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CAPITULO 6

COMPONENTES
DE MICROONDAS
Existen diversos tipos de elementos o componentes para transmitir, guiar o
monitorear las seales de microondas. Estos componentes se pueden clasificar en
componentes lineales y no lineales. Entre los componentes lineales se encuentran:
los elementos reactivos; ventanas, postes, cortocircuitos y tornillos de sintona,
elementos atenuadores, filtros, elementos de monitoreo; acopladores direccionales,
T plano E, H hbrida, codos, torceduras, sintonizadores E-H, etc.

Entre los elementos no lineales se encuentran; los dispositivos de ferrita;


aisladores y giradores de ferrita, dispositivos con termistores, cristales etc.

En este captulo se realizar una descripcin desde el punto de vista operativo y


de aplicacin de algunos de los componentes mencionados anteriormente, basando
el anlisis, principalmente, en los componentes lineales.
6.1. Coeficientes de Dispersin.

Una forma de estudiar el comportamiento elctrico de los dispositivos de


microondas es mediante coeficientes de dispersin, donde se relacionan las
magnitudes y fase de los voltajes de entrada y salida de los puertos. El voltaje en la
gua conectada a cualquier puerto o regin de discontinuidad requiere el empleo de
ondas incidentes y reflejadas.

V ( z ) = Va e z + Vbe +z

(6.1)

169

Para establecer el coeficiente de dispersin de un dispositivo de microondas se


puede trabajar con la onda de voltaje entrante y la saliente de los puertos de la gua,
como se muestra en la figura 6.1.
V 3+

V 2+

V 3-

V 2-

V 1+
V 1-

V n+
V nFigura 6.1. Unin de n puertos.

Si se denomina a y b los voltajes complejos entrante y saliente de la gua, y


omitiendo el argumento z, la ecuacin 6.1, se podra escribir como:

Vk = ak + bk

(6.2)

Donde k es el k-simo par de terminales.

Estos coeficientes de dispersin se definen de forma tal que cuando la onda de


voltaje bi saliente del i-simo puerto sea producida por una onda de voltaje ai
incidente del j-simo punto y no entren otras seales en los puertos restantes,
obtenindose

bi = Sij a j

(6.3)

bi = Si1a1 + Si 2 a2 + ........... + Sin an

(6.4)

En general para n puertos

170

Simultneamente se puede plantear el juego de ecuaciones que involucra a


todos los puertos

b1 = S11a1 + S12 a2 + ........... + S1n an

(6.5)

b2 = S 21a1 + S 22 a2 + ........... + S 2 n an

(6.6)

bn = S n1a1 + S n 2 a2 + ........... + S nn an

(6.7)

Donde la matriz de dispersin es

S11
Sij = S 21
.

S n1

S12
S 22

Sn2

...........S1n
..........S 2 n

...........S nn

(6.8)

El elemento diagonal Sij es el coeficiente de reflexin en el puerto j-simo, y


representa la onda reflejada que puede ser observada en este puerto, con una onda
incidente de magnitud unitaria y fase cero, cuando todos los otros puertos estn
terminados en la misma impedancia caracterstica. Por esta razn no hay reflexin
de ondas hacia los otros puertos.

La representacin de la matriz de dispersin de una componente de microondas


dada, no es independiente de la representacin de la matriz de impedancia de esa
componente, ya que ambas representaciones describen el comportamiento elctrico
del mismo objeto.

Sin embargo, para altas frecuencias los parmetros de

impedancia, admitancia e incluso los hbridos, no son fcilmente medibles, pues no


se dispone de los equipos de medicin en los puertos de los circuitos, y adems las
terminaciones de cortocircuito y circuito abierto son difciles de realizar, pues
algunos elementos se hacen inestables con estas terminaciones. Por esta razn es
importante hacer el planteamiento de las ecuaciones de la red a travs de los
parmetros S.

171

6.2. Componentes Lineales.

- Cavidades Resonantes.

La energa de radiofrecuencia puede ser almacenada en circuitos resonantes


que consisten de inductancias y capacitancias. La energa comienza a hacerse
mxima cuando la radiofrecuencia corresponde a la frecuencia de resonancia del
circuito.

La energa elctrica es almacenada en la capacitancia y la energa

magntica es almacenada en la inductancia. Una configuracin similar puede ser


construida en un circuito de microondas; a los cuales se les llama resonadores de
microondas.

Un resonador de microondas es usualmente una cavidad cuya geometra


generalmente puede ser rectangular, cilndrica esfrica, en la cual las ondas
electromagnticas son encerradas, ofreciendo diversas aplicaciones a los sistemas
de transmisin, entre ellas; filtros y medidores de longitud de onda (ver figura 6.2).
En este captulo se describirn los rectangulares y cilndricos.

a)

b)

Figura 6.2. Cavidades resonantes empleadas como filtros a) rectangulares y b)


cilndricas.

172

Cavidades Resonantes Rectangulares.


Para el anlisis se asume el sistema de coordenadas mostrado en la figura 6.3.
y

b
c
z

Figura 6.3. Cavidad Resonante rectangular.

