PROYECTO

ALARMA CON FOTORESISTOR

NDICE
Contenidos

Pgs.

PORTADA 1
NDICE... 1
INTRODUCCIN.. 3
-

Justificacin
Objetivos
Resumen

MARCO TERICO4 al 9
-

Alarma con fotoresistor

Materiales utilizados
Transistor de efecto de campo MOS
Fotoresistor o LDR
Resistor
Diodo emisor de luz (LED)

CONCLUSIN... 10
BIBLIOGRAFIA 11
APENDICE. 12-13

INTRODUCCIN
A. JUSTIFICACIN
Como alumnos del 1er. Ao ECA, debemos trabajar con algunos circuitos
bsicos de electrnica. Una vez aprendido los pasos esenciales para montar dichos
circuitos resulta importante demostrar esos conocimientos adquiridos, para lo cual nada
mejor que el espacio brindado por la institucin educativa organizando lo que se da en
llamarse la EXPOTENICA, en donde los alumnos tienen la oportunidad de presentar
diferentes proyectos a fin de dar a conocer al pblico en general todo lo aprendido en el
transcurso del ao.
Por lo tanto, es para nosotros fundamental formar parte de esta exposicin por lo
que decidimos realizar este Proyecto denominado Alarma con fotorresistor a fin de
demostrar las habilidades adquiridas en este curso.

B.

C.

OBJETIVOS

Disear un diagrama de circuitos para alarma con fotorresistor.

Soldar componentes elctricos en placa perforada y realizar las conexiones

elctricas segn esquema

Distinguir componentes con polaridad y conectarlos adecuadamente segn

esquema
Ajustar el funcionamiento correcto de la alarma

RESUMEN

En el presente proyecto , estaremos viendo una alarma con fotorresistor que consiste
en un aparato, que usando el componente denominado fotorresistor, debido a la
sensibilidad de su resistencia con respecto a la luz, deber activar el sistema de alarma
que consiste en un LED y un zumbador.

MARCO TERICO

Alarma con fotorresistor

Tal y como el nombre indica, este proyecto se trata de una alarma, la cual
funciona gracias a un fotorresistor como gatillo de la alarma, ya que en un principio,
con su resistencia en el punto mximo, una parte de electrones escapa hacia el terminal
positivo, y otra hacia el terminal de surtidor (S) del MOSFET utilizado en el circuito, y
adems otra pequea cantidad pasa por el diodo y el zumbador, pero sin activar ambos
aparatos, para finalmente escapar al terminal positivo de la fuente, pero al incidir una
luz de alta intensidad sobre el fotorresistor, su resistencia es llevada al punto mnimo,
pasando el voltaje suficiente a la compuerta del MOSFET, permitiendo el flujo libre de
electrones por todo el circuito, y activando con esto el dispositivo de alarma que son el
LED y el zumbador que se encuentran en paralelo, para finalmente la corriente del
diodo sea limitada por una resistencia que impide el exceso de corriente que podra
causar serios daos en el LED y otras secciones del circuito

Materiales utilizados

En este proyecto fueron usados estos materiales

-1 Transistor MOS de Efecto de Campo, modelo IRFZ44N
-1 Fotorresistor (o LDR) de sulfuro de cadmio
-1 Resistencia de 2,2k
-1 Resistencia de 560
-1 Fuente de tensin DC (enviando una tensin de 14V)
-1 Zumbador de 6V
-Cables Multifilares
-Placa para circuito impreso de 7x5cm
-1 LED Rojo de alta luminosidad

Transistor de efecto de campo MOS

El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET (en
ingls Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
amplificar o conmutar seales electrnicas. Aunque el MOSFET es un dispositivo de
cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B), el
sustrato generalmente est conectado internamente a la terminal del surtidor, y por este
motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros transistores
de efecto de campo. El transistor MOSFET est basado en la estructura MOS. Es el
transistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o
digitales, aunque el transistor de unin bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo.
Prcticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales estn basados en
transistores MOSFET.

