ndice
Tokamak
Aplicaciones de los capacitores.
AWG (calibre de alambre americano).
Semiconductores.
Superconductores.
Eficiencia de las lmparas. Cunta
energa se aprovecha como luz?
Aplicaciones de la induccin
electromagntica.
Perdidas por bajo factor de potencia
Perdidas por armnicos
TOKAMAK JT-60S
JT- 60SA es un experimento de fusin
diseada para apoyar el funcionamiento
del ITER y para investigar la mejor
manera de optimizar el funcionamiento
de las centrales de fusin que se
construyeron despus de ITER. Se trata
de un proyecto de investigacin
internacional conjunta y la participacin
de Japn y Europa, y se va a construir en
Naka, Japn, utilizando la infraestructura
del JT- 60 experimento Upgrade existente. SA es sinnimo de " sper avanzada, ya que el
experimento habr bobinas superconductoras y estudiar los modos avanzados de
funcionamiento de plasma. Otros detalles de su programa experimental se explican en el
Plan de Investigacin JT- 60SA.
El objetivo a largo plazo de la investigacin de la
fusin consiste en aprovechar la energa nuclear
proporcionada por la fusin de tomos ligeros para
ayudar a satisfacer las necesidades energticas
futuras de la humanidad. Esta investigacin, que se
lleva a cabo por cientficos de todas partes la
palabra, ha hecho enormes progresos en las ltimas
dcadas. La comunidad de fusin se encuentra
actualmente en el proceso de construccin del
experimento clave en este desarrollo, ITER, en
Cadarache, Francia. El objetivo de ITER es
demostrar la fusin podra ser utilizado para
generar energa elctrica, y para obtener los datos
necesarios para el diseo y operacin de la primera planta de produccin de electricidad.
JT- 60SA tiene como objetivos ayudar a ITER identificar rpidamente la forma de
optimizar el rendimiento del plasma, en particular, para identificar y explorar cmo operar
plasmas de fusin del reactor de potencia en la central de generacin de electricidad de
demostracin (DEMO) que debe seguir ITER. El nfasis del diseo de JT- 60SA es, pues,
en la manera de extender longitudes de impulso de plasma hacia el estado estacionario.
JT- 60SA se construir en Naka (cerca de Tokio), Japn. Sustituye el experimento JT- 60
Upgrade recientemente operando all, con los edificios y la infraestructura bsica del sitio.
CAPACITORES
Los capacitores o condensadores son elementos lineales y pasivos que pueden almacenar y
liberar energa
Todo capacitor se construye enfrentando dos placas conductoras. El medio que las separa
se denomina dielctrico y es un factor determinante en el valor de la capacidad resultante.
Adems de depender del dielctrico, la capacidad es directamente proporcional a la
superficie de las placas e inversamente proporcional a la distancia de separacin.
Simbologa
Nota: al implementar circuitos, no olvidar respetar las indicaciones de los terminales en los
capacitores polarizados para evitar su destruccin.
MODELO EQUIVALENTE
Los capacitores ideales no disipan energa como lo hacen los resistores. En cambio, los
capacitores reales normalmente presentan una resistencia asociada en paralelo. Esta
resistencia proporciona una trayectoria de conduccin entre placas. Es a travs de esta
resistencia que el capacitor se descarga lentamente.
CLASIFICACIN
Segn su dielctrico:
aire
mica
papel
cermico
vidrio / cuarzo
Tipo
Formato
Valores
tpicos
Observaciones Aplicaciones
Tensin
mx.
