Cuestiones de Examen

FUNDAMENTOS DE
ELECTRNICA

1 CURSO DEL GRADO

Ingeniera de Tecnologas y
Servicios de Telecomunicacin

REA DE TECNOLOGA ELECTRNICA

DPTO. INGENIERA ELECTRNICA Y COMUNICACIONES
CENTRO POLITCNICO SUPERIOR
UNIVERSIDAD DE ZARAGOZA
CURSO 2014-2015

Cuestiones de examen

NDICE
Conocimientos Previos
HU

Diodos
HU

2
UH

5
UH

Representacin de Ondas
HU

Transistores Bipolares
HU

8
UH

10
UH

Reguladores con BJT

HU

12

UH

Circuitos de Seal Equivalentes con BJT

13

Etapa Complementaria

14

HU

UH

HU

UH

Transistores FET
HU

16

UH

Reguladores con FET

HU

19

UH

Circuitos de Seal Equivalentes con FET

HU

UH

Amplificador Operacional
HU

AO y Diodos
HU

20
UH

22
UH

AO y Transistores BJT
HU

24

UH

AO y Transistores FET
HU

25

UH

Soluciones
HU

26
U

Conocimientos Previos
H

Diodos
HU

26
UH

27
UH

Transistores Bipolares
HU

30
UH

Transistores FET
HU

34

UH

Amplificador Operacional
HU

19

UH

AUTORES:
Julio David Buldain Prez
Eduardo Laloya Monzn
Area de Tecnologa Electrnica
Dpto. Ingeniera Electrnica y Comunicaciones
Centro Politcnico Superior
Universidad de Zaragoza 2010

Fundamentos de Electrnica - 1 Ingeniera de Tecnologas y Servicios de Telecomunicacin

36

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CONOCIMIENTOS PREVIOS:
1. Disponemos de resistencias con 10% de tolerancia (R = 1K, 1K2, 1K8, 2K2, 2K7, 3K3, 3K9,
4K7, 5K6, 6K8, 8K2) y potencimetros de ajuste (P = 1K, 5K, 10K). Escoger dos valores de
R y P que permitan generar una resistencia de valor preciso en 10K
2. Representa un generador real de tensin con impedancia interna de 50W que proporciona una
tensin de salida en abierto, Vo(t), con 5V de offset y una componente de seal sinusoidal de
amplitud 2V y T=20msg. Dibujar la seal Vo(t).
3. Disear un circuito que a partir de un generador ideal de tensin continua de valor 5V nos
proporcione una tensin variable entre 0V y 4V. Obtener valores de los elementos resistivos
si se quiere que la impedancia de salida mxima del circuito sea de 1K25.
4. En el laboratorio disponemos el generador con seal sinusoidal de 4V de amplitud y un
divisor de tensin con dos resistencias iguales. Al medir con las sondas del osciloscopio
como en la figura, debemos tener en cuenta que cada sonda del osciloscopio introduce un
camino resistivo con una impedancia del orden del MW (Rosc), y el generador tiene una
impedancia interna Rg=50W. Calcular las tensiones en ambos canales para cada uno de los
tres casos:
CH I

a) R = 1K;
b) R = 1M;
c) R = 47W;

CH II

R
50 W
Vi vacio

Rosc

4Vmax
1KHz

Rosc

5. Suponer un circuito RC al que se le introduce una seal sinusoidal de amplitud 5V y

frecuencia 10KHz. Dibuja la tensin de entrada y la tensin en el condensador para esa
frecuencia suponiendo que R = 100K y C = 1mF.
6. Obtener el valor medio y el valor eficaz de las siguientes ondas peridicas:
V
V1
Vo

a)
V

V1

b)

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V
V1
T
Vo

c)
V
V1
T
Vo

d)
V
V1
Vo
T

e)

7. Dibuja aproximadamente la tensin Vo medida en modo DC con los siguientes valores del
circuito: Vcc=6V, R1=5K, R2=10K, Rg=40W, Vg(t)= Vsen(wt), V=1V, C=120mF. Teniendo
en cuenta que las frecuencias de Vg(t) varan entre 0.1KHz y 10KHz.

Vg
t

Vo
R1
Vcc

Rg

+Vcc

vo

R2

vg
-Vcc

8. Utiliza las denominaciones de unidades ms apropiadas para los siguientes valores habituales
en Electrnica:
a. Autoinduccin:
b. Resistencia:
c. Capacidad:

0.001
105
10-3

0.0008
3900
10-4

0.17
50000000
0.0000005

9. Representa un generador real de corriente con impedancia interna de 1K que proporciona una
corriente de salida en cerrado, Io(t), con 20mA de offset y una componente de seal
sinusoidal de amplitud 10mA y T=20msg. Dibujar la tensin que se ver en una resistencia
de 100W al conectarle el generador.

