Dispositivi
i
i i i Elettronici
l
i i
Si ringrazia il Prof. Giustolisi autore dei
seguenti lucidi e figure.
figure
Corso di Elettronica I
S. Pennisi
Forza elettrica
La forza F tra due cariche puntiformi q0 e q1 poste a distanza r nel
vuoto data dalla
F=
1 q0 q1
4 0 r 2
La forza, F, dovuta a n cariche statiche, q1, q2, ..., qn, poste nel
vuoto,
vuo
o, esercitata
ese c a a sulla
su a carica
ca ca q0
n
q0 n qi
F = F0,i =
r
2 0,i
4 0 i =1 r0,i
i =1
0,i
DIEEI - Universit di CATANIA
Campo elettrico
Il ccampo
po elettrico,
e e co, E,, ssi oottiene
e e dividendo
d v de do la forza
o F pe
per q0
q0 n qi
F = F0,i =
r
2 0,i
4 0 i =1 r0,,i
i =1
qi
E=
r
2 0,i
4 0 i =1 r0,,i
1
Potenziale elettrico
La differenza di potenziale tra due punti A e B (VBA)
equivale al
lavoro cambiato di segno compiuto dalle forze del campo per
spostare lunit
l unit di carica positiva da A a B.
B
VBA = VB VA = Ex dx
Ex = componente
t del
d l campo E
lungo lasse x.
Il segno meno si pu interpretare
come il lavoro eseguito contro la
forza del campo.
x
A
VA
B
VB
VB > VA
LAtomo
LAtomo
formato
f
t da
d un nucleo
l positivo
iti e da
d un guscio
i esterno
t
di elettroni
l tt i
(negativi). Latomo normalmente neutro e la carica del nucleo un
multiplo intero della carica dellelettrone
dell elettrone qq=1.60*10
1.60 10-19.
Gli elettroni di valenza sono quelli pi periferici e che si rendono
disponibili a formare legami per costituire aggregati di atomi.
Sotto particolari condizioni latomo pu perdere uno o pi elettroni
e diventare uno ione (positivo).
II A
III B
IV B
VB
VI B
VII B
VIII B
IB
II B
III A
IV A
VA
VI A
VII A
1.008
VIII A
2
He
idrogeno
34
567 10.81
Li
11
Be
12
Na
19
21
Ca
22
Sc
23
24
Ti
25
Cr
26
Mn
27
Fe
28
Co
29
Ni
63.55
30
Cu
rame
37
carbonio
azoto
ossigeno
38
Rb
39
Sr
40
41
Zr
42
Nb
43
Mo
44
Tc
45
R
Ru
46
Rh
47
Pd
26.98
48
56
Cs
57-71
Ba
72
(1)
73
Hf
74
Ta
75
76
Re
77
78
Os
Ir
79 196.97
Pt
Au
P
fosforo
69.72
Ga
88
Fr
89-103
Ra
(2)
57
(1)
La
Ce
107
108
109
110
60
61
62
63
64
Pr
91
Th
numero atomico
simbolo
i b l chimico
hi i
106
72.59
33
Ge
74.92
17
34
Ne
18
C
Cl
35
Se
Ar
36
Br
Kr
germanio arsenico
50 118.69
51 121.75
Sn
Sb
Hg
As
In
81
16
52
53
54
Te
Xe
stagno antimonio
82
Tl
207.2
83
Pb
84
Bi
85
Po
86
At
Rn
piombo
Ha
59
90
Ac
105
Rf
58
89
(2)
104
32
49 114.82
oro
87
30.97
S
Si
Cd
80
15
silicio
indio
55
28.09
Al
gallio
Ag
14
alluminio
31
Zn
891 15.999
B
13
20
14.006
boro
Mg
12.011
92
Pa
Nd
1.008
H
idrogeno
Pm
93
Sm
94
Np
Eu
95
Pu
peso atomico
nome
Am
65
Gd
96
66
Tb
97
Cm
67
Dy
98
Bk
68
Ho
99
Cf
metallo
ll
69
Er
100
Es
Fm
non metallo
ll
Tm
101
Md
70
71
Yb
102
No
Lu
103
Lr
gas nobile
bil
Metalli
Gli elettroni periferici non
partecipano alla formazione di
legami covalenti e rimangono
lib i di muoversii sotto
liberi
tt leffetto
l ff tt
di un campo elettrico
Isolanti
Tutti gli elettroni di valenza sono
coinvolti in legami covalenti.