100pF a
10nF
Cermicos
Pelcula:
Polister, Poliestireno,
Policarbonato,
Polipropileno
25V a
3kV
10nF a
47uF
25 a
2000V
no polarizados;
reducido tamao
pero amplias
tolerancias
en filtros,
osciladores,
acoplamientos
de circuitos
no polarizados;
resistente a la
humedad; reducido
tamao, prdidas
(salvo polister) y
distorsin
en circuitos de
audio y
propsito
general,
osciladores,
integradores,
sintonizadores
Electroltico de
aluminio
Electroltico de
tantalio
Chip
Ajustables o
trimmers
polarizados o no;
de gran
rendimiento
1uF a
volumtrico, pero
fuentes de
10mF
tambin de grandes alimentacion de
tolerancias y
cc, filtros,
5 a 450V
prdidas; vida til bloqueo de cc
desde 1000 hs (se
deterioran aunque
no se usen)
radiales o axiales;
polarizados o no;
de tipo: gota,
rectangular, o
47nF a
tubular; de gran
fuentes de
1.2mF
rendimiento
alimentacin de
volumtrico; menor cc, filtros,
3 a 450V corriente de fuga, aplicaciones
ms caro y menor
generales
rango de valores
que los
electrolticos de
aluminio
10pF a
10uF
aplicaciones
polarizados o no
generales
6 a 16V
1pF a
500pF
no polarizados; de
circuitos
aire, mica,
sintonizadores y
cermica, vidrio,
5 a 100V
filtros
cuarzo y plstico
APLICACIONES
AWG
MaxAmps
0000
Dia
-mils
TPI
459.99
Dia-mm
Circmils
Ohms/Kft
Ft/Ohm
Ft/Lb
2.1740
11.684
211592
0.0490
20402
1.5613
409.63
2.4412
8.739
2.9063
6 364.79
10.405
167800
0.7921
0.0618
16180
1262.4
1.9688
25.233
13307
2
0.0779
12831
2.4826
Ohms/Lb
Lb/Kft
*Amps
0.0001
640.48
282.12
423.18
000
9
114
335.60
26.100 .42
85
266.14
AWG
Dia
MaxAAWGmps MaxAmp
mil
s s
10
101
20.7 0 .90
65
211.06
11
90.
16.4 1 741
68
167.38
12
80.
13.0 2 807
60
13 132.74
71.
10.3 3 961
57 105.27
14
64.
8.21 4 083
32 83.480
15
57.
6.51 5 067
34 66.203
16
50.
5.16 6 820
54 52.501
7
1309
2
2.7413 9.265
7
TPI
Diamils
Dia-mm
TPI
mm
9.814
2.5881
0324.85 3.0783
11.02
2.3048
0289.29 3.4567
12.37
2.0525
5257.62 3.8817
13.89
6229.42
15.605
204.30
17.523
181.94
19.677
162.02
33.018
mils
10383
Ohms
/Kft
0.9989
8.251
105531 0.0983
3
8233.9
1.2596
7.348
83690
0.1239
0
6529.8
1.5883
6.543
66369
6
1.8278
5178.3
4.3588
5.827
52633
2
1.6277
4106.6
4.8947
5.189
41740
3
1.4495
3256.7
5.4964
4.621
33101
2
1.2908
2582.7
6.1721 4.115
26251
3
Ft/Oh
m
Ft/Ohm
1001.
1
10175
Ft/Lb
0.0002
Ohms/Lb
Ohms/Lb
402.80
177.43
17.
456
Lb/Kf
Lb/Kftt
*Amps
*Amps
31.42
319.448
140.71
13.844
24.92
253.334
111.59
10.978
8.7064
Ft/Lb
31.819
3.1305
793.9
40.122
3 8069.5
3.9475
0.0318
0.0003
0.0505
0.0005
0.1563
629.6
50.593
1 6399.4
4.9777
0.0008
19.76
200.905
88.492
2.0028
0.1970
499.3
63.797
6.2767
1 5075.0
0.1278
0.0012
15.67
159.325
70.177
6.9045
2.5255
0.2485
395.9
80.447
7.9148
7 4024.7
0.2031
0.0020
12.43
126.351
55.653
5.4755
3.1845
0.3133
314.0
101.44
9.9804
2 3191.7
0.3230
0.0031
9.857
100.209
44.135
4.3423
4.0156
0.3951
249.0
127.91
12.585
3 2531.1
0.5136
0.0050
7.817
79.4607
35.001
3.4436
0.0079
63.014
27.757
0.0126
49.973
22.012
144.28
6.9308
3.664
8
20818
0.4982
2007.3
128.49
7.7828
3.263
6
16509
0.6282
1591.8
41.635
8
CircOhms
Mils
DiaCirc- /Kft
0.0001
507.93
223.73
0.0200
39.630
15.869
20.011
0.0804
17
4.09
63
18
3.24
85
19
2.57
62
AWG
MaxA
mps
20
2.04
30
21
1.62
02
22
1.28
49
23
1.01
90
24
0.80
81
25
0.64
08
26
45.
