Practica No.

5: Estudio de las configuraciones

bsicas de amplificacin del BJT.
Cristian Arias
200056036 ccarias@uninorte.edu.co
Luis Castro
200030820 laacosta@uninorte.edu.co

Abstract This document presents the procedures and

results of amplifier circuits using bipolar junction
transistors (BJT) with the goal of compare and determine
the different application in the electronic fields for these
components. Also it shows the DC analysis and small-signal
models used to solve three basic configuration of BJT:
Common-Emitter (CE), Common-Base (CB) and CommonCollector (CC). Finally, this paper take into account the
differences between a simulation, a hand-writing solving
and real results obtained for both modes seeking sustain for
these variations on the physic principles of BJT and other
elements used for this experience.[1]

Mara De la Hoz
200060366 apinzonm@uninorte.edu.co
Juan Salas
200053579 salasjm@uninorte.edu.co

transistor y se extrae por el colector. En esta

configuracin, la ganancia de voltaje y de corriente,
es bastante buena, posee una resistencia de entrada
alta.
2. En qu modo de operacin debe estar un transistor
para que pueda funcionar como amplificador? Qu
se debe lograr con esta condicin de operacin?

Keywords BJT, Open-Gain, Global Gain, Commonemitter, Common-Base, Common-Collector

I. PREGUNTAS INICIALES
1.

Describa brevemente cada una de las tres

configuraciones de amplificacin bsicas con
transistores BJT, especificando las caractersticas de
su ganancia en voltaje y/o corriente, resistencia de
entrada y resistencia de salida.
Actualmente, las configuraciones bsicas de los
transistores BJT son tres; colector comn, base
comn y emisor comn. La primera de ellas, posee
una baja ganancia de voltaje (cercana a uno) y una
ganancia de corriente relativamente alta. Su
resistencia de entrada es alta y su resistencia de salida
es baja, en esta configuracin, la seal se aplica a la
base del transistor y se extrae por el emisor. La
segunda de estas configuraciones, es decir, base
comn, tiene una ganancia de voltaje bastante alta y
una ganancia de corriente cercana al uno, posee
tambin, una resistencia de entrada baja y una
resistencia de salida que depende de Rc, los BJT
configurados como base comn son usados
principalmente como buffer, en sta, la seal se aplica
al emisor del transistor y se extrae por el colector. La
ltima de estas configuraciones, es tambin la ms
usada en la actualidad, y corresponde al emisor
comn, donde, la seal se aplica a la base del

3.

4.

Para que un transistor pueda operar como un

amplificador se debe encontrar en el modo activo.
Para que se cumpla esta condicin, se requiere que la
tensin de la base sea mayor en 0.7 a la tensin que
se presenta en el emisor; para un npn y lo contrario
(la tensin del emisor mayor en 0,7 a la base) en un
pnp. Adems, se debe mantener una tensin tal que
siempre se tenga: la unin base emisor en directa y la
unin base colector en inversa sin importar con que
diodo se est tratando.
Qu son los parmetros de modelo a pequea seal
de un transistor? Describa brevemente el significado
de cada uno de ellos y de qu dependen.
Son formas de modelar el circuito amplificador con
transistores, estos parmetros se utilizan para el
anlisis del amplificador ante la alimentacin en AC.
Es decir, el anlisis de la seal de entrada que se
desea amplificar. Estos parmetros se deben utilizan
para hallar la ganancia del amplificador, la resistencia
de entrada y la de salida del circuito.
r_o = Es la resistencia debido al efecto Early.
r_ = resistencia que representa el efecto de
recombinacin de los portadores minoritarios que
tiene
la
base.
gm*v_ = es la corriente de cortocircuito que se
presenta en la salida, depende de la polarizacin
emisor-base.
Qu condiciones se deben cumplir en un circuito de
amplificacin con BJT para que se pueda realizar una
aproximacin a pequea seal del circuito? Se
puede colocar una seal alterna de cualquier amplitud
a la entrada de estos circuitos y obtener una salida
deseable? Justifique su respuesta.

Universidad del Norte

Para que se pueda cumplir la condicin de pequea

seal en un circuito de amplificacin con BJT se debe
implementar como seal de entrada una con un valor
menor a 10mV, aunque en la prctica se tiende a usar
una mayor a este valor para que se pueda trabajar sin
ningn inconveniente con los equipos del laboratorio.
5.

