Universidad de Piura

Facultad de Ingeniera

Electrnica General

Circuitos con Transistores

I.- Introduccin
En esta oportunidad estudiaremos un dispositivo electrnico semiconductor
muy usado; su nombre es el Transistor. Actualmente se encuentran
prcticamente en todos los aparatos domsticos de uso diario: radios,
televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de
microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas,
relojes de cuarzo, ordenadores, calculadoras, impresoras, lmparas
fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores
mp3, telfonos celulares, etc.

Tuvieron su origen en la necesidad de amplificar las seales de radio y

televisin que al llegar a una antena no tienen la potencia necesaria para
excitar un parlante o un tubo de televisin. Antes de ste invento, dichas
seales eran amplificadas haciendo uso de las vlvulas termoinica de tres
electrodos. Pero stas tenan varios inconvenientes, como por ejemplo la
gran potencia que consuman, su corta duracin, su gran tamao y la gran
cantidad de calor que disipaban.

En 1947, los cientficos Bardeen, Brattain y Shockley desarrollan en los

laboratorios Bell el primer transistor de estado slido en y cuatro aos ms
tarde con la ayuda de Sparks se construy el primer transistor de unin
bipolar de microvatio. Todo esto ayud que los transistores sean lo
suficientemente prcticos para la ingeniera de uso comn.

En el presente laboratorio se estudiarn algunas de las muchas

aplicaciones que tienen los transistores como por ejemplo: amplificacin de
voltaje y de corriente.

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II.- Sumario de Conceptos

1.- Transistor
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Un transistor
est conformado por tres partes. Una de ellas es la que se encarga de
emitir electrones, por lo tanto, es el emisor. Una segunda parte es la que los
recibe, el denominado colector, y por ltimo, una tercera parte que opera
como un modulador del paso de los electrones.

Figura 1: Transistor
En este dispositivo, se forman dos uniones pn: la unin colector-base y la
unin emisor-base. A continuacin veremos que la corriente que fluye por
una unin afecta a la corriente en la otra unin. Es esta interaccin la que
hace al transistor BJT muy til como interruptor o como amplificador.

2.- Transistor BJT

Un transistor de unin bipolar es un dispositivo de tres capas de
semiconductor extrnseco de tipo n y p alternadamente, formando as dos
uniones np. Cada capa de semiconductor tiene caractersticas particulares
de dopado y dimensiones especficas que le confieren un funcionamiento
peculiar. Tiene tres terminales unidos a cada una de sus capas, siendo la

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base (B) el terminal unido a la capa intermedia y emisor (E) y colector (C)
los terminales unidos a las capas de los extremos.

Figura 2: Estructura interna del BJT

La finalidad de un transistor es controlar un paso de grandes corrientes, con

una corriente pequea. Es as que sus principales aplicaciones son la
amplificacin de corriente, la amplificacin de tensin y el control del paso
de corriente.

3.- Dopado en un transistor

Como se ha dicho un transistor BJT tiene tres zonas o capas con diferente
dopado pudiendo las combinaciones ser npn o pnp como se aprecia en
la figura 3, dependiendo de esa configuracin su estructura cambia pero su
funcionamiento es el mismo.
La base es la capa intermedia y presenta un nivel de dopado muy bajo. El
colector es la capa superior en la ilustracin 3 y presenta un dopado medio
mientras que la capa inferior es el emisor. En cuanto a la geometra la base
es significativamente ms estrecha que las otras dos capas.

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Figura 3: Unin NPN y PNP

4.- Funcionamiento de un transistor BJT

Hasta ahora hemos visto que el transistor bipolar sin polarizacin se
comporta como una unin de dos diodos rectificadores. No sucede as con
el transistor polarizado que se comporta de una manera muy particular e
inesperada;

por

lo

que

enseguida

se

tratar

de

entender

este

funcionamiento.

