Cursofontes PDF

Universidade Federal de Santa Catarina
Departamento de Engenharia Eltrica

Instituto de Eletrnica de Potncia
Projeto de Fontes Chaveadas
Prof. Alexandre Ferrari de Souza, Dr.
Programa
1a Semana:
Introduo
Captulo I Retificador e Filtro de Entrada
Captulo II Fontes Chaveadas do Tipo Flyback
Captulo III Fontes Chaveadas do Tipo Forward
Captulo IV Fontes Chaveadas do Tipo Half-Bridge, Full Bridge e
Push-Pull
Captulo V Transistores de Potncia
Programa
2a Semana:
Captulo VI Circuitos de Comando para Transistores de Potncia

Captulo VII Circuitos de Comando para Fontes Chaveadas
Captulo VIII Resposta Transitria e Estabilidade
Captulo IX Interferncia Eletromagntica em Fontes Chaveadas
Captulo X
Consideraes de Projeto
Introduo a Fontes Chaveadas

- Computadores e microcomputadores;
- Perifricos (impressoras, terminais, ...);
Rede CA
Fonte de
CC
- Telecomunicaes;
- Equipamentos mdicos e militares;
Alimentao
- Avies e satlites;
- Fontes de alimentao para circuitos de
comando de conversores.
Fonte de Alimentao: - Linear

- Chaveada

Fonte Linear: Transformador de baixa freqncia, ponte retificadora,
filtro capacitivo e regulador linear srie.
Elevada robustez e confiabilidade.
Baixo custo.
Simplicidade de projeto e operao.
Elevado peso e volume.
Baixo rendimento (reguladores lineares).
Limitao na regulao.
Gerao de componentes harmnicas na corrente de entrada,
resultando um baixo fator de potncia.
Atualmente limitam-se aplicaes de baixa potncia (simplicidade
e baixo custo).

Fontes Chaveadas : Utilizam interruptores de potncia na regio de saturao
(chave com estados aberto e fechado).
Incio
do desenvolvimento: dcada de 60 em programas
espaciais.
Avano da microeletrnica e a necessidade de compactao dos
equipamentos aliado a baixo consumo difundiu o uso das fontes
chaveadas.
Substituiu as Fontes Lineares.

Caractersticas das Fontes Chaveadas:
- Maior rendimento;
- Elevada densidade de potncia: menor volume e peso;

- Grande capacidade de regulao;
- Possibilidade de operar com fator de potncia unitrio;

- Menos robusta e resposta transitria lenta;
- Ondulao na tenso de sada;
"
"
- Interferncia radioeltrica e eletromagntica;
"
- Componentes mais sofisticados. "
- Maior nmero de componentes;
"

Esforos dos pesquisadores para diminuir as desvantagens das Fontes Chaveadas:
- Nvel terico (topologias, comutao, controle, modulao, ...);
- Otimizao dos projetos;
- Fabricantes de componentes (circuitos integrados dedicados, semicondutores, ...).
Avano dos semicondutores:

- Dcada de 70: Transistor Bipolar com freqncias de at 20kHz;
- Dcada de 80: MOSFET (baixa potncia) e diodo ultra-rpido com freqncias de at
100kHz;
- Recentemente: Fontes com comutao suave podendo operar na faixa dos MHz,
rendimento prximo a 90%, e pouco rudo radioeltrico.

Configurao usual de uma Fonte Chaveada:
Rede AC
- Retificador
Filtro de
Rdio Freqncia
- Filtro
Interruptor
Transformador de
IGBT/ MOSFET
- Protees
- Comando
- Proteo
- Fonte Auxiliar
Circuitos de
Controle
Isolamento
- Retificadores
- Filtros

Desenvolvimento de uma Fonte Chaveada:
- Tcnicas p/ reduo da interferncia eletromagntica gerada;
- Mtodos p/ a correo do fator de potncia;
- Conversores CC-CC;
- Teoria de controle e modelagem de conversores estticos;
- Projeto de indutores e transformadores de alta freqncia;
- Semicondutores de potncia e circuitos integrados dedicados;
- Projeto trmico;
- Circuitos de comando e proteo;
- Simulao de conversores estticos.

Etapas de Projeto
1. Especificar: - Tenso de entrada e sada;
- Freqncia da rede;
- Tenses nominais, mxima e mnima da rede;
- Ondulao de 120Hz na sada;
- Ondulao da sada na freqncia de comutao;
- Hold-Up time;
- Temperatura ambiente;
- Protees exigidas;
- Rendimento;
- Regulao de carga;
- Regulao de linha;
- Resposta transitria;
- Tenso de isolamento;
- Nvel de interferncia radioeltrica e eletromagntica;
- Normas aplicveis (IEC 61000-3-2, CISPR 22, IEC950).

Etapas de Projeto
2. Definir:
- Topologia do conversor;
- Freqncia de comutao;
- Interruptor principal (IGBT, MOSFET, etc.);
- Isolamento (transformador de comando de base/gatilho,
isolador tico ou sensor hall no lao de realimentao);
3. Clculo de Estgio de Entrada:
- Retificador;
- Capacitor de filtragem;
- Limitao de corrente de pr-carga do
capacitor de filtragem.
4. Projeto do Conversor
5. Clculo do Transformador de Isolamento de Alta Freqncia
6. Clculo de Estgio de Sada

Etapas de Projeto
7. Circuito de comando de base ou gate
8. Projeto do circuito de compensao (estabilidade e resposta transitria)
9. Escolha do CI-PWM e clculo dos componentes externos
10. Projeto dos circuitos de proteo
11. Clculo da fonte auxiliar
12. Clculo do filtro de rdio freqncia

1. Retificadores no Controlados (baixo FP)
1.1 Monofsico
Vpk
vC
vC
i2
i
D1
vAC
D2
220V
VCmin
C1
1
2
S
D3
D4
Conversor
t1
0
110V
i
t2
tc
Ip
C2
t
92.5%
83.2%
74.0%
64.7%
TDH = 148%
o
Desl. = 1,48
FP = 0,553
55.5%
46.2%
37.0%
27.7%
18.5%
9.2%
0.0%
3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33 35 37 39 41 43 45 47 49 51

1. Retificadores no Controlados (baixo FP)
1.2 Trifsico
V
C
V1
D1
D2
D3
+
V1
V2
VC
V3
-
D4
D5
D6
i1

2. Retificadores Controlados (FP elevado)
2.1 Monofsicos: BOOST, BUCK, ...
retificador
Vs
CONVERSOR
controle
carga
Captulo I Estgio Retificador com Filtro

de Entrada
Retificador Monofsico com Filtro Capacitivo
vC
i2
i
D1
vAC
D2
220V
C1
1
2
S
D3
Conversor
110V
D4
C2
Operao em 220 V e 110 V (dobrador de tenso)

220 V
C1 C 2
C=
C1 + C 2
Win 1
2
2
= C Vpk VC min
2
2
Pin
Win =
f

de Entrada
Vpk
vC
VC min = Vpk cos( 2f t c )

VCmin
t1
0
t2
tc
tc =
Ip
arccos VC min Vpk
2f
tc = intervalo de conduo dos diodos ou tempo de recarga de C (equivalente)

Carga transferida para C
Q = I p tc = C V
C.V C(V pk VC min )

