicas de las resistencias del

laboratorio y la figura 1.14 muestra una fotografa de las mismas.

Tabla 1.10 Resistencias existentes en el laboratorio

Figura 1.14. Resistencias del laboratorio de alta tensin

1.1.10

Soporte de electrodos para pruebas de disrupcin

La tabla 1.11 presenta las caractersticas tcnicas del soporte de

electrodos para pruebas de disrupcin y en la figura 1.15 se muestra una fotografa de

la misma.

Tabla 1.11 Caractersticas del soporte de electrodos para pruebas de disrupcin del
laboratorio de alta tensin
10

Figura 1.15. Soporte de electrodos para prueba de disrupcin, donde se encuentra la

manija manual, la conexin hacia el panel de control, indicador analgico y la
conexin a tierra
La tabla 1.12 muestra los electrodos disponibles en el laboratorio para realizar las
diferentes pruebas de descargas empleando el soporte de electrodos para pruebas de
disrupcin y en las figuras 1.16, 1.17 y 1.18 se observa una fotografa de las mismas.

Tabla 1.12 Descripcin de los electrodos para pruebas en el laboratorio

11

Figura 1.16. Electrodos de 16.5cm de dimetro a la izquierda y electrodos de 5cm de

dimetro a la derecha existentes en el laboratorio de Alta Tensin

Figura 1.17. Electrodos tipo esfera de 9.5cm de dimetro a la izquierda, electrodos

de 5cm de dimetro en el centro y electrodo de 1.8cm de dimetro a la derecha

Figura 1.18. Electrodos tipo punta de 5cm de largo a la izquierda y electrodos

cilndricos de 5cm de largo y 1.3cm de dimetro a la derecha

1.1.11

Barra de descarga a tierra

La tabla 1.13 muestra las caractersticas de la barra de descarga a tierra

disponibles en el laboratorio y la figura 1.19 muestra una fotografa de la misma.

12

Tabla 1.13 Caractersticas de la barra de descarga a tierra laboratorio de alta

tensin

Figura 1.19. Barra de descarga a tierra del laboratorio de alta tensin

1.1.12

Esferas de disrupcin y separador de esferas

El modelo de las esferas de disrupcin es el HV9125 y del separador de

esferas es el HV9126, estos elementos sirven para realizar las pruebas de disrupcin
a travs de un impulso generado. El separador se conectado al HV9125 del panel de
control para ser comandado. En la figura 1.20 se muestra una fotografa de los
mismos.

13

Figura 1.20. HV9125 en la parte superior y HV9126 en la parte inferior

1.1.13

Interruptor de puesta a tierra

El modelo del interruptor de puesta a tierra es el HV9114, este hace

contacto con el electrodo HV9138, sirve para aterrar los elementos que estn
conectados al mismo una vez que se des energice el circuito a travs del panel de
control. En la figura 1.21 se observa una fotografa de este.

Figura 1.21. Interruptor de puesta a tierra del laboratorio de Alta Tensin

1.2

Proceso de diseo
Para realizar el clculo y diseo de los diodos de potencia, nos basamos

en los parmetros que deben cumplir para ser utilizados en el laboratorio.

14

Los parmetros se muestran en la tabla 1.14.

Tabla 1.14 Parmetros de los diodos construidos como tesis para el laboratorio de
alta tensin

1.2.1

Clculos de Voltaje
Como dato tcnico del manual del laboratorio de alta tensin de la UPS

sede Cuenca, se tuvo que l voltaje VRMS 100 kV , puesto que los diodos tenan que
ser diseados para trabajar con voltaje pico ( V p ), se procedi a calcularlo.

V p VRMS * 2
V p 100kV * 2 141.421kV

(1.1)

Un dato importante que se consider, es el VRMS real en el secundario del

transformador. Al realizar la prctica de medicin del voltaje en el secundario se
tuvo como resultado un VRMS 113 .5kV , el circuito que se emple se muestra en la
figura 1.22.

Figura 1.22. Circuito para la medicin de voltaje alterno en el secundario del

transformador del laboratorio de alta tensin

15

Por lo cual el clculo de V p fue el siguiente.

Vp VRMS * 2
Vp 113.5kV * 2 160.513kV

(1.2)

Se tom en cuenta el factor de correccin K a que se debe aplicar a todos los

elementos que estn a 1000 msnm, para nuestro caso nuestro K a 1.35 por lo cual
nuestro V p qued de la siguiente manera.

V p VRMS * 2 * K a
V p 113.5kV * 2 *1.35 216.65kV

(1.3)

Finalmente este es el valor de V p que se protegi, el mismo se cubri en polarizacin

directa e inversa, ya que esto nos garantiz una mayor seguridad en el uso de los
diodos que se construyeron como tesis para el laboratorio.

1.2.2

Factor de Correccin ( K a )
Siempre es importante tomar en cuenta el factor de correccin K a para la

proteccin de elementos que trabajan en altas tensiones, este depende de la presin

atmosfrica basado en la altitud, segn norma IEC 60071-2[4], la cual nos dice que.

Ka e

H
m

8150

(1.4)

En dnde:
H= es la altura sobre el nivel del mar (en metros).
m = 1 constante para tensiones de impulso tipo rayo.
Como Cuenca se encuentra entre los 2350m y los 2550m, el valor que se coloc para
la altura es su promedio, es decir 2450m.
2450
1

8150

Ka e

1.35
16

Los diodos que van dentro de las capsulas que forman el diodo de potencia fueron
elegidos de acuerdo al voltaje que deben soportar tanto en polarizacin directa como
inversa y la corriente que permiten conducir.
En primera instancia escogimos los HVM12, tras la falla de las capsulas en las
pruebas, se eligi los HVCA 2CL2FP, el clculo del nmero de diodos empleados
en las capsulas para las 2 unidades, as como el valor de las resistencias que se
colocaron en paralelo a cada uno, el por qu fallaron los HVM12 y porque se
escogieron los HVCA 2CL2FP se describe en el captulo 2 seccin 2.1.

1.3

Simulacin del sistema diodo de alta tensin

En la simulacin del sistema diodo de alta tensin se emple el software

Simulink que es una plataforma de Matlab R2011b, este permite observar el

comportamiento del diodo en alto voltaje.

1.3.1

Simulacin del comportamiento del diodo en regin directa e

inversa
Para esta simulacin se emple la ecuacin de Schockley [5], con este se

observa el comportamiento del diodo diseado, en las regiones directa e inversa.

En esta simulacin se tom en cuenta las caractersticas tcnicas de los diodos
empleados en el diseo y la construccin.

Tabla 1.15 Caractersticas del diodo 2CL2FP [6]

En la tabla 1.15 se observa las caractersticas tcnicas del diodo 2CL2FP que
finalmente fue elegido para realizar la construccin de los dos diodos de potencia.

17

En Rashid (2004) se presenta una serie de ecuaciones que permiten modelar el

comportamiento:
Polarizacin directa:

I D I S (eVD / nVT 1)

(1.5)

Polarizacin Inversa:

I D I S (e

VD / nVT

1)

(1.6)

Dnde:

I D : Corriente que atraviesa el diodo.

I S : Corriente de fuga del diodo.
V D : Cada de tensin del diodo.
n : Coeficiente de emisin del diodo.
VT : Voltaje trmico del diodo.
Cdigo para la simulacin:
clc
clear all
% Parmetros del diodo
Is=2e-6;
n=1.8;
VT=25.7e-3;
VD=0:9.121:416;
% Ecuacin de Schockley
Id=Is*((exp(VD/(n*VT)))-1)
plot(VD,Id)
title('CURVA DE POLARIZACIN DIRECTA')
xlabel('Voltaje del Diodo (V)')
ylabel('Corriente que atraviesa el diodo (A)')

clc
clear all
% Parmetros del Diodo
Is=2e-6;
n=1.8;
VT=25.7e-3;
VD=-416:9.121:0;
%Ecuacin de Schockley
Id=Is*((exp((-abs(VD))/(n*VT)))-1)
plot(VD,Id)
title('CURVA DE POLARIZACIN INVERSA')
xlabel('Voltaje del Diodo (V)')
ylabel('Corriente que atraviesa el diodo (A)')
18

En la figura 1.23 se observa la grfica del diodo de potencia en polarizacin directa

e inversa con las caractersticas del diodo que se emple para el diseado y
construccin de este.
284

x 10

CURVA CARACTERSTICA VOLTAJE - CORRIENTE DE UN DIODO

Corriente que atravieza el diodo (A)

-1
-500

-400

-300

-200

-100
0
100
Voltaje del Diodo (V)

200

300

400

500

Figura 1.23. Grafica de la ecuacin de Schockley con los parmetros de los diodos
2CL2FP

1.3.2

Simulacin estado transitorio y permanente

1.3.2.1

Rgimen transitorio
En las figuras 1.24, 1.26 y 1.28, se observa los esquemas empleados en

simulink para graficar el estado transitorio de los circuitos con cargas: resistiva (R),
resistencia en serie a un capacitor (RC) y resistencia en serie a un inductor (RL).
Las figuras 1.25, 1.27 y 1.29 presentan las grficas de los circuitos. En cada una se
muestra, desde la parte superior, el voltaje del diodo, la corriente que circula y por
ltimo la tensin en la carga.