Occorre molta energia per
staccarli
t
li e farli
f li partecipare
t i
alla
ll
conduzione
Moto degli
g elettroni in un conduttore
dovuto allagitazione termica
In un conduttore gli elettroni sono liberi.
liberi Se il campo elettrico
nullo, il moto di un elettrone dovuto allenergia termica e pu
essere visto come una rapida
p
successione di urti allinterno del
reticolo che compone la struttura del materiale conduttore.
Nell intervallo di tempo medio che intercorre tra due collisioni,
Nellintervallo
collisioni c,
gli elettroni acquisteranno una velocit media, vth, e percorreranno
una distanza media l (l = vthc).
l viene detta libero cammino medio e
rappresenta la distanza media che intercorre tra
due urti
c rappresenta lintervallo di tempo medio tra
due collisioni
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Energia
g cinetica degli
g elettroni nei
conduttori per agitazione termica
1
2 kT
=
3 kT
2
moto unidimensionale
moto tridimensionale
10
caso unidimensionale
caso tridimensionale
vdx = n E x
v d = nE
(
E
)
1
E
E
>
10
V/cm
n
11
v
Nq
= Nq d
t
L
A
x
12
Densit di Corrente
La densit di corrente J un vettore e indica la corrente per unit
di superficie
p
((A/m2)).
caso unidimensionale
N dx
I qNv
Jx = =
= qnvdx
A
LA
caso tridimensionale
J = qnv d
13
Legge di Ohm
J = qnv d = qn n E = E
A
L
R=
L
L
=
A
A
V = RI
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14
Mobilit e temperatura
Al crescere ddella
ll temperatura,
t
t
il raggio
i di vibrazione
ib i
d li atomi
degli
t i
del materiale conduttore aumenta per agitazione termica
Incrementa la probabilit che un elettrone collida con un atomo
durante il suo libero cammino medio
Diminuisce il tempo medio tra due collisioni, c
Lincremento della temperatura ostacola il moto della carica
Ci in accordo con la legge di Ohm: la resistenza aumenta
allaumentare della temperatura
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15
I semiconduttori
16
Semiconduttori
Sono microscopicamente simili agli isolanti (tutti gli elettroni di
valenza
l
sono coinvolti
i l i in
i legami
l
i covalenti).
