Conversiones energticas
Datos tcnicos
Cada de tensin en el diodo LED: 1.2V
iLED = 15mA
_ 5 1.2
=
= 250 220
iLED
15
Corriente del transistor no muy alta:
iLED 15mA
imax de saturacin =
=
= 3
5
5
_
5
RE =
=
= 1.6 1.5K
imx_SAT 3
R Anodo =
Dispositivos de potencia
Dispositivos Electrnicos
No controlados
DIODOS
Con control de encendido
TIRISTORES
Con control total
TRANSISTORES
Magnticos
Capacitivos
Si en el pin I/O aplicamos un 1L (5V), el LED del optoacoplador enciende y el fototransistor conduce para poner
en la salida un 1L (5V). Mientras haya un 0L en la entrada,
el fototransistor permanecer abierto entre el emisor y
colector, dando como resultado un 0L (0V) en la salida.
Dispositivos Pasivos
BOBINAS
TRANSFORMADORES
CONDENSADORES
CAPACITOR
BOBINA
1
0
_ () = (1 / )
_ () = ( / )
_ () = ( / )
_ () = ( / )
[] = []
_ () = ( / )
_ () = (1 / )
() =
1
2
1
= 2
2
=
() =
_ () =
/
(
)
[/]
= 2
[] =
1
= 2
2
OPTOACOPLADORES
Transmite informacin entre circuitos conmutadores
aislados elctricamente uno del otro. Acople entre 2
sistemas mediante la trasmisin de energa, se elimina la
necesidad de una tierra comn, ambas partes acopladas
pueden tener diferente voltajes de referencia
TIRISTORES
Semiconductores con ms de 2 uniones y ms de 3
zonas con dopados distintos
TIPOS PRINCIPALES: SCR y TRIAC
SCR
Rectificador Controlado de Silicio
Soportar las potencias ms elevadas. Soporta:
I>4000A y V>7000Volt.
Control de encendido por corriente de puerta
(pulso). No es posible apagarlo desde la puerta (s
GTO). El circuito de potencia debe bajar la corriente
andica por debajo de la de mantenimiento.
Frecuencia mxima de funcionamiento baja, ya que
se sacrifica la velocidad para conseguir una cada en
conduccin lo menor posible. Su funcionamiento se
centra en aplicaciones a frecuencia de red.
ESTRUCTURA
1 = 1 + 01
2 = 2 + 02
= 1 + 2
=
2 + 01 + 02
1 (1 2 )
Disparos deseados:
* Por impulso/(I) de puerta
Disparos NO deseados:
* Por exceso de tensin A-K
* Por elevada derivada de
tensin A-K: ( /dt) mx.
* Por radiacin electromagntica
Bloqueo natural
Bloqueo forzado:
* Por fuente inversa de
tensin
* Por fuente inversa de
corriente
TRIAC
Caracterstica v-i
Conduce entre los dos nodos (A1 y A2) cuando se aplica
una seal a la puerta (G).
El paso de bloqueo al de conduccin se realiza por la
aplicacin de un impulso de corriente en la puerta
MOSFET
CANAL N
Funcionamiento
Caracterstica esttica
Curvas de salida.
CIRCUITO
DIAGRAMAS
CANAL P
4N25/4N35
6N135
MOC3021
= /2
= 2/
= /3
= /2
= /2
= /2
= /2
= /
= /3
= /2
=
=
SERIES DE FOURIER
0
() =
+ { + }
2
=1
Coeficientes:
2
0 = ()
0
2
= ()
0
2
= ()
0
PC817
Armnicos
PC847
=2
=
ELEMENTO
THYRISTOR:
SCR
THYRISTOR:
TRIAC
TRANSISTOR
MOSFET
CANAL N
TRANSISTOR
MOSFET
CANAL P
SERIE
BT151
SMBOLO
P1
K
P2
A
P3
G
BT136
T1
T2
IRFZ44N
IRF9530
=
=
= /2
= 0
1
()()
0
1
[][][]
[] 0
= /3
= 0
=A
= 0