19

Figura 1.24. Circuito con carga R, esquematizado en simulink para rgimen

transitorio

Figura 1.25. Simulacin del rgimen transitorio circuito con carga R

20

Figura 1.26. Circuito con carga RL, esquematizado en simulink para rgimen
transitorio

Figura 1.27. Simulacin del rgimen transitorio circuito con carga RL

21

Figura 1.28. Circuito con carga RC, armado en simulink para rgimen transitorio

Figura 1.29. Simulacin del rgimen transitorio circuito RC

22

1.3.2.2

Rgimen permanente
Las figuras 1.30, 1.32 y 1.34 presentan los esquemas empleados en

simulink para graficar el estado permanente de los circuitos con cargas R, RC y RL.
Las figuras 1.31, 1.33 y 1.35 presentan las grficas de los circuitos, de igual manera
que en el punto 1.3.2.1 desde la parte superior se muestra el voltaje del diodo, la
corriente que circula por el diodo y por ltimo la tensin en la carga.

Figura 1.30. Circuito con carga R, armado en simulink para rgimen permanente

23

Figura 1.31. Simulacin de rgimen permanente, circuito con carga R

Figura 1.32. Circuito con carga RL, armado en simulink para rgimen permanente
24

Figura 1.33. Simulacin de rgimen permanente, circuito con carga RL

Figura 1.34. Circuito con carga RC, armado en simulink para rgimen permanente
25

Figura 1.35. Simulacin de rgimen permanente, circuito con carga RC

1.3.3

Ecuaciones diferenciales del circuito diodo-resistencia con

un inductor y un capacitor en paralelo

1.3.3.1

Circuito con un inductor en paralelo

En la Figura 1.36 se muestra el circuito que se emple para determinar

las ecuaciones diferenciales de corriente.

26

Figura 1.36. Circuito valido para determinar la ecuacin de corriente

Malla 1

(1.7)
Malla 2

En un tiempo 0 la corriente inicial

(

(1.8)

La corriente en el inductor es mxima en un tiempo

( )

(
(

)
)

(1.9)

Cdigo para la simulacin de la corriente en el circuito inductor.

clc
clear all
%t=5tao......tao=RC.....R=10Mohm....C=1200pF..
%tmax=0.06

27

%Vc=Vo-VD=150000-418=149584
t=0:0.0001:0.06;
L=100e-6;
Vc=0:100:149584;
i2=((149584)/L)./t
plot(t,i2)
title('CURVA: CORRIENTE DEL INDUCTOR EN FUNCION DEL TIEMPO')
xlabel('Tiempo (s)')
ylabel('Corriente (A)')

15

x 10

CURVA: CORRIENTE DEL INDUCTOR EN FUNCION DEL TIEMPO

Corriente (A)

10

0.01

0.02

0.03
Tiempo (s)

0.04

0.05

0.06

Figura 1.1. Grfica de la corriente en el Inductor

1.3.3.2

Corriente del capacitor

En la figura 1.38 se observa el circuito empleado para determinas las

ecuaciones de corriente y voltaje en un circuito RC.

28

Figura 1.2. Circuito RC para el clculo de la corriente y voltaje en el capacitor

(1.10)
Corriente en el capacitor

Voltaje inicial del capacitor

(1.11)
El capacitor se carga completamente cuando

donde

(1.12)
1.3.3.3

Voltaje en el capacitor
Empleamos el mismo circuito de la figura 1.32 para determinar la

ecuacin del voltaje en el circuito RC.

29

Al estar en paralelo

Entonces

Multiplicamos la ecuacin por R para eliminar el denominador

(

(1.13)
Para resolver la ecuacin diferencial remplazamos

Remplazando en la (1.13)

(1.14)

El voltaje inicial del capacitor Vc(0)=0, remplazando en

30

Remplazando x y

en (1.14) tenemos

)) (1.15)

Como se sabe del clculo de corriente del punto anterior

Remplazando
(
(

) (
)(

en (1.15)
(
(

))
))

Cdigo de simulacin del voltaje y corriente en un circuito RC.

clc
clear all
%t=5tao......tao=RC.....R=10Mohm....C=1200pF..
%tmax=0.06
%Vc=Vo-VD=150000-418=149584
Vo=150000;
Vd=416;
t=0:0.0001:0.06;
C=100e-12;
R=10e6;
i2=(C*(Vo-Vd))./(t);
Vc=(5/6)*(Vo-Vd)*(1-exp((-t)/(R*C)));
subplot(2,1,1)
plot(t,i2)
title('CURVA: CORRIENTE EN EL CAPACITOR EN f(t)')
xlabel('Tiempo (s)')
ylabel('Corriente (A)')
subplot(2,1,2)
plot(t,Vc)
title('CURVA: VOLTAJE EN EL CAPACITOR EN f(t)')
xlabel('Tiempo (s)')
ylabel('Voltaje (V)')

31

En la figura 1.39 se muestra la simulacin de las ecuaciones de voltaje y corriente de

un circuito RC con los parmetros de los diodos de potencia diseados y construidos
para el laboratorio.
CURVA: CORRIENTE EN EL CAPACITOR EN f(t)

Corriente (A)

0.2
0.15
0.1
0.05
0

0.01
4

Voltaje (V)

15

0.02

0.03
Tiempo (s)

0.04

0.05

0.06

0.05

0.06

CURVA: VOLTAJE EN EL CAPACITOR EN f(t)

x 10

10

0.01

0.02

0.03
Tiempo (s)

0.04

Figura 1.3. Simulacin del voltaje y corriente en el capacitor

32

CAPITULO 2

CONSTRUCCIN DE LOS ELEMENTOS

2.1

Construccin de dos diodos de potencia de voltaje nodo

ctodo inverso de 150kV con una corriente nominal de
50mA.

2.1.1

Eleccin de los diodos 2CL2FP

En la seccin 1.2, tabla 1.14 se observa los parmetros que deben cumplir

los diodos de potencia para realizar las prcticas en el laboratorio de alta tensin de
la UPS sede Cuenca.

Porque se eligi entre los diodos HVM12 y los 2CL2FP, se explica a continuacin.
Partimos del V p 141 .421 kV ,1 para tener un margen de seguridad se redonde a un
V p 150 kV .

La disponibilidad en el mercado local de los diodos HVM12, fue uno de los aspectos
que jug un papel importante para elegirlos como elementos que formen parte de los
diodos de potencia, ya que al ser fcil su adquisicin esto permitira que la
construccin se realice en un menor tiempo.
Los diodos HVM12 tenan un VRMS 8kV en polarizacin directa y un VRMS 12 kV
en polarizacin inversa2, el V p que se cubri es de 150kV, con este dato se calcul
el nmero de diodos que se coloc en el circuito para los diodos de potencia.

Para llegar a cubrir tensiones elevadas se coloc diodos en serie, esto hace que se
sumen los voltajes que cada diodo soporta tanto en polarizacin directa como

1
2

Clculos realizados en el Captulo 1, seccin 1.2, ecuacin 1.1

Caracterstica obtenida de la hoja de datos del Capitulo 2, seccin 2.1.2, tabla 2.1

33

inversa, aumentan el nivel de tensin que se protege y asegurando el correcto

funcionamiento de las capsulas3.

El clculo se realiz de la siguiente manera. Se divide el voltaje pico ( V p ) del

laboratorio para

2 obteniendo el V RMS , este a su vez se dividi para el V RMS en

polarizacin directa e inversa de los diodos HVM12, teniendo los siguientes

resultados.
150 kV
2
8.83 (2.1)
12 kV

150 kV
8kV

13 .25 (2.2)

El clculo segn la ecuacin (2.1) muestra que en polarizacin inversa se debe

colocar 9 unidades y segn el clculo de la ecuacin (2.2) en polarizacin directa se
debe colocar 13 unidades.

Teniendo en cuenta que era importante colocar resistencias en paralelo a cada uno de
los diodos para garantizar la distribucin equitativa de las tensiones inversas de
polarizacin, ya que si bien los 13 diodos pertenecen al mismo modelo no tienen
exactamente las mismas caractersticas elctricas se procedi a calcular estas.

Al contar con 13 diodos se coloc 13 resistencias en paralelo, la corriente de fuga es

de 5 x10 6 A .4

Se calcul el voltaje que atravesaba cada diodo.

VCada / Diodo

150 kV
13

8.15 kV (2.3)

Una vez calculado el voltaje que pasa por cada diodo se calcul las resistencias que
deben ir en paralelo a cada diodo HVM12.
3

Capsulas es otra forma de llamar a los diodos de potencia diseados y construidos como tema de
tesis para el laboratorio de alta tensin de la UPS sede Cuenca.
4
Caracterstica obtenida de la hoja de dato del Capitulo 2, seccin 2.1.2, tabla 2.1

34

VCada / Diodo 8.15 kV

1.63G (2.4)
IS
5 x10 6 A

Como se observa se necesit una resistencia de 1.63 G. A nivel local y nacional no

existen tiendas electrnicas que dispongan de estos elementos, as que se los import
desde Espaa. Los valores comerciales en ese pas eran de 1G como mximo. Para
llegar a los valores calculados se colocaron en serie dos resistencias y esta a su vez
paralelo a cada diodo HVM12.
En la figura 2.1 se observa las caractersticas fsicas de las resistencias de 1G.

Figura 2.4. Resistencia film 1G ohm 1/2w 5% [7]

La figura 2.2 muestra el circuito diodo de alta tensin con estos elementos, tomando
en cuenta que las resistencias en paralelo tienes un valor de 2 G.