257
22.096
1.1495
2048.2
5.0636
197.4
9
161.30
0.8167
6.199
7
2.7309
40.
302
24.813
1.0237
1624.3
6.3851
156.6
2
203.39
1.2986
4.916
6
2.1657
35.
890
27.863
0.9116
1288.1
8.0514
124.2
0
256.47
2.0648
Dia
mil
s
TPI
Diamm
Circ
-mils
Ohms/Kft
10.153
Ft/Lb
Ohms/L
b
323.41
3.2832
Ft/Ohm
1.7175
3.8991
Lb/Kft
*Amps
31.
961
31.28
8
0.811
8
1021.5
28.
462
35.13
4
0.722
9
810.10
12.802
78.111
407.81
5.2205
2.45
21
1.0801
25.
346
39.45
3
0.643
8
642.44
16.143
61.945
514.23
8.3009
1.94
46
0.8566
22.
572
44.30
4
0.5733
509.48
20.356
49.125
648.4
4
13.199
1.54
22
0.6793
20.
101
49.75
0
0.5106
404.03
25.669
38.958
817.6
6
20.987
1.22
30
0.5387
17.
900
55.86
6
0.4547
320.41
32.368
30.895
1031.
1
33.371
0.96
99
0.4272
15.
62.73
0.4049
254.10
40.815
24.501
1300.
53.061
0.76
0.3388
98.496
3.0921
1.3620
0.50
82
27
0.40
30
28
0.31
96
29
0.25
35
940
14.
195
70.44
5
0.3606
201.51
51.467
19.430
1639.
4
84.371
0.61
00
0.2687
12.
641
79.10
5
0.3211
159.80
64.898
15.409
2067.
3
134.15
0.48
37
0.2131
11.
257
88.8
30
0.2859
126.73
81.835
12.220
2606.
8
0.38
36
0.1690
AWG
MaxA
mps
Dia
mil
s
TPI
Dia-mm
Circ
-mils
30
0.20
10
31
0.15
94
32
0.12
64
33
0.10
03
34
0.07
95
10.
025
99.7
50
8.9
276
112
.01
7.9
503
0.2546
Ohms
/Kft
92
213.31
Ft/Ohm
Ft/L
b
Ohms/L
b
Lb/Kft
*Amps
9.6906
3287
.1
339.18
0.3042
0.134
0
100.50
103.
19
0.2268
79.702
130.12
7.6850
4145
.0
539.3
2
0.2413
0.1
063
125
.78
0.2019
63.207
164.08
6.0945
5226
.7
857.5
5
0.1913
0.0
843
7.0
799
141
.24
0.1798
50.125
206.90
4.8332
6590
.8
1363.
6
0.1517
0.0
668
6.3
048
158
.61
0.1601
39.751
260.90
3.8329
8310
.8
2168.
1
0.1203
0.0
530
35
0.06
30
36
0.05
00
37
0.03
97
38
0.03
14
39
0.02
49
5.6
146
178
.11
0.1426
31.524
328.99
3.0396
104
80
5.0
000
200
.00
0.1270
25.000
414.85
2.4105
132
15
5481.7
0.0757
0.0333
4.4
526
224
.59
0.1131
19.826
523.11
1.9116
166
63
8716.2
0.0600
0.0264
3.9
652
252
.20
0.1007
15.723
659.63
1.5160
210
12
13859
0.0476
0.0210
3.5
311
283
.20
0.0897
12.469
831.78
1.2022
26496
22037
0.0377
0.0166
AWG
MaxA
mps
Dia
mil
s
40
0.01
98
3.1
445
TPI
318.
01
Dia-mm
0.0799
CircMils
9.8880
Oh
ms
/
Kf
t
104
8.9
Ft/Oh
0.9534
3447
.5
0.0954
0.042
0
Ohms/Lb
Lb/Kft
*Amp
s
35040
0.0299
0.01
32
Ft/Lb
3341
SEMICONDUCTORES
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad elctrica inferior a la de
un conductor metlico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor ms
utilizado es el silicio, que es el elemento ms abundante en la naturaleza, despus del
oxgeno. Otros semiconductores son el germanio y el selenio.
