GEII
Departement
Institut Universitaire de Technologie de Mulhouse
Elements
doptoelectronique
p. 1/16
Elements
doptoelectronique
p. 2/16
Plan du cours
Dfinitions et Rappel sur la lumire
-Lumire et ondes
-Lumire et photons
-Interaction lumire matire
-Modle electron-noyau
-Energie dun lectron
Elements
doptoelectronique
p. 3/16
Plan du cours
Dfinitions et Rappel sur la lumire
-Lumire et ondes
-Lumire et photons
-Interaction lumire matire
-Modle electron-noyau
-Energie dun lectron
Le Laser
-Principe du laser (mission stimule, pompage, cavit)
-Proprits dun faisceaux laser : cohrenced, gomtrie
-Comparaison avec sources classiques
Elements
doptoelectronique
p. 3/16
Plan du cours
Dfinitions et Rappel sur la lumire
-Lumire et ondes
-Lumire et photons
-Interaction lumire matire
-Modle electron-noyau
-Energie dun lectron
Le Laser
-Principe du laser (mission stimule, pompage, cavit)
-Proprits dun faisceaux laser : cohrenced, gomtrie
-Comparaison avec sources classiques
Elements
doptoelectronique
p. 3/16
Plan du cours
Dfinitions et Rappel sur la lumire
-Lumire et ondes
-Lumire et photons
-Interaction lumire matire
-Modle electron-noyau
-Energie dun lectron
Le Laser
-Principe du laser (mission stimule, pompage, cavit)
-Proprits dun faisceaux laser : cohrenced, gomtrie
-Comparaison avec sources classiques
Elements
doptoelectronique
p. 3/16
Plan du cours
Dfinitions et Rappel sur la lumire
-Lumire et ondes
-Lumire et photons
-Interaction lumire matire
-Modle electron-noyau
-Energie dun lectron
Le Laser
-Principe du laser (mission stimule, pompage, cavit)
-Proprits dun faisceaux laser : cohrenced, gomtrie
-Comparaison avec sources classiques
Elements
doptoelectronique
p. 3/16
Loptolectronique
Etude des composants qui emettent,
Filtrage
Optique
Source
Elements
doptoelectronique
p. 4/16
Intrt de loptique?
Optique : transmission de trs grande capacit (voir proprits lumire)
Les photons nchangent pas dnergie(compatibilit lectromagntique. . . )+
vitesse de propagation
Elements
doptoelectronique
p. 5/16
Exemples :
La temprature est champ scalaire->
Champ de vitesse locale dun fluide->
on peut gnraliser..
Reprsentation ?
Elements
doptoelectronique
p. 6/16
Champs : exemples
Elements
doptoelectronique
p. 7/16
La force lectrique
Analogie avec la force
gravitationnelle F M m/r
(direction,sens), mais
intense!
Deux types de matire positive et
ngative : notion de "Charges".
Force electrique
+
?
Elements
doptoelectronique
p. 8/16
Loi de Coulomb
|F | =
q1 q2
2
40 r12
Elements
doptoelectronique
p. 9/16
Champ lectrique
Force par unit de charge : Champ lectrique E
Ex:
E(1) =
1 q2
e21
40 r2
N
X
j
1 qj
ej1
40 rj
Elements
doptoelectronique
p. 10/16
F.ds
ds
E.ds
Elements
doptoelectronique
p. 11/16
(b) (a)
(b
a
(a)
P0
Elements
doptoelectronique
p. 12/16
Potentiel
Principe de superposition!
X qj 1
(1) =
40 rj
j
Forme diffrentielle :
Wu =
E.ds E =
Elements
doptoelectronique
p. 13/16
nergie darrachement
Atome=
nergie fournir pour loigner
noyau(proton+neutron)+lectron
llectron du noyau :
qq
W = qV =
40 r
Electron
'$
?
-l
&%
Noyau
Elements
doptoelectronique
p. 14/16
Atome isol
W (eV)
Distance x (m
W1
Elements
doptoelectronique
p. 15/16
En rsum
Il existe une force entre deux charges : la force coulombienne
une charge cre un champ E dans lespace
lnergie lie au dplacement dune charge permet de dfinir le potentiel (V )
Champ et potentiel lectrique vrifient le principe de superposition
En lectrostatique : E =
Elements
doptoelectronique
p. 16/16
B
t
Maxwell Ampre :
H=j+
D
t
Elements
doptoelectronique
p. 17/16
Sources du champ?
Charges et champ lectrique :
E =
Elements
doptoelectronique
p. 18/16
Rappel : Ondes
Source : caillou dans
leau!