Qu importancia tienen la resistencia de entrada y

salida en un circuito de amplificacin? Diga que
efectos positivos y/o negativos puede tener un valor
muy alto o muy bajo de estas resistencias.

El Anlisis en DC y AC de este circuito se muestra a

continuacin, y los datos obtenidos estn registrados en la
tabla I y IV, respectivamente.
Podemos observar que los datos experimentales concuerdan
muy razonablemente con los calculados tericamente sin
embargo veremos que para el anlisis en AC nuestras
mediciones se ven muy afectadas y alejadas de los datos
tericos, esto, ser mencionado posteriormente en el anlisis
de pequea seal.

La importancia de estas resistencias radica en el tipo

de amplificacin que se quiere realizar con el circuito
es decir, una resistencia de entrada alta da como
resultado una ganancia de corriente alta mientras que
una resistencia de entrada baja da como resultado una
ganancia de voltaje.

II. ANALISIS DE RESUTADOS

Figura 1. Amplificador de emisor comn.

Actividad N1: Anlisis del

amplificador de emisor comn.

circuito

BJT

del

Emisor Comn
Voltaje en la
resisitencia de
base 1 (20K)
Voltaje en la
resisitencia de
base 2 (20K)

Datos Medidos

Datos
Calculados

Error
X100%

8,31 V

8,345 V

0,419

3,680 V

3,655 V

0,683

Volate en Re

2,992 V

3,019 V

0,894

Voltaje en Rc

4,716 V

4,785 V

1,442

Voltaje be

689,067 mV

636,000 mV

8,343

Voltaje cb

3,591 V

3,560 V

0,87

Voltaje ce
Corriente de
base
Corriente de
colector
Corriente de
emisor

4,291 V

4,196 V

0,022

50 uA

51,808 uA

3,489

10,74 mA

11,128 mA

3,631

10,98 mA

11,180 mA

3,486

214,8

214,8

Beta

Alfa
0,9953
0,9953
0
TABLA I. Anlisis de DC del amplificador de emisor comn.
Para la realizacin de este anlisis se utilizaron diferentes
valores de resistencias indicados en la tabla 1 de la gua, un
generador de seales ajustado en una alta frecuencia de 1000
Hz y 12V de alimentacin.

Dicho anlisis permiti conocer los parmetros como Gm y re,

se continu con el anlisis de pequea seal, el cual, peda
tomar una entrada que es considerada pequea cuando se
encuentra por debajo de 10 mV. Este tipo de seal en la
prctica es difcil de conseguir por lo cual procedimos a
realizar nuestra actividad trabajando con la mnima seal que
nuestro generador poda darnos la cual estuvo alrededor de los
90 mV.

Figura 2. Vo Vs Vsig.
La figura 2 corresponde a la seal de salida y de entrada del
amplificador de emisor comn en la cual podemos observar el
desfase en la onda la cual corresponde a la configuracin de
amplificador, en este caso inversor y con un desfase en la onda
de salida de 180.
Durante el semiciclo positivo el voltaje de entrada aumenta la
corriente de base, lo que origina un incremento en la corriente

Universidad del Norte

del colector. De esta manera la cada de tensin en el resistor

de colector es mayor; por lo tanto, el voltaje de colector
disminuye y se obtiene el primer semiciclo negativo del
voltaje de salida. Por otra parte, en el semiciclo negativo del
voltaje de entrada, la corriente que fluye por la resistencia de
colector es menor provocando una cada menor en esta
resistencia, esto significa un aumento en el voltaje de colector
y se obtiene el semiciclo positivo del voltaje de salida.
La corriente de colector es una forma de onda senoidal
amplificada de la misma frecuencia. Esta corriente senoidal de
colector, fluye por la resistencia de colector y produce un
voltaje amplificado de salida.
As como se observa en la tabla IV podemos evidenciar
prcticamente que esta configuracin presenta un voltaje de
salida en contrafase con respecto a la seal de entrada adems
de ver que las resistencias de entrada y salida son altas.