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10. El generador de corriente de la cuestin anterior se conecta a una resistencia de valor

desconocido sobre la que medimos en modo DC del osciloscopio una tensin de pico de
3.6V. Cul es el valor de la resistencia?
11. Un generador real de corriente con impedancia interna de 1K, en cerrado proporciona una
corriente de salida con una componente de seal sinusoidal de amplitud 100mA y T=20msg.
Se conecta (sin el cable) a una resistencia de valor desconocido sobre la que medimos en
modo AC del osciloscopio una tensin de pico de 20V. Cul es el valor de la resistencia?
12. Un generador de seal sinusoidal, con impedancia interna de Rg = 50W, se conecta a una
resistencia de R=100W sobre la que medimos en modo AC del osciloscopio una tensin de
pico de 2V y en modo DC medimos 4V. Qu funcin proporciona el generador?
13. El generador de funciones de la figura tiene 1K de resistencia interna de salida. Se ajusta, con
el interruptor abierto, para que nos d a su salida una onda sinusoidal de 6V de amplitud y
2V de OFFSET. Dibuja la forma de onda en vo con el interruptor cerrado medida con el
osciloscopio en los modos DC y AC.
S
Generador
de
Funciones

1K

14. Se dispone de un generador de seales capaz de ofrecer en circuito abierto una seal
cuadrada de 0V de mnima y 5V de mxima. Si la impedancia de salida de dicho generador
es de 0K6, qu seal se ver en extremos de una carga de 1K2 con el osciloscopio en
posicin AC?
15. Convertir los siguientes valores a microFaradios:
6.2 103 pF
5.4 102 nF
1.2 F
1.3 mF

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DIODOS:
1. Suponiendo que se utiliza el modelo con tres tramos lineales del diodo, calcular, en el
circuito de la figura, la tensin en los extremos del diodo y la intensidad que lo atraviesa.
Datos: rd=10W, ri=1M, Vg=0.7V, V=12V, R=1K.

2. Calcular el valor medio de la tensin de salida considerando el diodo ideal. La tensin de

entrada tiene forma triangular con un valor mximo de 5V y una frecuencia de f = 1KHz.

+
Vin
_

+
Vou t
_

3. Si Vz=5V, Izmin=1mA y Pmax=0.5W del zner:

a) cul es la intensidad mxima de salida Io en la fuente de tensin de 5V de la figura?
b) Si Io=0A, se quemara el zner?

+ 1 5V

Io
1K

4. En el circuito de la figura, siendo Vi=5V y R=10K, lucir el LED? por qu? y con
R=100W? Datos del LED: V=2V ; Iledmin=10mA ; Pmaxled=1/4W
Vi
R

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5. Calcular el rango de valores de Vi que mantienen al zner en zona zner sin que se queme.
Datos: diodo zner con Vg = 0.7V, Vz = 4v7, Izmin = 1mA, Izmax = 20mA y R = 4K7.

R
+

Dz

Vi

Vo
_

v1

6. Deducir que valor de Vo se obtiene en los siguientes circuitos.

v2
R

+
vo1
-

R
v1
v2
R
R

+
vo2
-

7. Obtener Vo para el circuito siguiente si V1 y V2 son las de la figura. Los diodos son ideales.
V

Vcc=1 5V

Vcc

V1
V2

v1
v2

+
vo
-

8. Dibujar la funcin de transferencia Vo/Vi del circuito de la figura. Suponer Vg=0V, Vz=3V,
V=3V.

vi

Vz
V

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vo
_

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9. En el circuito de la figura V1 y V2 son seales analgicas, obtener la expresin de Vo en

funcin de ellas, suponiendo los diodos ideales.
vo

R
+

R
+

v1

D1

v2

D2

10. Dibujar las formas de onda en Vo vistas en el osciloscopio en los modos DC y AC. Datos: Vi
= (2 + 4sen wt) V, Vz = 4V, Vg=0V.

R
+

Vz

vo
_

vi

11. Obtener la expresin de la corriente que atraviesa la resistencia R3.

R1=10W

R2=10W

v1

v2

R3=20W

12. Calcular la tensin Vo en funcin de V1, sealando las condiciones de conduccin de los dos
diodos claramente. Suponer los diodos ideales.