Perturbation :
lvation de leau
La pertubation se
propage
Surface
source
La matire ne se
Surface quiphase :
dplace pas
(bouchon, ballon. . . )
mais lnergie se
propage
Elements
doptoelectronique
p. 19/16
Exemple : le son.
Front do
Surpression
Pression
Perturbation du milieu
Cette perturbation est longitudinale
(Objet Vibrant)
Elements
doptoelectronique
p. 20/16
La Lumire
La lumire est une perturbation du
champ lectromagntique qui se
propage
Nature lectromagntique :
caractris par un couple (E, B)
Elements
doptoelectronique
p. 21/16
Nature de la lumire
Champ electrique
Nature lectromagntique de la
= cT
lumire
Longueur donde (mtre)
Priode T (seconde)
c=vitesse de la lumire dans le
vide( 3.108 m.s1 )
E = E0 cos(t kz)
I |E|2 .
Elements
doptoelectronique
p. 22/16
Propagation?
E = E0 cos(t k.z)?
Solutions Maxwell de la forme :
f (x, t) = f1 (z ct) + f2 (z + ct)
Champ a` linstant t1
Champ a` linstant t0
z0
z1
Elements
doptoelectronique
p. 23/16
Spectre lectromagntique
Spectre visible
Energie
croissante
Rayons X
109
Ultra-violet
700
Visible
400
Infrarouge
106
Microondes
103
(m)
Elements
doptoelectronique
p. 24/16
Polarisation
E
z Dire
ction
de
pr opa
gation
Elements
doptoelectronique
p. 25/16
Resum
Elements
doptoelectronique
p. 26/16
`
Source de lumiere
Energie
(electrique,
thermique, source primaire . . .)
Elements
doptoelectronique
p. 27/16
Units?
Grandeurs photomtriques : Il existe des quantits dunits lumineuses dont les noms
varient parfois dune discipline lautre!
Il faut toujours sappuyer sur les concepts de base:
1
0,8
0,6
0,4
0,2
0
350
450
550
650
750
Elements
doptoelectronique
p. 28/16
Flux
Le rayonnement optique transporte de lnergie! Flux nergtique: nergie
mise par unit de temps dans toute les directions (puissance). Unit : le WATT
(W).
Autre grandeur appele Flux, lie lOeil humain : le flux visuel. correspond la
stimulation visuelle loeil. Unit : le LUMEN.
Lien Lumen-watt :
l (0 ) = K(0 )w 0
| {z }
| {z }
Lumen
avec = 680 et K
fonction de sensibilit spectrale.
W att
11111111
00000000
00000000
11111111
00000000
11111111
00000000
11111111
00000000
11111111
00000000
11111111
00000000
11111111
00000000
11111111
000000
111111
00000000
11111111
000000
111111
Aire 2 m2
00000000
11111111
000000
111111
00000000
11111111
000000
111111
000000
111111
000000
111111
Eclairement
0,5 Lux
111
000
000
111
000
111
000
111
000
111
000
111
000
111
2
000
111
Aire
1
m
000
111
000
111
Eclairement
1 Lux
Elements
doptoelectronique
p. 29/16
Intensit
S(R)
Angle solide :
= S/R2
4 pour lespace entier. Cas dune surface oriente :
dA. cos
d =
R2
=1
O
V
Intensit :
I=
d
d
Elements
doptoelectronique
p. 30/16
Luminance
A flux constant : source de petite dimension plus brillante quune source tendue.
luminance
Luminance : Intensit divise par la surface apparente de la source. Watt.sr1 m2 :
Le =
dIe
d
avec
d = d A cos
dA
brillante)
Elements
doptoelectronique
p. 31/16
Exemples
Ciel toil
Pleine Lune
Bougie
clairage de bureau
Plein soleil
Laser He-Ne 1 mW
Elements
doptoelectronique
p. 32/16
d (x)
dx
= (x)
r
i
Elements
doptoelectronique
p. 33/16
En rsum
Deux types de grandeur : visuelle et nergtique.
Flux : caractrise la puissance du Faisceau (W) W =
R t2
t1
dt
Elements
doptoelectronique
p. 34/16
Sources incandescentes
De nombreux corps mettent de la lumire lorsquils sont chauffs! Sources
"usuelles" :
Le Soleil
Arc lectrique : dcharge entre deux lectrodes au carbone. Source de lumire
blanche intense contenant toutes les radiations visibles +infrarouge.
Elements
doptoelectronique
p. 35/16
Densite denergie
(u.a.)
3
T=7000 K
Proprits :
Spectre demission
du corps noir
T=6000 K
T=5000 K
d =
T=4000 K
0
300
700
1300
2100
2hc
5 exp(
1
hc
kB T
1)
Exemples.
Soleil : 6000K, Lampe a filament : 2500K. Application : Temprature des toiles.
