DIODO UNIN
Vs (x)
(Volts)
I (y)
(Ampere)
Vs
+
Polarizacin Inversa:
Asignando diferentes valores de voltaje
negativos,
se
manifiestan
valores
negativos de corriente.
Vs (x)
(Volts)
I (y)
(Ampere)
- 2
- 4
- 4
- 6
-4
-4
Vs
-
-2
-6
I=
Corriente
directa (ID)
Tensin
directa (VD)
El efecto avalancha produce una gran tensin inversa que destruye el diodo
Corriente
directa (ID)
Tensin
directa (VD)
LA ZONA DIRECTA
En la zona directa se tienen dos importantes caractersticas :
Se debe vencer la barrera de potencial, o sea superar la tensin
umbral VK para que conduzca bien en polarizacin directa.
Aparece una resistencia interna:
aproximadamente como una resistencia.
el
diodo
se
comporta
TENSIN UMBRAL
Es el valor de voltaje a partir del cual el diodo conducir mucho, con una
corriente que se incrementa rpidamente.
A partir de la Tensin Umbral Barrera de Potencial la intensidad de la
corriente aumenta mucho variando muy poco el valor de la tensin.
Para el diodo de Silicio la tensin umbral VK es:
VK 0,7 (V)
RESISTENCIA INTERNA
A partir de la tensin umbral, el comportamiento del diodo se puede aproximar
a como se comporta como una resistencia.
Despus de superada la barrera de potencial, lo nico que se opone a la
corriente es la resistencias de la zona p y n.
La suma de estas dos resistencias se llama resistencia interna del diodo:
RD = R P + R N
I=
DISIPACIN DE POTENCIA
Se puede calcular la disipacin de potencia de un diodo de la misma
manera forma que se hace para una resistencia.
En donde:
PD = VD ID
LIMITACIN DE POTENCIA
indica cuanta potencia puede disipar el diodo sin peligro de acortar su
vida ni degradar sus propiedades.
En donde:
1ra Aproximacin
(Diodo Ideal)
2da Aproximacin
3ra Aproximacin
= 0
= 0
=
Polarizacin Inversa: El diodo se
comporta como un aislante perfecto,
como una resistencia infinita
=0
=
= 0
EJEMPLO
1RA APROXIMACIN
En Polarizacin Directa
10
10
I = 1 = 1 103 = 10
VL = Tensin en la carga
VL = 10 V
PL = Potencia en la carga
PL = VL * I = 10 V * 10 mA = 10 V * 10 *10-3 A = 100 mW
PD = Potencia disipada en el diodo
PD = VD * I = 0 V * 10 mA = 0 W
PT = Potencia disipada Total
PT = PL + PD = 100 mW + 0 mW = 100 mW
2DA APROXIMACIN
El comportamiento del diodo se aproxima a una vertical y a una horizontal
que pasan por el voltaje umbra Vk. Para el caso particular del diodo de
Silicio Vk = 0,7 (V)
Vk
Polarizacin directa:
Ocurre cuando Vp > 0,7 V
El comportamiento diodo ser
un
interruptor
cerrado
conectado en serie a una
batera,
Para el caso de un diodo de
Silicio VD = 0,7 V.
VP = VD + VR
VP = 0,7 + I * R
=
0,7
Polarizacin Inversa:
Ocurre cuando Vp < 0,7 V
El comportamiento del diodo se
asemeja a un interruptor abierto.
I=0
VR = 0
EJEMPLO
2DA APROXIMACIN
Analizamos en polarizacin directa
3RA APROXIMACIN
En este caso el diodo se aproxima a una recta que pasa por 0,7 V.
Este modelo considera una resistencia interna del diodo rB
Polarizacin directa:
Ocurre cuando Vp > 0,7 V
El comportamiento diodo ser un
interruptor cerrado conectado en
serie a una batera y una
resistencia rB
Para el caso de un diodo de
Silicio VK = 0,7 V.
Polarizacin Inversa:
Ocurre cuando Vp < 0,7 V
El comportamiento del diodo se
asemeja a un interruptor
abierto.
I=0
VR = 0
EJEMPLO
3RA APROXIMACIN
Si se considera rB = 0,23 como valor de la resistencia interna.
LKV
Vp = Vk + (rB + RL)I
10 = 0,7 + (0,23 + 1000)I
10 0,7
= 0,23+1000 = 9,3 mA
VD = 0,7 + 0,23 9,3 10-3 = 0,702 V
El uso del hmetro para probar diodos lo nico que se desea saber
es el diodo tiene una resistencia pequea con polarizacin directa
y una resistencia grande con polarizacin inversa.
hmetro en Polarizacin
Directa. Resistencia
pequea: Corto Circuito
hmetro en Polarizacin
Inversa. Resistencia
grande: Circuito Abierto
Diodo en cortocircuito.
Characteristic
Symbol
Value
Unit
1.0
Characteristic
Symbol
Value
Unit
1.0
Characteristic
Symbol
IRM
Value Unit
5.0
50
BIBLIOGRAFA
Malvino A.
Principios de Electrnica,
Editorial Mc GRAW HILL, 6ta edicin, ISBN: 8448125681
2000