Figura 2.2. Circuito diodo de alta tensin

Una vez realizados los clculos de voltaje, resistencias y nmero de elementos se
procedi a armar el circuito que conforma el diodo de potencia, luego se verific la
hermeticidad de las capsulas, se los lleno con aceites mineral de transformador
UNIVOLT N 61B con inhibidor y posteriormente se realiz las pruebas en el
laboratorio de alta tensin de la UPS sede Cuenca.
35

Al realizar el circuito de la prctica # 35, los diodos de potencia construidos con los
HVM12 tuvieron un resultado negativo, antes de ejecutar la prctica se observ en el
Megger6 una resistencia en polarizacin directa de 6k y en inversa de 23G, luego
de ser sometido a un VRMS 80 kV se midi una resistencia en polarizacin inversa
de 347M, lo que significa que se los diodos se daaron.

Este resultado negativo se produjo porque al realizar la prctica se dio un pico de

tensin mayor a los 150kV, en cualquier prctica que se desee realizar en el
laboratorio debido a las altas tensiones. Los picos que se producen, por lo general,
van a llegar a los 180kV7; por lo tanto para garantizar un funcionamiento adecuado
es necesario elevar el valor de tensin en las dos polarizaciones.
Se determin que el laboratorio no genera un VRMS 100 kV como indica el manual,
en realidad se tiene un VRMS 113 .5kV , con lo cual el voltaje pico V p 160 .513 kV 8,
adems se multiplic por un factor de correccin

K a 1.35 ,9 al realizar esta

operacin se tuvo un V p 216 .65 kV ,10 siendo este el nivel de tensin que se deba
proteger. Si se empleaba los diodos HVM12se necesita 19 elementos de estos, lo cual
afecta las dimensiones de los diodos de potencia, se necesitaban distancias mayores
para un nmero mayor de elementos, pero las capsulas ya estaban construidas,
adems una capsula ms grande era poco esttico para el laboratorio. Por esta razn
se opta por buscar otros diodos, que cubriendo ese nivel de tensin, necesite un
nmero menor de elementos. Los diodos que se pueden conseguir en el mercado
Americano son los diodos 2CL2FP que tienen un V p 30 kV 11 en las dos
polarizaciones, siendo esta la mejor opcin.

Manual de experimentos de alta tensin para laboratorio de la UPS sede Cuenca, prctica #3:
Generacin y medicin de Voltaje Directo [8].
6
Megger: Instrumento que permite la medicin de valores elevados de resistencia [9]
7
Valor determinado tras realizar multiples prcticas en condiciones de un ambiente ionizado y al
realizar un cambio brusto de tensin.
8
Valor calculado en el Captulo 1, seccin 1.2, ecuacin 1.2
9
Valor calculado en el Captulo 1, seccin 1.2, ecuacin 1.4
10
Valor calculado en el Captulo1, seccin 1.2, ecuacin 1.3
11
Caractersticas sacada de la hoja de datos del Captulo 2, secin 2.1.2.2, tabla 2.2

36

Nmero de elementos =

216.65kV
7.22 (2.5)
30kV

Se trabaj directamente con valores pico, la hoja de datos de estos diodos da las
caractersticas tcnicas, la ecuacin 2.5 muestra que son 7 unidades para los diodos
de potencia, se utilizaron 8 unidades para tener una mejor proteccin cubriendo un
V p 240 KV . Se procedi a calcular el voltaje en cada diodo para determinar la

resistencia en paralelo de la siguiente manera.

216.65kV
27.08kV (2.6)
8
V
27 .08 kV
R Cada / Diodo
13 .54 G (2.7)
IS
2 x10 6 A
VCada / Diodo

El valor de las resistencias es de 13.54G, como se sabe no hay valores comerciales

de resistencias tan altas, lo que se hizo es colocar tres resistencias de 1 G en serie
que da un total de 3 G y este se coloc a su vez en paralelo a cada uno de los
diodos. Lo importante es que las resistencias colocadas en paralelo tengan el mismo
valor hmico para evitar que los diodos se quemen. El nmero total de elementos
que tiene cada capsula es de 8 diodos 2CL2FP y 24 resistencias de un Giga cada
una, dndonos un total de 32 elementos por circuito.
En la figura 2.3 se observara el circuito diodo de alta tensin, tomando en cuenta
que las resistencias en paralelo tienes un valor de 3 G.

Figura 2.3. Circuito, diodo de alta tensin

Una vez calculados los valores de tensin, resistencias y elegidos los diodos que van
a formar las capsulas, se procedi a armar el circuito que formar el diodo de
potencia para la tesis, luego se comprob su hermeticidad, se llen con aceite para
transformador UNIVOLT N 61B con inhibidor y se llev al laboratorio de alta
37

tensin de la UPS sede Cuenca para realizar las diferentes pruebas. En estas se
obtuvo como resultado un correcto funcionamiento puesto que no se quemaron y los
valores que mostraban las pantallas del panel de control eran muy parecidos a los que
se dio cuando se prob los mismos circuitos con los diodos de potencia que el
laboratorio dispona, esto se ver con ms detalle en el punto 2.3.

2.1.2

Hojas de datos

2.1.2.1

Diodo HVM12

Figura 2.4. Dimensiones fsicas del diodo HVM12 [10]

Tabla 2.1 Informacin tcnica del diodo HVM12 [10]

38

2.1.2.2

Diodo HVCA 2CL2FP

Figura 2.5. Dimensiones del diodo 2CL2FP [6]

Tabla 2.1 Informacin tcnica del diodo 2CL2FP [6]

2.1.2.3

Informacin tcnica de la Resistencia Film.

Category
Series
Resistance (Ohms)
Power (Watts)
Composition
Temperature Coefficient
Tolerance
Package / Case
Size / Dimension

Resistors
MINI-MOX
1G
0.5W, 1/2W
Thick Film
200ppm/C
5%
Axial
0.130" Dia x 0.354" L (3.30mm x 9.00mm)

Tabla 2.3 Resistencia film 1g ohm 1/2w 5%[7]

39

2.1.3

Cuadro de Procesos

En la figura 2.6 se observa el proceso elctrico y mecnico seguido para disear y

construir los diodos de potencia.

Figura 2.6. Cuadro de procesos elctricos y mecnicos

40

2.2

Proceso Mecnico
En este punto se presentan los procesos mecnicos de construccin que

se realizaron para la fabricacin de los diodos de potencia, considerando las

caractersticas mecnicas y elctricas de cada uno de los materiales que componen
dicho elemento. Como dielctrico, el grilon es la mejor opcin, por sus propiedades y
su fcil adquisicin en el mercado local. Y como conductor, el aluminio es unos de
los materiales que presentan mayores ventajas sobre los dems.
A continuacin, se explica el proceso de fabricaron de cada uno de los elementos que
componen el diodo de potencia.

2.2.1

Armado del circuito

Para elegir las dimensiones del cilindro, se parte de la cantidad y

caractersticas fsicas de cada uno de los componentes del circuito, el mismo que va
a ir alojado dentro del cilindro, como por ejemplo: resistencias, diodos 2CL2FP,
terminales y remaches.
De la tabla 2.3, se obtienen las dimensiones de las resistencias. Dando una longitud
total de 50mm y un dimetro de 3.30mm.
En la figura 2.5, se presentan las dimensiones del diodo 2CL2FP, que da una
longitud de 63.24mm y un dimetro de 4.3mm.
Partiendo de estas dimensiones se a armar el circuito, como se explic en el captulo
anterior. Cada circuito consta de un diodo y tres resistencias, como se presenta en la
figura 2.7.

Figura 2.7. Circuito en 3D. Diodo, resistencias

41

La longitud de cada circuito es de 70mm, con un radio de 21.65mm, como se

muestra en la figura 2.8. Eso, multiplicado por 8 da un total de 560mm, que ser la
dimensin total del circuito de los diodos de potencia.
70
15,24

21,65

D1
R1

R2

R3

Figura 2.8. Dimensiones del circuito, diodo, resistencia

2.2.2

Cuerpo del diodo

El cuerpo del cilindro, figura 2.9, alojar el circuito, diodo-resistencia, y

estar lleno de aceite dielctrico, UNIVOLT N61B. Adems tendr un roscado NPT
en cada uno de sus extremos.

Figura 2.9. Cuerpo del diodo

42

2.2.3

Aluminio

Para ensamblar el circuito se utilizaron remaches de aluminio, al igual

que las tapas y terminales, ya que una de las ventajas del aluminio es la resistencia a
la corrosin, su durabilidad y su peso ligero.
El aluminio es el elemento qumico ms abundante sobre la corteza terrestre.
2.2.3.1

Caractersticas principales del aluminio

El aluminio es un metal ligero, blando pero resistente, de aspecto gris

plateado. Su densidad es aproximadamente un tercio de la del acero o el cobre. Es

muy maleable y dctil y es apto para el mecanizado y la fundicin. [11]
Debido a su elevado calor de oxidacin se forma rpidamente al aire una fina capa
superficial de xido de aluminio (Almina Al2O3) impermeable y adherente que
detiene el proceso de oxidacin proporcionndole resistencia a la corrosin y
durabilidad. [11]
2.2.3.2

Remaches
Los remaches, que unen a cada resistencia con su respectivo diodo,

fueron fabricados de una barra de aluminio, con las siguientes dimensiones, figura
2.10.

