20
2.1.
Componentes da Energia Total
O Hamiltoniano
(2.1)
A energia cintica
(2.3)
Onde
(2.4)
A energia cintica
(2.5)
(2.6)
Onde
21
eletrnicos.
A energia de repulso eltron-eltron
(2.7)
Comprimento
4
Energia
Valor no SI
9.1094 x 1031 kg
1.6022 x 1019 C
1.0546 x 1034 J s
5.2918 x 1011 m
4.3597 x 1018 J
Smbolo
2.2.
Aproximao de Born-Oppenheimer
O ncleo dos tomos tem uma massa muito superior massa dos eltrons.
Portanto, a velocidade dos eltrons muito maior do que a velocidade dos
22
, e da funo de
(2.10)
,,
,,
,,
,,
(2.11)
Onde
23
eltron-ncleo e
o potencial de interao
2.3.
Teoremas de Hohenberg e Kohn
O trabalho de Hohenberg & Kohn (1964) mostra, atravs de dois teoremas,
que a partir da densidade eletrnica do sistema no estado fundamental possvel
obter a energia do estado fundamental de maneira exata.
O primeiro teorema estabelece que a densidade de carga
do estado
Para provar este teorema necessrio supor o contrrio, que dois potencias
externos
para o estado
, respectivamente.
Assim, temos:
| |
| |
|
(2.13)
|
(2.14)
do estado
24
.
Este teorema torna possvel o uso do princpio variacional para encontrar a
densidade do estado fundamental. Existem muitas possibilidades para a densidade
eletrnica, porm o problema resolvido por minimizao. Ao encontrar a
densidade para a qual a energia mnima, encontrou-se a densidade do estado
fundamental.
2.4.
Equaes de Kohn-Sham
A equao de Kohn-Sham pode ser vista como sendo a equao de
Schrdinger para um sistema fictcio composto de partculas no interagentes, tal
que a densidade eletrnica gerada seja a mesma do sistema real original composto
pelas partculas reais interagentes. A equao de Kohn-Sham definida por um
potencial externo efetivo
movem.
1
2
Onde as funes
(2.16)
dado por:
(2.17)
A eq. (2.18) foi a soluo proposta por Kohn & Sham (1965) para
representar a densidade de carga:
|
(2.18)
A energia total do estado fundamental da eq. (2.12) pode ser reescrita como:
1
2
Na aproximao de Kohn-Sham,
(2.19)
interagentes
25
. Assim, a
(2.20)
(2.21)
(2.22)
Portanto, a forma final para a energia total do estado fundamental na
aproximao de Kohn-Sham dada por:
1
2
Onde
(2.23)
2.5.
Aproximaes dos Potenciais de Troca e Correlao
A expresso exata do funcional da energia de troca e correlao
no
26
2.5.1.
Aproximao da Densidade Local
A energia de troca e correlao na Aproximao da Densidade Local (LDA)
escrita como:
(2.25)
Onde
a energia de
0.458
E o termo referente correlao eletrnica
(2.27)
foi estimado por Ceperley
e Alder (1980):
0.44
7.8
Onde
(2.28)
conduo:
4
3
(2.29)
2.5.2.
Aproximao do Gradiente Generalizado
A Aproximao do Gradiente Generalizado (GGA) considera, alm da
densidade eletrnica
(2.30)
27
correto,
,
2.6.
Pseudopotencial
Um tomo pode ser visto como sendo composto por um caroo interno e
pelos eltrons de valncia. O caroo interno composto pelo ncleo atmico e
pelos eltrons mais prximos do ncleo, os quais sentem um forte potencial
atrativo e tem pouca participao nas ligaes qumicas. Os eltrons de valncia
esto fracamente ligados ao ncleo e por isso apresentam grande participao nas
ligaes qumicas, determinando a maior parte das propriedades fsicas de um
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slido ou molcula.
O Pseudopotencial um potencial efetivo construdo pelo programa ATOM
(Garca, 2006) e usado para substituir o potencial real gerado pelo conjunto dos
prtons e eltrons prximos ao ncleo. Os estados eletrnicos de caroo so
eliminados e os eltrons de valncia so descritos por uma pseudofuno de onda
sem nodos. Isto reduz o custo computacional simplificando os clculos de
estrutura eletrnica.
Pseudopotenciais de norma-conservada so aqueles que satisfazem as
seguintes condies (Hamann, Schlter e Chiang, 1979):
1. O hamiltoniano real e o pseudo-hamiltoniano devem possuir os
mesmos autovalores.
2. A funo de onda de todos os eltrons normalizada (AE) e a
pseudofuno de onda de valncia normalizada (PS) devem ser
iguais para
, onde
o raio de corte.
28
(2.31)
:
1
(2.32)
.
(2.33)
O potencial da eq. (2.33) pode ser reescrito como sendo composto por um
termo local e um termo semilocal:
,
(2.34)
Onde
|
29
| da funo de onda.
O procedimento descrito por Kleinman & Bylander (1982) pode ser usado
(2.35)
(2.36)
2.7.
Hamiltoniano Empregado no SIESTA
As aproximaes descritas para a Teoria do Funcional da Densidade
permitem escrever o hamiltoniano de Kohn-Sham como sendo (Kohn e Sham,
1965):
1
2
(2.37)
alcance):
1
2
|
(2.38)
30
e I
so,
1996). O termo
pelo potencial
densidade eletrnica
equivalente:
(2.40)
O potencial de Hartree
(2.41)
O termo
nulo para
2.7.1.
Funes de Base
Os orbitais
31
A base mnima SZ (single- ), possui somente uma funo radial para cada
canal de momento angular e somente para os estados de valncia do tomo
isolado. Ela permite a realizao de clculos rpidos com um grande nmero de
tomos para obteno de tendncias qualitativas das ligaes qumicas e uma boa
descrio da banda de valncia.
A base DZ (double- ), possui duas funes radiais por canal de momento
angular permitindo uma melhor descrio da parte radial. possvel adicionar
flexibilizao angular atravs das chamadas funes de polarizao. Assim
podemos ter as bases SZP e DZP, representadas a partir das duas anteriormente
descritas (Artacho, Gale, et al., 2008).
Os raios das funes de base confinadas so definidos de maneira
sistemtica atravs de um nico parmetro, a correo de energia (energy shift). O
seu significado a quantidade de energia incrementada a um orbital devido ao
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2.7.2.
Orbitais Atmicos Numricos
O programa SIESTA utiliza Orbitais Atmicos Numricos (NAO), os quais
so obtidos pela resoluo da equao de Kohn-Sham para os pseudo-tomos
isolados (Junquera, Paz, et al., 2001; Artacho, Snchez-Portal, et al., 1999). O
confinamento das funes de base obtido estabelecendo-se um raio de corte no
ponto onde os valores so suficientemente pequenos para serem desprezados.
Os orbitais atmicos confinados apresentam como vantagem o fato de que
as interaes se estendem numa regio finita de tomos vizinhos. Desta forma,
obtm-se melhor eficincia computacional, pois no necessrio calcular a
interao de um tomo com os seus vizinhos que estejam alm do raio de corte
dos seus orbitais. Isso tambm d origem a matrizes esparsas de hamiltoniano e de
sobreposio, as quais podem ser mais eficientemente armazenadas na memria.