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Diodos de capacidad variable (varicaps) Varactores

CT =

A
w . A: rea de la placa, metro al cuadrado. W: separacin entre

las placas, en metros.


-

: permitividad.

La capacidad de transicin no es constante sino que depende de la


tensin exterior aplicada.
Cuando mayor sea la tensin inversa, mayor ser la anchura w de la
zona de cargas espaciales.
Si se aumenta la tensin directa (volt positivo) w decrece y C T aumenta.
Esta propiedad de la unin p-n polarizada en sentido inverso, cuya
capacidad es variable con la tensin, se emplea en numerosos circuitos.
Una de estas aplicaciones es la sintonizacin por tensin de un circuito
resonante LC.
Otra aplicacin es en circuitos puentes auto equilibrados y en tipos
especiales de amplificadores, denominados amplificadores paramtricos.
Los diodos, VARICAPS, se basan en el principio de la variacin de la
capacidad con la tensin.

La resistencia Rs representa la resistencia serie del cuerpo (hmica) del


diodo.
Los valores tpicos de CT es 20pf y de Rs es de 8,5, a la polarizacin
inversa de 4V.
La resistencia inversa de diodo Rr en paralelo con C T es elevada (

1 M ) y por lo tanto suele ser despreciada.


Diodo de Avalancha

Los diodos diseados con capacidad adecuada de disipacin de potencia


para trabajar en la zona de ruptura, pueden ser empleados como
dispositivos de tensin de referencia o de tensin constante.
Diodos zener, de avalancha o de ruptura.
La fuente V y la resistencia R se selecciona de tal manera que,
inicialmente, el diodo pueda funcionar en la regin de avalancha.
La tensin del diodo es Vz, que tambin es la diferencia del diodo es Iz.
El diodo regulara la tensin de la carga oponindose a las variaciones de
la corriente y de la tensin de alimentacin V.
En la regin de la avalancha, grande cambios de la corriente del diodo
solo producen pequeos cambios en su tensin.
La corriente de la carga o la tensin de la alimentacin varian, la
corriente del diodo se ajusta por si misma o estos cambios manteniendo
prcticamente constante la tensin de la carga.
El diodo seguir regulando hasta que el circuito funciones con una
corriente que haga que la intensidad por el diodo este por debajo de Iz
en las inmediaciones del codo. De la curva tensin-corriente.
El lmite superior de la corriente lo determina la potencia de disipacin
mxima del diodo.

Diodo Tnel
- Un diodo de unin p-n del tipo, tiene una concentracin de impurezas de
aproximadamente 1 parte por 108.
- L anchura de la capa de desviacin, que constituye una barrera de
potencial de la unin, es del orden de una micra.
- Esta barrera de potencial restringe la influencia de portadores desde el
lado de la unin en el que constituyen portadores mayoritarios al lado en
que constituyen portadores minoritarios.
Efecto Tnel
- La anchura de la barrera de la unin vara inversamente con la raz
cuadrada de la concentracin de impureza.

Esta anchura es de solo un cincuentavo de la longitud de onda de la luz


visible.
Una partcula debe tener una energa por lo menos igual a la altura de la
barrera de la energa potencial, si es que se quiere mover de un lado de
la barrera al otro.
Para barreras cuya anchura es la que se estima en el diodo de ESAKI.
La ecuacin de Schrdinger indica que hay una gran probabilidad de que
un electrn penetre a travs de la barrera de potencial.
Este comportamiento de mecnica cuntica se conoce con el nombre de
efecto tnel, y los sistemas cuya unin p-n tenga ms alta densidad de
impureza se denomina diodo tnel.

Caracterstica del Diodo Tnel

Caracterstica Tensin-Corriente de un diodo Tnel


-

El diodo tnel es un excelente conductor en sentido inverso (el lado o de


la unin es negativo con respecto al lado n).
Para tensiones pequeas directas (hasta unos 50 mV en el Ge) la
resistencia permanece pequea (el orden de 5).
A la corriente de pico Ip correspondiente a la tensin Vp.
La pendiente dI/dV de la caracterstica es cero en (V P, IP).
Si la tensin V aumenta por encima de Vp, la corriente disminuye y,
como consecuencia de ello, la conductancia dinmica

g=

dI
dV

es

negativa.
Los diodos tnel tienen una caracterstica de corriente negativa entre el
pico de corriente IP y el mnimo valor IV.
IV se denomina corriente de valle.
A la tensin de valle para que la I=I o, la conductancia es de nuevo cero,
y por encima de este punto la resistencia permanece positiva.