Los tomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con slo cuatro electrones,
denominados electrones de valencia. Estos tomos forman una red cristalina, en la que cada
tomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los cuatro tomos vecinos, formando
enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben
suficiente energa calorfica para librarse del enlace covalente y moverse a travs de la red
cristalina, convirtindose en electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace
covalente, se les somete al potencial elctrico de una pila, se dirigen al polo positivo.
Cuando un electrn libre abandona el tomo de un cristal de silicio, deja en la red cristalina
un hueco, que con respecto a los electrones prximos tiene efectos similares a los que
provocara una carga positiva. Los huecos tienen la misma carga que el electrn pero con
signo positivo.
El comportamiento elctrico de un semiconductor se caracteriza por los siguientes
fenmenos:
- Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el polo positivo
de la pila.
- Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la pila.
- Al conectar una pila, circula una corriente elctrica en el circuito cerrado, siendo constante
en todo momento el nmero de electrones dentro del cristal de silicio.
- Los huecos slo existen en el seno del cristal semiconductor. Por el conductor exterior
slo circulan los electrones que dan lugar a la corriente elctrica.
UNIN P-N
Llegados a este punto, cualquiera con un poco de curiosidad se habr hecho la siguiente
pregunta: Qu ocurrira si se juntase un trozo de material tipo P con un trozo de
material tipo N? Pues bien, esta pregunta ya se la hizo alguien hace unos cuantos aos y
dio origen a lo que hoy da se conoce como unin P-N.
De nuevo, como electrnicos que somos, solamente nos interesa algo muy concreto de esta
unin, lo cual no es otra cosa que su comportamiento de cara al paso de corriente elctrica.
Supongamos, primeramente, que hemos unido por las buenas un trozo de material tipo P
con uno tipo N; Qu ocurre?, pues que los electrones que le sobran al material tipo N se
acomodan en los huecos que le sobran al material tipo P. Pero, ojo!, no todos los de un
bando se pasan al otro, solamente lo hacen los que estn medianamente cerca de la frontera
que los separa. A esto se le llama recombinacin
Y Por qu solo unos pocos? Pues porque el hecho de que se vayan los electrones con los
huecos es debido a la atraccin mutua que existe entre ellos ya que poseen cargas opuestas;
sin embargo, una vez que se han pasado cierta cantidad de electrones al otro bando
comienza a haber una concentracin de electrones mayor de lo normal, lo que provoca que
estos empiecen a repelerse entre ellos. Por tanto, se llega a un equilibrio al haberse ido los
suficientes electrones para apaciguar la atraccin hueco-electrn inicial pero no tanto como
para llegar a repelerse entre ellos.
Una vez alcanzado este equilibrio se dice que se ha creado una barrera de potencial. Una
barrera de potencial es simplemente una oposicin a que sigan pasando los electrones y
huecos de un lado a otro. Esta situacin permanecer inalterable mientras no hagamos nada
externo para modificarla, es decir, compensar el efecto de esa barrera de potencial con otro
potencial aportado por nosotros, por ejemplo, conectndolo a una batera.
Sin embargo, al polarizar inversamente una unin P-N no se crea una corriente en sentido
opuesto sino que, curiosamente, no hay corriente alguna. Esto es porque los huecos libres
del tipo P se recombinan con los electrones que proceden del polo negativo de la batera, y
los electrones libres del tipo N son absorbidos por sta, alejndose tanto huecos como
electrones de la unin, en vez de vencer nuestra barrera de potencial sta se ha hecho ms
grande y no existe corriente; aunque, para ser exactos, s existe una corriente y esta es la
producida por los portadores minoritarios, pero es demasiado pequea e inapreciable.
SUPERCONDUCTORES
Los superconductores son una categora de materiales que no oponen ninguna resistencia
elctrica al paso de corriente a muy baja temperatura. De manera diferente de los materiales
comunes cuya resistencia elctrica disminuye paulatinamente al bajar la temperatura, los
superconductores, una vez alcanzado el umbral crtico, de manera abrupta pierden toda
resistencia. Este efecto, descubierto por Heike Kamerlingh Onnes en 1911 en Leiden, abri
un nuevo campo de estudio en fsica.