Elements
doptoelectronique
p. 36/16
Quanta dnergie?
Modlisation du corps noir : problmes! Saturation des niveaux suprieurs!
"Catastrophe de lUV" (intgration=nergie infinie!).
Elements
doptoelectronique
p. 37/16
Atomistique
Quelle est la structure dun atome isol?
Un atome est constitu de :
Nuclons
?
Electron
Elements
doptoelectronique
p. 38/16
Modle de Bohr
Comment
lectrons
sorganisent
autour
du
les
noyau?
Niveaux denergie
Orbite 1 :
E1
E2
1
0
Noyau
Orbite 2 :
Orbite 3 :
E2
E1
E3
orbite->perte dnergie?
Elements
doptoelectronique
p. 39/16
Niveaux dnergie
Donnes par la mcanique quantique!
Que nous dit la mcanique quantique?
On associe cette particule une fonction donde, qui dcrit son tat.
La notion de trajectoire et donc "dorbite" est abandonne pour celle de "fonction
donde" (r) rgie par lquation de Schrdinger :
~2
(cas des systmes isols) La rsolution de cette quation donne les niveaux
dnergie!
Que faut-il en retenir pour un lectronicien?
Elements
doptoelectronique
p. 40/16
Elements
doptoelectronique
p. 41/16
Niveaux dnergie
Nombre quantique principal (couche
lectronique) :
n
Dsignation
1
K
2
L
3
M
l
Dsignation
0
s
1
p
2
d
3
f
Elements
doptoelectronique
p. 42/16
Niveaux dnergie
Notation : niveaux dnergie.
Nombre quantique principal (couche
lectronique) :
n
Dsignation
1
K
2
L
3
M
0
s
1
p
2
d
3
f
Energie
4f
4d
4p
4s
3d
3p
3s
2p
2s
1s
Elements
doptoelectronique
p. 42/16
Rgles de Klechkowsky
1s
2s
2p
3s
3p
3d
4s
4p
4d
5s
5p
6s
6p
7s
7p
2 e par sous-couche s
5d
6d
4f
5f
6f
6 par sous-couche p
10 par sous-couche d
14 par sous-couche f
Elements
doptoelectronique
p. 43/16
Classification priodique
Dans la classification priodique de Mendeleiev, un atome X est reprsent par :
A
ZX
19
9 F
Elements
doptoelectronique
p. 44/16
Classification priodique
Importance
Elements
doptoelectronique
p. 45/16
En bref
Source lumineuse? Etude du corps noir.
Corps noir->Quantification de lnergie!
mission de lumire li aux niveaux dnergie.
Structure des niveaux dnergie dans la matire?
Mcanique quantique 4 nombres dcrivant les etat (lnergie) dun lectron
Remplissage des couches et sous couches
Tableau priodique des lements (colonne=nombres de- externes).
Elements
doptoelectronique
p. 46/16
Interaction matire-rayonnement
Quel rapport entre ce qui nous interesse et la structure lectronique dun atome?
Flux incident
echi
Flux refl
Flux emis
Flux diffuse
111111111
000000000
000000000
111111111
Flux refract
e
000000000
111111111
Flux absorbe
000000000
111111111
000000000
111111111
Dans un premier temps, labsorption et lemission de lumire peuvent tre compris
grce cette structure lectronique.
Elements
doptoelectronique
p. 47/16
Absorption
labsorption se produit si le
Niveaux denergie
Niveau 2
E2
E2 E1
h
Absorption
E1
niveaux permis.
Niveau 1
Elements
doptoelectronique
p. 48/16
Niveaux denergie
E2
Niveau 2
Emission spontanee
E1
Niveau 1
Elements
doptoelectronique
p. 49/16
Elements
doptoelectronique
p. 50/16
Les Lasers
Bref historique
Intrt?
Interaction lumire-matire
Nature du faisceau ; Cohrence temporelle, spatiale (direction), spectre.
Proprits gomtrique. Les faisceaux gaussien : forme, focalisation paramtre
M
Elements
doptoelectronique
p. 51/16
Elements
doptoelectronique
p. 52/16
Gnralits
LASER : Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation.
Les lasers peuvent avoir des proprits trs variables :
Elements
doptoelectronique
p. 53/16
Photons induits?
Niveaux denergie
E2
incident
Mme longueur donde!
Nivea
Emission ind
Mme phase
Base effet Laser!
Mme polarisation
E1
Nivea
Elements
doptoelectronique
p. 54/16
N2 < N1
Augmenter N2 pour favoriser lemission induite?
Pompage optique avec des paramtres ralistes!