Modo TEmnp: Para este modo, la componente de campo Elctrico en la direccin de


propagacin es nula, por tanto, la ecuacin de onda puede ser escrita como

2 H z 2 H z 2 H z
+
+
+ h 2 H z = 0
2
2
2
x
y
z

(6.9)

Como se plante en el captulo 5, las condiciones de frontera para una gua de


onda rectangular con material conductor perfecto, corresponden a;
x=0 en y=0,b (placa superior e inferior de la gua)
y=0 en x=0,a (placas laterales de la gua)
Ahora se plantea una condicin de contorno adicional, debido a las nuevas
placas conductoras; frontal y posterior, por lo tanto, se tendr;
H z =0 en z=0,c (placa frontal y posterior de la gua)

Una solucin para la ecuacin 6.9, se obtiene por el mtodo de separacin de


variables, como se realiz en el captulo 5.

En este captulo tambin se

desarrollaron expresiones para cada componente de campo en este modo, dadas

173

por las ecuaciones 5.43 a 5.47, y tambin se plante la solucin completa, en


funcin del tiempo y la distancia, especficamente para la componente del campo
magntico en la direccin de propagacin z.

Una forma de encontrar los campos en las diferentes direcciones dentro de la


cavidad, para este modo, es partiendo de la expresin del campo H z dado en 5.54,
en la direccin +z;
m
n j ( t z )

H z = E O Cos
xCos
y e
a
b

De la expresin anterior, se puede ver que la variacin longitudinal de una onda


que se propaga en la direccin +z, est descrita por el factor ejt-z.

Para las

cavidades resonantes, esta onda se reflejar en la pared z=c, generndose una


onda reflejada que viajar en el sentido de z, la cual estar descrita por el factor
ejt+z. De esta manera;

m
n + jz

H z = Cos
xCos
y E O e
+ E O e jz e jt
a
b

Aplicando la nueva condicin de contorno,


se tiene

H z = 0,

en .z = 0

m
n +

H z = Cos
xCos
y EO + EO = 0
a
b

E O = E O

Con lo cual;

m
n jz + jz

H z = Cos
xCos
y EO e
+ EO e
a
b

(6.11)

174

Aplicando propiedades de funciones exponenciales, la ecuacin 6.11 tambin


puede ser escrita como

m
n

H z = 2 jE O Cos
xSen
ySenz
a
b

(6.12)

Para la condicin en z=c, se tiene


m
n

H z = 2 jE O Cos
xCos
ySenc = 0
a
b

Por lo que el factor que debe anular la expresin anterior debe ser

c = p

con p = 1,2,3,...

De esta manera se obtiene una expresin general para el campo H en la


direccin de propagacin, para las cavidades resonantes rectangulares, en el modo
TEmnp, donde los subndices m, n y p designan una distribucin de onda estacionaria
en las tres dimensiones, la cual corresponde a
m
n
p jt

H = 2 jE o Cos
xCos
ySen
z e
z
a
b
c

(6.13)

Conociendo las relaciones entre las componentes de campo dadas en el captulo


5, de 5.22 a 5.25, y tomando en cuenta que la multiplicacin por el factor - = j
ser interpretada como la variacin del campo con respecto a z, se desarrollan las
componentes restantes
2 jE m p
m
n
p
H x = 2 O
Sen
xCos
yCos
a c
a
b
c
h

z e jt

(6.14)

2 jE n p
m
n
p
H y = 2 O
Cos
xSen
yCos
b c
a
b
c
h

z e jt

(6.15)

2 n
m
n
p j t
E x = 2
xSen
ySen
z e
E O Cos
b
a
b
c
h

(6.16)

2 m
m
n
p jt
E y = 2
xCos
ySen
z e
E O Sen
a
a
b
c
h

(6.17)

E z = 0

175

Debido a que en las cavidades resonantes, las ondas no se propagan libremente


a lo largo de z, sino que se crean estacionarias, no se establece una frecuencia de
corte, sino una frecuencia de resonancia.

Para el modo TEmnp, se tiene una

expresin para la frecuencia de resonancia igual a


f res ,

mnp

m n p

+
+

a b c
2

1
2

(6.18)

La ecuacin 6.18, enuncia el hecho de que la frecuencia resonante aumenta al


elevarse el orden del modo, encontrndose la menor frecuencia de resonancia para
la combinacin mnp=101, es decir, para el modo TE101, reducindose las
componentes para este modo en

H x = 2 jE O Sen xCos z e jt
c
a
c

(6.19)

H y = 0

p j t

H = 2 jE o Cos xSen
z e
z
a
c

(6.20)

E x = 0
a


E y = 2 E O Sen xSen z e jt
a
c

(6.21)

E z = 0

Modo TMmnp: Para este modo, la componente de campo Magntico en la direccin


de propagacin es nula, por tanto, la ecuacin de onda puede ser escrita
2 E z
x

2 E z
y

2 E z
z

+ h 2 E z = 0

(6.22)

176

La nueva condicin de contorno para este modo, establece que


E z = 0 para z=0,c y y= 0,b

Haciendo el mismo anlisis realizado para el modo TE, las componentes de


campo quedan de la forma

2 jH O n
p
m
n
H x =
Sen
xCos
yCos
2
b
a
b
c
h

z e jt

2 jH O m
p
m
n
H y =
Cos
xSen
yCos
2
a
a
b
c
h

z e jt

(6.23)

(6.24)

H z = 0

E x =

2 H O m p
m
n
p j t
xSen
ySen
z e
Cos
2
a c
a
b
c
h

(6.25)

E y =

2 jH O n p
m
n
p
xCos
ySen
Sen
2
b c
a
b
c
h

(6.26)

m
n
p jt

E z = 2 jH O Sen
xSen
yCos
z e
a
b
c

z e j t

(6.27)

Las cavidades son usualmente diseadas para el modo dominante, sin embargo
para aplicaciones de altas frecuencias u ondas milimtricas, se emplean modos de
operacin de ms alto orden.