Actividad N2: Anlisis del

amplificador de colector comn.

circuito

BJT

del

Un amplificador de colector comn es como un

amplificador emisor comn altamente saturado, este tipo
de amplificador se comporta como un buffer, su
resistencia de colector se cortocircuita, este tipo de
configuracin tambin se denomina emisor seguidor,
puesto que la el voltaje DC de emisor sigue al voltaje de
DC de la base.
Colector
Comn
Voltaje en la
resisitencia de
base 1 (20K)
Voltaje en la
resisitencia de
base 2 (20K)

Datos Medidos

Datos
Calculados

Error
X100%

8,377 V

8,333 V

0,528

3,672 V

3,667 V

0,136

Volate en Re

2,980 V

3,030 V

1,65

Voltaje be

695,0 mV

636,097 mV

9,26

Voltaje cb

8,376 V

8,333 V

1,841

Voltaje ce
Corriente de
base
Corriente de
colector
Corriente de
emisor

9,072 V

8,970 V

0,516

50 uA

50,017 uA

0,033

11,17 mA

11,174 mA

0,035

10,45 mA

11,224 mA

6,895

Beta

223,4

223,4

Alfa
0,9955
0,9955
0
TABLA II. Anlisis de DC del amplificador de colector
comn.

Figura 3. Amplificador de colector comn.

Para este circuito se utilizaron diferentes resistencias indicadas
en la figura 3, un generador de seales ajustado en una alta
frecuencia de 1000 Hz y una alimentacin de la fuente DC de
12V. Se hicieron procedimientos similares para realizar los
anlisis en DC y AC, estos datos se registran en la tabla II y
VI.
Como podemos apreciar en el anlisis de DC tambin se
experimentan ciertos errores significativos los cuales podemos
atriburselos a las no consideraciones de las resistencias de los
equipos aparte de que, como ya sabemos nuestros capacitores
y resistencia no son ideales los cuales promuevan que nuestras
medidas se vean afectadas al compararlas con los datos
tericos.
Hay que resaltar que al hacer los clculos tericos se utiliz un
beta de 100 lo cual en la prctica es muy difcil de conseguir
ya que como vemos este parmetro depende de factores
externos como la temperatura y por lo tanto es un valor
diferente cada vez que se toman este tipo de mediciones
entonces al momento de tomar los datos se utiliz el nuevo
beta con el que se trabajara y luego se volvieron a calcular los
datos tericos con este nuevo beta aparte de realizar la
simulacin de dicho circuito lo cual ocurri para los tres
diferentes casos de amplificadores.

Figura 4. Vo Vs Vsig CC.

Este resultado concuerda con el circuito que funciona como
buffer o amortiguador de tensin.
Anteriormente se registraron las grficas de la seal de entrada
y salida, lo ilustra la figura 4.

Universidad del Norte

Como podemos observar, la seal de salida es igual a la de

entrada, con una pequea variacin en su voltaje pico, debido
a distorsin o armnicos en el sistema.
El seguidor de emisor es esencialmente un amplificador de
baja distorsin. Dado que la ganancia de voltaje es
aproximadamente la unidad, la seal de salida es igual a la
seal de entrada como se observa experimentalmente.
En la tabla IV se registraran los datos tomados del anlisis de
pequea seal del circuito amplificador de colector comn
como se debe ver este circuito nos da una resistencia de
entrada bastanteaste alta y una resistencia de salida
relativamente baja comparada con la entrada lo cual concuerda
con lo mencionado anteriormente de que este circuito funciona
como buffer amortiguador dndonos una ganancia de voltaje
cercana a la unidad.

Figura 6. Montaje del BJT CC Saturado.

Cuando el voltaje de entrada contiene una componente de
AC y una de DC, la lnea de carga de AC es la misma que
la lnea de carga de DC, Si la seal de entrada es
suficientemente grande para utilizar toda la lnea de carga
de AC, el transistor tiende a irse a saturacin y a corte en
los picos.

Figura 5. Montaje del BJT CC.

Figura 5. Seales Vo vs Vsig del BJT CC.

Luego se hicieron variaciones en el voltaje de entrada de la
seal para conseguir el recorte de ambos picos, pero se
necesitaba ms tensin de la ofrecida por el generador y slo
se pudo conseguir recortar el pico inferior, la grfica se
registra en la figura 6.

