REPBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

UNIVERSIDAD CENTRAL DE VENEZUELA

FACULTAD DE INGENIERA
ESCUELA DE INGENIERA ELCTRICA
DEPARTAMENTO DE COMUNICACIONES

PROYECTO N 1
MODULADOR AM ESTNDAR

Realizado por:
CAMELO, Carlos
DI YORIO, Carlos (Coordinador)
INFANTE, Johnny
YEPEZ, Leonardo

Caracas, 4 de febrero de 2005

INTRODUCCIN

El siguiente proyecto se basa en el diseo de un Modulador de AM estndar

(Modulador AM Doble Banda Lateral con Transmisin de portadora. DSBFC), con la
finalidad de comprobar algunas caractersticas bsicas del circuito.
En dicho diagrama circuital, se observar algunas etapas con funciones muy
especficas, y condiciones bsicas de funcionamiento. Entre ellas se tiene:

La seal modulante.

La seal portadora.

El transistor operando en clase C.

La fuente de poder de corriente directa.

El amplificador de acoplamiento inductivo y doble sintona, o doble resonancia.

El uso de transmisores de estado slido permite obtener potencias altas de salida, las
cuales estaban limitadas para los primeros transmisores de AM quienes usaban tubos de
vaco para los dispositivos activos.
Una de las etapas utilizadas para el diseo del Modulador de AM es el transformador de
doble sintona, el cual tiene mucha importancia ya que se ver que sirve como filtro de la
seal de la salida.

MODULADOR AM ESTNDAR
DESCRIPCIN DEL FUNCIONAMIENTO DEL CIRCUITO
En la figura siguiente se muestra un diagrama esquemtico para un Modulador de AM
DSBFC (Doble Banda Lateral con Transmisin de portadora (Double Side-Band Forward
Carrier)). En dicho esquema, la seal de modulacin se aplica al colector, por lo que el
circuito recibe el nombre de modulador de colector.
Para lograr una eficiencia de potencia alta, los moduladores de AM operan en

clase

C. Esto es, se tiene un amplificador de clase C con dos entradas: una seal portadora (C) y
una seal modulante (m).

0
V6
R 3

1 2 .5

TX2
5

F R E Q = 2k
V A M P L = 1 2 .5
VO F F = 0

V5

R 2

850k

TX1

C 2

C 1

8p

8p

0
R 5
1k

VO F F = 0
V A M P L = .7
F R EQ = 200k

Q 1

Q 2N 5058

V2

Figura 1. Diagrama esquemtico del Modulador de AM.

R 1V
5 .1 M e g a

El circuito dado opera de la siguiente forma:

Cuando la amplitud de la portadora cruza la barrera de los 0,7 V

aproximadamente, se enciende el transistor Q1 y permite el paso de corriente
por el colector. Si la amplitud de la portadora cae debajo de 0,7 V , Q 1 se apaga
y cesa la corriente del colector.

El transistor Q1 cambia entre la saturacin y el punto de corte controlado por la

seal de la portadora. Cada ciclo sucesivo de la portadora enciende a Q 1 por un
instante y permite que la corriente corra por un corto tiempo, produciendo una
forma de onda negativa en el colector (Esta seal es semejante a la seal
rectificada de media onda repetitiva con una frecuencia fundamental fC).

Figura 2 . Forma de onda del colector sin seal modulante.

Cuando una seal modulante se aplica al colector en serie con el voltaje de la

fuente DC, se agrega y se resta de VCC . Cuando la mxima amplitud pico de la
seal modulante es igual a VCC , la forma de onda de voltaje resultante cambia
de un mximo valor de 2VCC a aproximadamente 0V [VCE sat].

Figura 3. Forma de onda del colector con seal modulante.

La forma de onda del colector contiene las dos frecuencias de entradas (f C y fm)
y sus frecuencias de suma y diferencia (fC fm). Debido a que,

adems

contiene la armnica de orden ms alta y otras componentes, entonces debe

limitarse la banda a fC fm antes de ser transmitida. Esto se logra colocando
un circuito tanque en el colector de Q1.

Figura 4 . Forma de onda de salida del circuito tanque.

Debido a que el transistor est operando entre la saturacin y el punto de corte, la

corriente del colector no depende del voltaje de excitacin de la base. El voltaje a
travs del circuito tanque se determina por la corriente del colector y la resistencia
del circuito tanque en resonancia, el cual depende del factor de calidad (Q) de la
bobina. Este voltaje de salida es una seal AM DSBFC simtrica con un voltaje
promedio de 0V , Vmx pico positiva= 2 VCC y Vmx pico negativa = - 2 VCC .