Inversion de population : N2 > N1 emission stimule
Elements
doptoelectronique
p. 55/16
Energie
(eV)
21 S
3s
3.39m
Transfert par
collision
20
0, 633m
2s
23 S
1, 15m
Pompage
par
decharge
electrique
1s
(m)
Desexcitation
par
collisions
(ddp : 1 a` 2 kV)
,534 vert
0,594 jaune
0,612 orange
0,633 rouge
1,15 IR
3,39 IR
Helium
Neon
Elements
doptoelectronique
p. 56/16
Reflection
totale
Reflection
partielle
Elements
doptoelectronique
p. 57/16
Elements
doptoelectronique
p. 57/16
Emission stimulee
Gaz/cavit
Pompage : dcharge
lectrique . . .
Inversion de
population! N2 > N1
Emission stimule
Pompage
Elements
doptoelectronique
p. 57/16
Gaz/cavit
Pompage : dcharge
lectrique . . .
Inversion de
population! N2 > N1
Pompage
Emission stimule
Amplification par
rtroaction
Elements
doptoelectronique
p. 57/16
Gaz/cavit
Pompage : dcharge
lectrique . . .
Inversion de
population! N2 > N1
Pompage
Emission stimule
Amplification par
rtroaction
Filtrage cavit,
faisceau laser
Elements
doptoelectronique
p. 57/16
Importance de la cavit
Amplification : expliqu par lemission stimule!
problme : gain insuffisant!
obliger les ondes repasser dans le milieu actif pour obtenir une amplification
suffisante.
Cavit : dispositif de rtroaction optique gnralement obtenu par 2 miroirs.
Elements
doptoelectronique
p. 58/16
z
L
Elements
doptoelectronique
p. 59/16
R1 = R2 = L
Stabilit=confiner le rayonnement
Calcul matriciel en paraxial!
L
L
)(1
)1
0 (1
R1
R2
0 g1 g2 1
R1 = R2 =
g2
g1 g2 = 1
-1
g1 g2 = 1
R1 = R2 = L/2
1
-1
R1 = 2L
R2 =
Elements
doptoelectronique
p. 60/16
Elements
doptoelectronique
p. 61/16
Elements
doptoelectronique
p. 62/16
Faisceau gaussien
Fronts donde
solution de lquation :
1 E
r r
w(z) = w0 zz
w0
z=0
E
r r = 2ik E
z
z
zr
de lumire divergent.
en z = 0 w0 : rayon de ceinture.
Elements
doptoelectronique
p. 63/16
Faisceau gaussien
Profil de lintensit
transverse.
I exp
2r
w02
I/Imax
Zr =
w02
: longueur de
Rayleigh. Mesure la
divergence du faisceau.
Ex : He-Ne?
LIDAR1km.
e
w(z)
w(z)
Elements
doptoelectronique
p. 64/16
Faisceau gaussien
=
Elements
doptoelectronique
p. 65/16
Rayon et waist en z
Rayon de ceinture
w/w0
Rayon de courbure
normalisee
R(z)
du front donde
z/zR
2z R
1
1
q
2
w(z) = w0 1 + z 2 /zR
z/zR
z/zR
R(z) = z(1 +
2
zR
z2
Elements
doptoelectronique
p. 66/16
Remarque : paramtre M
Utilis pour dcrire les carts aux faisceaux parfaitement gaussiens.
r
z
w(z) = w0 1 + M 2 ( )2
zR
Elements
doptoelectronique
p. 67/16
longueur donde
temps demission
puissance
focalisation
Dangers potentiels
Vision du faisceau avec un instrument
Vision directe (oeil nu)
Rflexions diffuses
Risque pour la peau
Risque dincendie
1
-
2
-
3A
X
-
3B
X
X
-
4
X
X
X
X
X
Elements
doptoelectronique
p. 68/16
Laser : en rsum
Il faut donc :
Emission induite la base de leffet Laser
Prsences dtats metastable.
Ncessit dun "pompage" (Diffrents type?) vers ces tats!
Elements
doptoelectronique
p. 69/16
Semi conducteur
Structure dun SC?
Cristal ; bandes dnergie
Bande de valence-Bande de conduction
Conduction lectrons-trous
Statistique de Fermi-dirac
Semi conducteur intrinsque, semi conducteur extrinsque : dopage.
Jonction
Dtecteurs optiques
Elements
doptoelectronique
p. 70/16
Elements
doptoelectronique
p. 71/16
C
Z=6 : 1s2 2s2 2p2
H
H
C H
H
Elements
doptoelectronique
p. 72/16
Cas du Silicium?
Silicium : mme colonne que le carbone soit 4 lectrons priphriques
S
Formation dun cristal de silicium
Elements
doptoelectronique
p. 73/16
Cristal de silicium
Atome isol
Plusieurs
atomes :
possibilit de liaison covalente grce
aux lectrons priphriques. Mise en
commun dlectron.