En la figura 6.4 y 6.5, se muestran las configuraciones de los campos para


algunos rdenes del modo TEmnp y TMmnp

177

------------ Campo H
________ Campo E

TE101

TE111

Figura 6.4. Configuraciones de los campos E y H para diferentes rdenes del modo TE
en cavidades rectangulares.

------------ Campo H
________ Campo E

TM111

TM112

Figura 6.5. Configuraciones de los campos E y H para diferentes rdenes del modo TM
en cavidades rectangulares.

178

Otro parmetro importante en las cavidades resonantes, es el factor de calidad


Q. Este factor, como en cualquier circuito resonante, es una medida de su ancho de

banda, y est definido como;


Q=

Energa almacenada
Potencia disipada

Q =

We + Wm
Pd

(6.28)

donde

es la frecuencia angular de operacin


We y Wm: son la energa elctrica y magntica respectivamente
(6.29)

Wm = We W = 2We

adems,

Tambin puede decirse que, este factor de calidad es directamente proporcional


al volumen e inversamente proporcional a la superficie de la cavidad.

Para obtener una expresin del factor de calidad para cualquier modo es
necesario calcular las energas asociadas para el modo dominante. Para el modo
TEmnp la combinacin dominante corresponde a TE101. Luego la energa elctrica de
la cavidad queda expresada a travs de todas sus componentes de campo elctrico,
con lo cual;

W = 2We = 2
4

W=

a
EO

0 0

E dv

(6.30)



Sen 2 x Sen 2 z dxdydz
a
c

(6.31)

abc
a
W = 2 2 E O
2

(6.32)

La energa total disipada, se encuentra en todas las paredes de la cavidad, de


esta manera:

b
0
Pd = Pav ds = Rs
+

H x ( z = 0) dxdy +
a

0 0

H x dxdz +

0 0

2
H x ( x = 0) dydz

H x dxdz

0 0

(6.33)

179

Resolviendo la integral, se obtiene

Pd =

Rs
2

a b 1
b 1
+ + d +
a 2
d d 2

(6.34)

Usando las ecuaciones 6.32 y 6.34 y sustituyendo en 6.28, se obtiene;


2

a
abc
E O
2

Q =
Rs a b 1
b 1
+ + d +
2 d d 2
a 2
2

(6.35)

Cavidades Resonantes Cilndricas.

Para el anlisis se plantea el sistema de coordenadas de la figura 6.6.

z
aa
L

Figura 6.6. Cavidad Resonante cilndrica.

Para el modo TE, y el sistema de coordenadas planteado, se tiene la ecuacin


de onda

2 H z 1 H z
1 2 H z 2 H z
+
+
+
h 2 H z = 0
r r
r 2
r 2 2
z 2

(6.36)

180

Las paredes de la cavidad se asumen como conductores perfectos,


cumplindose las condiciones de frontera
H z
E = 0 en r=a o
= 0 en r = a
r
H z = 0 en z=0,L (placa superior e inferior de la gua)
Luego, de la ecuacin general deH z , obtenida en 5.137, tomando un solo
trmino de la suma como solucin, pues si la suma de dos trminos es solucin de
una ecuacin diferencial, uno de los trminos tambin lo es.

As, tomando en

cuenta las nuevas condiciones de contorno, se puede escribir

p
zCJ m (rh)e jt
H z = ACos(m )Sen
L

(6.37)

Las componentes restantes quedan de la forma

p
p jt
H r = C
J 'm (rh) ACos(m )Cos
ze
h L
L

(6.38)

m p
p jt
H = 2
CJ m (rh) ASen(m )Cos
ze
L
h r L

(6.39)

H z = CJ m (rh) ACos(m )e jt

(6.40)

j m
p jt
E r = 2
CJ m (rh) ASen(m )Sen
ze
L
h r

(6.41)

j
p jt
E =
CJ 'm (rh) ACos (m )Sen
ze
h
L

(6.42)

Para determinar la frecuencia de resonancia de las cavidades cilndricas, se


desarrolla la ecuacin de onda 6.36, sustituyendo en esta la expresin general del
campo H en la direccin de propagacin dada en la ecuacin 6.37. Luego
desarrollando cada trmino, se tiene
Pero, de acuerdo a las propiedades de las funciones Bessel, se tiene que

2 H z
p
= ACos(m )Sen
zCh 2 J ' 'm (rh)e jt
2
L
r

(6.43)

181

m(m 1)
1
J ' 'm (rh) =
1 J m (rh) +
J m +1 (rh)
2
( rh)
(rh)