4.1.- Flujo de electrones en el transistor polarizado

Vamos a asumir que el transistor trabaja en modo activo directo como

se observa en la configuracin que se muestra en la figura 4. Como
sabemos el flujo de electrones tiene sentido opuesto al sentido de la
corriente. Los signos menos representan los

electrones libres. El

emisor, que es una zona altamente dopada, es el que se encarga de

inyectar los electrones a la base; la mayora de estos electrones la
atraviesan y fluyen hacia el colector. Finalmente el colector es el que
recibe los electrones que dej pasar la base para insertarlos
nuevamente en el circuito.

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Figura 4

Adems vemos que cuando los electrones libres se encuentran en la

base, pueden seguir dos caminos:
Pueden recombinarse con los huecos existentes en la base, y
salir de la base hacia el terminal positivo de la fuente Vbb
como electrones de valencia, sin embargo como se trata de una
zona pobremente dopada, esta recombinacin no ser en gran
cantidad por lo tanto el flujo de electrones que ingrese por la
base ser pequeo.
El otro camino que pueden seguir es pasar hacia el colector;
este es el camino que seguir la mayora de electrones debido a
que la zona de la base es pobremente dopada y adems es
muy estrecha, por lo tanto los electrones libres solo requieren
recorrer una distancia muy corta para pasar al colector.

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Una vez que la mayora de electrones libres ingresan a la zona del

colector, fluyen a travs de esta zona y alcanzarn el terminal positivo
de la tensin de alimentacin del colector Vcc.

4.2.- Bandas de energa

Para hablar de bandas de energa, se necesita indicar si el transistor

esta polarizado o no, ya que dependiendo de eso variarn.
Cuando el transistor no est polarizado, vemos que en las zonas n
hay electrones libres en la banda de conduccin; mientras que en la
zona p hay huecos en la banda de valencia; adems al polarizar el
transistor variarn los niveles de energa.

Como se puede ver, cuando el transistor se polariza, los niveles de

energa varan de tal forma que la zona n del colector ha bajado y la
zona n del emisor ha subido con respecto al caso del circuito no
polarizado.

Figura 5

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Al analizar el transistor polarizado, podemos observar que en promedio

solo el 5% de los electrones se logran recombinar en la base y pasan a
ser electrones de valencia y el 95% restante pasa hacia el colector.
Esto se explica por el hecho de que los electrones al pasar a la base
no encuentran muchos huecos para recombinarse. Ms bien,
fcilmente atraviesan la base y llegan al colector que tiene unas
bandas de energa ms bajas y por lo tanto los electrones tienden a ir
hacia l.

5.- Analoga Hidrulica

Figura 6

Si no se inyecta agua por B, no se abre la tapa y no hay caudal de C

hacia E.

Poco caudal por el conducto de la base puede producir un gran flujo

de colector a emisor.

Parte del caudal por B se suma al de C para ir por E.

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6.- Tipos de Transistores

Figura 7

7.- Curvas caractersticas de los transistores

La figura 8 muestra las curvas caractersticas de un transistor bipolar tpico.
Estas curvas estn idealizadas, de manera que slo se muestran las
caractersticas principales.

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Figura 8: Curvas caractersticas en emisor comn de un transistor npn tpico

8.- Zonas de funcionamiento del transistor
La zona en la que est funcionando el transistor depende de la ubicacin
del punto de funcionamiento en la curva de salida del transistor. Segn esto
tendremos las cuatro zonas o regiones de funcionamiento que se aprecian
en la figura 9.

Figura 9

La primera y quiz la ms importante es la regin activa directa que es la

regin en la que el diodo emisor-base esta polarizado en directa, mientras
que el base-colector esta polarizado en inversa. En esta regin el transistor
funciona como amplificador de corriente.

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Una segunda regin es la de ruptura, en la que la pendiente de la curva de

salida se torna mayor. Esta es una zona indeseable de funcionamiento ya
que implica la destruccin del transistor por efecto Joule. En algunos casos
se usa disipadores de calor para alejar esta regin de la regin activa y
evitar problemas trmicos.

La tercera y cuarta regin son las regiones de saturacin y corte. Estas dos
zonas suelen trabajar alternadamente en un circuito, ya que en estas zonas
el transistor funciona como un interruptor controlado elctricamente. En la
regin de saturacin el diodo emisor-base est polarizado directamente,
pero el diodo base-colector no est polarizado inversamente, por lo que no
se cumplirn las relaciones de corrientes. Adems en esta zona el transistor
acta como cortocircuito (interruptor cerrado) entre emisor y base ya que la
tensin es despreciable.