Actividad N3: Anlisis del

amplificador de base comn.

circuito

BJT

del

Base Comn
Voltaje en la
resistencia de
base 1 (20K)
Voltaje en la
resistencia de
base 2 (10K)

Datos Medidos

Datos
Calculados

Error
X100%

8,345 V

8,312 V

0,144

3,695 V

3,668 V

0,763

Volate en Re

3,009 V

3,052 V

0,693

Voltaje en Rc

4,749 V

4,840 V

1,165

Voltaje be

686,2 mV

636,271 mV

7,876

Voltaje cb

3,594 V

3,472 V

1,841

Voltaje ce
Corriente de
base
Corriente de
colector
Corriente de
emisor

4,291 V

4,109 V

3,025

46,3 uA

46,823 uA

7,431

11,13 mA

11,255 mA

0,393

10,33 mA

11,302 mA

7,965

Beta

240,3887

240,38

Alfa
0,9955
0,9955
0
TABLA III. Anlisis de DC del amplificador de base comn.

Universidad del Norte

configuracin de colector comn. Esto se podr evidenciar en

la tabla IV donde estn consignados estos parmetros para los
3 tipos de amplificadores.

Figura 7. Amplificador de base comn.

Para este circuito se utilizaron diferentes resistencias indicados
en la figura 7, un generador de seales ajustado en una alta
frecuencia alrededor de 1KHz y una alimentacin de la fuente
DC de 12V. Se hicieron procedimientos similares como en la
primera configuracin para realizar los anlisis en DC y AC,
estos datos se registran en la tabla III y IV.
Al igual que en las configuraciones anteriores podemos hablar
de un muy significativo error, como ya fue mencionado
anteriormente estos pequeos errores se pueden deber a la
tolerancia de las materiales utilizados para esta prctica y
tambin al no trabajar con elementos ideales como se suponen
cuando se realizan los clculos tericos. Vale mencionar que
este error no es tan grande porque ya se ha dicho que se tom
el beta obtenido de manera prctica para realizar los clculos.

Figura 9. Amplificador de base comn saturado.

Esto ilustra la mxima tensin que el transistor utilizado puede
soportar sin llegar a saturarse la impedancia de entrada de un
amplificador base comn es tan baja que sobrecarga la mayor
parte de las fuentes de seal. Debido a esto, un amplificador
base comn no se usa regularmente a bajas frecuencias
Configuraci
n Emisor
Configuracin
Configuracin
Comn
Colector Comn
Base Comn
EXP TER
EXP
TER EXP
TER
Gananci 12.8
a V/V
2
20.7
1
1
3,47
3,9442
21,904
Rin () 1540 1966 3462,57
3827
7
2,522
Ro () 515
440
517
615
714
430
TABLA IV. Resumen anlisis de AC de las 3 configuraciones.
Por ltimo se presenta esta tabla donde se consigan las
diferentes ganancias y resistencias que se pudieron medir y
calcular en cada tipo de configuraciones, est claro que ellas
siguen un comportamiento muy parecido a lo que se ha
estudiado tericamente acerca de estos 3 tipos de
configuraciones por lo cual concluimos que pudo ser una
experiencia donde se pudo obtener un amplio conocimiento
acerca del comportamiento de los amplificadores de BJT.

Figura 8. Vo vs Vsig BJT BC.

V. PREGUNTAS FINALES

En la figura anterior (8) se logra apreciar la seal de entrada y

la seal de salida del circuito amplificador de base comn
dando una ganancia en fase.
Esta configuracin se usa en aplicaciones de alta frecuencia
porque la base separa la entrada de la salida, logrando as que
se minimicen las oscilaciones a altas frecuencias. Tiene una
buena ganancia de voltaje, relativamente baja resistencia de
entrada y alta resistencia de salida en comparacin con la

1. Cul es la principal aplicacin que pueden tener cada una

de las configuraciones estudiadas basado en los valores de las
resistencias de entrada, resistencia de salida y ganancia?
La configuracin de colector comn desempea el papel de
seguidor de entrada, la funcin de esta configuracin, no es
amplificar, por el contrario, el colector comn, se encarga de
acoplar y aislar los circuitos entre s, debido a que posee una
gran resistencia de entrada y una minscula resistencia de