D1

v1

D2
R

vo
_

7V

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3V

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13. Indica el estado de los diodos (ideales) del circuito y el valor de la salida Vo. R=1K, V1=5V,
V2=2V, Vz=3V.
v1
Vz
R

+
R

vo
-

V2

14. Determinar la corriente de carga mxima que sobre la resistencia RL puede proporcionar el
siguiente montaje. Vi oscila entre 12V y 16V, (Pz)mx=0.75W, Vz=6v3, (Iz)mn=1mA,
Rs=1KW.

Rs

Vi

Vz

IL

RL

15. Las seales Va y Vb varan entre 5V y 5V. Determina Vo considerando los diodos ideales.
va
(+ )
R

vo
R
(-)

vb

REPRESENTACIN DE ONDAS:
1. Dibuja la forma de onda de salida vo medida con el osciloscopio en posicin DC y en AC en
el circuito de la figura, cuya entrada es la forma de onda vi indicada. Indica valores de
tensin slo en el caso DC. El diodo zner se supone de Vg=0.7V y Vz=4v7.
vi
5V

vi
_

+
1K

vo
_

-5V

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2. Representa la forma de onda de salida vo en el circuito de la figura, cuya entrada es la forma

de onda vi indicada. Los diodos zner se suponen de Vg=0.7V y Vz=2v7.

vi
6V

vi

vo

2V

t
-2V

3. Representa las formas de onda de salida de un rectificador de media onda vo1 y otro de onda
completa vo2 (ambos con diodos reales de Si), cuya entrada es la forma de onda vi indicada.

vi
6V
2V
t
-2V

4. Representa la tensin vo e indica en cada momento los diodos que estn en ON.

D1

D2
+

vi

vo

vi

_
D3

D4

5. En el circuito de la figura, representa la tensin ANODO-CATODO (vAK) del diodo D1.

vi
Vm

vi
_

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10

6. Dibujar las formas de onda considerando los diodos reales con Vg=0.7V y Vz=2V.
v o (DC)
vi
t

+
Dz

v o (AC)

3.5V

vo
-

vi

t
-2.5V

7. Representar la forma de onda de salida Vo medida con el osciloscopio en posicin DC y en

AC en el circuito de la figura, cuya entrada es la forma de onda Vi indicada. Suponer
Vg=0.7V en ambos diodos y Vz=3v7 en el zner.
v o (DC)
vi
t
R
+

v o (AC)

vi

5V

D
+
Dz

vo
-

t
1ms

-1V

2ms

TRANSISTORES BIPOLARES:
1. En el circuito vi = 5V, VECsat= 0.2V y b=100. Cul es el estado
del transistor y la tensin vo?
a. Para R = 1K;
b. Para R = 10K;

1 2V

1 0 0K

vi

vo
R

2. Calcular el valor de RB que hace trabajar al BJT entre corte y saturacin, y que asegure la
mxima respuesta en frecuencia del transistor. Datos: Vcc = 10V, VCEsat= 0.2V, VBE =
0.7V, b = 100, Rc = 10W.
Vcc

Rc
S

Rb

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11

3. El generador de funciones tiene una impedancia interna de 600W, genera una onda cuadrada
entre 0 y 5V. Calcula las resistencias RB mxima y mnima para que el transistor trabaje entre
corte y saturacin. Tensin de salida en cada caso. Datos: VBE=0.7V, b=200, VCEsat=0.2V.
1 0V

Rc=1K

vo
Rb

Generador
de
Funciones

4. Disea, con un LED (Vg=2V, Iledmin=10mA), un transistor NPN (b=100), resistencias y una
fuente de tensin de 7V, dos circuitos:
Un circuito con BJT trabajando entre corte y saturacin, que con Vi=0 LED NO LUCE, y
con Vi =5V LED LUCE, y
otro en el que ocurra lo contrario

a.
b.