1,5

10

Figura 2.10. Remache

43

2.2.3.3

Punta
La punta sirve de soporte al cuerpo del diodo. Est construida de tal

manera que este elemento se acople a la corona de conexin, figura 2.11.

La punta se unir a la tapa, a travs de un perno de cabeza hexagonal M8x20, como
se muestra en la figura 2.12.

Figura 2.11. Punta

DIN 7991 - M8x20

Hexagon socket countersunk
head cap screws

Figura 2.12. Vista en corte de la punta

2.2.3.4

Tapa
La tapa es el elemento que sellar de manera hermtica (utilizando O

rings) el cuerpo del cilindro de tal forma que no hayan fugas de aceite aislante por las
mismas. Est construida de acuerdo a las dimensiones, tanto del radio interno como
del radio externo del cuerpo. Al interior de la tapa existir un roscado NPT, el cual es
un tipo de roscado que se emplea en los sistemas de instalacin hidrulica. Figura
2.13.

44

En el centro de una de las tapas del cilindro se procede a trazar dos agujeros roscados
los mismos que servirn para el llenado del aceite dielctrico, una vez sellado los
cilindros.

Figura 2.13. Tapa

2.2.3.5

Terminal del circuito

Este terminal ira remachado, a cada uno de los extremos del circuito y se

conectara al terminal hacia la tapa. Figura 2.14.

Figura 2.14. Terminal del circuito

45

2.2.3.6

Terminal hacia la tapa

Este elemento consta de dos roscas, una interna y otra externa. La rosca

interna sirve para conectarse con el terminal del circuito y la rosca externa sirve para
fijar el circuito Diodo-Resistencia a la tapa, como se muestra en la figura 2.15.

Figura 2.15. Terminal hacia la tapa

La figura 2.16, muestra el ensamble de todos los elementos descritos anteriormente.

Figura 2.16. Vista en corte de: Punta, Tapa, Terminal del circuito y terminal hacia la
tapa
46

La figura 2.17, presenta el ensamble total de los diodos de potencia.

Figura 2.17. Diodo ensamblado

2.2.4

Clculo del volumen del cilindro

Se calcul la cantidad de aceite aislante necesaria para llenar el cilindro,

figura 2.18, de tal manera que no haya ninguna disrupcin elctrica.

Para encontrar el volumen de un cilindro se utiliz la siguiente formula:
(2.8)
El volumen del cilindro es el producto del rea del crculo de la base por la altura. En
donde el rea del crculo es:

101,6

57

700

Figura 2.18. Dimensiones del cilindro

, multiplicado por dos nos da un total de

o lo que es lo

mismo 3.57 litros de aceite dielctrico.

47

2.3

Proceso Elctrico

2.3.1

Llenado de aceite dielctrico y prueba de hermeticidad en los

diodos de potencia.
Una vez concluido el proceso mecnico los diodos de potencia fueron

llevados a TECNIESAT S.A, para el llenado con aceite mineral a vaco, para lo cual
se sigui el siguiente proceso:

1. Se limpi la superficie de cada diodo de potencia con solvente Cloretheno.

2. De acuerdo a las tomas para ejecutar vaco y carga de nitrgeno que tenan
estos se prepararon los acoples necesarios y se conect a la bomba de vaco
con derivacin para el tanque de nitrgeno seco, en cada caso se tena
intercalado un instrumento de medicin positivo y negativo.
3. Una vez realizado los pasos 1 y 2, se ejecut el vaco en el interior del diodos
de potencia, luego se produjo la ruptura de vaco con nitrgeno a 0,2 Kg / cm 2
nuevamente se

procedi a llenar a vaco y se hizo otro enjuague con

nitrgeno seco, todo esto se efectu con el objetivo de limpiar por completo
el interior del diodo de potencia sacando cualquier pelusa, gota de agua o
material que se encuentre en el interior.

4. Antes de llenar los diodos con aceite mineral UNIVOLT N 61B con inhibidor
se comprob si estos estaban

hermticamente sellados, para lo cual se

procedi a realizar 2 pruebas.

1) Se sell la entrada de nitrgeno y se realiz el vaco del diodo de
potencia, el vacumetro lleg a marcar -0.94 bar, se mantuvo el diodo en
estas condiciones por una hora aproximadamente, una vez transcurrido
este tiempo se volvi a ver cul era la medicin que se tena en el
vacumetro, este segua marcando los -0.94bar verificando as que no
exista fuga.

48

2) Se sac el vaco del diodo abriendo la llave de la bomba de vaco, se sell

la entrada que tiene el diodo para conectar las mangueras de la bomba y
se habilit la toma de nitrgeno, se llen con nitrgeno seco el diodo de
potencia y se coloc agua con jabn en las parte en donde puede existir
fugas como en el contacto elctrico, con esto se verifico que estaba
completamente sellado porque que no produjo burbujas.
5. Una vez realizado el enjuagues y probada la hermeticidad del diodo de
potencia se procedi a llenar a vaco con aceite UNIVOLT N 61B12 con
inhibidor, en la una toma se coloca la manguera de vaco y en la otra toma se
coloc la manguera que conectaba al tanque de aceite, se acciona la llave que
iba a producir el vaco, una vez que se lleg a -0.94 bar se deshabilit esta
llave y procedi a seccionar dos llaves, una que dejaba salir el vaco y la otra
que dejaba pasar el aceite. Se llen el diodos hasta 1 cm antes de llegar al
tope, se deja este espacio para llenarlo con nitrgeno seco, se retir los
acoples, se sell el diodo de potencia y se dej reposar por una 1 hora ms
para verificar que no existas fugas, este procedimiento se realiz para los dos
diodos.

En la figura 2.19 se muestra una fotografa del diodo cuando se estaba llenando con
aceite a vaco en los talleres TECNIESAT S.A.

12

Aceite mineral UNIVOLT N 61B, utilizado como dielctrico y refrigerante en las capsulas [12]

49

Figura 2.191. Llenado del diodo con aceite a vaco

2.3.2

Pruebas de la Rigidez Dielctrica del Aceite aislante

La prueba de rigidez dielctrica del aceite se realiz con el equipo

HIPOTRONICS 60 kV, a una temperatura de 20C, para esta prueba se emple la

norma ASTM D 877 la cual nos dice que el aceite debe tener una rigidez dielctrica
de 60kV por cada 2.5mm [12].
En la figura 2.20 se muestra el equipo empleado para la prueba y en la tabla 2.4 se
muestran los resultados obtenidos.

Figura 2.202. Equipo para realizar la medicin de rigidez dielctrica del aceite
50

Tabla 2.4 Resultados de la prueba de rigidez dielctrica del aceite

Como podemos observar en la tabla los resultados son satisfactorios, tenemos una
rigidez dielctrica de 220 kV por cada cm, como tenemos una separacin de 5cm
entre diodos 2CL2FP se necesita 1100 kV para que se produzca la disrupcin entre
ellos.

2.3.3

Caractersticas del grilon y prueba de rigidez dielctrica

En la construccin de los diodos de potencia no se emplearon materiales

cermicos ya que el costo que tendra estos hubiese sido excesivamente elevado, esto
se debe a la necesidad de trabajar con moldes para construirlos segn la forma y las
dimensiones, por esta

razn se opt trabajar con grilon que es un material

termoplstico el cual se obtiene de la poliamida 6, adems que es dielctrico, fcil de

mecanizar, tiene una buena resistencia mecnica, no se desgasta con facilidad y
puede soportar temperaturas de 10 a 100 grados centgrados [13].
En la tabla 2.5 se observa algunas caractersticas tcnicas del grilon.

51

Tabla 2.5 Caractersticas del Grilon [13]

Para realizar la prueba de rigidez dielctrica en el laboratorio de alta tensin se
mont el circuito que se observa en la figura 2.21, el grilon fue colocado entre los
electrodos tipo punta que estn ubicados en el soporte de electrodos para pruebas de
disrupcin. Al emplear este tipo de electrodos se concentra la tensin en el punto,
donde la punta se presiona con el material. Se tomaron 20 muestras colocando las
puntas en diferentes partes del grilon, el cual tiene las siguientes dimensiones, 7cm
de ancho por 7.5cm de largo y un espesor de 1,2cm.

Figura 2.213. Circuito para realizar prueba de rigidez dielctrica de los materiales
Las muestras que se tomaron con la pantalla HV9150 y con en el osciloscopio se
presentan en la tabla 2.6, en la tabla 2.7 se observan los resultados que se tuvieron en
kV/cm.

52

Tabla 2.6 Datos Obtenidos de la prueba de Grilon

Tabla 2.7 Resultados de la prueba de Grilon

Es importante mencionar que en la prueba, el grilon no fue perforado por la tensin,
la disrupcin se produjo a travs de la superficie del material. Los valores de tensin
mostrados en la tabla 2.6 fueron tomados antes de la disrupcin por la superficie.

53

2.3.4

Prueba de los diodos HVCA 2CL2FP

Se realiz una prueba de los diodos 2CL2FP antes de que estos formen

parte del circuito del diodo de potencia.