Niveaux denergie
?
Elements
doptoelectronique
p. 74/16
Elements
doptoelectronique
p. 75/16
Cristal monodimensionnel
V (x)
Allure du potentiel
dans une chaine datomes
Potentiel-force
Connaissance prcise du potentiel :
compliqu!
Modle simplifi.
Vext : potentiel de sortie. E>Vext
llectron peut sortir du cristal.
E<V0 lectron li au noyau
E>V0 lectron libre!
Schrdinger : apparition de
"bandes dnergie". Niveaux quasi
continus dnergie.
V (x)
Vext
Fonction approchee
du potentiel cristallin
V0
Elements
doptoelectronique
p. 76/16
Atome isol-Cristal
Atomes
Cristal
Energie
Distance Interatomique
Elements
doptoelectronique
p. 77/16
Bande
de conduction
Bandes
de valence
Bandes
continues
E
E2
E1
Elements
doptoelectronique
p. 78/16
Energie
des electrons
Ec
Ef
Eg
Bande interdite
Ev
Bande de Valence (BV)
Elements
doptoelectronique
p. 79/16
Comparaison : SC/isolant
Gap de quelques matriaux :
Germanium : 0,67 eV
Silicium : 1.12 eV
Diamant : 5,5 eV
Silice : 8 eV
Elements
doptoelectronique
p. 80/16
Conduction dans un SC
Passage des e de BV BC :
lectrons+trous nergie+liaison
trou=lacune dlectron
Application dun champ lectrique
: conduction
Circulent en sens inverse des e .
conduction par lectrons-trous
Par dfinition :
Cration dune paire lectrons-trous
: gnration
+
+
+
+
+
+
+
Elements
doptoelectronique
p. 81/16
Effet de la temprature?
Importance de la temprature :
comment la quantifier?
Fonction de FermiDirac
1.1
et BV selon T? statistique de
Fermi Dirac (Physique statistique).
se trouve dans un tat dnergie E :
f (E) =
1
1 + exp
(EEF )
kT
k : constante de boltzmann=
1,38.1023J.K 1
T : temprature absolue (K)
f (E)
T=0 K
0.9
0.7
0.5
0.3
T>0
0.1
0.1
EF ermi
Energie
2kT
Elements
doptoelectronique
p. 82/16
statistique de Fermi-Dirac
T=0 :
Distribution en chelon.
Peuplement par le niveau le + bas.
Fonction de FermiDirac
occup
fig
T6=0 :
talement de la fonction.
peuplement des niveaux>EF
dpeuplement des niveaux <EF
1.1
T=0 K
0.9
0.7
0.5
0.3
T>0
0.1
quilibre dynamique!
Semi conducteur : niveau de Fermi
0.1
EF ermi
Energie
2kT
Elements
doptoelectronique
p. 83/16
Quantit de porteur?
Pour connaitre la conductivit du semi conducteur, il faudrait le nombre moyen
dlectrons n dans la BC! Cest a priori facile!
Probabilit de prsence dun tat dnergie nombre dtats dans cette nergie
n = f (E) g(E)
ECmax
ECmin
f (E) g(E)dE
Elements
doptoelectronique
p. 84/16
Donneur
Accepteur
3d10 4s2 4p1
Rayon atomique
croissant
Halognes
Gaz rares
Elements
doptoelectronique
p. 85/16
SC extrinsque : Dopage N
Dopage N : lment de la colonne V : 5 lectrons priphriques. Donneur
dlectron.
Elements
doptoelectronique
p. 86/16
Niveaux dnergie
Apparition dun niveau donneur proche de la BC!
Dplacement du niveau de Fermi vers la BC
E
EC
Ed
EF
EV
P
As
Sb
Ge
0,012
0,013
0,01
Si
0,044
0,049
0,039
Elements
doptoelectronique
p. 87/16
SC extrinsque : Dopage P
Dopage P :
Elements
doptoelectronique
p. 88/16
Elements
doptoelectronique
p. 89/16
Jonction PN
Runion dune rgion dope N et dune rgion dop P.
Jonction PN ou Diode.