5. Calcular el punto de operacin del transistor. Datos: VEB=0.7V, b=200, VCC= -12V,
Rb= 470K, Rc=1K5.
Vcc

Rb

Rc

6. Calcular el punto de operacin del transistor. Datos: VBE=0.7V, b=200, VCC=12V, Rb=220K,
Rc=1K5.
Vcc

Rc

Rb

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12

REGULADORES CON BJT:

1. Suponiendo al zner bien polarizado en zona zner, deducir el mximo valor de R que
mantiene al circuito trabajando como fuente de corriente. Datos: Vcc=10V, Vz=2v7,
VBE=0.7V, R1=10W.
Vcc

R1

Vz

Rz

2. Calcula RB para que el transistor est en modo activo sabiendo que la carga (lmpara)
necesita 0.1A y 10V. Datos: Vi = 4.3V, Vcc = 12V, b = 200, VEB = 0.7V.
+Vcc

Rb

vi

PNP

3. Obtener Rz si Vz=5v7, Izmax=30mA, Izmin=10mA y b =100. Sabiendo que RL (100W , ).

Cul es la corriente mxima que se puede obtener en RL?
Vcc=1 2V

Rz

Vz

RL

4. Calcula la intensidad I, suponiendo el zner ideal y en zona zner.

Datos: b =100; Vz=5v7; RL =1K y VEB = 0.7V.

Vz

RL

a) Para Vcc=-10V.
b) Para Vcc=-8V.
Rz
Vcc

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13

5. Disea un regulador de corriente de 10mA con la carga conectada a masa, utilizando una pila
de 9V, un zner de 2v7 con Iz=2mA, un transistor bipolar (b = 200) y resistencias.

Rcarga

I = f(Rcarga)

6. En el siguiente circuito calcula la corriente I para: a) R=100W, b) R=1K.

+ 1 2V

0K1

V z=5V

1K

CIRCUITOS DE SEAL EQUIVALENTES CON BJT:

1. Dibuja el circuito equivalente para seales alternas del amplificador de la figura,
considerando los condensadores como cortocircuitos a las frecuencias de trabajo y el BJT en
Activa.
Vcc

Rb

Rc
C2

C1

vi

Re

vo

RL

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14

2. Dibuja el circuito equivalente en seales del circuito, suponer el BJT en Activa.

Vcc

R3

R1

C2

Ce

vi

R2
R4

3. Suponiendo el transistor en activa, dibujar el equivalente en pequea seal del siguiente

amplificador. Considerar diodos ideales.
Vcc

R1

R2
C

Rg

vo

RL

vi

4. Obtener el circuito equivalente en seales del esquema de la figura, suponiendo el BJT en

activa y el zner ideal en zona zner.
Vcc

R1

Rc
C2

vo
C1
Vz

Re

vi

RL

ETAPA COMPLEMENTARIA:
1. El generador de ondas del laboratorio tiene una resistencia interna de salida de 600 W. Se le
conecta directamente una bombilla de 10V y 100mA. Se ilumina? Por qu? En caso
negativo, propn un circuito que conozcas para solucionar el problema.

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15

2. Determina la tensin vo y el modo de operacin de los transistores T1 y T2, cuando: a) Vi =

10V y b) Vi =0.1V.
+ 1 2V

T1

vo
vi

T2

-1 2V

3. En el circuito de la cuestin anterior, si vi es una tensin senoidal de amplitud 10V

representa la tensin Vo medida con el osciloscopio en el modo AC.

4. Dibuja el circuito equivalente para gran seal del amplificador de la figura, considerando
todas las posibles polarizaciones de los transistores T1 y T2.
+ 1 2V

T1

vo
vi

T2

1K

-1 2V

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1K

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16

TRANSISTORES FET:
1. Se quiere mantener un N-MOS en saturacin dentro del rango de variacin de
IDS=(9mA,25mA). Condiciones externas imponen VDS=4V. Qu valores mnimo y mximo
de VGS son aceptables? Datos: K=1mA/V2, VT =0V.
2. Determina la tensin de puerta para una corriente de drenador de 16mA en el MOSFET de
acumulacin del circuito de la figura, sabiendo que VT=1V, K=4mA/V2 y Vg =2V en el
LED.
+ 5V

VG

3. En el inversor NMOS de la figura, calcular el valor lmite que puede tomar RD para que
aparezca como vlido un 0 lgico, teniendo en cuenta que dicho 0 lgico slo se entiende
si vo 0.5V. Datos: vi = Vdd = 12V, VT = 1V, K = 1mA/V2.
Vdd

RD

vo
vi

4. Calcula el punto de operacin Q(VDS, ID) del transistor MOS de acumulacin en el circuito
de la figura, suponiendo la tensin umbral VT=3V y la constante K=0.5mA/V2.
+ 1 0V

1 5 0K

1 2K

1 0 0K

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17

5. Determina razonadamente el modo de operacin del transistor del circuito de la figura,

sabiendo que VT=2V, K=1mA/V2.
+ 5V

1M

1K

6. Determina razonadamente el modo de operacin del MOSFET de

acumulacin del circuito de la figura, sabiendo que VT=1V,
K=4mA/V2.

