Escuela Politcnica Nacional

Electrnica Y Control
Diego Alexander Haro Sandoval

PRCTICA #4
TEMA:

TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (TBJ)

OBJETIVOS:

Disear el circuito de control para un transistor bipolar de

juntura de potencia.
Conocer las caractersticas

de

conmutacin

del

transistor

bipolar de juntura.
TRABAJO PREPARATORIO:
1. Consultar y disear un control PWM en base a un LM555 de 1 KHz
con una fuente de 12 V. La relacin de trabajo debe poder
variarse de 0,3 a 0,7 aproximadamente.
Modelo del Circuito a Disear:

Del circuito mostrado en la figura anterior, el Diodo D1 se

encarga de que el capacitor C1, se cargue a travs de las
resistencias R1, R2 y P; de igual manera el Diodo D2 hace el
capacitor se descargue a travs de P y R3 en el pin 7 del
LM555.
Entonces, se distingue los parmetros que se tendr a la salida
del LM555:

Laboratorio de Electrnica De Potencia

Pgina 1

Se necesita que
f=

0,3 T <T H < 0,7T , entonces:

1
T

T=

1
=1 mS
1000 Hz

Para el

T H =0,3 mS

Carga del Capacitor:

T H =0,69 ( R1 + R2 + P1 ) C1 P1=0
0,3mS=0,69 ( R1 +R2 ) C1 (1)
Descarga del Capacitor:
T L =0,69 ( P1+ R 3 ) C 1 P1 =mx
0,7 mS=0,69 ( P1 + R3 ) C1 (2)

Para el

T H =0,7 mS

Carga del Capacitor:

T H =0,69 ( R1 + R2 + P1 ) C1 P1=mx
0,7 mS=0,69 ( R1 + R2 + P1 ) C1 (3)
Descarga del Capacitor:
T L =0,69 ( P1+ R 3 ) C 1 P1 =0
0,3mS=0,69 R3 C 1 (4 )

De la ecuacin (4), asumo

Laboratorio de Electrnica De Potencia

C1 =56 nF

Pgina 2

R 3=

0,3 mS
=7,76 k
0,69 56 nF

R 3=7,5 k
Ahora en la Ecuacin (2), reemplazo los valores ya conocidos y
despejo
P 1=

P1 :

0,7 mS
7,76 k=10,35 k
0,69 56 nF

P1=10 k

De la ecuacin (1), despejo

R 1 + R2=

R 1 + R2

0,3 mS
=7,76 k
0,69 56 nF

Escojo que

R1=R2 , por lo tanto:

R1 R 2=3,9 k

Adems se recomienda que el capacitor

C2 =10 nF

Los diodos utilizados en el circuito deben ser diodos rpidos,

por ello se escoge el
El

circuito

diseado

1 N 4148 .
con

sus

simulaciones

se

muestra

continuacin:

Laboratorio de Electrnica De Potencia

Pgina 3

Por razones de calibrar la frecuencia a 1kHz, se reemplazo la

resistencia

R3

R3=6,8 k

2. Disear el circuito de la Figura 5.4 si la fuente a usarse es

de aproximadamente 40 V (lo que se obtenga al poner en serie
las

dos

salidas

de

las

fuentes

de

laboratorio)

la

resistencia de carga es un foco de 100W, (disear correctamente

el

circuito

que

maneja

la

base).

Tomar

en

cuenta

que

la

resistencia en fro del filamento del foco es mucho menor y

aumenta cuando se calienta a temperatura nominal.

Laboratorio de Electrnica De Potencia

Pgina 4

R L , en las peores condiciones ser Apagado el foco

R L =9

Que

min

es

la

resistencia

tpica

de

filamento

sin

corriente.
V CC V CE(sat)
I C ( sat )=
RL
min

V CE(sat)

, para un transistor de potencia vara entre

para este diseo asumiremos

I C ( sat )=

1V a 3 V ,

2V

40V 2V
=4,22 A
9

El transistor Darlington a usar es el TIP121, el cual tiene un

h fe=1000 , pero para garantizar que el transistor se sature.
I B ( min )=

40V 2V
=8,44 mA
9

ODF=1,2=

IB
8,44 mA

I B=10,13 mA
R E=1 /10 W

para colocar el osciloscopio.