Cuando Q1 conduce, C1 se carga a VCC + Vm (un valor mximo de 2V CC y, cuando

Q1 est apagado, C1 se descarga por L1). Cuando L1 descarga, C1 se carga a un valor
mnimo de 2 VCC.

La frecuencia resonante del circuito tanque es igual a la frecuencia de la portadora y

el ancho de banda se extiende desde fC fm a fC + fm . Por lo tanto, la seal
modulante, las armnicas y todos los productos de orden superior se eliminan de la
forma de onda, dejando una onda AM DSBFC simtrica, para cuando la mxima
amplitud de la seal modulante es VCC.

Este circuito tanque es conectado al colector, con un transformador doble

sintonizado a la frecuencia de la portadora (200 KHz), y el mismo nos sirve como
filtro para que solo pase la seal ubicada en 200 KHz ,adems de las bandas
pasantes, ubicadas en 198 KHz y 202 KHz.

Este amplificador de acoplamiento inductivo y doble sintona se llama de primario

sintonizado y secundario sintonizado, porque los devanados del primario y del
secundario del transformador T1 son circuitos tanques sintonizados. Este
transformador tiene una curva de respuesta la cual depende del efecto del
acoplamiento (entre la resistencia reflejada y la del primario) , de la Q del circuito
tanque y del ancho de banda.

 CLCULOS REALIZADOS
Primeramente, se realizaron los clculos para el diseo del Filtro con Transformador de
doble sintona, tal como se muestra a continuacin.

R 2
V1

10Vac
0Vdc

TX1

1M ega

C 2

C 1

8p

8p

R 1V
5 .1 M e g a

Figura 5. Filtro Prueba de Transformador de Doble Sintona.

Los Clculos realizados se muestran a continuacin (Ejecucin realizada en Maple

9).
> restart;
> wo:=1/sqrt(L*C);

> Z2:=Rc/(1+j*w*Cs*Rl);

> Z1:=Ro/(1+j*w*Cp*Ro);

> eq1:=wo=2*Pi*200e3;

> eq2:=solve(eq1,C);

> plot(eq2,L=60e-3..100e-3);

Figura 6. Grfica de C respecto a L..

Tomando L=80 mH, C tendr el valor de:

> subs(L=80e-3,eq2);

Utilizando C=8pF y L del Transformador de 80mH, la nueva frecuencia de resonancia ser:

> fr:=evalf((subs(C=8e-12,L=80e-3,wo))/(2*Pi));

Se define Q:
> Q:=wo1*L1/r;

> Q1:=subs(wo1=2*Pi*fr,L1=80e-3,r=R1,Q);
Q2:=subs(wo1=2*Pi*fr,L1=80e-3,r=R2,Q);

> kQ:=k*sqrt(Qa*Qb);

Por medio de ensayo y error, se fij la resistencia de salida en 5.1M, y fijando kQ en un valor mayor 1, se
realizaron las siguientes pruebas hasta obtener un ancho de banda suficiente para dejar pasar la seal y
filtrar las otras componentes.
> k:=0.1; R2:=5.1e6;

R1=1e6
> kq1:=subs(Qa=Q1,Qb=Q2,kQ);

> evalf(subs(R1=10e6,kq1));
Lo que muestra que se obtendrn los 2 picos. Para este diseo (Diseo de Filtro de Doble Sintona), se
colocaron los picos un poco separados para que se pudieran apreciar los mismos. En el diseo del filtro del
modulador AM, el kq ser ms cercano a 1, y por lo tanto ser algo complicado diferenciar los picos de
doble sintona.

A continuacin (Figura 3) se muestra el resultado de la simulacin del circuito de la

Figura 1, utilizando Orcad Capture Cis 9.1.

Figura 7. Simulacin del Circuito de la Figura 1.

Posteriormente, se procedi al diseo del modulador AM con transistor en clase C y

con el Filtro con transformador de doble sintona conectado, tal como se muestra en la
Figura 1.