En los MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de tensin entre el electrodo

de la compuerta y el substrato induce un canal conductor entre los contactos de
drenador y surtidor, gracias al efecto de campo. El trmino enriquecimiento hace
referencia al incremento de la conductividad elctrica debido a un aumento de la
cantidad de portadores de carga en la regin correspondiente al canal, que tambin es
conocida como la zona de inversin. El canal puede formarse con un incremento en la
concentracin de electrones (en un nMOSFET o nMOS), o huecos (en un pMOSFET o
pMOS), en donde el sustrato tiene el tipo de dopado opuesto: un transistor nMOS se
construye con un sustrato tipo p, mientras que un transistor pMOS se construye con un
sustrato tipo n. Los MOSFET de empobrecimiento tienen un canal conductor que se
debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin elctrica en la compuerta, lo
cual ocasiona una disminucin de la cantidad de portadores de carga y una disminucin
respectiva de la conductividad.
El trmino 'metal' en el nombre de los transistores MOSFET es actualmente
incorrecto debido a que el material de la compuerta, que antes era metlico, ahora se
construye con una capa de silicio policristalino. En sus inicios se utiliz aluminio para
fabricar la compuerta, hasta mediados de 1970 cuando el silicio policristalino comenz
a dominar el mercado gracias a su capacidad de formar compuertas auto-alineadas. Las
compuertas metlicas estn volviendo a ganar popularidad, debido a que es complicado
incrementar la velocidad de operacin de los transistores sin utilizar componentes
metlicos en la compuerta.
De manera similar, el 'xido' utilizado como aislante en la compuerta tambin se
ha reemplazado por otros materiales con el propsito de obtener canales fuertes con la
aplicacin de tensiones ms pequeas.

Fotoresistor o LDR
Un Fotoresistor es un componente electrnico cuya capacidad de resistencia se
ve afectada por la incidencia de la luz en el mismo, o tambin la ausencia de la misma,
en otras palabras, su capacidad de resistencia se ve afectada por los cambios de la luz
de su ambiente de trabajo .Puede tambin ser llamado fotoresistor, fotoconductor,
clula fotoelctrica o resistor dependiente de la luz, cuya siglas, LDR, se originan de su
nombre en ingls light-dependent resistor. Su cuerpo est formado por una clula o
celda y dos patillas
El valor de resistencia elctrica de un LDR es bajo cuando hay luz incidiendo en
l (puede descender hasta 50 ohms) y muy alto cuando est a oscuras (varios
megaohmios).
Su funcionamiento se basa en el efecto fotoelctrico. Un fotorresistor est hecho
de un semiconductor de alta resistencia como el sulfuro de cadmio, CdS. Si la luz
que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos por las
elasticidades del semiconductor dando a los electrones la suficiente energa para saltar
la banda de conduccin. El electrn libre que resulta, y su hueco asociado, conducen la
electricidad, de tal modo que disminuye la resistencia. Los valores tpicos varan entre 1
M, o ms, en la oscuridad y 100 con luz brillante.
Las clulas de sulfuro del cadmio se basan en la capacidad del cadmio de variar
su resistencia segn la cantidad de luz que incide la clula. Cuanta ms luz incide, ms
baja es la resistencia. Las clulas son tambin capaces de reaccionar a una amplia gama
de frecuencias, incluyendo infrarrojo (IR), luz visible, y ultravioleta (UV).
La variacin del valor de la resistencia tiene cierto retardo, diferente si se pasa
de oscuro a iluminado o de iluminado a oscuro. Esto limita a no usar los LDR en
aplicaciones en las que la seal luminosa vara con rapidez. El tiempo de respuesta
tpico de un LDR est en el orden de una dcima de segundo. Esta lentitud da ventaja en
algunas aplicaciones, ya que se filtran variaciones rpidas de iluminacin que podran
hacer inestable un sensor (ej. tubo fluorescente alimentado por corriente alterna). En
otras aplicaciones (saber si es de da o es de noche) la lentitud de la deteccin no es
importante.

Se fabrican en diversos tipos y pueden encontrarse en muchos artculos de

consumo, como por ejemplo en cmaras, medidores de luz, relojes con radio, alarmas de
seguridad o sistemas de encendido y apagado del alumbrado de calles. Tambin se
fabrican fotoconductores de Ge:Cu que funcionan dentro de la gama ms baja
"radiacin infrarroja".

Resistor
Se denomina resistor al componente electrnico diseado para introducir una
resistencia elctrica determinada entre dos puntos de un circuito. En el propio argot
elctrico y electrnico, son conocidos simplemente como resistencias. En otros casos,
como

en

las

planchas,

calentadores,

etc.,

se

emplean

resistencias

para

producir calor aprovechando el efecto Joule.

Es un material formado por carbn y otros elementos resistivos para disminuir la
corriente que pasa. Se opone al paso de la corriente. La corriente mxima en un resistor
viene condicionada por la mxima potencia que pueda disipar su cuerpo. Esta potencia
se puede identificar visualmente a partir del dimetro sin que sea necesaria otra
indicacin. Los valores ms comunes son 0,25 W, 0,5 W y 1 W.

