Smbolos Transistores
Smbolos Transstores
PNP
Zona
Condies Modelo
Condies Modelo
Corte
IC = 0
VBE < 0.7V
IE = 0
VBC < 0.7V
IB = 0
Activa
VBE =0.7V
IC = * IB
VBE =0.7V
VEB = 0.7V
IE = IC+IB
VBC <0.7V
VCB < 0.7V
ou
IE = (+1)*IB
VBE =0.8V
VBE = 0.8V
Saturao
VCE =0.1V
VBC = 0.7V
IE = IC+IB
VEB =0.7V
IC = * IB
IE = IC+IB
ou
IE = (+1)*IB
VEB =0.8V
VEB = 0.8V
VEC =0.1V
VCB = 0.7V
IE = IC+IB
Em cada transistor bipolar existem duas junes que iro apresentar zonas de
funcionamento diferentes, consoante as junes base-emissor e base-coletor se
encontram polarizadas direta ou inversamente. Os transistores tm trs zonas de
funcionamento distintas:
Configurao
baixa
alta
Impedncia sada
mdia
alta
baixa
Ganho de tenso
mdio
alto
baixo
baixo
alto
baixo
mdio
Desvio de fase
180
=Ic/Ie
Transistor Darlington
Transistor Darlington
O Darlington no mais do que a ligao de vrios transistores com a finalidade de
aumentar o ganho.
O ganho (HFE) total do Darlington a multiplicao dos ganhos individuais de cada um
dos transistores.
Vantagens:
Desvantagens:
Fototransistor
Fototransistor
O fototransistor no mais do que um transistor bipolar em que a luz incide sobre a base.
O seu funcionamento no difere do funcionamento do transistor bipolar, no entanto, a base
polarizada pela luz. Tem um tempo de resposta maior e mais sensvel que o fotodiodo.
Tem uma enorme utilizao nos acopladores pticos que tm a funo de isolar eletricamente
circuitos diferentes. O acoplador ptico composto por um dodo emissor de luz (LED) e um
fototransistor.
Fonte: http://www.electronica-pt.com/componentes-eletronicos/transistor-tipos
acessado em : 22/10/2015 s 10:23hs.