=
Ip =
tc
tc

de Entrada
Pin
2
2
C ( Vpk VC min ) =
f
C=
Pin
f ( Vpk 2 VC min 2 )
Seja
IC1ef - valor eficaz da componente alternada da corrente i
Imed - valor mdio da corrente i
Ief -valor eficaz da corrente i
I ef = I med + I C1ef
2
I ef = I p
2tc
T
I C1ef = I p
I C1ef = I ef I med
2
2tc
2 2t c
Ip
T
T
2t c
I med = I p
T
I C1ef = I p 2tc f (2tc f ) 2

de Entrada
Estgio de entrada ligado ao conversor CC-CC operando em alta
freqncia
Pin = I 2 pk VC min D
i2
I 2pk
Onde:
t
Ton
Ts
I 2 pk =
I 2 ef
Pin
VC min D
I 2 pk
P
=
= in
2
VC min
Para Dmax=0,5
Pout
Pin =
I 2 pk
Ton
D=
T
2Pin
=
VC min
Logo:
I Cef =
I 2 ef + I C1ef
2

de Entrada
Grandezas Eltricas nos Diodos das Pontes Retificadoras
Pin
I Dmed =
2 VC min
I Def = I p
VD max = V pk
tc
T

de Entrada
Exemplo Numrico
VAC = 117V ; VACmin = 99V ; VACmax = 135V
f = 60Hz ; VCmin = 100V ; = 0,7 ; Pout = 70W
Pout 70
=
= 100W
a) Pin =
0,7
b)
C=
Pin
f ( Vpk VC min
2
2)
C=
100
2
60 (135 100 )
Vpk = 2 VAC min = 2 99 = 140V
V pk = 135V
V = Vpk VC min = 135 100 = 35V
C1 = C2 = 406F
203F

de Entrada
c)
arc cos VC min Vpk

arc cos (100 135)
=
= 1,954ms
tc =
2 f
2 60
d)
C V 203 10 6 35
=
= 3,64A
Ip =
3
tc
1,954 10
3
e) 2t c f = 2 1,954 10 60 = 0,2345
I C1ef = I p 2tc f (2tc f ) 2 = 3,64 0,2345 0,23452 = 1,54 A

f)
I 2ef =
g) I Cef =
Pin
100
= 1A
VC min 100
I 2 ef + I C1ef = 12 + 1,54 2 = 1,84 A
h) I Def = I p
tc
1,954 10 3
= 3,64
= 1,25A
3
T
16,666 10

de Entrada
Pin
100
=
= 0,5A
2 VC min 2 100
i)
I Dmed =
j)
VD max = Vpk max = 2 VAC max = 2 135 191V
k)
I Dp = I p = 3,64A
UFA !!

de Entrada
Simulao Numrica
vC
D1
D2
vAC
v AC ( t ) = 2 99 sen (377t )
iR
iC
C
D3
C = 203F
D4
Vpk 140V
140V
vC
R = 100
Vpk
130V
VCmin 102V
120V
tc = 2,1ms
Ipico 8,0A
110V
VCmin
100V
Imed 1,0A

de Entrada
Corrente Capacitor + Carga
Corrente de Carga
10A
1,4A
iR
i
8A
1,3A
6A
1,2A
4A
2A
1,1A
0A
tc
1,0A
-2A
Corrente no Capacitor
Corrente de Entrada
10A
10A
iC
iv
AC
8A
5A
6A
4A
0A
2A
-5A
0A
-2A
-10A

de Entrada
VCmin, Vpk, tc, Q e Imed possuem praticamente os mesmos valores;
I pico 2 I p
Anlise Detalhada
VC () = Vpk sen
VC
VCmn
V
pk
S1
V1
S3
3
i C () = C
i C () = CVpk cos
S2
3
2
i C ( 2 ) = i R ( 2 )
i R ( 2 ) =
CVpk cos 2 =
t
iC
Vpk
dVC ()
d
sen 2
tg 2 = RC
Vpk
R
sen 2
2 = tg 1 (RC )

de Entrada
VC min = Vpk sen (1 )
Anlise Detalhada
VC
VCmn
V
pk
S1
V1
S3
3
VC min
sen (1 ) =
Vpk
3
2
t
iC
S1 = S 2 + S3
S1 =
i C () d
S1 = CVpk (1 cos )
VC min
1 = + sen
Vpk
S2
VC () = Vpk (cos )
= 2
++ =
1 2
VC ( )
d
S2 =
R
3
=
1
2
e RC

1 2
RC Vpk cos
RC
S2 =
1 e
S3 =
S3 =
i C ( 2 )
2
Vpk cos
2R

de Entrada
Anlise Detalhada
VC
VCmn
V
pk
S1
V1
S3
3
S1 = S 2 + S3
S2
1
3
2
t
iC
80
72
64
56
48
RC
40
32
24
16
8
0
0.2
0.28
0.36
0.44
0.52
0.6
0.68
V
Cmin / Vp
k
0.76
0.84
0.92

de Entrada
Anlise Detalhada
VC
VCmn
V
pk
S1
V1
S3
3
S1 = S 2 + S3
S2
1
3
2
t
iC
R . I Cef
V pk
4
3.6
3.2
2.8
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
10
20
30
40
R C
50
60
70

de Entrada
Dobrador de Tenso (110 V)
i
D1
vAC
D2
_
+
vC1
-
C1
D1
_ vAC +
Conversor vC
+
D3
D4
vC2
-
C2
D3
D2
+
vC2
-
D4
VC min = VC1min +
VC1min = VC 2min
vC
C1
Conversor vC
vAC
+
vC1
-
C2
VC 2min + VC 2pk
2
VC1pk = VC 2pk
VCpk
VCmin
VC1pk
VC1min =
VC2 pk
vC2
VC1min
VC2 min
vC1
t
0
2VC min VC1pk

3
C1 = C2 =
Pin
2
2
f (VC1 pk VC1min )

de Entrada
Dobrador de Tenso (110 V)
VC1min = VC1pk cos( 2f t c )
I p1
C1 V1 C1 ( VC1pk VC1min )
=
=
tc
tc
tc =
arccos VC1min VC1pk
2f
I med1 = I p1 t c f
Ief1 = valor eficaz da corrente i

tc
I ef 1
1
2
2 tc
=
I p1 dt = I p1
T0
T
I ef 1 = I p1 t c f
ICef1 = valor eficaz da corrente (alternada) em um capacitor
I C1ef = I ef 1 I med1
2
I C1ef = I p1 t c f ( t c f ) 2
2
2
I Cef = I Cief 1 + I 2ef

de Entrada
Dobrador de Tenso (110 V) - Projeto
VAC = 117V ; VACmin = 99V ; VACmax = 135V
f = 60Hz ; VCmin = 100V ; = 0,7 ; Pout = 70W
a) VC1pk min = 2 99 = 140V
VC1min =
VC1pk min = 135V
Pin 100
=
= 1,667J
f
60
C 80F
b) Win =
c) t c =
arccos VC1min VC1pk
d) I p1 =
2f
C1 = C 2 =
2 200 135
= 88,33V
3
Pin
f (VC1pk VC1min )
2
) = arccos(88,33 135) = 2,275ms
C1 ( VC1pk VC1min )
tc
2VC min VC1pk
2 60
160 10 6 (135 88,33)

=
= 3,28A
3
2,275 10
1,667
160F
2
2
135 88,33

de Entrada
Dobrador de Tenso (110 V) - Projeto
e)
t c f = 2,275 10 3 60 = 0,1365
I C1ef = I p1 t c f ( t c f ) 2 = 3,28 0,1365 (0,1365) 2 = 1,126A

Pin
100
=
= 0,5A
VC min 200
f)
I 2ef =
g)
2
2
I Cef = I C1ef + I 2ef = 1,126 2 + 0,5 2 = 1,23A
h)
VDp max = 2 2 VCA max = 2 2 135 382 V

de Entrada
Resultados Experimentais
Tenso e Corrente de Entrada
100V/div e 500mA/div
Transitrio de Partida
100V/div e 10 A/div
100V/div e 5 A/div - com resistor de 22 em srie.

de Entrada
Proteo de In-rush
Ip <
S
R1
vAC
iR
iC
R1
= 25ms
1 = R1 C = 10
101000
100010-6 = 10ms
= 3
31 = 3R1C
vC
Vpk
Carga
A = 5. 15.R1 .C
400V
vC
200V
R = 2
2
0V
100A
iC
50A
0A
0ms
10ms
20ms
30ms
40ms
50ms
60ms

de Entrada
Circuito de disparo para um Triac
R1
vAC
vC
NT
Captulo II - Fontes Chaveadas do Tipo