V BE (tip) 1,6 V
V R =12V 1,6 V =10,4 V
1

R 1=

10,4 V
=1024
10,13 mA

R 1=1 k
IE
IB
3

Laboratorio de Electrnica De Potencia

Pgina 5

Asumo
R 2=

I E =1mA
3

12V 0,3 V
=11,7 k R2=12 k
1 mA

I C =I B + I E =10,13mA + 1mA =11,13 mA

3

Q1 :2 N 3904

Asumo para
IB =
1

min =50

Un

11,13 mA
=222,6 uA
50

ODF=1,2=

IB
222,6 uA
1

I B =267,1 uA
1

En la salida del PWM se tiene:

V o 10V
R 3=

10 V
=37 k
0,267 uA

R 3=33 k
La simulacin del circuito es la siguiente:

3. Repetir lo anterior si se coloca en serie con el foco una

inductancia (se proporcionar en el laboratorio) de manera de
convertir la carga en altamente inductiva. En este caso es
indispensable usar un diodo rpido en antiparalelo con la carga
(usar

un

FAST

RECOVERY

DIODE)

que

debe

ser

trado

estudiantes.

Laboratorio de Electrnica De Potencia

Pgina 6

por

los

Rl

min

=9

Con la carga inductiva la corriente se atrasa por lo que el

transistor disipa menos potencia.
40V 2V
I C ( sat )=
=4,22 A
9
Debido al atraso

IC

( sat ) L

I C (sat) R

I C ( sat ) =2 A
L

I B (min )=

2A
=4 mA
500
IB
4 mA

ODF=1,2

I B=4,8 mA
R E=1 /10 W

para ver voltaje y corriente.

V B E =1,6 V
tip

V R ( sat ) =12V 0,3 V =11,7 V

2

R 1=

10,1 V
=2,1 k
4,8 mA

R 1=2,2 k
IE IB
3

Asumo:
R 2=

I E =0,4 mA
3

11,7 V
=29,25 k
0,4 mA

R 2=33 k
I C =I B + I E
3

I C =4,8 mA +0,4 mA=5,2 mA

3

Laboratorio de Electrnica De Potencia

Pgina 7

I B (min )=
3

5,2 mA
=104 uA
50

ODF=1,2=

IB
104 uA
3

I B =125 uA
3

R 3=

10 V
=80 k
0,125 mA

R3=82 k
4. Para los dos numerales anteriores dimensionar adecuadamente el
transistor de potencia, adicionalmente colocar una resistencia
de un valor inferior a 1 Ohm

en el emisor con la finalidad de

poder observar simultneamente el voltaje y la corriente del

transistor para visualizar las conmutaciones.

CIRCUITO #1:
Para

Q1

PQ =V CE I C
1

PQ =0,8 V 11,13 mA
1

PQ =8,9 mW
1

Se escoge el 2n3904 que soporta 200mW y Ic=0,8A

Para

Q2
PQ =V CE I C
2

PQ =2 V 4,2 A
1

PQ =8,44 W
1

Se escoge el TIP121 que soporta 65W y Ic=5A

CIRCUITO #2:
Para

Q1

PQ =V CE I C
1

PQ =0,8 V 5,2 mA
1

PQ =4,16 mW
1

Se escoge el 2n3904 que soporta 200mW y Ic=0,8A

Laboratorio de Electrnica De Potencia

Pgina 8

Para

Q2
PQ =V CE I C
2

PQ =2 V 2 A
1

PQ =4 W
1

Se escoge el TIP121 que soporta 65W y Ic=5A

BIBIOGRAFA:

Hoja gua Prctica 4

Rashid, Muhammad, ELECTRONICA DE POTENCIA, tercera Edicin.

Laboratorio de Electrnica De Potencia

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