ELECTRONICA DE POTENCIA

TEG. Andrey Fabián Pachón Franco

TRANSISTOR MOSFET

• ¿Qué es un transistor mosfet?

Es un dispositivo controlado por voltaje, este solo requiere una mínima

corriente de entrada, su velocidad de conmutación es muy alta.

Tipo de simbología

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• Simbología del mosfet

Este transistor está formado tanto por un material del tipo P como tipo N y
dos islas el material opuesto al primero. Entre estas dos islas se sitúa una
pequeña región en la cual hay una capa de oxido sobre la que se encuentra
una parte metálica. A las dos islas se les llama Fuente) y Drenado, mientras
que la parte intermedia se le conoce como gate.

• Capacitancias de un mosfet.

Éstas se dan en entre Gate y la fuente y Cgd entre Gate y drenaje. Cada valor
de capacitancia es una función no lineal del voltaje. El valor para Cgs tiene
solamente una variación pequeña, pero en Cgd, cuando uDG haya pasado a
través de cero, es muy significativa. Cualquier desprecio de estas variaciones
crea un error substancial en la carga que es requerida en Gate .

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• Conmutación de un mosfet

La conmutación en los mosfet se presenta por varios factores como son la

carga y descarga de los condensadores de entrada , las velocidades de carga y
descarga de las capacitancias , la potencia instantánea sea mayor que en la
zona óhmica .

• Diferencia entre los transistores BJT y los MOSFET

La diferencia que presenta estos dos transistores es que el BJT necita una
corriente de base inferior a la que se requiere en el colector , a diferencia del
mosfet que actúa solo con la presencia de tensión en la puerta.
La puerta del Mosfet solo requiere corriente para cargar y descargar las
capacidades presentes.
Además su conexión “mosfet” se facilita mas para conexiones tipo paralelo , los
BJT presentan menos caídas de tensión a comparación de un mosfet las
cuales son mayores.

• Transistor IGBT

El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina los

atributos del BJT y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y un gate
maneja voltaje como el MOSFET.
IGBT es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de
potencia utilizado especialmente como dispositivo para conmutación en
sistemas de alta tensión .

las características para que este entre en conducción son similares a las del bjt.
El IGBT debido a su velocidad de conmutación a superado a la Bjt .

Su funcionamiento consta de aplicar un voltaje al gate para que así encienda

inmediatamente así la corriente es conducida y el voltaje va desde el valor de
bloqueo hasta cero para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser
polarizada positivamente con respecto a la terminal S, para que este se
apague simplemente se remueve la señal de voltaje que está siendo
suministrada al gate .

Es muy usado para el control de motores .

• Elección de un transistor adecuado

Primero se debe tener en cuenta los rangos de tensión que se vallan a

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manejar la velocidad de conmutación ,perdidas de potencia que se presenten

y la aplicación a la cual se desea usar el transistor.

- Para tensiones menores a 220V el transistor que utilizaremos será el

Mosfet,
Ya que las conmutaciones serán muy rápidas.

- Para tensiones mayores a 1000V, deberemos usar el IGBT además

puede trabar con frecuencias muy altas.