(6.44)

m(m 1)
1 m

=
1 J m (rh) +
J m (rh) J 'm (rh)
2
( rh) rh

(rh)

m2

1
J ' 'm (rh) =
1 J m ( rh)
J 'm (rh)
2
(rh)
(rh)

(6.45)

As, para los dems trminos, se tiene;

1 H z 1
p
= ACos(m )Sen
zChJ 'm (rh)e jt
r r
r
L
1 2 H z
A
p
= 2 Cos (m )Sen
zCJ m ( rh)e jt
2
2
L
r
r
2 H z
p
p
zCJ m ( rh)e jt
= A
Cos (m )Sen
2
L
L
z

h 2 H z = h 2 ACos (m )Sen

p
zCJ m (rh)e jt
L

Sumando todos los trminos anteriores, agrupando componentes y tomando en


cuenta que en r=a Jm(ra)=0 (condicin de contorno), la ecuacin 6.36 se reduce a

p
h2
+ = 0
L
2

(6.46)

La expresin anterior indica una relacin entre la frecuencia y los parmetros de


las dimensiones de la cavidad, de esta manera

Donde: Zmn

Z ' m , n p

+
f resTE =

[Hz]
(6.47)
2 a L
corresponde a los ceros de la primera derivada de la funcin Bessel,
1

cuyos valores se pueden ver en la tabla 5.1 del captulo 5.

182

As el modo dominante se establece para TE111, pues ofrece la menor frecuencia


de resonancia

f resTE =

1
2

1.8412

+
a L
2

[Hz]

(6.48)

En la figura 6.7, se ilustran los modos TE011 y TE111.

E
H

TE011

TE111

Figura 6.7. Configuraciones de Campo para los modos TE011 y TE111.

Para el modo TM, y el sistema de coordenadas planteado en la figura 6.6, se


tiene la ecuacin de onda;

2 E z 1 E z
1 2 E z 2 E z
+
+
+
h 2 E z = 0
2
2
2
2
r r
r
r
z

(6.49)

Manipulando las expresiones de campo obtenidas en el captulo 5 para el modo

TM, ecuaciones 5.151 a 5.157, se obtienen las componentes de campo E y H,


dentro de cavidad resonante cilndrica y su frecuencia de resonancia TMmnp

183

j m
p jt
H r = 2
CJ m (rh) ASen(m )Cos
ze
h r
L
j
p jt
H =
CJ 'm (rh) ACos(m )Cos
ze
h
L
p jt
1 p
E r =
CJ ' m (rh) ASen(m )Sen
ze
h L
L
p jt
1 m p
E = 2
CJ m ( rh) ASen( m ) Sen
ze
L
h r L
p jt
E z = CJ m (rh) ACos(m )Cos
ze
L
2

f resTM

Z m , n p
+
=

a L

(6.50)
(6.51)
(5.52)

(6.53)
(6.54)

[Hz]

(6.55)

donde: Zmn corresponde a los ceros de la funcin Bessel, cuyos valores se pueden
ver en la tabla 5.2 del captulo 5, siendo para este modo la menor frecuencia de
resonancia la obtenida con las combinaciones mnp= 010, con lo cual

f resTM =

1
2

2.404

(6.56)
[Hz]

Las componentes de campo para los modos TM011 y TM111, se muestran en la


figura 6.8.

E
H

TM011

TM111

Figura 6.8. Configuraciones de Campo para los modos TM011 y TM111.

184

Las ecuaciones 6.48 y 6.55, son iguales cuando

L
= 2.03 2
a

(6.57)

En este caso los modos TE111 y TM010 son iguales y se denominan modos
degenerados. Cuando L/a<2.03, domina el modo TM010, y cuando L/a>2.03, domina
el modo TE111.
El factor de calidad Q, para las cavidades resonantes silndricas, se obtiene
tambin a travs de la expresin 6.28. Si se resuelven las integrales asociadas a
las energas almacenadas y disipadas en la cavidad y se asume que el modo
dominante es el TM010, se obtiene una expresin del factor Q dada por:

Q =

1.2025

Rs1 +
L

(6.58)

Una de la aplicaiones ms usadas de este tipo de componente es el medidor de


longitud de onda o el ondmetro, la caul vara su volmen mediante un mbolo,
produciendo un circuito equivalene por cada volmen adoptado y por lo tanto una
frecuencia de resonancia especfica. En la figura 6.9 se muestra este dispositivo de
medicn.

Figura 6.9. ondmetro.

185

- Componentes reactivos.

Si en el espacio interior de la gua de ondas se colocan obstculos en forma de


diafragmas, estos variarn la distribucin de los campos. Estos componentes son
llamados reacitvos y afectan las lneas de campo E y H en el punto donde se
coloquen, y segn sea la posicin generan un efecto inductivo, capacitivo o
resonante.

Dentro de los componentes reactivos se encuentran las ventanas y postes, los


cuales pueden ser inductivos o capacitvos.

Las ventanas inductivas, son elementos conductores (placas) que se colocan


donde H es mximo y E es mnimo, generando un efecto inductivo. Una ilustracin
de estas ventanas con su circuito equivalente se puede ver en la figura 6.10.

a)

b)

c)

Figura 6.10. Ventanas inductivas a) Asimtrica y b) Simtrica, con su c) circuito


equivalente.