La regin de corte es la zona en la que el diodo emisor-base no est

polarizado directamente y por lo tanto el transistor acta como un circuito
abierto (interruptor abierto).
9.- Corrientes de un transistor

a) Corriente de Base.- es una corriente muy pequea del orden de los

micro amperios.
b) Corriente de Emisor.- es una corriente notablemente ms grande que la
corriente de base.
c) Corriente de Colector.- es una corriente muy parecida a la corriente de
emisor.

Estas corrientes se relacionan mediante la ley de nodos de Kirchhoff, ya

que la suma de la corriente de base con la corriente de colector (corrientes
que llegan a un nodo) nos da la corriente de emisor (corriente que sale de

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un nodo). En forma analtica esto se puede representar de la siguiente

manera:

IC + IB = IE
Donde:

IC: corriente de colector.

IB: corriente de base.

IE: corriente de emisor

Figura 10

Debido a que la corriente de base es muy pequea, podemos despreciarla,

entonces la frmula anterior quedara como:

IC IE
10.- Variaciones en la ganancia de corrientes de un transistor
La ganancia de corriente de un transistor se ve influencia por distintos
factores como son la tolerancia de fabricacin, la temperatura y el punto
de funcionamiento del transistor. Un mismo transistor puede variar su
ganancia debido a estos factores hasta en una relacin de 3 a 1.

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Para un correcto diseo es necesario tener en cuenta estas variaciones

que se pueden producir. Ya que en algunos casos pueden originar un
cambio significativo en el funcionamiento de los circuitos.

Por ejemplo, si se fabrican en cantidad transistores 2N3904 los cuales

presentan, dependiendo de la temperatura, en el mejor de los casos
ganancias iguales a 300 y en el peor de los casos 100; veremos que las
ganancias de cada transistor se encontrarn entre esos rangos y no en un
solo valor especfico.

Figura 11

En la figura 11 se esquematiza la variacin de la ganancia con la

temperatura y la corriente de colector. Se puede observar que la ganancia
alcanza su mximo valor para una corriente de colector dada y disminuye
conforme la corriente de colector se aleja de ella.

Estas variaciones de ganancia han significado un reto para los

diseadores de circuitos elctricos y los ha orientado al diseo de circuitos

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en los que el punto de funcionamiento se vea muy poco influenciado por la

ganancia de corriente.

III.- Trabajo Prctico

Instrumentos y materiales a utilizar

Un osciloscopio

Un protoboard por grupo

Un generador de seales.

Un multitster por grupo

Una fuente regulable de tensin continua por grupo.

Resistencias de 10 (1), 680 (1), 1k (2), 2.2k (2), 3.3k (2), 3.9k
(2), 10k (3) por grupo.

Cinco condensadores cermicos de 100 uF por grupo.

Dos transistores NPN por grupo.

Dos diodos por grupo

Circuito N 01: Amplificador Multietapa

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Circuito N 02: Amplificador B/AB

IV.- Cuestionario
1.- Qu tipo de polarizaciones existen para un transistor? Explique
detalladamente cada una de ellas.
2.- Investigar acerca de la Polarizacin de amplificadores de clase B/AB. Qu
aplicaciones tiene?
3.- Explique brevemente la disipacin de potencia en el transistor.
4.- Realice un anlisis completo del circuito n 01. Calcule el voltaje de salida
del circuito. Qu conclusin puede obtener del estudio de este circuito?
5.- Construya una tabla comparativa donde se muestren los distintos tipos de
polarizaciones de un transistor, sus caractersticas y los usos que se les da.
Por ejemplo su tabla puede tener la siguiente forma:

Tipo de Polarizacin

Caractersticas

Se utiliza en:

V.- Bibliografa

[1] Principios de Electrnica. Sptima Edicin. Autores: Albert Malvino,

David J. Bates.
[2] Apuntes del curso elaborados por el Dr. Ing. Csar Chinguel Arrese.

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