+ 5V

7.5V

1 0K

1M5

3K3
-5V

7. Calcula la IDS del transistor de la figura: Vz = 4V, VT= 1V, K = 1mA/V2, Rz=1K, Rd = 0.5K.
+ 1 2V

Rz

Rd

Vz

8. Obtener el valor de Vz (suponer el zner polarizado en zona zner) para que el MOS trabaje
en saturacin con Ids = 8mA. Datos: Vdd = 10V, Rs = 0K5, K = 2mA/V2, VT = 1V.
Vdd

Rz

Vz

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Rs

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18

9. Escoge Vz y Vcc para que Q = (4,3V, 9mA) en saturacin. K=1mA/V2, y VT = 1V.

Vcc

Rz

Vz

R=0K3

10. Deducir el punto de operacin del MOS de vaciamiento. Datos: Vdd = 5V, VT = -2V, Vz =
2v7, K = 5mA/V2.
+Vdd

Vz

Rd
Rg

11. Obtener VG y Vdd para que el MOS trabaje en saturacin con Ids=10mA, imponiendo que el
zner trabaje en zona zner con Iz=2mA. Datos: Vz=4V, K=10mA/V2, VT=0V, Rs=250W.
+Vdd

VG

Vz

Rs

12. Deducir el valor de Vcc que hace que el LED luzca con ION=16mA y VON=1.2V. Datos:
MOS: K=4mA/V2, VT=1V, R1=3K, R2=1K.
+Vcc

R1

VG

R2

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19

REGULADORES CON FET:

1. Dibujar el esquema de un regulador de intensidad con NMOS.
2. Dibuja el esquema de un regulador de intensidad de 4mA con NMOS de acumulacin de
VT=2V, K = 1mA/V2, si Vcc = 12V. (utilizar slo resistencias).
3. Disear una fuente de intensidad de 160mA para una carga con resistencia mxima de 30 W.
Utilizar un N-MOS con K = 10mA/V2 y VT = 1V. Se dispone de una fuente de alimentacin
constante de 10V y resistencias.

CIRCUITOS DE SEAL EQUIVALENTES CON FET:

1. Obtener el circuito equivalente en seales del circuito, suponiendo los puntos de operacin:
Q1 = (4.5V, 1.5mA) en Activa y Q2 = (4V, 5mA) en Saturacin y zner en zona zner.
Vcc

Vz

R2

R4
T1
T2

R1

R3

2. Obtener el equivalente en seales del circuito y la expresin de ids, sabiendo que el zner
trabaja en zona zner (ideal) y el MOS en saturacin. Datos: (VGS-VT) = 3V, K = 15mA/V2.
Vdd

Rz

Rd

Cd

vo
Cs

Vz

Rs

vi

RL

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20

AMPLIFICADOR OPERACIONAL:
1. En el circuito de la figura, el AO es un m741 real y la fuente de seal es un generador del
laboratorio con Vg = 20 sen(wt) V. Seala qu problema(s) identificas en el diseo del
circuito. Datos: R1= 100W, R2 = 1K, R3 = 1M, R4 = 5W, Vcc = 10V.
R2
+Vcc

R1

Generador
de
Funciones

vo
u74 1

R4

R3

2. La tensin del generador de seales se ajusta en vaco a 2 Vpp. Cul puede ser la razn por
la que a la salida del amplificador inversor se midan 10 Vpp si la ganancia es 10
(R2=10*R1)?
R2

Generador
de
Funciones

R1

+ 2 0V

vo

vi

20V

3. Disea un amplificador de ganancia variable de 1 a 100. Utiliza un potencimetro y el resto

de componentes que creas necesarios.
4. Proponer una etapa con AO. Las caractersticas de la etapa sern: impedancia de entrada de
100K, impedancia de salida nula y ganancia en tensin positiva y menor que 1. Datos: se
dispone de un A.O., potencimetros y resistencias.
R2

5. Calcula la impedancia de entrada del siguiente circuito

para las dos entradas:

R1

+Vcc

v1

vo

v2
R1

Vcc

R2

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21

6. En el siguiente circuito, dada Vi=5V determina la

tensin Vo.