FLYBACK
Vce
BUCK-BOOST
D1
is
Vin
iL
RL
V
+ CE +
FLYBACK
iP
D1
TR
iD
1
C
Vin
-
NS
+
R
NP
Vout
iC
Vout
Funes do Transformador: - isolamento entre a fonte e a carga

- acumulao de energia quando T est fechada
- adaptar a tenso necessria no secundrio
Captulo II - Fontes Chaveadas do Tipo

FLYBACK
Conversor CC-CC do Tipo Buck-Boost
Etapas de Funcionamento e Formas de Onda Bsicas para Conduo Descontnua:
V
L
( Vin )
1 Etapa
( Ip )
Vce
-
+
+
D1
iL
is
S
Vin
iL
RL
To
Vout
T1
T2
( Vout )
T
V
CE
( Vin+Vout )
2 Etapa
Vce
+
Vin
-
D1
( Vin )
is
iL
C
+
RL
is
Vout
+
i
D
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK

V
L
Equacionamento
( Vin )
( Ip )
iL
a) Corrente de Pico na entrada

To
di
VL = L
dt
Vin
Ip =
DT
L
T1
D=
T
T1
Ip max
( Vout )
T
V
CE
( Vin+Vout )
Vin
Ip =
D
f .L
( Vin )
is
Vin
=
Dmax
f .L
T2
Dmax = 0,45
i

b) Tenso de Carga
P1 = Vin .I1md = Vin .
Ip .T1
2T
2
Vout
Vin2 .T12
= P2 =
P1 =
2.L.T
RL
Vout
RL .Vin2 .T12
RL .f
=
= Vin .T1.
2.L.T
2.L
Vout
Vin .D RL .f
RL .f
.
=
= Vin .D.
f
2.L
2.L

c) Indutor
Pout 1 2
= .L.Ip .f
Pin = PL =
2
Pout 1
Vin2 .D2max
= .L.f . 2 2
2
f .L
1 Vin2 .D2max .
L= .
2 Pout .f

Conversor CC-CC do Tipo Flyback
Etapas de Funcionamento e Formas de Onda Bsicas para Conduo Descontnua:
V
P
( Vin )
1 Etapa
V
+ CE +
D1
iP iT
T1
N
Vin
LP
VS
+
-
Vout
N
Vin .
Vout .
V
S
P
S
P
To
V
CE
N
( Vin+Vout ) .
( Vout )
P
S
( Vin )
2 Etapa
T1
D1
V
+ CE +
Vin
-
iD
iS
VP
+
To
LS
VC
T2
iP = i
T
Ip
+
C
R
L
Vout
iS = i
D
N
P
IP .
N
S
T1
To
( Vin )

Flyback com Mltiplas Sadas
V
D1
C1
S1
D2
Vin
L1
C2
S2
D3
L2
N
S3
C3
L3

Caractersticas gerais: - baixo custo
- sadas mltiplas
- aceita grande variao da resistncia de carga
- isolamento entre a entrada e a sada
- boa regulao cruzada
- dispensa indutor de filtragem
- permite uso de diodos lentos na sada (cond. desc.)
- resposta rpida
- fcil de ser estabilizada

Equacionamento
a) Corrente de Pico no Primrio
VL
Vin
di
VL = L
dt
-Vo
T1=DT
V
Ip = in D T
L
Ip =
2 Pout
Vin Dmax
T2
iL
Ip
t
T

Equacionamento
Vin
b) Tenso na Carga
Ip
T1
I1md
1
=
Ts
Ip T1
t
Ip
dt =
T1
2 Ts
P1 = Vin I1md =
Vin T12
2 L Ts
Vout 2
P1 = Po =
RL
T1
Ts
RL
Vout = Vin D
2 L fs

Equacionamento
c) Clculo da Indutncia
Pout
dw w 1
2
=
= L Ip fs =
PL =
t
2
dt
d) Razo Cclica Crtica
D crit =
Vout Vin
1 + (Vout Vin )
para DCM D Dcrit
1 Vin2 Dmax 2
L=
Pout fs
2

Equacionamento
e) Esforos nos Semicondutores
Dmax
1
Vce = VD = Vin + Vo = Vin +
1 Dmax
T
Ief T =
1
T
Ip
T
1
Vin
t dt =
fL
Vin 2 D2
IDmd =
2 f L Vout
D3
3

Equacionamento
f) Capacitor de Sada
+
VC
ic = C
dVc
dt
RL
Vo
iS
VC
RL
Io
Vo
I D
C = o max
fs Vc
Vc
R SE <
Is
I T
T
IC ef = Isef 2 Io = Is 2 o s o
3 Ts 2 Ts

Equacionamento
g) Transformador
Aw
Ae
1,1 Pout 10 4
Ae A w =
k p k w J B fs
Kp - fator de utilizao do primrio (0,5)

kw - fator de utilizao da rea do enrolamento (0,4 )
J - densidade de corrente ( 250 - 400A/cm2)
B - variao de fluxo eletromagntico (0,2-0,3T)

Equacionamento
g) Transformador
2 o W
B 2 A e
B
Np =
0,4 Ip
Nsn = Np
- entreferro (metros)
10-7
o - 4
Ae - rea da seco transversal do ncleo (metros2)
W - energia (joule)
Np - nmero de espiras do primrio
- entreferro (centmetros)
B - variao de fluxo eletromagntico (Gauss=104T)
(Vout n + VF ) (1 - Dnom )
Vin
Dnom
Ns - nmero de espiras do secundrio

VF - queda de tenso no diodo

Caracterstica de Sada em CCM e DCM
4
Conduo Descontnua
Vout
RL D
=D
=
Vin
2 L fs Io
3
0.7
Vout
____
2
Conduo Contnua
Vout
D
=
Vin 1 - D
0.6
Vin
1
0.4
D=0.2
0.2
0.4
0.6
Io
0.8

Procedimento de Projeto para o Buck-Boost em Cond. Desc.
1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, Vo, .
2. Calcular a razo cclica crtica e definir a nominal.
D crit =
Vout Vin
1 + (Vout Vin )
para DCM Dnom Dcrit

tempo de conduo chave =Dnom Ts
3. Calcular a indutncia.
1 Vin 2 Dmax 2
L=
2
Pout fs

Procedimento de Projeto para o Buck-Boost em Cond. Desc.
4. Calcular a corrente de pico mxima.
Vin
Ip =
Dnom
fs L
5. Calcular a resistncia de carga.
Vout 2
Ro =
Pout
6. Calcular a capacitncia.
I D
C = o max
fs Vc

Procedimento de Projeto para o Flyback em Cond. Desc.
1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, Vo, .
2. Calcular o produto AeAw e definir o ncleo.
1,1 Pout 10 4
Ae A w =
k p k w J B fs
3. Calcular a corrente de pico no primrio.
Ip =
4. Calcular a energia acumulada no transformador.
2 Pout
Vin Dmax
P
W = out
fs

5. Calcular o entreferro.
2 o W
=
B 2 A e
6. Calcular o nmero de espiras do primrio e secundrio (s).
Np =
B
0,4 Ip
Nsn = Np
(Vout n + VF ) (1 - Dnom )
Vin
7. Calcular a indutncia magnetizante do primrio e secundrio.
1 Vin2 Dmax 2
L=
2
Pout fs
Dnom

8. Calcular a(s) corrente(s) de pico no(s) secundrio(s).
Isn = Ip an
9. Calcular a(s) resistncia(s) de carga(s).
R on =
Vout n 2
Pout n
10. Calcular a(s) capacitncia(s).
Con =
Iout n Dnom
fs Vout n
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD

L
V
+
E
BUCK
V
ND
NP
VC
iD
Vo
FORWARD
in
iC
iL
iT
D1
S
+
NS
+
C
RL
iR
VR
out
F
D2
RL
in
-
DD
NP - enrolamento primrio
NS - enrolamento secundrio
ND - enrolamento de desmagnetizao