l i)
La sola energia dovuta allagitazione termica (< 2 eV) sufficiente
a liberare
lib
un certo numero di elettroni
l
i e a renderli
d li disponibili
di
ibili alla
ll
conduzione
Composti
Elementi della IV colonna
silicio carbonio (SiC)
Composti
C
ti
Elementi di III e V colonna
arsenurio di gallio (GaAs)
17
Silicio
Latomo
o o ddi S
Si ha 14 eelettroni
e o ed tetravalente
e v e e ((4 eelettroni
e o ddi
valenza)
Rappresenta il principale materiale per la realizzazione di
componenti a semiconduttore, soprattutto per la possibilit di
realizzare facilmente un materiale isolante di elevata qualit (il
biossido di silicio, SiO2)
Basso costo rispetto ad altri materiali (nella forma di silice o di
silicati, costituisce il 25% della crosta terrestre)
La tecnologia per la sua lavorazione di gran lunga la pi
avanzata rispetto a quella degli altri semiconduttori
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18
zona di
valenza
+4
+4
e2
+4
+4
+4
+4
e1
y
x
+4
+4
+4
zona di
conduzione
d i
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19
Elettroni e lacune
Lagitazione termica pu liberare un elettrone e farlo saltare dalla
zona di valenza
l
alla
ll zona di conduzione
d i
Un elettrone libero lascia alle sue spalle una lacuna (hole)
Processo di generazione coppie
elettrone lacuna
elettrone-lacuna
Sotto lapplicazione di un campo
elettrico gli elettroni liberi partecipano
alla conduzione di corrente
Anche le lac
lacune
ne ttuttavia
tta ia danno il loro
contributo alla conduzione di corrente
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+4
+4
e3
e2
e4
+4
+4
+4
+4
h1 elettrone
lac na
lacuna
+4
e1
+4
+4
20
+4
+4
+4
+4
+4
+4
h1
+4
e4
e3
e2
+4
e1
+4
21
Semiconduttori intrinseci
Il semiconduttore puro viene detto intrinseco
Nel semiconduttore intrinseco ogni elettrone che si liberer dal
legame covalente creer una lacuna
Il numero delle lacune sar uguale
g
a qquello degli
g elettroni liberi
Definendo rispettivamente con p ed n il numero di lacune e di
elettroni
l
i per unit
i di volume
l
presentii in
i un semiconduttore,
i d
sii avr
n = p = ni
22
Concentrazione intrinseca
ni dipende dalle caratteristiche del semiconduttore ed funzione
d ll temperatura
della
Il valore di ni dovuto ad un bilanciamento tra il tasso di
generazione ed il tasso di ricombinazione
EG (T )
ni = CT exp
2
kT
3
2
ni (cm
m-3)
Silicio
ni = 1.4510
1 45 1010 cm33 @ 300 K
C una costante
k la costante di Boltzmann
EG(T) llenergia
energia di bandgap
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Temperatura (C)
23
n e p rappresentano
pp
la mobilit
degli elettroni e delle lacune
Le due
L
d mobilit
bilit hanno
h
valori
l i
differenti e la mobilit delle lacune
inferiore a q
quella degli
g elettroni.
Semiconduttore
Silicio
A
Arsenurio
i di gallio
lli
Germanio
mobilit (cm2/Vs)
elettroni lacune
1450
505
9200
320
3900
1900
24
Osservazione
Un cristallo di Si ppossiede 5 1022 atomi/cm3
Siccome a temperatura ambiente ni=1.45 1010 cm-3, ci significa che
meno di 1 atomo su 1012 contribuisce a generare una coppia
elettrone-lacuna.
Per questo motivo la conducibilit del silicio (semiconduttore
intrinseco) molto bassa e non particolarmente idonea per
realizzare dispositivi
p
elettronici.
25
Semiconduttori estrinseci
possibile inserire in un semiconduttore intrinseco altri elementi
chimici
hi i i per variarne
i
la
l conducibilit
d ibili
Tali elementi vengono detti droganti o anche impurit
Il semiconduttore cos trattato viene detto drogato,
g , impuro
p
o
estrinseco
Vincoli
C
Concentrazione
i
di drogante
d
<< 5.0210
5 02 1022 cm-33 (atomi
(
i del
d l silicio)
ili i )
Concentrazione di drogante >> 1.45
1 45 1010 cm-3 (= ni)
1014 atomi/cm3 < concentrazione drogante
g
< 1020 atomi/cm3
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26
Tipi di drogante
Gli elementi droganti che sono in grado di alterare le propriet
elettriche
l i h di un semiconduttore,
i d
appartengono alla
ll V o alla
ll III
colonna della tabella periodica degli elementi
Tali elementi sono pentavalenti o trivalenti in quanto possiedono
rispettivamente
p
cinque
q o tre elettroni che ppossono formare legami
g
covalenti con gli atomi adiacenti.