La hoja de datos nos dio como caracterstica tcnica que este modelo de diodo
soportaba una tensin pico de 30 kV en polarizacin directa e inversa, 13 por lo cual
se calibro el panel de control a una tensin de 25kV y se puso el diodo que se haba
adquirido para pruebas, se observ que este rectificaban correctamente en ambas
polaridades, por lo cual se dedujo que tenan un buen funcionamiento.
Una vez que se prob al diodo con tensin, se procedi a medir la resistencia de este
en ambas polaridades. Se obtuvo el valor promedio de la resistencia realizando
diferentes mediciones con el Megger, este tiene la opcin de ser calibrado con 6
tensiones, al realizar 6 pruebas se pudo conseguir los valores promedio de las
resistencias, los mismos que se muestra en la tabla 2.8.

Tabla 2.8 Prueba de resistencia de los diodos 2CL2FP

13

Dato caracterstico que se puede observar en el Captulo 2, seccin 2.1.2.2, tabla 2.2

54

2.3.5

Prueba de la resistencia en polarizacin directa e inversa de

los diodos diseados y construidos para el laboratorio

Se comprueba el correcto funcionamiento de los diodos de potencia

diseado y construidos como tema de tesis, midiendo los valores de resistencia con el
Megger en polarizacin directa e inversa antes y despus de someterlos a tensin, en
la tabla 2.9 se observa los valores obtenidos en la prueba.

Tabla 2.9 Prueba de resistencia de los diodos 2CL2FP

Los diodos de potencia fueron sometidos a un voltaje que vari desde los 0V hasta
los 150kV utilizando el circuito que se observa en la figura 2.22.

Figura 2.42. Circuito verificador de la resistencia en ambas polarizaciones

55

Se puede observar que los valores hmicos de los diodos de potencia mostrados en la
tabla 2.9 son los mismos antes y despus de ser sometidos a tensin, lo que nos
indic que no sufrieron dao, por lo cual se continu con las prcticas de
comprobacin.

2.3.6

Prcticas del laboratorio de alta tensin con los diodos de

potencia diseados y construidos para el laboratorio.
Verificamos el correcto funcionamiento de los diodos de potencia

diseados y construidos para el laboratorio realizando las prcticas y comparando

los resultados con los obtenidos al realizar las mismas pruebas con los diodos de
potencia existentes en el laboratorio.

2.3.6.1

Rectificacin de media Onda

En esta prctica se verific el correcto funcionamiento de los diodos de

potencia tanto en polarizacin directa como inversa, ya que se comprob las

tensiones que se marcaban en la pantalla del HV9150 del panel de control, tanto con
los diodos potencia del laboratorio como con los diodos de potencia de la tesis, el
circuito que se emple se observa en la figura 2.23.

Figura 2.235. Circuito rectificador de media onda

56

Los resultados pertenecientes al diodo de potencia 1 de la tesis se describen en la

tabla 2.10 y los resultados del diodo de potencia 2 de la tesis se describen en la tabla
2.11.

Tabla 2.10 Resultado del diodo de potencia 1 vs el diodo del laboratorio

Tabla 2.112 Resultado del diodo de potencia 2 vs el diodo del laboratorio

Como se observa en la tabla 2.11 los valores de tensin son muy parecido, la
diferencia que se presenta se debe a que los diodos de potencia del laboratorio tiene
un valor de impedancia caracterstica distinta a los diodos de potencia construidos
como tema de tesis, en trminos generales se observa que el funcionamiento es
correcto.

57

2.3.6.2

Generacin y medicin de voltajes directos

Cuando se realiz esta prctica se verific el funcionamiento de los

diodos de potencia en una rectificacin completa. Como en los casos anteriores se

compar el comportamiento de los diodos de potencia de la tesis contra el
comportamiento con los diodos del laboratorio, en la figura 2.24 podemos observar
el esquema empleado en esta prctica.

Figura 2.246. Circuito generador de voltaje contino

Los resultados que se obtuvieron con los diodos de potencia del laboratorio y los
diodos de potencia de la tesis se describen en la tabla 2.12.

58

Tabla 2.12 Resultado de la prueba de medicin de voltaje directo

Es importante mencionar que la escala que fue empleada en la pantalla HV9151 es
de 280. Los valores que se observan de los diodos de potencia de la tesis y lo diodos
de potencia del laboratorio en la tabla 2.12 son muy parecidos, al igual que en la
prctica anterior la diferencia que se presenta se debe a los valores de impedancias
caractersticas diferentes de cada uno.

2.3.6.3

Generacin y medicin del voltaje de impulso

Este circuito se emplea para medir el BIL de los diferentes elementos

aislante, para nuestro caso lo importante era observar la forma de onda que se iba a
generar al dar un Triguer y producir el pulso que terminara en la descarga de las
esferas del HV9125. Tomamos la forma de onda de la tensin de disrupcin
conectando el osciloscopio a la salida del HV9152 y observamos la relacin 1.2/50
tanto con los diodos de potencia propios del laboratorio como con los diodos de
potencia de la tesis. El circuito que se mont para esta prctica se observa en la
figura 2.25.

59

Figura 2.25. Circuito para generar impulso y medir el BIL de un elemento

Los valores de tensin en el primario, secundario, tensin continua, voltaje de
impulso mostrado en la pantalla HV9152, voltaje de impulso mostrado en el
osciloscopio y separacin de las esferas del HV9125 se observan en la tabla 2.13

Tabla 2.133 Resultado de la prueba generacin de voltaje de impulso

60

En las figuras 2.26 y 2.37 se muestran la relacin 1.2/50 de la seal producida al dar
el triguer y generar el impulso, la primera es con los diodos de potencia

del

laboratorio y la segunda con los diodos de potencia de la tesis.

Figura 2.26. Resultado de la prueba generacin de voltaje de impulso

Figura 2.277. Resultado de la prueba generacin de voltaje de impulso

La forma de onda de los diodos de potencia del laboratorio y los diseados y
construidos para la tesis tiene caractersticas iguales, la relacin 1.2us de subida y
los 50us de cola, se da en ambas, recordando que los 50us se miden en l

VP
.
2

61

Los valores de voltaje de impulso en los cuales se producen las disrupciones de las
esferas del HV9125 observados en la pantalla HV9152 y en el osciloscopio son muy
parecidos entre los diodos de potencia propios del laboratorio y los de la tesis, estos
valores se pueden observar en la tabla 2.13, debemos recordando que se utiliz una
escala de 20kV por cuadro en el osciloscopio. La pequea diferencia de voltaje que
se da es por la impedancia caracterstica diferente que tiene cada uno de los diodos
de potencia.

Todo esto nos indica que los diodos de potencia de la tesis cumplieron esta prueba
exitosamente.

62

CAPITULO 3

ENSAYO DE LOS DIODOS DE ALTA TENSIN

3.1

Normas
Las normas tcnicas son documento que contienen definiciones,

requisitos y establece especificaciones tcnicas como: dimensiones fsicas,

caractersticas constructivas y de operacin, condiciones de seguridad, condiciones
de servicio y medio ambiente, simbologa para representar equipos y sistemas, todo
esto basado en los resultados de la experiencia y del desarrollo tecnolgico.

Las normas elctricas nos indican desde la manera como se deben hacer las
representaciones grficas, hasta explicar las formas de montaje y pruebas a las que
deben someterse los equipos. [14]

Se crean con la aceptacin de todas las partes interesadas e involucradas en

una actividad entre ellos: Los fabricantes, consumidores, laboratorios, centros de
investigacin. [15]

Deben aprobarse por un Organismo de Normalizacin reconocido. Entre las normas

elctricas ms utilizadas tenemos: Ver cuadro 3.1.
NEC

National Electrical Code

ANSI

American National Standards Institute

NEMA

National Electrical Manufacturers Association

IEEE

The Institute of Electrical and Electronics

Engineeres Inc

ASTM

International - Standards Worldwide (USA)

VDE

Verband Deutscher Elektrotechnoker (Germany)

ISO

International Organization for Standardization

IEC

InternationalElectrotechnical Commission

DIN

Deutches Institut fr Normung (Germany)

Tabla 3.1 Organismos de Normalizacin
63

En resumen, una norma se utiliza para consultar las especificaciones tcnicas de un

proceso, producto o servicio. Tambin se utiliza para buscar informacin cientfica
sobre una tcnica.

Enunciaremos algunas normas que se utilizan en las diferentes pruebas aplicadas en

laboratorios a las que deben someterse transformadores, motores, cables, etc.

1. NTE INEN 2 110:1998 Transformadores. Definiciones.

2. NTE INEN 2 111:1998 Transformadores. Pruebas Elctricas.
3. NTE INEN 2 113:98 Transformadores. Determinacin de Prdidas y
Corrientes sin carga.
4. NTE INEN 2114:2003 Transformadores de distribucin Nuevos
Monofsicos.
Valores de corriente sin carga, Prdidas y voltaje de Cortocircuito.
5. NTE 2117:1998 Transformadores. Relacin de transformacin.
6. NTE INEN 2118:98 Transformadores. Medida de la Resistencia de los
Devanados.
7. NTE INEN 2119:199 Transformadores. Prueba de calentamiento para
transformadores sumergidos en aceite con elevacin de 65C de
temperatura en los devanados.
8. NTE 2127:1998 Transformadores. Niveles de aislamiento
9. NTE INEN 2 133:98 Transformadores. Aceites Aislantes Para
Transformadores e interruptores. Requisitos.
10. UNE 21123 Cables de transporte de energa aislados con dielctricos
secos.
11. IEEE Std 81-1983 IEEE Guide for Measuring Earth Resistivity, Ground
Impedance, and Earth Surface Potentials of a Ground System.
12. IEEE Std. 43-2000 Recommended Practice for Testing Insulation
Resistance of Rotating Machinery.
13. IEEE Std 112-1996 Standard Test Procedure for Polyphase Induction
Motors and Generators.