Conversor CC-CC do Tipo Buck
(E in )
V
D
1 Etapa
L
T1
T2
T
+
E
iL
iT
iL
in
iL
iT
RL
iD
iT
V
CE
(E in )
2 Etapa
V
+
+
E
in
CE -
+
D
(E in )
V
D
iL
RL
V
C
V
C
T1

a) Tenso Mdia na Carga
VL md = 0 Vout = VDmd
T1
= Vin D
Vout = Vin
T
b) Corrente no Indutor e Clculo da Indutncia
V (1 - D ) D
iL = in
fs L
iL max D = 0,5
L=
Vin
4 fs iL max
Vin
iL max =
4 fs L

c) Corrente de Pico
Ip = Io +
iL Vout Vin (1 - D ) D
=
+
2
RL
2 fs L
d) Tenso no Capacitor
iL
iC
sen(2f .t )
2
VC
iL
=
2
4 fs C
iL
1
cos (2 fs t )
VCA = iC .dt =
2 fs 2 C
C
C=
iL
2 fs Vc
VRSE = R SE iL

e) Esforos nos Semicondutores
VCE = Vin
VD = Vin
V
V (1 D )D
ITp = IDP = out + in
2 fs L
RL

Procedimento de Projeto p/ o Buck em Cond. Contnua:
1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, Vo, iL .
2. Calcular a razo cclica nominal.
Vout
Dnom =
Vin
3. Calcular a indutncia.
L=
Vin
4 fs iL max

Procedimento de Projeto p/ o Buck em Cond. Contnua:
4. Definir o capacitor.
iL
C=
2 fs Vc
V
RSE =
iL

Conversor CC-CC do Tipo Forward
a
1 Etapa
V
ND
D1
NS
V
D
(IM )
RL
D2
iM
in
-
out
iL
NP
+
V
iT
TD
T1
T
DD
T2
T
iT
IM + i L
iT
2 Etapa
D1
L
iL
NP
+
V
NS
in
-
ND
iT
T
+
V
CE
-
iM
DD
D2
RL
V
CE
N
V in + V in. P
N
D
(V in )

a) Tenso Mdia na Carga
VLmd = 0 Vout = VDmd
Vout = Vin
Ns T1
N
= Vin s D
Np T
Np
b) Corrente no Indutor e Clculo da Indutncia
iL
(
Vin a )(1 - D ) D
=
fs L
iL max D = 0,5
Vin
L=
4 fs iLmax a
V a
iLmax = in
4 fs L
a=
Np
Ns

c) Corrente de Pico no Secundrio e Primrio
iL
ISp = Io +
2
IPp =
i
1
Io + L
a
2
d) Clculo da Capacitncia
iL
C=
2 fs Vc
VRSE = R SE iL

e) Transformador
Aw
Ae
2 Pout 10 4
Ae A w =
k p k w J B fs
Kp - fator de utilizao do primrio (0,5)

kw - fator de utilizao da rea do enrolamento (0,4 )
J - densidade de corrente ( 250 - 400A/cm2)

e) Transformador
Vin
Np =
2 A e B fs
Nsn = Np 1,1
(Voutn + VF Dnom )
Vin Dnom
Np - nmero de espiras do primrio

Ae rea efetiva da perna central do ncleo (metros)
B - variao de fluxo eletromagntico (Tesla)
Ns - nmero de espiras do secundrio

VF - queda de tenso no diodo

Procedimento de Projeto p/ o Forward em Cond. Contnua:
1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, Vo, iL, .
2. Definir a razo cclica nominal, lembrando que Dmx=0,5.
3. Calcular a(s) corrente(s) de carga, a(s) corrente(s) de pico no(s) secundrio(s) e
a(s) resistncia(s) de carga.
Ion =
Po
Voutn
Isp = Ion +
n
Ion
2
R on =
Voutn
Ioutn

Procedimento de Projeto p/ o Forward em Cond. Contnua:
4. Calcular a(s) capacitncia(s).
iL
C=
2 fs Vc
V
R SE =
iL
5. Calcular o produto AeAw e definir o ncleo do transformador.
2 Pout 10 4
Ae A w =
k p k w J B fs

6. Calcular o nmero de espiras do primrio e secundrio(s).
Vin
Np =
2 A e B fs
Nsn = Np 1,1
7. Calcular as relaes de transformao.
8. Calcular a(s) indutncia(s).
Ln =
Vin
4 fs iL max an
(Vout n + VF Dnom )
an =
Vin Dnom
Np
Nsn
Conversores Half Bridge, Bridge e Push-Pull

+
Vin/2
TR1
D3
Va
D1
VS
L
i
Vout
L
RL
C
NS
iT
R1
Half Bridge (Meia Ponte)
NP
NS
+
Vin/2
VP
D2
TR2
+
VCE2
-
D3
D4
N
P
V1
L
iL
N
S
N
S
Push Pull
Vin
TR
1
D1
D
4
TR
2
D2
Vin
TR
1
D1
TR
3
D3
D5
C
RL
Full Bridge (Ponte Completa)

TR
2
D2
TR
4
D6
D4
RL
Conversor Half Bridge, Bridge e Push-Pull

VP
Conversor Half Bridge (Meia Ponte)

+
Vin/2
1 Etapa
D1
TR
1
T1
TR1
Vin/2
D3
2T
iL
+
Va
TR
2
N
Vin . S
NP
iT
Vin
iL
iL
D3
D4
L
iL
Vout
RL
VC
2 Etapa
NP
i TR1
D3
D4
+
-
iL
C
TR2
RL
T1
D=
T
VCE
Vin
Vin/2
Vin/2
3 Etapa
D2
D4
T = perodo da tenso de entrada do filtro de sada

TS = 2T = perodo de funcionamento do conversor

Conversor Half Bridge (Meia Ponte)
Vin NS
Vout =
D
2 NP
Pin =
E
T P
i. TR 1 = out
2
T
P
T 1
iTR = out . .
T1 Vin
VCEmx = Vin
Capacitor srie: impede a circulao de corrente contnua no trafo
N
I0 . S
N
P
V
C
T
0
T
S
4
4
2
2 2 NP
fs
L
NS
S
2
I0
N
C P
NS 2 fS VC

Conversor Full Bridge (Ponte Completa)
Vin
TR
1
D1
TR
3
D3
D5
C
TR
2
D2
TR
4
D6
D4
VCEmx = Vin
RL

Conversor Push-Pull
D3
NP
Vin
D1
TR
2
D4
D2
TR
1
T1
T
TR
2
T3
V
1
VCEmx = 2 Vin
(2V in )
V
CE1
L
iL
NS
N
S
TR
1
V1
(V in )
RL

Transformador
Vin
Np =
2 A e B fs
1.5 Pout 10
Ae A w =
k w k p J fs B
Nsn = Np
onde: kw=0.4 e kp=0.41
an =
Np
Nsn
(
Vout n + VF Dnom )
1,1
Vin Dnom
para as mesmas condies, o transformador menor que o do conversor Forward.
Filtro de Sada
Ln =
Vin
4 fs iL max an
Cn =
iL
2 fs Vc
R SEn =
V
iL
Aspectos de Comutao
MOSFET
Tempos de comutao curtos,
Alta impedncia de entrada entre GS (potncia de comando baixa),
Fcil de ser associado em paralelo (coef. de temperatura positivo).
D
ID
Caractersticas em Conduo:
RDSon,
ID e IDM,
VGS,
VGS(th),
VDS(on)=RDSon x ID.
G
+
VGS
Di
+
VDS
-
Caractersticas Estticas
MOSFET
A = Regio de resistncia constante