Al principio se crey que la superconductividad era un fenmeno termodinmico, pero en
la actualidad se lo considera un fenmeno cuntico. Estos materiales se dividen en dos
grandes categoras, los de baja temperatura, que precisan ser refrigerados por gases como el
helio a unos pocos grados por encima del cero Kelvin, y los de alta temperatura, que
alcanzan la superconductividad arriba de los 77 K, temperatura a la que el nitrgeno se
transforma en un lquido. A estas temperaturas, los sistemas de refrigeracin se simplifican
considerablemente, lo que permite desarrollar aplicaciones prcticas para estos materiales.
La teora acerca de la superconductividad fue desarrollada en la dcada de 1950, y en 1962,
la compaa Westinghouse fabric el primer cable superconductor, hecho de una aleacin
de niobio y titanio. Esto permiti construir los primeros imanes, que fueron utilizados en
los aceleradores de partculas como el del CERN y en la actualidad el LHC en Suiza. Hasta
1980 se crea imposible conseguir la superconductividad a ms de 30 K, pero en 1986,
Bednorz y Mller descubrieron una aleacin basada en el lantano que super ese lmite y en
1993 se logr superar la barrera de los 130 Kelvin con un compuesto de talio, mercurio,
cobre, bario, calcio y oxgeno. En la actualidad se busca lograr materiales superconductores
a temperatura ambiente, lo que revolucionara desde la industria del transporte con
vehculos que leviten hasta la computacin con mquinas mucho ms veloces que las
actuales.
Pero hay una segunda razn por la que los fsicos estn interesados en estos materiales.
Hoy, despus de algo ms de un ao de trabajo, hay una generalizada conviccin de que se
est frente a un nuevo fenmeno fsico. La teora que consigui explicar el comportamiento
de lo que podemos llamar "superconductividad convencional", no puede hacerlo propio con
la superconductividad a temperaturas tan altas. Los mecanismos que dan origen a la
superconductividad en estos nuevos materiales son probablemente distintos a los
conocidos. Si esto es as, los fsicos se encuentran frente a un gran desafo: comprender y
explicar a qu se debe la superconductividad de alta temperatura critica.
superconductor. Hay datos tambin sobre un experimento que dur diez aos con el mismo
resultado.
Sin embargo, al investigar el amortiguamiento del flujo magntico dentro de un tubo de
niobio y circonio (el 25% de circonio) se descubri que, pese a todo, el flujo se
amortiguaba. Ese amortiguamiento se produce con arreglo a la ley logartmica: en el primer
segundo el flujo disminuye en 1 %, en los 10 s subsiguientes, en 1 % ms, etc. El flujo se
amortiguar por completo en ese tubo (es decir, disminuir hasta el valor que ya no se
podr medir con instrumentos modernos) en 1092 aos. Los resultados de tales
experimentos, sin embargo, se deben aceptar con circunspeccin. Se sabe que cualquier
anillo que crea un campo magntico est sometido a la accin de fuerzas que tienden a
aumentar sus dimensiones, es decir, simplemente a romperlo. El aumento del dimetro del
anillo aunque sea en una millonsima parte se manifestar enseguida en la disminucin del
campo, que puede atribuirse a que en el superconductor existe resistencia elctrica.
Si la primera propiedad fundamental de los superconductores, la falta de la resistencia fue
descubierta en 1911, la segunda propiedad importantsima, solamente pasados 22 aos. En
1933 el fsico alemn Meissner descubri que los superconductores eran materiales
diamagnticos ideales. Qu significa esto?