Combinaison des porteurs de charges mobiles dans cette zone zone despace
vide de porteurs de charges mobiles (=isolante)
Jonction
Anode
Anode
P
Cathode
Diode
(composant)
Cathode
Diode
e)
(circuit integr
Elements
doptoelectronique
p. 90/16
Jonction PN
+
+
+
+
+
1111
0000
0000
1111
0000
1111
+
0000
1111
- E +
0000
1111
0000
1111
0000
1111
+
0000
1111
+
0000
1111
0000
1111
0000
1111
id
is
Elements
doptoelectronique
p. 91/16
Jonction PN : ilustration
11
00
00
11
00
11
00
11
00
11
Accepteurs
Trous
Region
p
111
000
000
111
00
11
0
1
00
011
1
0
1
0
1
0
1
Donneurs
Electrons
Jonction
Region
n
Charge volumique
Champ electrique
Potentiel electrique
Elements
doptoelectronique
p. 92/16
Polarisation de la jonction
Appliquer une champ lectrique afin de modifier la barrire de potentiel
Polarisation directe :
Autoriser les porteurs majoritaires se dplacer.
eV
1
kT
Polarisation inverse
V conforte la barrire de potentiel
Elements
doptoelectronique
p. 93/16
En bref
Passage au cristal : apparation de bande continues : bande de valence, bande
interdite (gap), bande de conduction
Elements
doptoelectronique
p. 94/16
Elements
doptoelectronique
p. 95/16
photovoltaque
photolectromagnetique
Effets externes
photomission (photomultiplicateur
...)
Elements
doptoelectronique
p. 96/16
Effets internes
hc
>>
E
avec
E = Ec Eb (intrinsque)
E = Ec Ed (extrinsque)
Ec
Ef
Eg
Ev
Energie
des electrons
Energie
des electrons
Bande de condu
Ec
Eg
Ev
Bande de Valence (B
Elements
doptoelectronique
p. 97/16
Caractristique
Beaucoup de dtecteurs se comportent comme des gnrateurs de courant : tude
du courant pour dterminer les paramtres caractristiques :
Courant dobscurit
Sensibilit
Rponse spectrale
Influence du bruit (FEB, Dtectivit)
Elements
doptoelectronique
p. 98/16
Courant dobscurit io
Courant permanent dun dispositif plac dans lobscurit.
Il en rsulte que :
Elements
doptoelectronique
p. 99/16
Sensibilit S
S=
ip
ip
Sensibilit au flux
sensibilit spectrale
Elements
doptoelectronique
p. 100/16
q
hc
Elements
doptoelectronique
p. 101/16
Influence du bruit
Flux quivalent au bruit m (FEP/ NEP) : Flux produisant un courant quivalent au
courant de bruit.
Si dtecteur linaire :
i = S
donc
F EB = m =
iB
S
i
B
S A f
W.Hz1/2
Elements
doptoelectronique
p. 102/16
Dtectivit
Inverse du FEB : augmente avec la qualit du Capteur.
Dtectivit spcifique D
A f
D =
F EB
cm.Hz1/2 .W1
Notation
Les fiches techniques fournissent les conditions de mesures.
D ( ; f ; f )
Elements
doptoelectronique
p. 103/16
Photorsistances
Symbole
rsistance. photoconduction
Elements
doptoelectronique
p. 104/16
i=
E
Rp
et par dfinition
107
106
S=
di
d
105
104
103
102
Ev (lx)
0,1
10
100
1000
RP
E
RL
Elements
doptoelectronique
p. 105/16
Rponse spectrale
Sensibilit relative la sensibilit maximum.
Fournie par le constructeur, dpend du
semi conducteur utilis.
Sr ()
CdS
CdSe
0,5
(nm)
300
400
500
600
700
800
900
1 000
Reponse
spectrale relative. Photoresistance
au sulfure de Cadmium
eniure
et sel
de Cadmium
Elements
doptoelectronique
p. 106/16
Elements
doptoelectronique
p. 107/16
Montages lmentaires
Dtection de la rsistance variable!
VCC
VCC
R2
i=
VCC
(Rb +Rp )
mA
RP
R1
RP
`
Photometre
Eclairage
publique
Elements
doptoelectronique
p. 108/16
[0,3-3] m
2,2 m
1,5 M
8.104 V.W1
4.1010 cm.Hz1/2 .W1
6 mm6 mm
100 s
Elements
doptoelectronique
p. 109/16
Photodiode
Diode jonction sensible la lumire. Plusieurs modes : photoconduction,
photovoltaque. La fonction dpend :
de la polarisation
de la rsistance de charge
Elements
doptoelectronique
p. 110/16
Mode photovoltaque
i = ip . Linarit courant-flux.
Problme si faible flux (courant
M1
dobscurit).
En tension si R leve.
Elements
doptoelectronique
p. 111/16
VD
Droite
Quadrant III :
III
dattaque
Elements
doptoelectronique
p. 112/16
rd
Cd
Cp
Temps de rponse dpendant de la capacit et de la rsistance du circuit! (systme du premier ordre) Paramtre optimiser!
Rsistance de charge faible.
Capacit Cd <<
I
Cd
Cp
Elements
doptoelectronique
p. 113/16
Autres photodiodes
Photodiode avalanche : plus rapide, meilleur sensibilit. Courant multipli
parnun coefficient M dpendant de la tension inverse.