1 0 0K

1 0K

vi
+ 1 0V

vo
1 0K

7. Obtener la funcin de transferencia Vo en funcin de Vi.

R
+Vcc

vo
R

vi
Vcc

8. Obtener la funcin de transferencia del circuito siguiente:

R

v1
+Vcc

vo
v2

R
Vcc

9. Calcula la tensin de salida del circuito de la figura, suponiendo AOs ideales.

1 0K
+Vcc
+Vcc

1uA

AO_1

vo
AO_2

Vcc

1K

-Vcc

9 9K

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22

10. Obtn la funcin de transferencia compleja de Vo en funcin de Vi.

C

vi

+Vcc

vo
Vcc

AO Y DIODOS:
1. El fotodiodo del circuito genera una intensidad I=250nA en presencia de luz y de 1nA en
oscuridad. Calcular la tensin Vo para la situacin de iluminacin y para oscuridad.
Vcc=15V, R1=0K1, R2=10K.
R2
+Vcc

+Vcc

vo
Vcc

1M

R1

2. Determina la tensin vo en el siguiente circuito. Datos: Vg=0.6V para los diodos, Vcc=5V,
V1=2V, V2=3V, Vref=1V, R=1K.
Vcc
+Vcc

v1

vo

AO_1
AO_2

D1
V ref

-Vcc
+Vcc

D2
AO_2

v2
-Vcc

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Cuestiones de examen

23

3. Obtener Vo en funcin de V1 y V2, si ambas seales se mueven en el intervalo (-5V, 5V).

Suponer diodos y AO ideales.
+ 1 0V
+ 1 0V

v1

vo

AO_2

D1
3V

-1 0V

D2
v2

4. Dibujar la funcin de transferencia de Vo en funcin de Vi.

Suponer diodo y AO ideales, con los valores: Vref = 3V,
Vcc = 10V y Vz = 2v7.

+Vcc

v ref
vo
vi
Vz

Vcc

R1

5. Hallar la funcin de transferencia del siguiente circuito suponiendo que el diodo es ideal con
Vg=0V (el operacional est alimentado entre +9V y 9V).
D
R

+Vcc

vi

vo

-Vcc

6. Obtn la funcin de transferencia del circuito de la figura. Considera los diodos reales.
Z1

Z2
R2

R1

+Vcc

vi

vo

R3

-Vcc

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24

7. Representa la forma de onda de tensin en V1 y Vo en el circuito de la figura, siendo cero la

carga inicial del condensador y el diodo real (Vg=0.7V). Suponer que el condensador
presenta tiempos de carga despreciables comparados con la variacin temporal de la seal.
vi
9V

AO Y TRANSISTORES BJT:
1. Calcula, para el circuito de la figura, la corriente que circula por la resistencia RL en funcin
de V, R, RL y VCC, suponiendo b elevada.
+Vcc

R
+Vcc

PNP

vi
Vcc

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RL

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25

2. Hallar la funcin vo=f(vi) del siguiente amplificador realimentado. Datos: vi<Vdc, b=200,
VBE=Vg=0.7V, BJT en ACTIVA.
T

Vo

Rg
R1

V dc

+Vcc

vi

R2
Vcc

3. A partir de una onda senoidal de amplitud 15V, proponer un circuito (sin realizar ningn
clculo) para obtener una onda cuadrada entre 0 y 10V de la misma frecuencia. Se dispone de
AOs, BJTs, resistencias y fuentes de tensin de 20V, -20V y 10V.

AO Y TRANSISTORES FET:
1. Determina razonadamente el modo de operacin del
MOSFET de acumulacin del circuito de la figura.
Datos: VT=2V, K=1mA/V2.

+ 5V
+ 5V

1K

-1V

-5V

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26

SOLUCIONES
CONOCIMIENTOS PREVIOS:
1.

Superiormente se cumplir: 1.1R < 10K; por ejemplo: R = 6K8;

Inferiormente se cumplir: 10K - 0.9R = 3.88K < P P = 5K, P = 10K;

2.
vo(t)
50 W

7V
5V

2Vmax
50Hz

3V
t

5V
T = 20 ms

3.

R = 1K; P = 4K;

Vo

5V

4.

a) CH 1 Vi;
b) CH 1 Vi;
c) CH 1 2Vi/3;

CH 2 Vi/2;
CH 2 Vi/3;
CH 2 Vi/3;

5.