Nosotros, por ejemplo, nos hallamos constantemente en el campo geomagntico. Las lneas
de fuerza de este campo atraviesan todos los objetos y seres en la Tierra. Si las lneas de
fuerza tropiezan con un material ferromagntico, por ejemplo, un pedazo de hierro, en ste
las lneas de fuerza parecen densificarse. Si tropiezan con un material diamagntico, en
ste, por el contrario, se crea un enrarecimiento, un vaco de lneas de fuerza. En el
superconductor, las lneas de fuerza no penetran en absoluto. Con otras palabras, el
superconductor es absolutamente diamagntico. El interior del superconductor est
apantallado en forma ideal contra los campos magnticos exteriores (el efecto de Meissner)
por medio de las corrientes que circulan en la fina capa superficial del superconductor. En
esta capa penetra tambin el campo magntico, debido a lo cual la profundidad de esa capa
se denomina profundidad de penetracin y se designa por . El diamagnetismo de los
superconductores puede aprovecharse, por ejemplo para atribuir a las lneas de fuerza del
campo magntico la configuracin dada. El campo contornear el superconductor, mientras
que las lneas de fuerza adquirirn la configuracin que reproduce el contorno del
superconductor.
El superconductor difiere sustancialmente de un conductor ideal con resistencia = 0. En
un conductor ideal puede penetrar el campo, en cambio de ningn modo se puede obligar al
campo magntico a penetrar en un superconductor. Aunque s, existe un mtodo: al alcanzar
la intensidad del campo magntico en algn punto del superconductor una magnitud que
supere cierto valor crtico, en ese punto el superconductor pierde la superconductividad.
Los campos magnticos crticos de los metales puros son dbiles; no superan centenas de
Oersted, lo que puede verse en la tabla 2.
La corriente que pasa por el superconductor tambin puede provocar la prdida de la
superconductividad. La magnitud de esa corriente en los superconductores puros est
relacionada con el campo magntico crtico por la regla de Silsbee: la superconductividad
se anula por tal valor de la corriente en el conductor, que crea en la superficie del
superconductor un campo igual al crtico. La magnitud del campo en la superficie del
conductor se puede determinar con arreglo a la ley de la corriente total.
Cada superconductor tiene, adems, su propia temperatura crtica (Tc), es decir, pasando la
cual pierde a salto sus propiedades de superconductor. Estas temperaturas son muy
variables.
Sobre la temperatura crtica influyen, aunque dbilmente, las tensiones mecnicas en la
probeta. Como regla (mas no siempre), el aumento de las tensiones mecnicas en la probeta
acarrea la elevacin de la temperatura crtica y nicamente los mtodos muy sensibles
permiten establecerlo.
Una dependencia anloga existe entre las tensiones mecnicas y el campo magntico
crtico. Se demostr, en particular, que el campo crtico de una probeta de estao, que a
temperatura de 2 K es de 210 Oe, despus de haber creado artificialmente en el estao
fuertes tensiones mecnicas, aument hasta 15 mil Oe.
Tabla 2
Elemen
to
Ti
Ru
Zr
Cd
U
Os
Zn
Ga
Al
Th
Temperatu
ra Crtica
Tc (K)
0,40
0.49
0.55
0.56
0.60
0.71
0.82
1.10
1.20
1.37
Campo
Magnti
co
Crtico
Hc en
Oe
100
66
47
30
~2000
65
52
51
99
162
Element Temperatu
o
ra Crtica
Tc (K)
Rn
Tl
In
Sn
Hg
Ta
V
La
Pb
Nb
1.70
2.39
3.40
3.72
4.15
4.40
5.30
5.95
7.17
9.22
Campo
Magnti
co
Crtico
Hc en
Oe
201
171
278
309
411
780
1310
1600
803
1944
INDUCCIN ELECTROMAGNTICA
La induccin electromagntica consiste en obtener energa elctrica a partir de variaciones
de flujo magntico. Cuando circula una corriente elctrica por un conductor se crea un
campo magntico. Michael Faraday pensaba que se podra producir el proceso inverso, es
decir, que un campo magntico produzca una corriente elctrica y por lo tanto una
diferencia de potencial.
La induccin electromagntica constituye una pieza destacada en ese sistema de relaciones
mutuas entre electricidad y magnetismo que se conoce con el nombre de
electromagnetismo. Pero, adems, se han desarrollado un sin nmero de aplicaciones
prcticas de este fenmeno fsico. El transformador que se emplea para conectar una
calculadora a la red, la dinamo de una bicicleta o el alternador de una gran central
hidroelctrica son slo algunos ejemplos que muestran la deuda que la sociedad actual tiene
contrada con ese modesto encuadernador convertido, ms tarde, en fsico experimental que
fue Faraday.