M=
1
1 ( VvB )m
Elements
doptoelectronique
p. 114/16
Photodiode : Rsum
La caractristique courant-tension donne le mode de fonctionnement.
Cadrant I.
u et i positifs ;
photodiode=rcepteur. Laisse passer un courant important au-del de la tension
de seuil=comportement diode au silicium classique (ne dpend pas de
lclairement).
Cadrant IV.
i est ngatif, u positif.
puissance instantane p = u.i ngative : photodiode = gnrateur. Mode
photovoltaque(ex :panneaux photovoltaques)
Pas de relation simple entre la tension produite et lclairement.
Cadrant III.
Pour u < 0 : passage dun courant ngatif trs faible, (courant inverse ou
photocourant :A) , proportionnel lclairement (rigoureusement si u = 0).
Mode photoconducteur.
instrumentation : photomtres, colorimtres, spectrophotomtres.
Elements
doptoelectronique
p. 115/16
Phototransistor
Reprsenta
quivalente
Elements
doptoelectronique
p. 116/16
Optocoupleur (Photocoupleur)
Dfinition
Composant destin transmettre linformation avec un isolement lectrique grce
un couplage optique entre entre et sortie.
Photocoupleur=photometteur+photorcepteur dans une bote!
galement appel optoisolateur.
Elements
doptoelectronique
p. 117/16
Rsum
Photorsistance :
Simple SC dop.
Elements
doptoelectronique
p. 118/16
Cristallin. Rendement :
Semi cristallin. Rendement :
amorphe. Rendement :
Elements
doptoelectronique
p. 119/16
Energie
solaire
en kW.h.m2 .jour
Production annuelle panneau solaire photovoltaque 100 kWh par m2 (majeure
partie de lEurope)
Production franaise dlectricit : 550 TW.h en 2002.
->5 milliard de m2, soit 5.000 km2 environ (1% du territoire).
Elements
doptoelectronique
p. 120/16
Diode lectroluminescente
Puce
semi conductrice
Reflecteur
hc
Eg
Lenti
Con
Elements
doptoelectronique
p. 121/16
Injection de porteur
E
Bande de conduction
EC
EV
+
Bande de valence
Bande de conduction
-
EC
EV
+
+
+
Jonction polarisee
Bande de valence
Elements
doptoelectronique
p. 122/16
Intensite
Relative
20
40
60
Intensite lumineuse=f(courant)
Intensite
relative
10
80
iD (mA
20
30
1
0,8
40
0,6
50
0,4
60
70
80
Elements
doptoelectronique
p. 123/16
Mode dattaque?
Diode polarise en direct. Point de fonctionnement : intersection droite dattaque et
courbe caractristique.
iD
T2
T1 T0
iD
T2
T1
T0
iD
T2
T1
T0
v
Tension : Emballement thermique
v
Courant : Ok
R
Vcc
Elements
doptoelectronique
p. 124/16
Elements
doptoelectronique
p. 125/16
Rponse en courant
e
T1
Effet laser
T2 > T1
LED
iD
iT
Elements
doptoelectronique
p. 126/16
Elements
doptoelectronique
p. 127/16
Profil spatial
Faisceau elliptique!
grand axe=petit cot de la diode.
Optique corrective pour rendre le faisceau circulaire
y
dx
x
dy
Elements
doptoelectronique
p. 128/16
diode laser/LED
Diode Laser
LED
1 nm
50 nm
(nm)
(nm)
Elements
doptoelectronique
p. 129/16
Problmes
Applications trs diffrentes (monochromaticit, longueur de cohrence)!
astigmatisme/faisceau elliptique
qualit de faisceau infrieur un laser He-Ne
Elements
doptoelectronique
p. 130/16
Comparaison Lasers
LSC
Bandes de conduction
et de valence
Densit de porteurs
Injection dun courant
Autres lasers
Niveaux dnergie
atomique
Densit dinversion
de population
Pompage
Elements
doptoelectronique
p. 131/16
Caractre de la modification
Quantit mesure
Direction de propagation
Dviation
Flux
paisseur, composition ch
ique
Frquence
Changement de frquence
Rpartition
lnergie
Phase
Polarisation
rotation, changement
Pression, contrainte
spectrale
Vitesse dplacement
de
Temprature de la source
lmission
Elements
doptoelectronique
p. 132/16
Elements
doptoelectronique
p. 133/16
Optique gomtrique
But : dcrire la propagation de la lumire avec les rayons lumineux
Direction et sens = ceux de londe lumineuse.
Caractristique dun milieu optique :
Elements
doptoelectronique
p. 134/16
c
>1
v
Elements
doptoelectronique
p. 135/16
Chemin optique
Chemin optique LAA entre A et A : longueur parcourue par la lumire dans le vide
pendant le mme temps quelle mettrait parcourir AA le milieu dindice n.