La corriente de conduccin causada por un campo magntico entrante tiende a


debilitar el campo primario. Para obtener una suceptancia inductiva la ecuacin de
onda debe resolverse con condiciones de contorno complicadas. Si se conoce E y

H, estas se integran y se obtienen relaciones de impedancia o admitancia. Estas


relaciones estn expresadas por

186

B g
d
=
cot 2
Yo a
2a

Suceptancia para la ventana inductiva


simtrica

(6.59)

B g
2 d
2 d
=
1 + csc
cot
Yo a
2a
2a

Suceptancia para la ventana inductiva


asimtrica

(6.60)

Las ventanas capacitivas son elementos conductores (placas) que se colocan


donde E es mximo y H es mnimo, generando un efecto capacitivo. Una ilustracin
de estas ventanas con su circuito equivalente se puede ver en la figura 6.11.

b/2
d

a)

b)

c)

Figura 6.11. Ventanas Capacitivas a) Asimtrica y b) Simtrica , con su c) circuito


equivalente.

Las suceptancias correspondientes son:

B
b
d
= 8 LnCsc
Yo
g
2b

Suceptancia para la ventana capacitiva


simtrica

(6.61)

B
b
d
= 4 LnCsc
Yo
g
2b

Suceptancia para la ventana capacitiva


asimtrica

(6.62)

Las ventanas resonantes tambin se emplean para obtener circuitos resonadores


a lo largo de la lnea de transmisin, en la figura 6.12 se puede observar una
ventana resonante con su circuito equivalente.

187

a)

b)

Figura 6.12. a) Ventana Resonante y b) Circuito equivalente.

Otro de los elementos empleado para obtener impedancias equivalentes


corresponde a los postes, los cuales son inductivos o capacitivos segn sea su
disposicin.

En la figura 6.13 se muestra la configuracin de los postes tanto

inductivo como capacitivo.


r

a)

b)

Figura 6.13. a) Poste Inductivo y b) Poste Capacitivo.

La impedancia de un poste en guas de ondas rectangulares se puede calcular


por el modo dominante, correspondiente a una corriente senoidal distribuida en el
poste. El poste tiene dimensiones h (longitud) y r (radio) a una distancia d (d<a/2)
medida desde el extremo de la gua, y la rectancia se puede calcular por medio de
la siguiente expresin

188

jX =

Sen(2kh) Ln(2d / r ) K (2d r )(2 + Cos (2kh))


2d 2g

(1 + Cos (kh)) 2
a 2b

(6.63)

donde:

g: es la longitud de onda de la gua.


: es la longitud de onda del espacio libre.

K=

(6.64)

d r
h 2
4 Ln 2d
r

(6.65)

Cortocircuito mvil.

Consta de una seccin de gua de ondas, rectangular o cilndrica, en la cual uno


de sus extremos tiene colocado un mbolo para variar el volumen interno de la
misma. Las figuras 6.14 y 6.15, muestran este elemento.

Figura 6.14. Cortocircuito Mvil.

189

Figura 6.15. Vista interna del Cortocircuito Mvil.

Este elemento se comporta como una lnea terminada en cortocircuito,


presentando una distribucin de impedancia similar.

Se emplea para realizar

ajustes de impedancias, filtros, adaptadores, etc. En la figura 6.16 se observa una


ilustracin de la vista lateral del elemento y su circuito equivalente.

Zcc(z)

L 4

X=0

C 2
C

C
L
Figura 6.16. Cortocircuito Mvil y su circuito equivalente.

La distribucin de voltaje y corriente a lo largo de la lnea, se puede expresar de


la siguiente manera:

V ( z ) = VoSen

2 (L x)

(6.66)

I ( z ) = jIoCos

2 (L x)

(6.67)

190

donde:

g: es la longitud de onda de la gua.


Vo, Io son las magnitudes de voltaje y corriente respectivamente.

Luego, la distribucin de impedancias se expresa de la forma:

Z ( z ) = jZoTan

2 (L - x)

(6.68)

La distribucin de impedancias es anloga a una lnea terminada en circuito


abierto (ver figura 3.11 en el captulo 3).

Tornillo de Sintona.

Un tornillo insertado en una seccin de gua de onda rectangular, opera como


una capacitancia variable al incidir una onda electromagntica. En la figura 6.17 se
puede ver la ilustracin de este componente.

Figura 6.17. Tornillo de sintona.

191

El tornillo idealmente corresponde a una lnea de transmisin terminada en


circuito abierto, sin embargo la dimensin b es usualmente < g/4, entonces la
impedancia del tornillo corresponde a una capacitancia variable, como se muestra
en la figura 6.18.

x=0

x
L

Figura 6.18. Operacin del tornillo de sintona y su circuito equivalente.

La distribucin de voltaje y corriente del tornillo, est descrita por;

V ( z ) = VoCos

2 (L x)

(6.69)

I ( z ) = jIoSen

2 (L x)

(6.70)

donde:

g: es la longitud de onda de la gua.


Vo, Io son las magnitudes de voltaje y corriente respectivamente.