La vida moderna est basada, entre otros factores, en el uso de la electricidad como fuente
de energa, siendo, por tanto, uno de los pilares de nuestra sociedad de la informacin y el
conocimiento caracterizada por la implantacin del transistor, televisin, ordenadores,
Internet etc.
La fuente principal de produccin de electricidad, al menos a escala industrial, est basada
en la induccin electromagntica descubierta experimentalmente por Michael Faraday en
1831, y por consiguiente, nunca un experimento como este cambio nuestra visin del
mundo, nuestra manera de vivir.
Hoy da sabemos que para producir una corriente elctrica se necesita una variacin en un
campo magntico, bien moviendo fsicamente un imn o cerrando o iniciando la corriente
elctrica de un solenoide, por poner algunos ejemplos. As pues, una corriente inducida se
puede producir si una bobina gira en un campo magntico fijo. Este aparato es en realidad
un generador elctrico donde se convierte energa mecnica en energa elctrica. En una
central hidroelctrica el agua almacenada en una presa se libera de tal manera que su cada
hace girar la bobina de un generador. En una central trmica el vapor de agua a presin,
producido al calentar agua con la energa obtenida por la combustin del carbono, se utiliza
para girar las bobinas.
Alumbrado de tnel, prueba durante un ao. A la izquierda Sodio de Alta Presin de 150W,
con un 40% fundidas. A la derecha Induccin Magntica de 85W, el 100% funcionando.
ANTES: 200 lmparas PAR 300W y 165 lmparas halgenas 100W. DESPUES: 200
lmparas Induccin 40W, 165 lmparas Induccin 80W
La tarjeta de debito
El nmero, fecha de caducidad y nombre del titular de una tarjeta de crdito o debito estn
codificado en un patrn magnetizado en la banda (est hecha de material ferro magntico)
del reverso de la tarjeta. Cuando se hace pasar la tarjeta a travs del lector de tarjeta, la
banda en movimiento baa los circuitos del lector con un campo magntico variable que
induce corrientes en los circuitos. Estas corrientes transmiten la informacin de la banda al
banco del titular de la tarjeta.
El alternador
Es una mquina destinada a transformar la energa mecnica en elctrica, generando,
mediante fenmenos de induccin, una corriente alterna. Los alternadores estn fundados
en el principio de que en un conductor sometido a un campo magntico variable se crea una
tensin elctrica inducida cuya polaridad depende del sentido del campo y su valor del flujo
que lo atraviesa. Un alternador consta de dos partes fundamentales, el inductor, que es el
que crea el campo magntico y el inducido que es el conductor el cual es atravesado por las
lneas de fuerza de dicho campo magntico.
La dinamo
Es un generador elctrico destinado a la transformacin de energa mecnica en elctrica
mediante el fenmeno de la induccin electromagntica. La corriente generada es
producida cuando el campo magntico creado por un imn o un electroimn fijo (inductor)
atraviesa una bobina rotatoria (inducido) colocada en su centro. La corriente inducida en
esta bobina giratoria, en principio alterna es transformada en contina mediante la accin
de un conmutador giratorio, solidario con el inducido, denominado colector, constituido por
unos electrodos denominados delgas, de aqu es conducida al exterior mediante otros
contactos fijos llamados escobillas. Que hacen contacto por frotamiento con las delgas del
colector.
Produccin de corriente alterna
Su produccin se encuentra relacionada con la variacin en el flujo magntico que atraviesa
un conductor, es decir, al girar a gran velocidad entre los polos de un electroimn de una
bobina en un campo magntico.
El transformador
Permite aumentar o disminuir el voltaje o tensin en un circuito elctrico de corriente
alterna, manteniendo la frecuencia. La potencia que ingresa al equipo, en el caso de un
transformador ideal, esto es, sin prdidas, es igual a la que se obtiene a la salida.
causas
consecuencias
Aumento de la IRMS
Las prdidas por Foucault son
proporcionales al cuadrado de
la frecuencia, las perdidas por
histresis con proporcionales a
las frecuencias.
Disminucin de la impedancia
del condensador con el
aumento de la frecuencia.
Envejecimiento prematuro,
amplificacin de los armnicos
existentes.