Universidad del Norte

salida. Esto lo hace mantener la seal de entrada en el

transistor y que no sea afectada por la carga de salida, por lo
que la ganancia se sacrifica al ser unitaria.
La configuracin de base comn realiza la funcin de
amplificador no inversor, el cual amplifica la entrada sin
realizar un desfase. Este tiene una baja resistencia de entrada y
alta resistencia salida pero no posee una alta ganancia, por lo
que su uso requiere de varias etapas en cascada para conseguir
una ganancia alta. Tal configuracin, se suele utilizar, para
adaptar fuentes de seal de baja impedancia de salida.
Finalmente, la configuracin de emisor comn es un
amplificador inversor que tiene grandes ganancias de voltaje,
alta resistencia de entrada pero una resistencia de salida baja,
por lo que se usa generalmente como amplificadores de
seales.
2. Cmo puede explicarse el efecto que ocasiona tener cargas
muy altas y muy bajas para cada configuracin?
La resistencia de salida cumple una funcin importante dentro
del montaje, debido a que de ella depender la carga que se
puede acoplar. En caso de tener una resistencia de salida
interna muy grande, se necesita una resistencia de carga an
ms grande para poder apreciar la seal de salida; si se tiene
una resistencia de salida pequea (pero ms grande que la
interna) se puede bajar la resistencia de carga, pero no
demasiado o la seal se perder en el transistor.
3. Para qu se conectan los capacitores entre la seal de
entrada y el circuito y la carga y el circuito? De qu cree
usted que depende la seleccin de dichos capacitores?
Los capacitores en los transistores BJT cuando se hace el
anlisis de DC, poseen la funcin de separar la parte del
anlisis del correspondiente en AC. Para hacer la correcta
seleccin de dichos capacitores se debe tener en cuenta el
efecto que se desea obtener en el circuito, es decir, se
necesitan grandes capacitancias, si lo que se quiere es se
comporten como circuito abierto en DC y como corto circuito
en AC.
4. Cul es la principal razn por la cual debe introducirse una
seal de un valor pequeo en voltios a la entrada de cualquiera
de estas tres configuraciones?

Se debe usar una pequea seal para que la ganancia del

transistor sea lineal debido a que en AC, las tensiones en el
emisor, base y colector comenzaran a oscilar. Si dichas seales
oscilan con mucha frecuencia, el transistor se saturar y no
podr ejercer la funcin de amplificar la seal.
VI. CONCLUSIONES
Para este laboratorio se realiz el montaje de los principales
modelos de aplicacin de los BJT. Estos son los modelos de
base colector, colector comn y emisor comn. Para cada una
de estas configuraciones se analizaron y calcularon los valores
de resistencia de entrada, resistencia de salida, as como los
voltajes de entrada y de salida y se analizaron sus respectivas
funciones en la aplicacin cada uno estos modelos.
Para el montaje de base comn se presentaron caractersticas
que coinciden con la teora, estn fueron: una resistencia de
entra baja, una resistencia de salida un poco ms alta, una
ganancia de corriente cuyo valor era cercano a la unidad y una
ganancia de volteje que depende de la fuente de alimentacin.
Mientras que para el montaje de montaje de emisor comn se
obtuvo una resistencia de entrada ms alta que la de salida,
ganancias cuyos valores parecan entre s, este fenmeno se
observ debido a la implementacin de un divisor de voltaje
que introdujo un ruido a la entrada de base debido a que esta
presentaba valores muy bajos.
En el montaje de colector comn se obtuvo una resistencia de
entrada alta, una resistencia de salida baja, la ganancia de
voltaje fue cercana a la unidad y la ganancia de corriente fue
elevada, lo cual explica el por qu este circuito se utiliza como
emisor seguidor. Con los datos obtenidos en este laboratorio se
puede concluir que estos tres modelos son bastante tiles en la
amplificacin de seales.

VII.

REFERENCIAS

[1] Abel S. Sedra & Kenneth C. Smith, "Microelectronics

Circuits", Saunders College Publishers, 4th. Edition, 1998
o posteriores.

Universidad del Norte

Universidad del Norte