Luego, la distribucin de impedancias se expresa de la forma;

Z ( z ) = jZoCot

2 (L - x)

(6.71)

La distribucin de impedancias es anloga a una lnea terminada en circuito


abierto (ver figura 3.14 en el captulo 3).

192

Terminacin.

Es un componente de microondas empleado para terminar una lnea de


transmisin con la mnima reflexin posible. Est formada por una seccin de gua
de ondas, dentro de la cual hay un elemento formado por un material resistivo
(carbn o polvo de oxiferroso), generalmente en forma de lanza para una
disminucin gradual del campo, capaz de absorber la potencia de las microondas.
En la figura 6.19 se muestra este elemento y su vista interna.

MATERIAL RESISTIVO

Figura 6.19. Terminacin.

La longitud desde el extremo de la seccin de la gua de onda, hasta el extremo


puntiagudo de la seccin absorbente, debe ser un nmero impar de /4, para que la
onda reflejada llegue al extremo del elemento absorbente, en oposicin de fase con
la onda incidente y de esta manera se anulen.

193

- Componentes de varios puertos.

Entre los componentes de varios puertos se encuentran las uniones T; entre


ellas: T plano E, T plano H y T hbrida.

T Plano E o serie:

Est formada por la unin de dos guas de ondas rectangulares llamadas brazos,
uno principal y otro auxiliar, formando una T. En la figura 6.20, se muestra la T
plano E o Serie, indicando sus brazos principal y auxiliar.

BRAZO PRINCIPAL

ij

S
S

11

12

13

21

22

23

31

32

33

BRAZO AUXILIAR

Figura 6.20. T Plano E o serie y su matriz de dispersin.

Se llama T plano E, pues el campo elctrico de la gua de onda principal es


paralelo al eje del brazo auxiliar. Si se tiene una adaptacin perfecta, la diagonal de
su matriz de dispersin es cero. Un diagrama de la direccin de las seales para
diferentes combinaciones de entrada en los puertos se puede ver en la figura 6.21.

194

Figura 6.21. Diferentes combinaciones de entrada para la T Plano E o Serie.

195

T Plano H o paralela.

Est formada por la unin de dos guas de ondas rectangulares llamadas brazos,
uno principal y uno auxiliar, formando una T. En la figura 6.22 se muestra la T
plano H o paralelo indicando sus brazos principal y auxiliar.

3
BRAZO PRINCIPAL

BRAZO AUXILIAR

ij

S
S

11

12

13

21

22

23

31

32

33

Figura 6.22. T Plano H o paralela y su matriz de dispersin.

Se llama T plano H pues el campo magntico de la gua de onda principal es


paralelo al eje del brazo auxiliar. Al introducir seal por cualquiera de sus puertos,
la seal no se desfasa sino que se bifurca, adems dicha seal sufre un adelanto de
fase al pasar por la unin.

Un diagrama de la direccin de los flujos de campo H, se presenta en la figura


6.23, suponiendo que la seal entra por el puerto 3, se observa la direccin de los
campos en el puerto a y 2.

196

Figura 6.23. Flujo de campo H para la T Plano H o paralela.

Entre las aplicaciones de la T plano E y plano H, se encuentran:

Divisores de Potencia.

Desfasadores.

Monitores de potencia.

T Hbrida.

La T hbrida o mgica est formada por la combinacin de una T plano E con


un T plano H, compartiendo las propiedades que estas ofrecen.

Posee dos pares

de brazos colineales, dos de los cuales corresponden al tipo E y H. En la figura 6.24


aparece una ilustracin de este tipo de componente y un diagrama que muestra sus
propiedades.

197

3
2
BRAZO E

4
BRAZO H

2
2

2
2

2
4
1

1
2

Figura 6.24. T hbrida o mgica con su diagrama de propiedades.

Entre las aplicaciones de la T mgica, se encuentran;

Monitoreo de potencia.

Conmutador duplexor.

Medidor de impedancia.

Separador de seales.

Puente de impedancia.

Sintonizador EH.

198

Sintonizadores E-H.

Corresponde a una T hbrida, a la cual se le coloca en sus brazos auxiliares E y


H mbolos de cortocircuitos mviles, para lograr un efecto de circuitos equivalentes
inductivos y capacitivos variables. Este elemento se observa en la figura 6.25a y
6.25b.

Figura 6.25a. Sintonizador E-H con sus diferentes circuitos equivalentes.

Figura 6.25b. Diferentes circuitos equivalentes del sintonizador E-H.

199

Acoplador direccional sencillo.

Este componente consta de dos guas de ondas rectangulares o cilndricas


unidas entre s, las cuales intercambian la energa a travs de unas ranuras.
Consta de 4 puertos, donde el 1 y 2 forman el brazo principal y el 3 y 4 el brazo
auxiliar. En la figura 6.26 se ilustra este dispositivo.
Las ranuras estn separadas n/4, con el fin de eliminar la seal que se acopla al
puerto 4, quien est adaptado con una terminacin.

1
Brazo Principal

Brazo Auxiliar

Figura 6.26. Acoplador Direccional Sencillo

La seal viaja del puerto 1 al puerto 2 y un porcentaje es acoplado por el puerto


3, la cual es proporcional a un coeficiente llamado coeficiente de acoplamiento (CA),
quien es funcin de la frecuencia de la seal y es caracterstico de cada acoplador.
Este coeficiente se expresa de la siguiente manera

200

CA = 10 Log10

P1
P3

(6.72)
[dB]

Acoplador direccional doble.