64

14. ISO/IEC 17025 Requisitos generales para la competencia de los

laboratorios de ensayo y de calibracin
A continuacin se describen las normas que se utilizaron para el diseo y fabricacin
de los diodos de potencia.

3.1.2

Norma ASTM D-877

La norma ASTM D-877, es utilizada para evaluar la rigidez dielctrica

que tienen los aceites aislantes empleados en los transformadores, cables y otros
equipos elctricos.
3.1.2.1

Rigidez dielctrica en el aceite aislante

Es una prueba que muestra la presencia de agentes contaminantes

(carbn, agua, hierro, polvo, fibras de celulosa,) en el aceite, las cuales pueden ser
representativas si se presentan valores bajos de rigidez. Cuando un aceite est muy
contaminado tiende a presentar valores bajos de rigidez los cuales disminuyen el
aislamiento del equipo como puede ser un transformador o en este caso los diodos
de potencia.

Entre los diferentes tipos de aceites estn: aceites derivados del petrleo,
hidrocarburos, ascareles (Bifenilos Polyclorados, o PCB. El cual pertenece a la
familia de los hidrocarburos clorados).

La prueba consistente en aplicar un voltaje de C.A. entre dos electrodos sumergidos

en aceite a una distancia de 2.54 mm o 2.0 mm dependiendo de la norma a ser
utilizada. Como se muestra en la figura 3.1.

65

Figura 3.1. Prueba de rigidez dielctrica en los aceites [16]

El valor de tensin en kilovoltios a la que se presenta descarga entre los electrodos
se le conoce como rigidez dielctrica y como norma general es el promedio del
resultado de 5 pruebas sobre la misma muestra dejando reposar por intervalos de un
minuto entre pruebas.

Las normas utilizadas y los valores lmites permitidos para esta prueba son las
siguientes:

1. ASTM D-877: Prueba de voltaje de ruptura para lquidos aislantes usando

electrodos planos separados 2.54 mm, Tensin Mnima 25 kV
2. ASTM D-1816: Prueba de voltaje de ruptura de aceite dielctrico de origen
de petrleo, usando electrodos semiesfricos separados 2.0 mm,

Tensin

mnima 50 kV. [16]

El cuadro 3.2 se presenta las caractersticas de cada una de estas normas.

66

Tabla 3.2 Rigidez dielctrica [17]

3.1.2.2

Muestra
La muestra se toma segn estndar D 923, el cual no indica que: se

etiqueta, con fecha, equipo, temperatura al momento de tomarla (en el rango 20 a

30C). Previo al inicio de la prueba la muestra debe ser inspeccionada y si se
observa agua libre debe ser abortada y declarada como insatisfactoria. [18]

Debido a la cantidad de contaminantes que puede tener la muestra, sta debe ser
invertida y girada lentamente antes de llenar la taza de prueba, una agitacin rpida
puede introducir aire a la muestra, afectando el voltaje de ruptura.
3.1.2.3

Seguridad
En lo que se refiere a la seguridad, esta normativa no hace referencia a

aquello. Cuando se est realizando la prueba el nico responsable de establecer

prcticas de seguridad y salud es el mismo profesional de ingeniera elctrica.
3.1.2.4

Aplicacin
El voltaje de ruptura dielctrico determina la capacidad de un aceite

aislante de mantener una tensin elctrica.

La presencia considerable de contaminantes dar un voltaje de ruptura bajo. Un
voltaje de ruptura alto en una muestra, no significa que la cantidad de
contaminantes sea suficientemente baja para que sea aceptada en todos los equipos
elctricos. [18]
67

3.1.3

Norma DIN.53481
La norma DIN.53481, es utilizada para medir la rigidez dielctrica en los

materiales plsticos, en este caso el Grilon.

3.1.3.1

Rigidez dielctrica en el Grilon

La rigidez dielctrica es la tensin que, aplicada a un material, da lugar a

la destruccin de sus propiedades de aislamiento y est formado por el paso de un

arco a travs de la pieza de ensayo. El gradiente de voltaje se obtiene dividiendo la
tensin de ruptura por el espesor del aislamiento en el punto de falla. Se expresa en
MV/m o kV/mm de espesor de aislamiento. [19]

Segn la norma DIN.53481, la rigidez dielctrica del Grilon est en el rango de los
25 kV/mm.

El cuadro 3.3 muestra algunas caractersticas sobre la prueba de rigidez dielctrica,

como por

ejemplo: la norma a utilizar (DIN, IEC, ASTM), dimetro de los

electrodos, el medio y la temperatura en las que se va a realizar la prueba.

Tabla 3.3 Descripcin de la prueba. [19]

En resumen, La rigidez dielctrica es la propiedad esencial de los aislantes de
plstico, el cual brinda una excelente proteccin para las personas y dispositivos
contra voltajes elevados.

68

3.2

Protocolo de Pruebas
Las pruebas realizadas en el laboratorio de alta tensin de la UPS sede

Cuenca, deben seguir el siguiente protocolo para evitar que se produzcan daos a
personas y equipos.

1. Todas las personas deben colocarse guantes, casco, y orejeras impidiendo

dao en las manos, cabeza u odo, ya sea este por cada de la persona, de
algn elemento o por el sonido que producen las descargas en las pruebas.

2. Al entrar en la jaula, por seguridad no se debe cerrar la puerta ya que al estar

abierta, los dispositivos de seguridad propios del laboratorio hacen que el
secundario del transformador se bloquea evitando que se pueda elevar tensin
o que se active a un nivel de tensin antes establecido.

3. Se debe descargar los elementos del laboratorio con la barra de descarga a

tierra, en especial los capacitores, con esto logramos evitar que cualquier
tensin acumulada en los elementos se descargue a travs de la persona que
los manipula.

4. Cuando se haya descargado todos los elementos colocar la barra de descarga

a tierra sobre el transformador, esto evitara que se habilite el secundario del
trasformador por cualquier error ya que al estar a tierra el sistema de
seguridad del laboratorio lo bloquea.

5. Cuando se acabe de armar un circuito inmediatamente se debe proceder a

verificar si las conexiones estn bien realizadas.
6. Retirar la barra de descarga a tierra del trasformador, colocar en la puerta,
esto har que cualquier persona que entre recuerde descargar los elementos,
cerramos la puerta, verificar que ningn elemento est conectado a tierra a
travs de la sealizacin ubicada como luz verde en la zona de mando del
panel de control y proceder a realizar las diferentes mediciones.
69

7. Cuando se trabaja con tensiones elevadas, tener cuidado de que el ambiente

se ionice y que los elementos que no cuentan con aceite para la refrigeracin
se calienten.
Si estos dos ocurren se debe proceder a abrir las ventanas para ventilar el
espacio y sacar los elementos que se hayan calentado hasta que los mismos
estn completamente fros, caso contrario puede afectar a la medicin.

8. Si se trabaja con el equipo para medir rigidez dielctrica de aceites, se debe

utilizar guantes negros y tener cuidado al manipular las muestras de aceite
para que no se contaminen, dejar que las mismas reposen por cinco minutos
antes de hacer la prueba para que salgan las burbujas.

El aceite debe ser guardado en un recipiente color mbar y no deben ser

expuestas a la luz.

9. Cuando se trabaja con el Megger

verificar que la batera tenga niveles

adecuados de carga para obtener valores de medicin acertados.

3.3

Verificacin de la ecuacin de Schockley

La ecuacin de Schockley14 no es vlida para los diodos de potencia de la

tesis ni para los propios del laboratorio de alta tensin, ya que los valores de V D son
muy elevados lo cual hace que la I D se vaya al infinito, por esta razn se realiz
pruebas en bajas tensiones con voltajes que varan desde los 15V a los 920V
empleando el circuito que se observa en la figura 3.2.

Se realiz la medicin del VRMS en el diodo con una sonda diferencial

de voltaje, la corriente que atraviesa al mismo se midi con una sonda diferencial de
voltaje colocada en paralelo a una resistencia R1 1 y configurado en el
osciloscopio con parmetros de corriente.

14

Esta Ecuacin puede ser observada en el Captulo I seccin 1.3.

70

Figura 3.2. Esquema para la verificacin de la ecuacin de Schockley

Los clculos realizados para esta prueba son los siguientes.

Como dato se tiene la mxima corriente que puede soportar los diodos es de 100mA,
al calcular la resistencia en funcin de 90 mA para evitar que se dae los diodos.

V
V
920V
R
9684,21
R
I
95mA

Se emplea una resistencia de 9500 /200W, un Variac de 220/920 V conexin

estrella conectado al banco trifsico regulable de 0-230V, una resistencia de 1/ 1W
para la medicin de la corriente.

En la figura 3.3 muestra el circuito armado con el diodo de la tesis, en el laboratorio

de circuitos 2.

Figura 3.3. Esquema armado para la verificacin de la ecuacin de Schockley

71

En la tabla 3.4 se muestran los valores de los diodos de potencia 1, 2 para la tesis y
del de laboratorio de alta tensin, tanto de voltaje RMS, corriente, voltaje del semi
ciclo positivo y del semi ciclo negativo.