Los Clculos de los valores de los componentes para el modulador AM fueron

extremadamente sencillos y fcilmente deducibles. Primero, se seleccion un valor para la
fuente DC tal que polarizara el circuito, y que su tensin no fuese excesivamente alta tal
que quemara los componentes elctricos; este valor poda ser escogido alrededor de 10 V
(El valor seleccionado luego de simular diversas veces el circuito en Orcad 9.1 fue el de
12,5 V, ya que, generaba un valor de tensin de la seal a la salida, en este caso el tono de
prueba de 2 kHz trasladado a 198 kHz y 202 kHz, de aproximadamente 5 V).
Luego, como un requerimiento del proyecto es que el ndice de modulacin fuera lo
ms cercano a 1, el valor de la amplitud de la Fuente de Voltaje llamada V5 tena que ser
igual al de la fuente DC, esto porque en algn tiempo el valor de la tensin a la salida ser
el de la fuente DC menos el valor mximo de la tensin a la salida del transformador TX2
(1:1, y que presenta en el primario la fuente en cuestin).
Se seleccion un BJT de seal tal que presentara un valor de tensin colector-emisor
mxima mayor a unos 30 V (worst case o peor caso), y que tuviera un Vbe cercano a 0,7;
debido a esto, se seleccion el 2N5058, ya que es uno de los muchos transistores de seal
que cumple con las especificaciones mencionadas anteriormente.
La Fuente V2 se seleccion con una amplitud de 0,7 V, esto con la finalidad de que
el circuito estuviese polarizado en clase C (Solo se amplifique apenas una pequea porcin
de los picos de la seal generada por V2).
La resistencia R3 fue introducida en el circuito, debido a que el programa de
simulacin utilizado (Orcad 9.1) necesitaba una resistencia entre la fuente V5 y el
transformador TX2 para poder funcionar; en otras palabras, la resistencia R3 es un
requerimiento del simulador, y se supuso muy pequea para que no afectara el resultado del
circuito.

La resistencia R5 representa la resistencia interna del generador, el nico requisito

de la misma es que no fuera muy elevada para que la cada de tensin sobre la resistencia
fuese prcticamente despreciable.
Por ltimo, el filtro con transformador de doble sintona presentaba los valores de
los componentes para sintonizarlo a 200 kHz, lo nico que se vari fue la resistencia R2
disminuyndola de 1 M a 850 k, esto se hizo con la finalidad de reducir la distancia
entre los 2 picos y acercarlos a 200 kHz. Cabe destacar que la resistencia R2 poda ser de
un Ohmiaje mucho menor para que la potencia entregada a la carga fuera mucho ms alta
de lo que se obtuvo, pero como no exista ningn requisito sobre la potencia entregada a la
carga para el diseo del modulador, por facilidad se dej la resistencia cercana a 1 M para
no variar ningn otro parmetro del filtro con transformador de doble sintona.
Al Simular el circuito de la Figura 4, se obtienen las siguientes Seales.

SEAL EN LA RESISTENCIA DE CARGA EN FUNCIN DEL TIEMPO

Figura 8. Diagrama de Tensin en la Resistencia de Carga en funcin del Tiempo.

 SEAL EN LA RESISTENCIA DE CARGA EN FUNCIN DEL TIEMPO

Figura 9. Espectro de Amplitud de la Tensin en la Resistencia de Carga.

Realizando algunos Zoom cerca de 200 kHz para observar ms detalladamente la seal.

Figura 10. Acercamiento con los lugares ms importantes del Espectro de Amplitud de la Tensin en la Resistencia de Carga.

CONCLUSION

El diseo del modulador AM estndar (Modulador AM Doble Banda Lateral con

Transmisin de portadora. DSBFC) fue culminado exitosamente, debido a que todas y cada
una de las especificaciones exigidas fueron alcanzadas.
Cabe mencionar que dentro de este conjunto de especificaciones, hubo dos en
particular que tuvieron mayor trascendencia dentro del equipo de trabajo, estas fueron:

El uso del transistor bipolar BJT operando en modo clase C; ya que dentro de los
cursos de electrnica est dispositivo es usado comnmente en modo clase A y en
ocasiones, en modo clase AB.

El empleo del transformador de acoplamiento inductivo y de doble sintona, l cual

tiene mucha importancia; ya que se pudo apreciar que est sirvi para eliminar todas
aquellas componentes de frecuencia que no estn dentro de la banda que se extiende
desde fc-fm hasta fc+fm (198Khz-202Khz) siendo fc y fm las frecuencias de la
portadora y de la modulante respectivamente.

En lo que respecta, a la eficiencia del modulador AM estndar visto como sistema, cabe
mencionar que no se hizo nfasis alguno en la misma, ya que no exista ningn requisito
sobre la potencia entregada a la carga del modulador.