Facultad de Ingeniera
ctrica y Electro
nica
Departamento de Ingeniera Ele
nica
Electro
loga I
Ana
2015-II
El Diodo: Caracterizaci
on de su respuesta y par
ametros
de variaci
on (tiempo y temperatura)
1.
1.1.
Objetivos
Objetivo general
1.2.
Objetivos especficos
Determinar experimentalmente la relaci
on corriente - tension (curva caracterstica i-v ) del diodo.
Caracterizar la tensi
on de polarizaci
on directa del diodo y otros parametros asociados a la curva caracterstica,
en funci
on de la temperatura de operaci
on del diodo.
Visualizar y determinar los tiempos de respuesta de diferentes tipos de diodos.
2.
3.
Pr
actica
DISENADA
DE LABORATORIO. La
ESTA PRACTICA
ESTA
PARA DESARROLLARSE EN UNA SESION
pr
actica se divide en 2 partes. Cada una de ellas implica un trabajo previo al da de la practica y durante el da de la
pr
actica.
3.1.
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En la clase te
orica se establecieron los principios necesarios para la compresion del funcionamiento de la uni
on
(P-N ), tambien se explic
o la ecuaci
on 1, mediante la cual se describe el comportamiento estatico del diodo como
funci
on de variables fsicas y constructivas del mismo.
V
d
VT
1
(1)
I = Is e
En donde Is es la corriente inversa de saturaci
on, es un parametro constante llamado coeficiente de emisi
on y
tiene valores entre 1 y 2, VT es el llamado voltaje termico y es igual a K T /q, en donde K es la constante de Boltzman
(1.38 1023 J/K), T es la temperatura en grados Kelvin, y q es la carga del electron (1.6 1019 C).
En la regi
on de conducci
on, el termino exponencial de la ecuacion del diodo se hace mucho mayor que 1, debido
a que Vd VT , por lo cual la anterior ecuaci
on puede ser aproximada por:
V
d
I = Is e V T
(2)
3.1.1.
Previo al da de la pr
actica
Prepare dos montajes soldados en una tarjeta universal utilizando dos diodos 1N4004, de estos uno se expondr
aa
temperatura ambiente ( 20 C) y el otro a temperaturas superiores a 50 C (la cual puede ser lograda acercando
lentamente el diodo a un cautn).
El circuito debe estar compuesto por una fuente variable (0 25 VDC ) en serie con una resistencia limitadora de
corriente y el diodo a la temperatura requerida. Realice la eleccion del valor de la resistencia para que la corriente
m
axima del circuito sea 250 mA cuando este sea alimentado con 25 V .
Verifique que los valores de potencia disipada por la resistencia y por el diodo, se encuentren dentro de los m
argenes
de operaci
on segura establecidos por sus fabricantes. Para ello descargue, use y consigne en la bitacora la hoja de datos
(Datasheet) del diodo.
Los dise
nos y c
alculos deben ser consignados en la bitacora, mostrando con claridad que se cumplen las especificaciones de funcionamiento. Realice las simulaciones necesarias para corroborar el funcionamiento del circuito dise
nado.
Recuerde que debe consignar y discutir los resultados de las simulaciones en la bitacora.
Investigue y consigne en la bit
acora c
omo se ve afectada la curva caracterstica del diodo (i-v ) ante variaciones de
temperatura y a que se debe este fen
omeno.
Consulte la definici
on de resistencia din
amica del diodo y el procedimiento para obtener su valor a partir de una
gr
afica de la curva caracterstica del mismo (ver figura 2).
3.1.2.
El da de la pr
actica
Usando el montaje de la figura 1 realice las siguientes pruebas, tanto para el caso donde el diodo es expuesto a
temperatura ambiente como para el caso en el que el diodo es expuesto a la temperatura del cautn,
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Figura 2: Curva caracterstica del diodo en polarizacion directa (azul), recta de carga y punto de polarizaci
on para el
c
alculo de resistencia din
amica.
3.2.
El tiempo de recuperaci
on inversa (trr ) es el tiempo que tarda el diodo en recuperar su funcion de corte despues de
haber estado en conducci
on, es decir, es el tiempo que tarda la se
nal en rectificarse tras el cruce por cero en el flanco
negativo de la se
nal de entrada.
Considere que por un circuito circula una corriente IF y que, mediante la aplicacion de una tension inversa, se fuerza
la anulaci
on de la corriente con cierta velocidad di/dt. Como resultado, despues del paso por cero de la corriente, existe
cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido
inverso durante un instante, dando lugar a una peque
na corriente inversa IR . La tension inversa entre el
anodo y
el c
atodo no se establece hasta despues del tiempo ts llamado tiempo de almacenamiento, debido a la capacidad de
difusi
on. La intensidad todava tarda un tiempo tf llamado tiempo de cada, debido a la capacidad de transici
on, para
pasar de un valor pico negativo a un valor despreciable, mientras va desapareciendo el exceso de portadores.
Tiempo de almacenamiento (ts ): Tiempo que transcurre desde que la corriente pasa por cero hasta que alcanza
el pico negativo.
Tiempo de cada (tf ): Tiempo transcurrido desde el momento en que la corriente empieza a tender a cero, hasta el
momento en que esta se anula totalmente. En la practica se suele considerar hasta el instante en que la corriente
alcanza 10 % IR .
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Tiempo de recuperaci
on inversa (trr ): Suma de ts y tf
Los tiempos anteriormente descritos son ilustrados en la figura 3
Figura 3: Visualizaci
on del tiempo de recuperacion de un diodo.
3.2.1.
Previo al da de la pr
actica
El da de la pr
actica
4.
Preguntas sugeridas
Que rango de frecuencias permite una mejor visualizacion del tiempo de recuperacion inversa para cada uno de
los diodos y por que?
En que rango de frecuencias es apropiado utilizar cada uno de los diodos y por que?
Que cambio obtuvo al variar la temperatura en la primera parte de la practica? Este cambio era predecible?
Justifique su respuesta.
Concuerdan los valores de la hoja de datos del fabricante con los encontrados experimentalmente? Haga un
an
alisis de la respuesta
5.
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Evaluaci
on
Los par
ametros considerados en la evaluaci
on seran los siguientes:
1. Asistencia.
2. Preparaci
on (preinforme con dise
nos y resultados de simulacion, montaje de los circuitos, apropiacion de datasheets).
3. Trabajo en el laboratorio (sustentaci
on, funcionamiento de los circuitos, registro apropiado de las mediciones).
4. Informe.
Recuerde que las formas de onda obtenidas en el osciloscopio deben ser presentadas en el informe.
Referencias
Para el desarrollo de este pr
actica se sugiere consultar:
D. Neamen, Mircoelectronics: Circuit Analysis and Design, 4th ed, New York, McGraw-Hill Higher Education,
2009.
A. S. Sedra and K. C. Smith, Microelectronic Circuits Revised Edition, 5th ed. New York, Oxford University
Press, Inc., 2007.
M. N. Horenstein, Circuitos y Dispositivos Microelectr
onicos, 2a ed, Mexico, Prentice Hall Hispanoamericana,
1997.