Vo/Vi 7.95 10-7; -/2;

6.

a) Vmed = Vo;

Veff = ( Vo2 + V12 /2 )1/2;

b) Vmed = 2V1/p;

Veff = V1 / (2)1/2;

c) Vmed = ( Vo + V1 ) / 2;

Veff = [ ( Vo2 + V12 + Vo V1 ) / 3 ] 1/2;

d) Vmed = ( Vo + V1 ) / 4;

Veff = [ ( Vo2 + V12 + Vo V1 ) / 6 ] 1/2;

e) Vmed = Vo;

Veff = ( Vo2 + V12 / 4)1/2 ;

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7.

27

ZCmax = 1 / Cwmin j 13.26W < Rg << R1 || R2 = 3333W;

VoAC Vg; VoDC = 4V; Vo 4 + Vg;
Vg
t

Vo
+Vcc
4+Vg
t

-Vcc

8.

800 mH;
3K9;
100 mF;

a) 1 mH;
b) 100 K;
c) 1 mF;

170 mH;
50 M;
0.5 mF;

9.
igAC = 10 sen(wt) mA

Vo( t )
RL = 0.1 KW

+
-

Z =1 KW

2.73V
1.81V
0.90V

Ig DC = 20 mA

10. RL = 136.36W
11. RL = 250W
12. V(t) = 3 + 3sen(wt) V
13. Medida en DC: Vo(t) = 1 + 3sen(wt) V;
Medida en AC: Vo(t) = 3sen(wt) V;
14. Onda cuadrada con: VoACmax = 1.666V; VoACmin = -1.666V
15. 0.0062mF; 0.54mF; 1200000mF; 1300mF;
DIODOS:
1.

ID = 11.18mA;

VD = 0.813V;

2.

Vout med = -1.25V;

3.

a) Iomax = 9mA; b) Si Io=0A, entonces Potz= 50mW < Pmax, luego no se quema.
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28

4.

Para R = 10K no luce (ION = 0.3mA). Para R = 0.1K s luce (ION = 30mA).

5.

Vimin = 14.1V;

6.

Vo1 = max( V1, V2, 0 );

7.

Vo = min( V1, V2, 15V );

Vimax = 103.4V;
Vo2 = (V1 + V2)/3;

Vo
Vcc
V1
V2

8.
Vo(Vi)
6V
3V
Vi
6V

9.

1 2V

V1 > 0 y V2 > 0 Vo = 0V;

V1 > 0 y V2 < 0 Vo = -V2;
V1 < 0 y V2 > 0 Vo = V1;
V1 < 0 y V2 < 0 Vo = V1 V2;

10.
VoAC

VoDC
3V
1V

-1V

11. V1 > V2 y V1 > 0 Vo = 2V1/3; i = V1/30 (A);

V2 > V1 y V2 > 0 Vo = 2V2/3; i = V2/30 (A)
V1 y V2 < 0 Vo = 0 V; i = 0 A;
12. Vo = max( V1, 7V, 3V ) 3V;
13. Diodo en directa, Zner ON zner, Vo = 2V;
14. ILmax = 8.7mA;
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29

15. Va > 0 y Vb > 0 Vo = Va;

Va > 0 y Vb < 0 Vo = Va - Vb;
Va < 0 y Vb > 0 Vo = 0V;
Va < 0 y Vb < 0 Vo = Vb;
Representacin de ondas:
1.
Vo(DC)

Vo(AC)

4.3V

-0.3V

2.
Vo(DC)
2.6V

3.
Vo1

Vi
6V

Vo2

5.3V
4.6V

2V

1.3V

t
-2V

-2V

0.6V

-2V

4.
V
Vi
Vo

D3 y D2 D1 y D4

5.

V
Vm
Vi
VAK1
Vg

-2Vm+Vg

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Cuestiones de examen

30

6.
Vi

Vo(DC)

3.5V

Vo(AC)

1.3V
t

0.6 5V

0V

t
-0.6 5V

-2.5V

7.
Vi

Vo(DC)

5V

Vo(AC)

3.7V
1.8 5V
t

0V

-1V

-1.8 5V

TRANSISTORES BIPOLARES:
1.

a) Activa; Vo = 6.3V; b) Saturacin; Vo =11.8 V

2.

RB 0.95K;

3.

RBmin = 0K; RBmax = 87.15K;

4.

a) RB 43K;
RC = 0.48K;

b) RB 31.61K;
RC = 0.5K;
Vcc

Rc
RB

vi

5.

VCE = 4.8V; IC = 4.8mA; Activa.

6.

VCE = 5.46V; IC = 4.35mA; Activa.

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Cuestiones de examen

31

Reguladores con BJT:

1.

Rmax = 36.5W;

2.

RB = 14K;

3.