El acoplador direccional doble est formado por la combinacin de dos acopladores


sencillos y puede ser de tipo gua de onda o coaxial. En al figura 6.27, se muestra
un acoplador de tipo coaxial.

Figura 6.27. Acoplador direccional doble tipo coaxial.

La seal entra por el puerto 1, acoplndose un porcentaje por el puerto 4, para


ser monitoreada, y saliendo hacia la lnea de transmisin por el puerto 2. La porcin
de seal que se refleja, debido a la desadaptacin, es acoplada por el puerto 4.
El principio de operacin de este elemento aparece ilustrado en la figura 6.28.

En la figura 6.28, se muestra el diagrama de vas que sigue la seal de entrada,


salida y reflejada. Adems se observan algunos coeficientes correspondientes a los
coeficientes de directividad (D) y acoplamiento (K).

201

PUERTO 3

PUERTO 4

ONDA
REFLEJADA
PUERTO 2

PUERTO 1
K1

K1

D1

D2

ONDA
INCIDENTE
Figura 6.28. Operacin del acoplador direccional doble tipo coaxial.

El coeficiente de acoplamiento (K), mide el porcentaje de seal que se acopla de


un puerto de entrada a otro de salida. Si la seal va a travs del puerto 1 al 2, el
coeficiente de acoplamiento se define como

K = 10 Log10

P1
P3

[dB]

(6.73)

El coeficiente de directividad (D), mide el poder separador de la seal de


acoplador y la exactitud en las medidas del componente est definida por

D = 10 Log10

P31
P32

[dB]

Dentro de las aplicaciones del acoplador direccional doble, se encuentran:


-

Reflectmetros.

Control y monitoreo de seales (potencia).

Ajuste de antenas.

(6.74)

202

- Atenuadores.

En microondas los elementos atenuadores son empleados para ajustar el nivel


de potencia de operacin o para propsitos de aislamiento entre la fuente de
potencia y la carga.

Hay dos tipos de atenuadores: el atenuador coaxial y el

atenuador de gua de ondas.

Los atenuadores coaxiales pueden dividirse en dos: atenuador de pelcula


resistiva y atenuador variable por frecuencia de corte. En la figura 6.28, se muestra
el atenuador coaxial de pelcula resistiva.

Figura 6.28. Atenuador coaxial de pelcula resistiva

Una representacin de la estructura interna de este tipo de atenuador, se puede


apreciar en la figura 6.29.

203

Tubo de Pelcula
resistiva

Conductor Central

Figura 6.29. Estructura interna del atenuador coaxial de pelcula resistiva.

La resistencia en serie del conductor central R = rL, es variada por ajuste de la


longitud L. Si I es la corriente del conductor central, el voltaje debido a la pelcula
resistiva ser IR = IrL. Si el voltaje de entrada es Vi, entonces la salida del voltaje
atenuado ser:

Vo = Vi rLI

(6.75)

Y la magnitud del atenuador se obtiene por:

A = 20 Log10

Vi
Vi rLI

[dB]

(6.76)

El atenuador coaxial variable por frecuencia de corte se muestra en la figura


6.30, donde la regin indicada por L es una gua de ondas cilndrica operando en el
rango de la frecuencia de corte.

En este rango de frecuencias, las ondas son

atenuadas con una magnitud expresada por la ecuacin 6.77.

Figura 6.30. Atenuador coaxial variable por frecuencia de corte

204

A = Ln

Eo
= +L
Eoe L

[neper]

(6.77)

Donde:

Eo: es la intensidad de campo entrante.


Eoe-L : es la intensidad de campo saliente.
Los atenuadores de guas de ondas se dividen en dos tipos: los atenuadores de
desplazamiento lateral y los atenuadores de aleta. En la figura 6.28 se muestran
estos dos tipos de atenuadores.
Pelcula resistiva
Pelcula resistiva
Gua

Gua de onda

L
Barra de soporte

a)

b)

Figura 6.28. Atenuadores de guas de ondas. a) De desplazamiento lateral , b) y c) de


aleta.

205

Para el primero, la potencia absorbida por el material resistivo por unidad de rea
es:

Pabs =

E2
2R

[Watts]

(6.78)

Donde:

E: es la intensidad de campo elctrico en la superficie del material.


R: es la resitencia de superficie del material resistivo por unidad de rea,

En los atenuadores de aleta la potencia absorbida es proporcional al rea de la


aleta resistiva insertada en la gua;

Pa = Pabs dS =
S

E2
S 2 R dS

(6.79)

206

Lnea ranurada.

La lnea ranurada es un elemento de guas de ondas, formado por una seccin


de lnea de transmisin coaxial o de gua de onda rectangular uniforme y de muy
bajas prdidas, con una abertura longitudinal de forma que no interrumpa las lneas
de campo magntico y no produzca radiacin y que permita el acceso de una sonda
deslizante a lo largo de la ranura y as detectar el voltaje del patrn de onda
estacionaria dentro de la lnea. La figura 6.35 aparece una lnea ranurada montada
sobre un carro.