Droganti Trivalenti
Boro
Gallio
Indio
Droganti Pentavalenti
Antimonio
Fosforo
Arsenico
27
+4
+4
+5
+4
+4
+4
+4
+4
+4
elettrone
28
+4
+4
+4
elettrone
+4
+5
+4
+4
+4
+4
29
+4
+4
+4
+4
+3
+4
+4
+4
lacuna
+4
30
+4
+4
+4
+4
+3
+4
+4
+4
lacuna
+4
31
Drogaggio di tipo n
Aumenta la
concentrazione
t i
degli
d li
elettroni
Genera cariche
positive fisse (ioni)
Diminuisce la
concentrazione di
lacune
Drogaggio di tipo p
Aumenta la
concentrazione
t i
delle
d ll
lacune
Genera cariche
negative fisse (ioni)
Diminuisce la
concentrazione degli
g
elettroni
32
33
Equilibrio termico
In un semiconduttore la condizione di equilibrio termico implica un
perfetto
f
bilanciamento tra i processii (o
( meglio
li i tassi)) di
generazione e ricombinazione
Processi Generazione-Ricombinazione
1. Elettrone si svincola da un atomo Si creazione coppia
pp
elettrone-lacuna
2. Elettrone verso lacuna annichilimento coppia elettronelacuna
3. Elettrone da atomo donore elettrone + ione positivo
4 Elettrone verso atomo accettore lacuna + ione negativo
4.
34
Legge dellazione
dell azione di massa
np = ni2
35
ni2
pn
ND
ni2
np
NA
36
Diffusione di portatori
37
x
-ll
l
38
Corrente di diffusione
Dopo un tempo c met degli
elettroni che si trovavano tra il
punto l e 0 attraverseranno
llorigine
origine
Il flusso di particelle sar met
area 1 diviso il tempo di
percorrenza, c
n(l)
n
n(0)
n(-l)
( l)
2
x
l
39
Corrente di diffusione
dn
jnx = qDn
dx
Dn = vth l
40
dn
jnx = qqDn
dx
jnx = qn n Ex
dp
dp
j px = qp p Ex qDp
dx
dn
jnx = qn n Ex + qDn
dx
Correnti totali
41
Relazione di Einstein
kT
Dn =
n = VT n
q
Dp =
Dp
Dn
kT
p = VT p
q
= VT
Pari a circa 26 mV a
temperatura ambiente (300 K)
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42
Potenziale allinterno di
un materiale con
concentrazione non
uniforme di portatori
43
Correnti in un semiconduttore a
concentrazione non uniforme
In un semiconduttore con concentrazione non uniforme di
portatori (es. lacune p1 e p2) si crea una corrente di diffusione
Poich il circuito aperto, la corrente totale che si osserva nulla
Deve esistere una corrente di deriva (e quindi un potenziale
elettrico) allinterno del materiale
dp
=0
j px = qp p Ex qD p
dx
D p 1 dp
1 dp
Ex =
= VT
p p dx
p dx
x=0
p1
p2
2
x
44
Potenziale in un semiconduttore a
concentrazione non uniforme
Cio si instaura un campo elettrico che si oppone alla diffusione.
Il campo elettrico consente di determinare il potenziale
da cui
p2
1 dp
Ex = VT
p dx
dp
V21 = E x dx = VT
p
1
p1
p1
V21 = VT ln
p2
n2
V21 = VT ln
n1
p1
p2
2
45
Equazioni di Boltzmann
Si ottengono invertendo le formule dei potenziali di contatto
n1 = n2 eV21 VT
p1 = p2 eV21 VT
p1 = ni eV21 VT
e moltiplicando
lti li d tra
t di loro
l
p1n1 = ni2
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46
Potenziale di Fermi
Il potenziale di Fermi di un semiconduttore, F, altro non che il
potenziale
i l di contatto tra il semiconduttore
i d
intrinseco
i i
e il
semiconduttore considerato
V21 = VT ln
p1
p2
n2
V21 = VT ln
n1
F = VT ln
p
ni
n
F = VT ln
ni
47