Tabla 3.4 Datos obtenidos de la prueba en baja tensin de los diodos de potencia
En la figura 3.4, 3.5 y 3.6se observa las curvas en regin directa del diodo 1, 2 y del
laboratorio.

72

Curva Diodo I
500
460
420
380
340
Curva Diodo I

300
260
220
180
140
0

200

400

600

800

Figura 3.4. Curva regin directa diodo 1

Curva diodo II
500
460
420
380
340

Curva diodo II

300
260
220
180
0

200

400

600

800

Figura 3.5. Curva regin directa diodo 2

73

Curva diodo Laboratorio

360
350
340
330

Curva diodos
Laboratorio

320
310
300
0

200

400

600

800

1000

Figura 3.6. Curva regin directa diodo laboratorio

La curva de regin directa del diodo de potencia, figura 3.4, muestra que ste
empieza a conducir a los 62 V, no hay una variacin considerable de corriente hasta
los 116V, desde los 176V empieza a subir considerablemente la corriente hasta los
665V y desde esta tensin en adelante la corriente tiende al infinito.

En el diodo de potencia 2, figura 3.5,

la curva de regin directa muestra que este

empieza a conducir a los 61V, hasta los 114V la variacin de corriente es pequea,
desde los 175V empieza a variar en mayor proporcin la corriente hasta los 666V y
desde aqu la corriente tiende al infinito.

El diodo de potencia del laboratorio, figura 3.6, empieza a conducir a los 60V, la
corriente tiene una variacin pequea hasta los 853V y desde este valor empieza a
conducir con una pendiente mayor hasta los 890V es decir la corriente cambia a un
valor ms grande de forma considerable, desde estos 890V la corriente se va al
infinito.

Esta variacin del comportamiento visto en los 3 diodos de potencia se debe a que la
impedancia caracterstica de estos es diferente por lo cual vara un poco el valor de
conduccin de ellos, pero no afecta su funcionamiento en las prcticas.
74

3.4

Sistema doblador
El inters

de armar un sistema doblador se fundamente en realizar

pruebas del BIL con elementos que tengan un nivel de aislamiento que pasen los
150kV.

En la figura 3.7 se muestra el esquema del circuito doblador que se mont en el

laboratorio de alta tensin de la UPS sede Cuenca, cuenta con los diodos de potencia
diseados y construidos como tesis.

Nomenclatura.

CM: Es el capacitor HV9141, sirve para realizar la medida del secundario del
transformador.

C1 y C2: Son los dos capacitores HV9112 del laboratorio.

D1 y D2 :Son los diodos de potencia diseados y construidos para la tesis.

D L1 y D L 2 : Son los dos diodos de potencia disponibles en el laboratorio.

R: Es la resistencia HV9113 que permite realizar la medicin de voltaje directo

75

Figura 3.7. Circuito doblador de tensin [20]

A C1 le llega la tensin desde el positivo del transformador y se suma la tensin que

pasa por los diodos D L1 y D L 2 desde el negativo, por lo cual se tiene el doble de
voltaje en C1 de lo que normalmente el secundario da, cuando este voltaje circula
por D1 y D2 pasa solo el semiciclo positivo y termina la rectificacin con C 2 , la
tensin se mide en R1 ya que esta est en paralelo a C 2 , finalmente podemos
observar su valor en la pantalla HV9151.

En la tabla 3.5 se observar los valores que se obtuvieron con el circuito doblador, es
importante mencionar que para elevar la tensin y poder realizar la prueba del BIL
con aislante que superen los 150kV es necesario un capacitor adicional que tenga el
mismo valor capacitivo que C 2 , este se conectara entre el ctodo de D2 y la parte
superior de C 2 .

76

Tabla 3.5 Datos obtenidos del circuito doblador

Al ver los resultados, podemos decir que los diodos diseados y construidos como
tema se tesis funcionan correctamente, ya que han trabajado eficientemente en el
circuito doblador, con este esquema se podr llegar a los 300kV siempre y cuando se
adquiera el capacitor que se mencion anteriormente, con esto se podr realizar
pruebas del BIL con elementos que tengan niveles de tensin de ruptura superiores a
los 150kV.

77

CAPITULO 4

CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

4.1

Conclusiones
Al realizar el presente trabajo de tesis se ha podido llegar a las siguientes

conclusiones.

1. Es importante conocer todos los elementos que el laboratorio de alta tensin

de la Universidad Politcnica Salesiana sede Cuenca tiene disponible, para
emplearlos de una manera eficiente, conocer cules son las limitantes que
tiene este laboratorio e irlos superando paulatinamente.
2. Al dimensionar el nivel de tensin al cual se debe proteger los diodo de
potencia es importante tomar en cuenta todos los aspectos que lleven al
fracaso, de esta manera se realiza un correcto diseo y se evita problemas
cuando las capsulas estn armadas.
En nuestro caso en primera instancia no se tom en cuenta el factor de
correccin que se debe aplicar a los elementos que se encuentre a 1000 msnm
y tampoco se verifico si los datos del manual del laboratorio eran correctos,
por los cual se dimensiono a un nivel de tensin que se encontraba apenas un
4% por encima de los 150kV. Al momento de elevar la tensin de forma
brusca se produjo un pico que supero el nivel de tensin de proteccin lo cual
derivo en la quema de los diodos de potencia, cuando se volvi a analizar los
factores para determinar el nivel de tensin a proteger se observ cual era el
verdadero voltaje pico que daba el laboratorio, adems se multiplico por el
factor de correccin sobredimensionando el nivel de tensin que se deba
proteger hasta un 60% sobre los 150kV. En estas condiciones a pesar de que
se produjo picos de tensin cuando se estaba realizando las pruebas de
comprobacin de los diodos de potencia no ocurri dao en los mismos.
3. El anlisis del comportamiento de los diodos de potencia a travs de la
plataforma simulink, emplea los parmetros de estos en

la ecuacin de
78

Schockley. La grfica de regin directa nos dice que no existe ningn

inconveniente en el comportamiento del diodo ya que este a un voltaje V D
=19V empieza a conducir y desde un voltaje V D =28V la corriente tiende a
infinito, esto se observa en la figura 1.23 del captulo I seccin 1.3.1. En el
caso de la zona inversa se ve que la corriente toma un valor constante de

I D = 0 sin importar el rango de voltaje empleado, esto implica que no se

alcanza un voltaje de disrupcin en el cual la corriente tienda a infinito, lo
cual se da porque los

parmetros de los diodos de potencia al ser

reemplazados en la ecuacin de Schockley hacen que el valor de I D tenga un

comportamiento ideal.
4. Las simulaciones de rgimen transitorio con los parmetros de los diodos
diseados y construidos como tesis para el laboratorio de alta tensin de la
UPS sede Cuenca muestran un correcto comportamiento en los circuitos que
tienen las siguientes cargas:
1) Resistiva.
2) Resistencia con una inductancia en serie.
3) Resistencia con un capacitor en serie.
En el caso de la carga resistiva se observa que el voltaje en el diodo, la
corriente del circuito y el voltaje en la carga no tienen variaciones en las
formas de ondas, el comportamiento es una constante, ya que es un circuito
puramente resistivo. Esto se puede observar en las grficas de la figura 1.25
del captulo I seccin 1.3.2.1.

En el segundo caso en el que se emplea una resistencia en serie con una

inductancia como carga se observa que la corriente llega hasta un valor
mximo, en un periodo transitorio de comportamiento exponencial y se
mantiene constante en el valor mximo, al igual que el voltaje en el diodo, en
nuestro caso la corriente lleg a los 0.015A. En cuanto el voltaje en la carga
el comportamiento es de forma inversa respecto a la corriente, esto se puede
verificar en figuras 1.27 del captulo I seccin 1.3.2.1.

79

En el tercer caso en donde se emplea una resistencia en serie a un capacitor,

la corriente del circuito tendr un comportamiento exponencial, iniciando
desde el mximo limitado por la relacin

V
, como condicin de i(0), esto se
R

puede observar en la figura 1.29 del captulo I seccin 1.3.2.1.

Todas las simulaciones de rgimen transitorio tuvieron un correcto

funcionamiento ya que cumplieron con lo que tericamente debe pasar al
momento de simular los circuitos.

5. Las simulaciones del circuito en rgimen permanente, configurado de igual

manera con los parmetros que tienen los

diodos de potencia tambin

muestran un correcto funcionamiento en cuanto a voltaje y corriente con las

diferentes cargas que se conectan al circuito, las cargas son las mismas que se
emplearon en el anlisis de rgimen transitorio.

Con carga resistiva se observar que la grfica del voltaje del diodo en el
semiciclo positivo deja pasar los 416V que son la cada de tensin debido a
las caractersticas propias de los diodos y en el semiciclo negativo se tiene un
PIV de 149584V debido a que se resta el voltaje de fuente menos la cada de
tensin, la corriente conducida por el diodo llega a los 15mA como esta en
polarizacin directa deja pasar el semiciclo positivo, en cuanto al voltaje en la
carga se observa 149584V en el semiciclo positivo es decir se da la
rectificacin de media onda. Ver figura 1.31, Captulo 1 seccin 1.3.2.2

Con carga RL en el circuito, como se observa en la figura 1.32 del captulo I

seccin 1.3.2.2, el voltaje en la carga termina su semiciclo positivo cruzando
por cero, pero en ese momento la curva de corriente sigue conduciendo por lo
cual se forma una curva de tensin de la carga en el semiciclo negativo la
misma que va a durar un tiempo igual al tiempo que se tarde la curva de
corriente en llegar a cero, luego en la curva de la carga se forma una
oscilacin debido al tiempo de recuperacin del diodo para que vuelva a
80

conducir y se repita la forma de onda, la grfica de voltaje en el diodo deja

pasar en el semiciclo positivo la cada de tensin que son los 416V y cuando
se produce el tiempo de recuperacin del diodo este deja pasar voltaje en el
semiciclo negativo.