LAA =
cdt =
t
n. d s
A
Elements
doptoelectronique
p. 136/16
Principe de Fermat
nonc (simplifi) :
La lumire prend toujours le chemin le plus rapide pour aller dun
point un autre .
Elements
doptoelectronique
p. 137/16
La Lumire : Rflection-Rfraction
Rfraction : nom donn au phnomne de dviation de la lumire quon peut
observer lorsque elle change de milieu.
Quantitativement.
Loi de Snell-Descartes : Rfraction dun rayon lumineux.
n1 sin i1 = n2 sin i2
i1 ,i2 : angle entre la normale au dioptre et le rayon. Dduite du principe de
Fermat (Exemple du nageur).
Elements
doptoelectronique
p. 138/16
n1
n0 sin il = n1 sin
2
On dit quil ya rflexion totale interne.
NB :Rfraction, angle critique diffrent selon la couleur!
n0
echi
Rayon refl
i2
Elements
doptoelectronique
p. 139/16
Lentilles Minces
Dfinition.
Lentille sphrique : milieu transparent limit par deux surfaces sphriques ou
une surface sphrique et une plane.
Axe optique principal : Axe autour duquel la lentille possde une symtrie de
rvolution.
Centre optique
Elements
doptoelectronique
p. 140/16
Elements
doptoelectronique
p. 141/16
Formule de conjugaison
Formule de conjugaison. Permet de trouver les positions relatives images.
1
1
1
=
OA
OA
OF
Elements
doptoelectronique
p. 142/16
Elements
doptoelectronique
p. 143/16
Elements
doptoelectronique
p. 144/16
Gnralits
Gaine (n2 )
(Cladding)
Revetement
Coeur (n1 )
[Core]
Elements
doptoelectronique
p. 145/16
Inconvenients/Intrt
Avantages :
connectique,
rticence du secteur industriel face un produit nouveau,
mise en uvre ncessitant une formation particulire,
Elements
doptoelectronique
p. 146/16
15
Paire
torsadee
Blindee
RG22U
Coaxial
RG220U
coaxial
RG217U
Gradient dindice
=0.85 m
10
Gradient dindice
= 1.3 m
= 1.3m
BP (Mhz)
0
0.1
10
100
1000
10000
100000
Elements
doptoelectronique
p. 147/16
Pour des diamtres beaucoup plus grands que la longueur donde les deux thories
se rejoignent (approximation de loptique gomtrique).
Elements
doptoelectronique
p. 148/16
Air
n1
a : Rayon du coeur
n1 : indice du coeur
n2 : indice de la gaine<
rg : rayon de la gaine
n1
Saut dindice en rg = a
n2
a
rg
Paramtres particuliers.
-Diffrence dindice normalise (mesure du saut dindice) : =
n1 n2
n1
Elements
doptoelectronique
p. 149/16
n2
n1
Principe : Pour quun rayon soit guid, tous les rayons lumineux heurtant linterface
entre le cur et la gaine devront respecter la condition de rflexion totale interne.
Condition dinjection.
Elements
doptoelectronique
p. 150/16
Cone
dacceptance
q
= n21 n22
m
Gaine
Une grande O.N permet de coupler une grande quantit de lumire issue dune
source assez divergente (LED).
Elements
doptoelectronique
p. 151/16
Gradient dindice
Elements
doptoelectronique
p. 152/16
Monomode et multimode
Un mode est une forme du champ (de rayon lumineux) qui peut se propager dans la
fibre.
Fibre multimode : coeur de rayon important (jusqu 100 m). Plusieurs tats du
champ sont possibles dans la fibre. A chaque inclinaison correspond un
groupe de rayons auquel on peut associer un mode.
Fibre multimode
n2
z
n1
Elements
doptoelectronique
p. 153/16
Support
pour fibre nue
ou connectorisee
Laser
Fibre
x
Micro
positionnement
z
y
Elements
doptoelectronique
p. 154/16
P1
10
= log
L
P0
Elements
doptoelectronique
p. 155/16
Attenuation
en dB/km
OH
3.5
1990
0,4
850
1300
1550
Elements
doptoelectronique
p. 156/16
mais
Elements
doptoelectronique
p. 157/16
Dispersion
Attenuation
Dispersion
Elements
doptoelectronique
p. 158/16
Dispersion de la silice
Propagation dinformation : recouvrement des bits successifs.
1
Impulsion illisible
Elements
doptoelectronique
p. 159/16
dispersion chromatique
monomode ou multimode?
Attnuation
Paramtre V , frquence normalise de la fibre.
Elements
doptoelectronique
p. 160/16