B = Regio de corrente constante
Caractersticas Estticas
MOSFET
Parmetros importantes
a)
RDson O MOSFET saturado comporta-se como uma resistncia;
b)
ID mxima corrente contnua que o componente pode conduzir;
c)
IDM mxima corrente pulsada de dreno que o MOSFET pode conduzir;
d)
VGS mxima tenso entre gate e source que pode ser aplicada (positiva ou
negativa);
e)
4,0 V);
VGS(th) a tenso de gate suficiente para iniciar a conduo (
f)
VDC(on) = RDS(on).ID tenso dreno-source com o MOSFET conduzindo;
g)
O MOSFET bloqueado caracterizado pela tenso de avalanche entre dreno e

source V(BR)DS
Aspectos de Comutao
MOSFET
Caractersticas Dinmicas:
Ciss=Cgd+Cgs (carregado e descarregado pelo circ. gatilho),
Coss=Cgd+Cds (capacitncia de sada),
Crss=Cgd (capacitncia de transferncia).
Cgd
C ds
Cgs
Aspectos de Comutao
VDD
DRL
MOSFET
Comutao com Carga Indutiva:
50
td(on) = 30 ns
tr(on) = 50 ns
td(off) = 10 ns
tf = 50 ns
Perdas em um MOSFET
P = Pcond + Pcom
Pcond
t on
2
2
2
.rds(on) .id(on) = rds(on) .id(on) .D = rds(on) .id( ef )
=
T
Pcom
f
= .( t r + t f ).id(on ) .Vds (off )
2
t f t on
t r t off
Perdas na Comutao
a) Conversor Flyback
Entrada em conduo
+
Vout
-
VL
+
L!
L!
+
VCE
iC
N
Vout ( P ) = E
NS
VCE
iC
( Ip )
Perdas na Comutao
Conversor Flyback - Bloqueio
Ll = 0
E
E
+
E
ES1
1
= I.E .t f
2
iC
iC
(a)
(I)
VCE
(0 < t < t 1 )
VCE
( t1 < t < t 2 )
(b)
iC = I
VCE = E
0 VCE < E
I < iC 0
(E)
iC
t1
t2
t rv
tfI
tf
(c)
t f = t rv + t fI
P1 = ES1 .f
P1 = 0,5.I.E.t f .f
Perdas na Comutao
Conversor Flyback - Bloqueio
Ll 0
VL
L!
+
VCE
-
Aspectos de Comutao
Snubber RCD
Comutao com carga indutiva e com Snubber.
E
1
v off (t ) =
CS
I.t
iC (t ) =
S
t fI
L!
Q5
t
iC ( t ) = I1
t fI
IC
DS
I.t
Voff = fI
2CS
I2 .t 2fI .f
P1 =
24C
RS
I CS
CS
1 2 1
2
Ll .I = CS .VCEmx
2
2
VCEmx =
Ll
.I
CS
t fI
iCS ( t )dt
Aspectos de Comutao
Snubber RCD
I t
Flyback (Cond. Desc.): Cs = P fi
2 Voff
PR =
Rs
t onmin
3 Cs
1
CS .E 2 .f
2
tfi tempo de decrescimento da corrente (fabricante),

trv tempo de crescimento da tenso (fabricante),
Voff arbitrado,
tonmin tempo mnimo de conduo da chave.
Rs
Vin
ICsp
Aspectos de Comutao
Snubber RCD
Forward (Cond. Contnua):
ES2
1
= I.E
2
IP (t fi + t rv )
=
Cs
V1n
1
P = .C.Vin2 .f
2
1
P2 = I.E.t r .f
2
Rs
t onmin
3 Cs
P = 0,5.VinI.f .(t r + t f )
Rs
Vin
ICsp
Perdas em um Diodo
Perdas de Conduo:
P = Pcond + Pcom
Pcond = r.i2ef + VF .iFmd
Perdas de Comutao:
E com
1
= VRM .iRM .t b
2
Pcom = 0,5 VRM .iRM .t b .f
Pcond = VF .iF .t on .f
Perdas em um Diodo
Efeito da Recuperao Reversa do Diodo no Transistor
VCE
(E)
I RM
iT
t rI
W = 0,5.t a .IRM .E
2.t rr
ta =
3
ta
P = 0,5.t a .IRM .E.f
t rr .IRM .E.f
P=
3
Clculo Trmico
TC
Tj
RjC
TD
RCD
Ta
RDa
Tj temperatura da juno (
(C)
TC temperatura do encapsulamento (
(C)
TD temperatura do dissipador (
(C)
Rjc resistncia trmica juno-cpsula (
(C/W)
RCD resistncia trmica de contato entre o componente e o dissipador (
(C/W) =
0,2 C/W.
RDa resistncia trmica dissipador ambiente
Ta temperatura ambiente (
(C)
Tj Ta = P.(R jc + Rcd + R da )
RDa =
Tj Ta
P
R jc RCD
Circuitos de Comando de MOSFETs

Princpio Bsico
D
S1
Rg
Ig
+
VC
S2
C iss
Ciss = 700 pF
V
Ig = Ciss .
t
VC = 15 V
t = 40 ns
Ig =
12
700 x10 .15

= 0,26 A
9
40 x10
t f = t r = 2,2R g .Ciss
40 x10 9
tf
=
Rg =
2,2.Ciss 2,2.700 x10 12
R g 25

Circuitos de Comando no-isolado
+VC
+VC
R1
T1
T2
Rg
Tp
Rg
D
T2
T1
R3
R2
D = 1N914
T2 = MPS 2907
R2 = 4,8 k
R3 = 10 k
Rg = 50
T3
R2

Circuito de Comando Isolado
+VC
D
R1=100
D2
D1
V
P
V
S
TR
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas

A questo do isolamento
T1
RETIFICADOR
E
Rede
RETIFICADORES
CONVERSOR
FILTRO DE ENTRADA
VSADA
E
FILTRO DE SADA
T2
T3
FONTE
AUXILIAR
CIRCUITOS
DE
COMANDO
Massa de alta tenso (chaves) e massa de baixa tenso (sada, comando, fonte
auxiliar).
Isolamento: T1 (transformado principal), T2 (transformador p/ comando), T3
(transformador da fonte auxiliar).

A questo do isolamento
T1
Rede
RETIFICADOR
E
RETIFICADOR
E
CONVERSOR
FILTRO DE ENTRADA
FONTE
AUXILIAR
VSADA
FILTRO DE SADA
CIRCUITOS
DE
COMANDO
ISOLAMENTO
TICO
CIRCUITO
DE
CONTROLE
Massa de alta tenso (chaves, comando, fonte auxiliar) e massa de baixa tenso
(sada, controle).
Isolamento: T1 (transformado principal) e isolador tico.

Fonte Auxiliar
Carga
Rede
Fonte Convencional com Isolamento

Fonte Auxiliar
R1
Rede
C1
T1
Z
D1
D3
D2
Carga
+
C2
NS
C3
Circuito de
Comando
Conversor Flyback com Fonte Auxiliar sem Isolamento

Circuitos Integrados PWM Dedicados
VRef
S1
+
Verro
Comparador
VReal
VT
VC
S2
+
Q
F/F
OSC.
Conversores CC-CC: UC3524

VT
Verro
VC
S1
S2
T1
T

L
TP
R5
+
V
in
C1
R3
15
R6
16
R1
R4
A1
R2
12
S1
COMP
4
+
A2
11
FF
S2
RSh
13
10
14
7
6
CT
RT
OSC
3
UC3524
DRC
RL

Controlador de tenso
Z2
Vin
Z1
2
+
VRef
Vout
A1
Z2
=
.(V inVREF )
Z1
Vout

Soft-Start (Partida Progressiva)
Quando
se energiza a fonte chaveada a razo cclica deve progredir

lentamente, evitando a destruio do interruptor, saturao do
transformador e overshoot de sada.
Z2
Z1
Vout
A1
VRef
V9
COMP
+
+V
D2
OSC.
R1
+
C
-
D1

Circuitos para Limitao de Corrente
Curto-circuito
na carga: desativar a fonte e reativar aps o

desligamento e religamento do equipamento.
+10V
+5V
TR1
UC3524
R4
R5
T2
10
R6
TP
R2
Th
C1
R3
IE
R1