En el llamado pico de tensin positivo, V F, la corriente alcanza


nuevamente el valor IP.
Para valores mayores de la tensin, la corriente aumenta.

Modelo de pequea seal en la regin de resistencia negativa


-

(-Rn), resistencia negativa, es una resistencia hmica.


Rn tiene un valor mnimo en el punto de inflexin situado entre I P e IV.
La resistencia serie Rs es una resistencia hmica.
La inductancia en serie Ls depende de la longitud de los conductores y
de la geometra del encapsulado.
La capacitancia de la unin C depende del punto de trabajo y se nula
normalmente en el valle.
Los valores tpicos de estos parmetros, para un diodo tnel con una
corriente de pico Ip=10 mA, son Rn=-30, Rs=1, Is=5nA y C=20pf.
Una de las aplicaciones interesantes de los diodos tnel consiste en
aprovecharlo como conmutador de alta velocidad.
Puesto que el efecto tnel tiene lugar a la velocidad de la luz, la
respuesta transitoria est limitada solamente por la capacidad total en
paralelo y por la corriente de pico de conduccin.
Los diodos tnel ms asequibles, comercialmente son de germanio de
Arseniuro de Galio.
Los diodos tnel de silicio con elevada relacin entre corriente de pico y
corriente de valle IP/IV, son verdaderamente difciles.

Fotodiodo Semiconductor
- Si se ilumina una unin p-n polarizada en sentido inverso, la corriente
varia casi linealmente con el flujo luminoso.
- Este efecto se emplea en los fotodiodos semiconductores.
- Estos elementos consisten en uniones p-n encapsuladas en un plstico
transparente.
- La radiacin se proyecta sobre la unin a travs de la superficie.
- Los lados restantes del plstico se pintan de negro o quedan encerradas
en una caja metlica.
Caractersticas de tensin corriente
- Si se aplica una tensin inversa de unas pocas decimas de voltios en
exceso, se obtiene una corriente constante (independiente de la
magnitud de la polarizacin inversa).

Esta corriente en la oscuridad corresponde a la corriente de saturacin


inversa debida a los portadores minoritarios generados trmicamente.
Los portadores minoritarios caen desde lo alto del potencial de la
unin, mientras esta barrera no permita a los portadores mayoritarios
atraviesan la unin.
Si la luz acta sobre la superficie se forman pares de electrones-huecos
adicionales.
La corriente de saturacin inversa Io en un diodo p-n es proporcional a la
concentracin de portadores minoritarios P no y npo en la regiones n y p
respectivamente.
Si iluminamos la unin, polarizada inversamente, el nmero de nuevos
pares electrones-huecos es proporcional al nmero de fotones
incidentes.

I =I o+ I s ,

La corriente para una elevada polarizacin inversa sea

donde Is es la corriente en corto circuito, y es proporcional a la


intensidad de luz.

V
V T

).

La caracterstica de tensin corriente viene dada por

Donde I, Is e Io representan el valor de la corriente inversa y V es


positiva para tensiones directas y negativas para las inversas.
es uno para germanio y 2 para el silicio.
VT es la tensin equivalente a la temperatura.

I =I s+ I o 1e

Diodos Emisores de Luz (LED)


- Se absorbe energa para generar pares de electrones-huecos, esta
vuelve a ser emitida cuando los electrones se recombinan con los
huecos.
- En el silicio y en el germanio, esta recombinacin tiene lugar mediante
centros de recombinacin y la liberacin de energa tiene lugar en forma
de calentamiento del cristal.
- La energa desprendida cuando el electrn pasa de la banda de
conduccin a la de valencia, aparece en forma de radiacin.
- Estos diodos p-n se denominan diodos emisores de luz (LED) (Light
Emitting Diode), su radiacin se localiza principalmente en el infrarrojo.
- La luz se concentra cerca de la unin debido a que la mayor parte de los
portadores se encuentran dentro de la capa de difusin de la unin.
Circuitos de diodos
- Circuitos recortadores
Un nivel
Dos niveles
Comparadores
Puerta de discrimicacion
Rectificadores: onda, onda completa
Filtros de condensador

Duplicadores de voltaje