RZ en ( 210W , 600W ); ILmax = 50mA;

4.

a) I = 5 mA;
b) I = 5 mA;

5.

RE = 0.2K; RZ = 3.07K;
+Vcc=9V
RE
PNP
Rz

6.

Rcarga

a) I = 43mA;
b) I = 7.5mA;

Circuitos equivalentes de seal:

1.
ic

ib
+
vp

rp

Vi

RB

b ib

RC
E

RL

Vo
-

RE

2.

ib

c
+
vp
-

rp

R1 R2

b ib

e
+

R3

Vi

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Cuestiones de examen

32

3.
ic

ib
+
vp
-

B
rp

b ib

R2

RL

Rg
+

Vi
-

4.
ib

ic
+
vp
-

B
rp

b ib

RC

RL

E
+

Vi

Re

Etapa complementaria:
1.

No se ilumina. Conectamos el generador a una etapa complementaria usando la bombilla

como resistencia de carga.

2.

a) T1 OFF, T2 ON en activa, Vo = - 9.3V;

b) T1 y T2 OFF, Vo = 0V;

3.
V
+10V
+9.3V

Vi
Vo

-9.3V
-10V

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Cuestiones de examen

4.

Si Vi > 0.7V:

Si 0.7V>Vi > -0.7V:

Si -0.7V>Vi:

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33

Cuestiones de examen

TRANSISTORES FET:
1.

VGSmin = 3V; VGSmax = 4V;

2.

VGS = 3V;

3.

RD > 1.045K

4.

Q( VDS = 4 V; IDS = 0.5mA ); Saturacin

5.

Q( VSD = 3.3027V; ISD = 1.697mA ); Saturacin

6.

Q( VSD = 1.8747V; ISD = 0.61092mA ); Saturacin

7.

IDS = 9mA

8.

VZ = 7V;

9.

VZ = 6.7V; VCC = 7V;

10. Q( VDS = 2.3V; IDS = 20mA ); Saturacin

11. Vdd = 7V; VG = 4V;
12. Imponiendo saturacin: Vcc = 12V;

Reguladores con FET:

1.
+Vcc
R1

RL
N-MOS

R2

2.

Igual que el anterior con R1 = 2R2;

3.

Igual que el anterior con R1 = R2;

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34

Cuestiones de examen

35

Circuitos equivalentes de seal:

1.
ib
B
rp

ic
+
vp

ids = gm vgs

b ib

R3

vgs
S

R4

R2

2.
ids = gm vgs = 90 (mA/V) vgs

Rd

vgs

R4

S
+

RS

Vi

AMPLIFICADOR OPERACIONAL:
1.

R1 Rgenerador; R3 Rin+; R4 RoutAO; VCC - = 0V;

2.

El generador tiene una impedancia de salida: Rg R1;

3.

Con P/R1 = 99;

P
R1
+Vcc

Vo
Vi
-Vcc

4.

P=100K:
+Vcc

Vi

Vo
P
-Vcc

5.

Rin1 = R1; Rin2 = R1 + R2;

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Cuestiones de examen

6.

Vo = 0V;

7.

Vo = Vi/2;

8.

Vo = -V1 + 2V2;

9.

Vo = -1V;

36

10. Vo/Vi = (1 LCw2) j / RCw;

AO y diodos:
1.

Con luz: Vo = 15 V; En oscuridad: Vo = 0.101V;

2.

Vo = -Vcc + Vg = -4.4V;

3.

a) Si V1 > V3 Vo = -10V;
b) Si V1 < V3 Vo = V2;

4.

Vo(Vi)

a) Si Vi < (Vz + Vref) = 5.7V Vo = -10V;

1 0V

Vi

b) Si Vi > 5.7V Vo = +10V;

5.7V
-10V

5.

a) Si Vi > 0V Vo = -Vi;
b) Si Vi < 0V Vo = 0V;

6.

a) Si Vi > 0V Vo = -ViR2/R1; con Vomin = -Vg - VZ2;

b) Si Vi < 0V Vo = -ViR2/R1; con Vomax = +Vg + VZ1;

7.
Vi
9v

V-<V+

V->V+
V1

Vg
Vo

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37

AO y BJT:
1.

IL = ( Vcc V ) / R;

2.

Vo = ( 1 + R1/R2 )Vi;

3.
+ 1 0V

Rc

+ 2 0V

Vi

Vo

RB

-2 0V

AO y FET:
1.

N-MOS en modo hmico con: VDS = 5/7 V; IDS = 30/7 mA;

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