Utilizao de Isolador tico
V2
R2
I2
V1
V9 = V2 R2 .I 2
+12V
Rg
13
V1 1
I1 =
R1
14
I 2 = I 1
R1
V9
I1
16
15
4N26
UC3524
1
470 k
4V
0,6 V
Se R2 = R1
G=
R2
.(V1 1)
V9 = V2 R2 .I 1 = V2
R1
R2
R2
.V1 + .
V9 = V2
R1
R1
V9
R2
= .
G=
V1
R1


+VCC
D1
Vout
R1
NP
RL
C1
R2
R4
C3
R5
R3
R6
A
VRef
C2
Z1

Proteo contra Sobretenso na Sada
Sobretenso: a fonte colocada em curto e o circuito de proteo contra sobrecorrente acionado e desativa a fonte.
+
VZ
SCR
+
VGK
-
C
A
R
G
A
+
Vout
-
Isolao da tenso de sada quando o comando do transistor no

isolado: Isolador tico (aps o controlador de tenso) ou sensor hall
de tenso.
Resposta Transitria e Estabilidade

Estrutura Simplificada de uma Fonte Chaveada
L
VC
Vout
S2
IL
R1
Vin .D = V1
R2
Supe-se que L seja suficientemente grande para que no ocorra

variao significativa em IL, quando do fechamento de S2
VC
Vout
S2
IL
R1
C
IC
R2

R1.R 2
R=
R1 + R 2
Antes do transitrio
VC0 = R1.IL
Aps o transitrio
VCf = R.IL
Transitrio
VC = IL R1e t / RC + R 1 e t / RC
)]

Corrente no Capacitor durante o transitrio
VC0 t / RC
iC =
.e
R2
R1
iC = .IL .e t / RC
R2
Sem RSE

Com RSE
S2
R1
I
RSE
R2
Vout = VC + VRSE
VRSE
R1
= RSE.iC = RSE. .IL .e t / RC
R2
Vout = IL R + (R1 R ).e
t / RC
R1
RSE. .IL .e t / RC
R2

I2
S2
R1
RSE
H(s)
R2
+VREF
1 A amplitude do desvio de tenso depende somente da RSE do capacitor.

2 A natureza da resposta (tipo de amortecimento e tempo de recuperao)
dependem somente do tipo de controlador empregado.

Equao Caracterstica e funo de transferncia
I(s)
(s)
O(s)
G(s)
H(s)
O ( s ) = G ( s ). ( s )
O( s)
G ( s)
=
= F ( s)
I ( s ) 1 + G ( s ).H ( s )

Critrios de Estabilidade
I(s)
(s)
O(s)
G(s)
H(s)
1 + G ( s ).H ( s ) = 0
Instabilidade
G ( s ).H ( s ) = 1
(G( ).H( ))dB = 20.log[G( ).H( ) ] = 0

= 180o

Margem de fase entre 45o e 90o

Margem de fase entre 45o e 90o

Para erro esttico pequeno - Ganhos elevados em baixa
freqncia
Plo na origem
Freqncia de cruzamento por zero o mais alta possvel
fs
fc
4

Representao fonte tipo Forward
V2
V in
Vout
VST
C
RL
NS
NP
( VS )
NS
.D
V2 md = VST .D = Vin
NP
T1 VC
D= =
T VS
VC
V2 md
T1
T
N S VC
.
= Vin .
N P VS
V2 md Vin N S
.
=
VC
VS N P

V2
V in
Vout
VST
C
RL
NS
NP
Vout ( s)
1
= 2
V2 md ( s) s LC + 1
Vout ( s)
1
=
V2 md ( s) jw 2
+ 1
w0
Vout ( s )
1
=
V2 md ( s ) s 2
2 + 1
w0
G ( w) dB = 20 log 1 + ( w / w0 ) 4

V2
V in
Vout
VST
C
RL
NS
NP
Com RSE:
Vout ( s ) V2 md ( s ) Vout ( s )
=
.
V2 md ( s ) VC ( s )
VC ( s )
Vout ( s) Vin N S
1
=
.
. 2 2
VC ( s) VS N P ( s / w0 + 1)
Vout ( s) (1 + s.C.RSE )
=
V2 md ( s)
(1 + s 2 / w02 )
(1 + s / wZ )
Vout ( s )
=
V2 md ( s ) (1 + s 2 / w02 )
Vout ( s ) Vin N S (1 + s / wZ )
=
.
.
VC ( s ) VS N P (1 + s 2 / w02 )

V in
Vout
V2
VST
RL
NS
NP
dB
2 plos
-40 dB/dec
0
zero
-20 dB/dec
fp
fz

Representao fonte tipo Flyback
Vout
V in
P1md = Vin .I 1md = Vin .
P1md
I p .T1
I1
I2
C
R2
2T
Vin2 .T12
=
2 L.T
P2 md = P1md
2
2 md
I2md
P2 md = R2 .I 22md
Vin2
Vin2
T12
T12
=
.T 2 =
. 2
2 L.R2 T
2 L.R2 . f T
2
R2 I md
Vin2 .T12
=
2 L.T
I 2 md =
Vin
2 L.R2 . f
.D

Vout
I 2 md
dVout Vout
=C
+
dt
R2
IC
I2md
Vin
dVout Vout
+
.D =
dt
R2 .C
C 2 L.R2 . f
VC
D=
VS
A=
Vin
2 L. f .R2 .C
Vout ( s) A
.VC ( s)
=
S .Vout ( s) +
R2 C
VS
IR
R2
dVout Vout
VC
+
= A.
dt
R2 C
VS
A.R2 C
.VC ( s)
Vout ( s)[s.R2 C + 1] =
VS

Vout
A.R2 C
.VC ( s)
Vout ( s)[s.R2 C + 1] =
VS
IC
I2md
Vout ( s) A.R2 C
1
=
.
(1 + s.R2 C )
VC ( s )
VS
G (s) =
Vin .R2 C
1
.
2 L.R2 . f .C (1 + s.R2 C )
G( s) =
Sistema de 1a ordem
Ganho depende da Resistncia de carga
Vin
IR
R2
1
.
2 L. f (1 + s.R2 C )
R2

G(s) =
Com RSE:
(1 + s.RSE.C )
.
2 L. f (1 + s.R2 C )
R2
Vin
G (jw)dB
plo
-20 dB/dec
0 dB
zero
fp
fz

Circuitos de Compensao
Compensador de 1 plo
Rf
Cf
dB
VC Z f
=
V0
Zi
Ri
V0
VC
-90
-20
Rref
Z i = Ri
-20 dB/dec
0
Vref
+90
+20
Zf =
R f / C f .s
R f + 1 / C f .s
-40
0,1fp
Rf
Rf
VC ( s )
1
=
=
.
V0 ( s ) C f .s ( R f + 1 / C f .s ) Ri
Ri (1 + s.C f .R f )
fp
10fp
Rref =
100fp
Ri . R f
Ri + R f

Circuitos de Compensao
(dB)
Compensador de 2 plos
Ci
Rfz
80
Cf
60
R ip
Riz
V0
Vref
+
R ref
1
Z f = R fz +
s.C f
40
fp2
VC
20
fz1 = fz2
0
-20
1
Riz / s.C i
Riz
1
=
+ Rip
.
Z i = Rip +
1
1
s.C i
( Riz +
)
Riz +
s.C i
s.C i
VC (s)
(1 + Riz .Ci.s)(1 + Cf .R fz .s)
=
V0 (s)
Rip .Riz
Cf .s.(Rip + Riz ).1 + Cis.