Con carga RC podemos ver que el voltaje en el diodo va a tener un offset

debido a que en un primer instancia el condensador se carg, por lo cual la
referencia ya no se encuentra en cero si no en los 1.5x105 V dejando pasar
los 150kV por encima y por debajo de este offset, la corriente en el diodo va a
producir un pico de 0,9mA cuando se cargue el capacitor,

cuando este

empieza a descargarse la corriente del diodo se va a cero hasta que de nuevo

se cargue el capacitor y la corriente vuelve a formar un pico.

6. Los clculos realizados en base al circuito planteado, que consiste en un

circuito RC paralelo en el cual se incorpora el diodo desarrollado; permitieron
establecer esencialmente dos ecuaciones por medio de las cuales se pueden
determinar los valores tanto de corriente como de voltaje presentes en el
Capacitor.

Al simular dichas ecuaciones usando el software matlab se obtienen curvas

caractersticas que representan el comportamiento del capacitor, que
inicialmente se encuentra descargado y alcanza una carga mxima que
corresponde al valor de la suma del voltaje de entrada y el voltaje del diodo,
permaneciendo en este valor sin importar la cantidad de corriente que circule
a travs de l. La curva del valor de corriente inicia en un valor mximo para
luego decrecer hasta alcanzar valores cercanos a cero.

El comportamiento que se registra en dichas simulaciones, corresponde al

caracterstico de un capacitor por cual circula una corriente continua, inicia
descargado y por lo tanto deja pasar toda la corriente pero a medida que
transcurre el tiempo se carga totalmente comportndose como un circuito
abierto.
81

7. Si bien los diodos son construidos con las mismas caractersticas, no tienen
exactamente los mismos valores qumicos-elctricos, los cual deriva en una
variacin pequea en la resistencia en polarizacin inversa, cuando se coloca
diodos en serie para aumentar la capacidad de bloqueo inverso es importante
que la corriente de fuga que circula por cada diodo sea la misma, ya que de
no ser as provocamos que se quemando los diodos uno por uno, para tener la
misma corriente de fuga en cada diodo colocamos resistencias en paralelo a
cada uno de ellos, siendo estas calculadas con la corriente de fuga que soporta
cada diodo cuya informacin est disponible en las caractersticas tcnicas del
mismo y el voltaje que va a circular por cada uno de ellos, distribuyendo de
forma equitativa en cada uno de los diodos la misma tensin en bloqueo
inverso y la misma corriente.
8. La hoja de datos de los diodos HVCA 2CL2FP da como dato el V p en
polarizacin directa e inversas, esto ayuda a trabajar directamente con los V p
en la panel de control, si se trabaja con los VRMS se corre el riesgo de que la
pantalla de medicin no marque el verdadero VRMS debido a la gran cantidad
de armnicos que tiene la red. Esta puedo ser una de las causas que provoco
que los diodos HVM12 se quemaran, ya que si bien la pantalla marcaba un
valor de VRMS existe la posibilidad de que el voltaje que en realidad sala del
secundario del transformador de pruebas fuese mayor a lo que marcaba la
pantalla.

9. Al elegir los diodos 2CL2FP se llega a proteger un 60% ms del nivel de

tensin planteado, esto permite que pueda soportar un pico de tensin de
90kV sobre los 150kV, siendo esto un aspecto muy importante ya que por las
pruebas dadas se observ que cuando el ambiente esta ionizado y se hace un
movimiento brusco al subir la tensin se produce picos por lo general de
30kV sobre 150kV.

10. La capsulas que forman los diodos de potencia fueron llenados con aceite
dielctrico por dos razones, la primera para que no se produzca disrupcin
82

interna entre los elementos y la segunda para tener un refrigerante para evitar
que los elementos y el propio material que forma la capsula se caliente y se
daen o trabajen de forma errnea. Se dej 1 cm sin llenar con aceite y se lo
lleno de nitrgeno seco por seguridad ya que si por alguna razn se qued una
burbuja en el interior de los diodos de potencia el nitrgeno lo absorbe
eliminando la posibilidad de que se produzca una disrupcin dentro del diodo,
adems si llegar a trabajar a temperaturas muy altas este espacio permite que
el aceite se dilate y que no explote el diodo. Los enjuagues con nitrgeno se
hicieron para preservar un mayor perodo de tiempo el aceite.
11. Es importante tomar en cuenta el cambio de las condiciones atmosfricas en
las cuales se encuentran realizando las diferentes pruebas en el laboratorio,
ya que al trabajar con altas tensiones, estas provocan campos elctricos
elevados, por lo cual la fuerza que se produce empujan los electrones de las
molculas de aire dejndolas descompensadas y formando as un camino de
iones, esto se evidencia cuando se escucha el sonido que provoca el efecto
corona el mismo que se asemeja al sonido de fritura y este efecto se da en los
contactos del circuito, o por el olor a ozono que se da en el ambiente, adems
se debe tener mucho cuidado con el calentamiento de los elementos que no
cuentan con aceite aislante, estos factores cambian las condiciones
atmosfricas en las que se est desarrollando la prctica, llegando a producir
descargas elevadas, y las mediciones pueden ser afectadas ya que se puede
fcilmente provocar una disrupcin de elemento a elemento o al pasar de un
nivel cero a una tensin elevada podemos provocar picos de tensin muy
elevado, y esto pueden daar a los diodos ya que el mximo valor que pueden
soportar los mismo tanto en polarizacin directa e inversa es de 240KV .

12. Es importante colocar dos capacitores C 2 de 25 pF en el circuito doblador

porque como se observ en las prcticas para niveles superiores a los 150kV
producen descargas en el nico capacitor C 2 que est colocado, lo cual
impide realizar las pruebas del BIL ya que al ser una descarga directa a tierra
produce el efecto de un corto circuito y como no existe una resistencia que
83

limite la corriente que circula por los diodos de potencia, estos pueden
quemarse.
13. La aplicacin de diferentes normas durante el desarrollado del dispositivo
permiten que se pueda garantizar la calidad y el correcto funcionamiento del
equipo, cumple con estndares internacionales en lo que respecta a aspectos
esenciales como el manejo del aceite dielctrico depositado en el interior de
los diodos de potencia, factores de correccin y diversos aspectos de calidad
del material aislante empleado en la construccin (grilon).
14. Los valores de rigidez dielctrica tanto en el aceite como en el grilon, estn
muy afectados por las condiciones de la prueba (p. ej., de espesor de la
muestra, las temperaturas, el tipo de voltaje, AC o DC, frecuencia, electrodos
y el medio de prueba). Por tanto, los valores varan de un mtodo a otro
(normas ASTM D 149, VDE 0303, ISO 1325, IEC 60243, DIN.53481, en el
caso del grilon). Para ello se debe prestarse especial atencin a las
condiciones en las que la aplicacin debe funcionar.

4.2

Recomendaciones
Al realizar el presente trabajo de tesis se ha podido llegar a las siguientes

recomendaciones.

1. Se recomiendo trabajar en el laboratorio con todos los elementos de seguridad

como son casco, guantes y orejeras para evitar cualquier dao a las personas,
en el caso de trabajar dentro de la jaula se recomienda utilizar los guantes
pequeos para manipular los elementos, en el caso de estar trabajando con
aceites se recomienda utilizar los guantes negros.
2. Se recomienda estar mnimo dos personas cuando se estn realizando las
prcticas, ya que si por alguna razn sucediera algn percance con una de
ellas la otra podra ayudarlo o pedir ayuda.
3. Se recomienda descargar todos los elementos del laboratorio que no estn
conectados al circuito, ya que estos pueden ser cargados estticamente.

84

4. Se recomienda manipular los diodos de potencia con cuidado y vigilar la

presencia de fugas.
5. Se recomienda tener bastante cuidado en no contaminar el aceite, es de
mucha importancia esto ya que se si se ensucia este pierde las caractersticas
elctricas.
El aceite puede contaminarse simplemente al soplarlo o con la luz del da por
lo cual hay que transportarlo en envases color ambar y mantener en un lugar
oscuro donde se guarde de la luz, una vez sacado del tanque donde es
colocado de fbrica, se recomienda realizar las pruebas de rigidez dielctrica
hasta 4 das despus.
6. Se recomienda construir elementos como resistencias, capacitores y barras
aislantes para realizar los circuitos doblador y triplicador de tensin.

85

ANEXOS

86

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88

Anexo 1
(Diodos de potencia)

Anexo 2
(Cuerpo)

Anexo 3
(Tapa)

Anexo 4
(Punta)

Anexo 5
(Terminal hacia tapa)

Anexo 6
(Terminal de circuito)

Anexo 7
(Mecanizado de las tapas, utilizando un torno)

Anexo 8
(Mecanizado del cuerpo (grilon), utilizando un torno)