Figura 6.35. Lnea ranurada.

La lnea ranurada se utiliza para medir ROE, longitudes de onda y frecuencia,


pues se conocen los puntos donde ocurren los mximos y mnimos; los cuales, en la
onda estacionaria estn separados por /2.

207

Torcedura.

Una torcedura es un componente de gua de onda, formado por una seccin de


gua de onda a la cual se le ha producido un giro en la mitad de la gua, que hace
girar el puerto de entrada con respecto al de salida en un ngulo , cuyo valor
generalmente se encuentra entre 0 y 90. Este com ponente se ilustra en la figura
6.36

Figura 6.36. Torcedura.

Codos.

Los codos son tramos de guas de ondas, que guan el campo hacia una
direccin especfica. Generalmente se usa en conexiones de antenas (ver figura
6.37).

Figura 6.37. Codo.

208

Elementos no lineales.

- Aisladores de Ferrita.

Un aislador es un dispositivo de transmisin no recproca, que permite transmitir


con bajas prdidas en una direccin y absorber la potencia en la otra direccin.
Existen dos tipos de aisladores de ferrita; el de rotacin de Faraday y de
desplazamiento de campo.

La Ferrita es el nombre de la familia de materiales magnticos cuya frmula


molecular es MeOFe2O3, donde Me es un ion metlico divalente. Esta ferrita es un
material no isotrpico.

a) Aislador de rotacin de Faraday.

Consta de una gua de ondas cilndrica, en cuyo interior se encuentra una


pelcula resistiva seguida de un cilindro girador de ferrita, el cual rota el campo
en 90 en una direccin y 45 en la otra. La figur a 6.38.

Figura 6.38. Aislador de Ferrita con el principio de rotacin de Faraday.

209

Si la seal en el modo TE11 (modo dominante en guas de ondas cilndricas)


entra por el puerto 1, esta puede ser considerada como la resultante de dos
ondas polarizadas circularmente, una en sentido horario y la otra antihorario.
Cuando se observa en la direccin del campo magntico aplicado, el campo r-f
en el sentido antihorario interacta con y en el sentido horario con + de la
permeabilidad relativa de la ferrita.

Si las ondas son alimentadas por el puerto 2, el campo resultante rota 45 en


sentido horario y sale por el puerto 1. La funcin de la pelcula resistiva ser
absorber las seales no deseadas (las que entran por el puerto 1) cuando la
transmisin es del 2 al 1.

- Circuladores.

El circulador es una unin de una gua de ondas de n puertos , en la cual una


alimentacin en el n-simo puerto produce una salida en el (n+1)-simo puerto.
Existen dos tipos de circuladores de ferrita; uno es de Faraday o circulador tipo
rotacin y el otro es el circulador por desplazamiento de campo.

a) Circulador tipo girador de Faraday: Este circulador de ferrita se muestra en la


figura 6.39.

Figura 6.39. Circulador de Ferrita de Rotacin de Faraday.

210

Cuando la seal es introducida por el puerto 1, el campo es girado 45 por el girador


de ferrita y la seal sale por el puerto 2. La seal no puede salir por el puerto 3,
porque las ondas tienden a excitar el modo TM en esta orientacin del campo.

Cuando la seal entra por el puerto 2, no puede salir por el puerto 1, pues esta
gua de ondas est hecha para operar en el modo TE01, en esta frecuencia de
operacin. La seal sale por el puerto 3, cuya gua est cortada para el modo TE10;
el mismo que las ondas tienden a excitar.

Cuando las ondas son alimentadas por el puerto 3, la seal no puede salir
directamente por el puerto 1. Primero la seal pasa a travs del girador de 45 y
reflejado desde el puerto 2, debido a la fuerte orientacin del campo, devolvindose
hacia el girador, donde se vuelve girar 45, salien do entonces el campo elctrico con
una rotacin de 90 por el puerto 1.

b) Circulador de desplazamiento de Campo: Este circulador se muestra en la figura


6.40.

2
a

Ferrita

Figura 6.40. Circulador de Desplazamiento de Campo.

211

Si las seales TE10 son alimentadas por le puerto 1, estas a lo largo de las
paredes laterales izquierdas interactuarn con r+ y a lo largo de las paredes
laterales derechas con r- . Si r+ > r- , las seales se acoplarn en la gua 2 en
lugar de la gua 3. En forma similar, si se alimenta por el puerto 2, la seal sale por
el 3, y si se alimenta por el 3, sale por el puerto 1.

212

BIBLIOGRAFIA

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Nueva York: Willey, 1989.

JOHN, Carl. TEORIA ELECTROMAGNETICA CAMPOS Y ONDAS. Mexico;


Limusa, 1996.

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VNR, 1969.

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ONDAS. 2da edicin. Mexico: Limusa, 1994.

CHENG, David. FUNDAMENTOS DE ELECTROMAGNETISMO PARA


INGENIERIA. Mexico: Addison Wesley Longman de Mexico, S.A de C.V., 1998.

LIAO, Samuel. MICROWAVE DEVICES AND CIRCUITS. Prentice Hall, 1990.

ISCHILL, Koryu. MICROWAVE ENGINEERING.