Riz + Rip
f1
10
fz1 = fz2
100
1k
10k
f2
C f .R fz = Ci .Riz
100k

Mtodo prtico p/ clculo do compensador para conversor Forward
1o) Traar o diagrama G(s) em dB.
2o) Escolher a topologia do controlador. Recomenda-se o controlador de 2
plos estudado neste captulo.
3o) Definir a freqncia fc, na qual a curva da funo G(s).H(s) passa por 0
f
dB. Recomenda-se f c s sendo fs a freqncia de chaveamento .
4
4o) Determinar o ganho de H(s) para f = fc.
5o) Situar os dois zeros de H(s) na freqncia f0 do filtro.
6o) Situar o 1o plo de H(s) na origem (0 Hz). Assim fp1 = 0 Hz.
7o) Situar o 2o plo de H(s), destinado a compensar o zero da RSE, numa
freqncia igual a 5 vezes a freqncia de ressonncia do filtro.
8o) Calcular H1 e H2 empregando o procedimento descrito a seguir
9o) Calcular os valores dos resistores e capacitores do circuito de
compensao

Mtodo prtico p/ clculo do compensador para conversor Forward
dB
30
G(s)
20
H2
-40 dB/dec
10
(H 2 )
+20 dB/dec
-20 dB/dec
-1
+1
0
A
-10
-1
-20
-30
f p1
H 2 = A + 20 log
0,1 fc
f p2
fc
f0
= 20 log A2
fc
f p2 10 f 0
fc
= 20 log A1
H 1 = A 20 log
f0

Exemplo de Projeto Conversor Forward
fs = 40 kHz T = 25 s
Vout = 12 V
Pout = 240 W
I = 2 A a 20 A
R1 = 6 a 0,6 C = 4000 F
RSE = 25 m
N S = 1,0
NP
D = 0,2 a 0,4
VS = 5,0 V
a) Diagrama de G(s)
Vout Vin
=
=G
VC
VS
f0 =
1
2. . L.C
= 325Hz
G=
60
= 12 = 21,6dB
5
1
= 1590Hz
fz =
2. .RSE.C
Vin = 60 V
L = 60 H

Ganho (dB)
0
(H2 )
20
0
10
20
fs
fc = = 10kHz
4
21,5 dB
Para f = 10 kHz, o ganho de G(s)

de 21 dB
-40 dB/dec
0
40
HdB_ ( f )
fz1 = fz2 = f0 = 325 Hz

fp1 = 0 Hz
fp2 = 5.f0 = 1625 Hz
H2 = 21,5 dB H2 = 20log A2
21,5 dB
-10
60
-20 dB/dec
-20
80
90
100
1
1
10
100
325
1k f p2
3
1 10
1590
f
f z1 = f z2 = f0
H 1 = H 2 20 log
f p2
f0
f c = 10k
4
1 10
1 10
f (Hz)
6
1 10
6
1 .10
log A 2 =
H2
= 1,075
20
H1 = 21,5 13,8 = 7,68 dB = 20log A1
A1 = 2,4
A2 = 11,9
log A1 =
7 ,6
20

Ganho (dB)
0
(H2 )
20
0
R fz
A2 =
10
20
Rip
21,5 dB
-40 dB/dec
f z1 = f z 2
0
40
HdB_ ( f )
1
=
2. .C i .Riz
21,5 dB
-10
60
= 2,4
= 326 Hz
1
= 326 Hz
2. .C f .R fz
-20 dB/dec
-20
80
90
100
1
1
10
100
325
1k f p2
3
1 10
1590
f
f c = 10k
4
1 10
1 10
f z1 = f z2 = f0
Riz = 47 k
Ci =
1
2. .Riz . f z1
f (Hz)
6
1 10
6
1 .10
f p2 =
1
Rip .R fz
2. .Ci .
R +R
ip
fz
C i = 0,01F
= 1600 Hz

Ganho (dB)
0
R fz
(H2 )
20
0
= 11,9
Rip
10
20
21,5 dB
R fz
-40 dB/dec
Rip + Riz
0
40
HdB_ ( f )
= 2,4
21,5 dB
-10
60
Rip = 11,87 k
-20 dB/dec
-20
80
90
100
1
1
10
100
325
1k f p2
3
1 10
1590
f
f z1 = f z2 = f0
f c = 10k
4
1 10
1 10
f (Hz)
6
1 10
6
1 .10
Ci.Riz = Cf .Rfz
C i .Riz
Cf =
R fz
C f = 3,33nF
Interferncia Radioeltrica (RFI) nas Fontes

Chaveadas
Interferncias por radiofreqncia podem ser transmitidas por radiao direta
ou por conduo atravs dos terminais de entrada.
Interferncias que a fonte produz nos terminais de entrada se propagam para
outros equipamentos, podendo provocar rudos e mau funcionamento.
MEDIO DA INTERFERNCIA CONDUZIDA.
L1
Rede
AC
Fonte
L2
L1 = L2 = 500 H
C1 = C2 = 0,1 F
R1 = R2 = 150
Chaveada
C1
C2
R1
R2
Faixa de medio 150 kHz a 30 MHz
LISN Line Impedance Stabilization Network

Chaveadas
Causas da Interferncia
Comutao do transistor
+
Rede
E
+
VC
Terra
VC
E
1
2
Vn = . 2
sen
n .sen(n.f . . )
2
2 n .f . .
2
1
f =
T
T/2
(E )
2
( -E/2 )

Chaveadas
Se:
dB
150 dB
-20 dB/dec
f = 50 kHz
= 500 ns
E = 150 V
n = 1 a 1000
n=3
f3 = 150 kHz
V3 = 31,537 V
V3dB = 20 log
V3
31,537 V
= 20 log
1V
1V
V3dB = 150,57dB / V
-40 dB/dec
0
1
10
13
100
1000
Amplitudes das tenses parasitas dependem:

Da tenso E
Da freqncia de comutao da fonte
Dos tempos de comutao

Chaveadas
Propagao das tenses parasitas:
Espessura
(mm)
C calculado
(pF)
C medido
(pF)
Mica
0,1
155
160
3,5
Plstico
0,2
93
96
4,2
Cermica
2,0
20
23
9,0
Isolante
rea
C = 0 . R .
Espessura
0 = 8,855 pF / m

Chaveadas
Correntes parasitas simtricas tenses de modo comum
R
T

Chaveadas
Correntes parasitas assimtricas tenses de modo diferencial
R
T

Chaveadas
Exemplo
C = 150 pF
f3 = 150 kHz (freqncia de harmnica)
V3 = 31,537 V
1
1012
=
XC =
2. . fC 2. .150 x10 3.150
V
31,537
= 4,46mA
i3 = 3 =
7073
XC
V3dB
1012
10 3
=
= 7073
XC =
3
6
2
2. .10 .0,15.0,15 x10
2. .0,15
V3 =
150
R
.i3 =
.4,46mA = 334,5mV
2
2
334,5mV
= 20 log
170,5dB
1V

Chaveadas
Medidas para reduo de rdio interferncia
a) Reduo da capacitncia de acoplamento entre o encapsulamento e o dissipador
b) Isolamento do dissipador em relao massa
Dissipador afastado de uma distncia x em relao massa
Cx = 80 pF
para
x = 1 mm
Cx = 4 pF
para
x = 2 cm
C = 150 pF Capacitncia entre dissipador e interruptor

Assim, para x = 2 cm
Assim:
CTC
C.C x
=
C + Cx
CTC
150.4
=
3,9 pF
150 + 4

Chaveadas
b) Isolamento do dissipador em relao massa
i3 = 2. .f .CTC .V3
i3 = 2. .150 x103.3,9 x10 12.31,537 = 115,92 A
150
V3 =
.115,92 A = 8694 V
2
V3dB = 78,78dB
c) Placa condutora entre o interruptor e o dissipador

F
N
C1
C2
Dissipador
Placa

Chaveadas
d) Emprego do filtro de rede
d.1) para correntes simtricas
L2
a
F
CX
L3
b
R
T
Cx baixa impedncia para as correntes simtricas

Chaveadas
d.1) para correntes simtricas
L2
c
a
Z cd
j 2 RX C j 2 R / C X
=
=
j
2 R jX C
2R
C X
CX
L3
b
d
Z cd
2R
=
1 + j 2 R X C

Chaveadas
d.1) para correntes assimtricas
F
L1
C
N
R
Cy
Cy
1

Chaveadas
L2
F
Cy
5mH
4,7nF
0,1
5mH
CX
Cy
4,7nF
N
L3

Chaveadas
Influncia da capacitncia entre enrolamentos
F
Primrio
Secundrio
CT
Grades condutoras

Chaveadas
Exemplo de clculo do filtro de rede
VCA = 220 V (tenso da rede).

f
= 60 Hz (freqncia de rede).
= 150 W (potncia de entrada da fonte).
E = 300 V (tenso mo estgio de corrente contnua, aps o retificador de

entrada).
fs
= 50 kHz (freqncia de chaveamento).
= 500 ns (tempo de subida da tenso de coletor do transistor).
= 50 pF
(capacitncia entre o transistor e a carcaa).
VRdB= 54 dB/V (nvel da tenso mxima permitida nos resistores da rede

artificial, para 150 kHz).