Diodo emisor de luz (LED)

Un led (de la sigla inglesa LED: Light-Emitting Diode: diodo emisor de luz,
tambin diodo luminoso) es un diodo semiconductor que emite luz. Se usan como
indicadores en muchos dispositivos, y cada vez con mucha ms

frecuencia,

en iluminacin. Presentado como un componente electrnico en 1962, los primeros

ledes emitan luz roja de baja intensidad, pero los dispositivos actuales emiten luz de
alto brillo en el espectro infrarrojo, visible y ultravioleta.
Cuando un led se encuentra en polarizacin directa, los electrones pueden
recombinarse con los huecos en el dispositivo, liberando energa en forma de fotones.
Este efecto es llamado electroluminiscencia y el color de la luz (correspondiente a la
energa del fotn) se determina a partir de la banda de energa del semiconductor. Por lo
general, el rea de un led es muy pequea (menor a 1 mm2), y se pueden usar
componentes pticos integrados para formar su patrn de radiacin

El funcionamiento normal consiste en que, en los materiales conductores,

un electrn al pasar de la banda de conduccin a la de valencia, pierde energa; esta
energa perdida se manifiesta en forma de un fotn desprendido, con una amplitud, una
direccin y una fase aleatoria.
El que esa energa perdida cuando pasa un electrn de la banda de conduccin a
la de valencia se manifieste como un fotn desprendido o como otra forma de energa
(calor por ejemplo) depende principalmente del tipo de material semiconductor.
Cuando un diodo semiconductor se polariza directamente, los huecos de la zona
positiva se mueven hacia la zona negativa y los electrones se mueven de la zona
negativa hacia

la zona positiva; ambos desplazamientos de cargas constituyen la

corriente que circula por el diodo.

Si los electrones y huecos estn en la misma regin, pueden recombinarse, es
decir, los electrones pueden pasar a "ocupar" los huecos, "cayendo" desde un nivel
energtico superior a otro inferior ms estable. Este proceso emite con frecuencia
un fotn en semiconductores de banda prohibida directa [direct bandgap]) con la
energa correspondiente a su banda prohibida (vase semiconductor).
Esto no quiere decir que en los dems semiconductores (semiconductores de
banda prohibida indirecta [indirect bandgap]) no se produzcan emisiones en forma de
fotones;

sin embargo, estas emisiones son mucho ms probables en los

semiconductores de banda prohibida directa (como el nitruro de galio) que en los

semiconductores de banda prohibida indirecta (como el silicio).

CONCLUSIN
La realizacin de proyectos, tanto tericos como prcticos, requiere dedicacin
de los interesados para llegar a un resultado satisfactorio. Este proyecto y sus resultados
son frutos del esfuerzo y entrega por parte de sus integrantes.
Desde el da que iniciamos este proyecto hemos ido tropezando con algunos
inconvenientes que fuimos superando con tenacidad y esfuerzo hasta llegar a un final
satisfactorio, consiguiendo todos los objetivos que nos habamos propuesto.
Finalmente, gracias a ello, podemos estar presente en la EXPOTECNICA,
presentando nuestro trabajo ALARMA CON FOTORESISTOR.
Esperamos que nuestro trabajo llene las expectativas de todas las personas
interesadas y que los resultados obtenidos sean de utilidad.

BIBLIOGRAFA

- Es.Wikipedia.org
- Youtube.com
- tecnoclara.wikispaces.com/

APENDICE
GLOSARIO
Led: Light-Emitting Diode o Diodo emisor de luz
MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect Transistor Transistor MetalOxido-Semiconductor de Efecto de Campo
Resistencia elctrica: Es la fuerza de oposicin de un objeto al paso de la corriente de
electrones
Fotoresistor: Componente electrnico que posee una resistencia elctrica variada
respecto a la luz que lo incide
Fotones: Es la partcula fundamental que compone las radiaciones de luz ultravioleta,
rayos x, rayos gamma, infrarrojas, y tambin la luz visible
Electrones: Es una partcula fundamental que posee una carga elctrica negativa, los
flujos de corriente elctrica son en realidad el paso de millones de electrones
Cadmio: El cadmio es un metal blanco azulado, de los mas txicos que existen, en la tabla
peridica se ubica con el numero atmico 48 y con el smbolo Cd

Drenador: Es la zona por la que circula la corriente del sustrato, mantenindose

constante por el voltaje compuerta-sustrato en un MOSFET
Sustrato: Es un semiconductor de tipo P que se encuentra en un MOSFET,
normalmente se encuentra conectado internamente al surtidor del mismo