Chaveadas
1) Primeiro passo
f3 =150 kHz
V3 = 15,8 dB
2) Segundo passo verificao do nivel de interferncia de modo comum sem o

filtro de rede.
X C3
V3
15,8V
1
1
=
= 0,752mA
=
=
21k iC3 =
12
3
W3 C 2. .150 x10 .50 x10
X C3 21k
Queda de tenso nos resistores da rede artificial.
VR 3
R
= iC3 = 75.0,752..mA = 56,4mV
2
VR3dB = 20 log 4,75 = 95dB / V
VR3dB
V3
56,4mV
= 20 log
= 20 log
1V
1V
V3dB = 95 54 = 41 dB/V

Chaveadas
3) Terceiro passo escolha dos capacitores Cy, de modo comum
Cy = 5 nF
4) Quarto passo escolha do indutor Lo para filtrar correntes de modo comum
L 2 = 4,28 mH
F
L1
Cy = 5nF/250V
Cx = 0,1F/250V
L1 = 6,25 mH
L 3 = 4,28 mH
Cy
RD= 4,5M 1/8W

T
X C3 = 21k
X Cy =
1
1
=
= 106
9
3
W3 .2.C y 2. .150 x10 .2.5 x10

Chaveadas
4) Quarto passo escolha do indutor Lo para filtrar correntes de modo comum
L 2 = 4,28 mH
F
L1
Cy = 5nF/250V
Cx = 0,1F/250V
L1 = 6,25 mH
L 3 = 4,28 mH
Cy
RD= 4,5M 1/8W

T
Para V0dB = 54 db/V, obtm-se
V
54 = 20 log 0
1V
V0 = 500 V
Como i0 << , a tenso V0b dada por
Vob = XCy .iC3 = 106.0,752 = 0,08V
i0 =
V0 500V
=
= 0,0067mA
75
R0

Chaveadas
5) Quinto passo Escolha de Cx
L 2 = 4,28 mH
F
L1
Cy = 5nF/250V
Cx = 0,1F/250V
L1 = 6,25 mH
L 3 = 4,28 mH
Cy
RD= 4,5M 1/8W

T
P 150
= 0,68 A
i= =
V 220
CX =
iC X
2. . f .V
ICx= 0,001.i = 0,0068A
0,0068
= 0,084F
2. .60.220
CX = 0,1 F

Chaveadas
6) Sexto passo Escolha de L2 e L3 L
2 = 4,28 mH
F
L1
Cy = 5nF/250V
Cx = 0,1F/250V
L1 = 6,25 mH
L 3 = 4,28 mH
Cy
RD= 4,5M 1/8W

T
VL = 2,2 V
VL = 0,01%
V = 220V
(L2 + L3).i = VL
VL
2,2
=
= 8,58mH
L2 + L3 =
0 .i 2. .60.0,68
L2 + L3
= 4,28mH
L2 = L3 =
2

Chaveadas
7) Stimo passo Escolha do resistor de descarga
L 2 = 4,28 mH
F
L1
Cy = 5nF/250V
Cx = 0,1F/250V
L1 = 6,25 mH
L 3 = 4,28 mH
N
RD= 4,5M 1/8W
T
t
RD =
2,21.C X
t=1s
10 6
4,5M
RD =
2,21.0,1
Cy

Chaveadas
Ensaios de Interferncia conduzida numa fonte para telecomunicaes
ACTV DET: PEAK
MEAS DET: PEAK QP AVG
MKR 15.1
0 MHz
V
36.
0 7 dB
LOG
10
REF 85.
0 dB
dB/
PASS LIMIT
ATN
10dB
WA SB
SC FC
CORR
A
START 15 0 kHz
#IF BW 9.
0 kHz
AVG BW 3
0 kHz
STOP 3 0 . 0 0 MHz
SWP 1.4
0 sec

Chaveadas
ACTV DET: PEAK
MEAS DET: PEAK QP AVG
MKR 15.1 0 MHz
V
29.98 dB
LOG
10
REF 85.
0 dB
dB/
PASS LIMIT
ATN
10dB
WA SB
SC FC
CORR
A
START 15 0 kHz
#IF BW 9.
0 kHz
AVG BW 3
0 kHz
STOP 3 0 . 0 0 MHz
SWP 1.4
0 sec

Chaveadas

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Universidade Federal de Santa Catarina

Departamento de Engenharia Eltrica

Projeto de Fontes Chaveadas

Prof. Alexandre Ferrari de Souza, Dr.

Captulo VI Circuitos de Comando para Transistores de Potncia

Introduo a Fontes Chaveadas

Fonte de Alimentao: - Linear

Introduo a Fontes Chaveadas

Introduo a Fontes Chaveadas

do desenvolvimento: dcada de 60 em programas

Introduo a Fontes Chaveadas

- Elevada densidade de potncia: menor volume e peso;

- Possibilidade de operar com fator de potncia unitrio;

- Interferncia radioeltrica e eletromagntica;

Introduo a Fontes Chaveadas

Avano dos semicondutores:

Introduo a Fontes Chaveadas

Introduo a Fontes Chaveadas

Introduo a Fontes Chaveadas

Introduo a Fontes Chaveadas

3. Clculo de Estgio de Entrada:

Introduo a Fontes Chaveadas

Introduo a Fontes Chaveadas

Introduo a Fontes Chaveadas

Introduo a Fontes Chaveadas

Captulo I Estgio Retificador com Filtro

Operao em 220 V e 110 V (dobrador de tenso)

Captulo I Estgio Retificador com Filtro

VC min = Vpk cos( 2f t c )

arccos VC min Vpk

tc = intervalo de conduo dos diodos ou tempo de recarga de C (equivalente)

C.V C(V pk VC min )

Captulo I Estgio Retificador com Filtro

I C1ef = I p 2tc f (2tc f ) 2

Captulo I Estgio Retificador com Filtro

Captulo I Estgio Retificador com Filtro

Captulo I Estgio Retificador com Filtro

Vpk = 2 VAC min = 2 99 = 140V

Captulo I Estgio Retificador com Filtro

arc cos VC min Vpk

I C1ef = I p 2tc f (2tc f ) 2 = 3,64 0,2345 0,23452 = 1,54 A

Captulo I Estgio Retificador com Filtro

VD max = Vpk max = 2 VAC max = 2 135 191V

Captulo I Estgio Retificador com Filtro

Captulo I Estgio Retificador com Filtro

Captulo I Estgio Retificador com Filtro

VCmin, Vpk, tc, Q e Imed possuem praticamente os mesmos valores;

Captulo I Estgio Retificador com Filtro

VC min = Vpk sen (1 )

Captulo I Estgio Retificador com Filtro

Captulo I Estgio Retificador com Filtro

Captulo I Estgio Retificador com Filtro

2VC min VC1pk

Captulo I Estgio Retificador com Filtro

VC1min = VC1pk cos( 2f t c )

arccos VC1min VC1pk

Ief1 = valor eficaz da corrente i

ICef1 = valor eficaz da corrente (alternada) em um capacitor

Captulo I Estgio Retificador com Filtro

VC1pk min = 135V

arccos VC1min VC1pk

) = arccos(88,33 135) = 2,275ms

2VC min VC1pk