UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP

Facultad: Ingeniera De Sistemas

Alumna: Gmez Rojas Maribel
Curso: Fsica Electrnica

UNION P-N

UNION P-N

Se denomina unin PN a la estructura fundamental de los componentes

electrnicos comnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y
transistores. Est formada por la unin metalrgica de dos cristales, generalmente
de silicio (Si), aunque tambin se fabrican de germanio (Ge), de naturalezas P y N
segn su composicin a nivel atmico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar
cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algn
otro metal o compuesto qumico. Es la base del funcionamiento de la energa solar
fotovoltaica.
DIODO DE UNIN PN POLARIZADO
Cuando el diodo de Unin PN est Activo, permite la circulacin de Electrones y
Huecos.

El diodo debe tener un voltaje mnimo para su funcionamiento este voltaje es de

7.2 E-1v,

Cuando la concentracin aceptora est en Na = 1E15, la carga espacial negativa

aumenta, y cuanto la concentracin aceptora est en Na = 1E19, la carga espacial
positiva aumenta.

Cuando la concentracin donadora est en Nd = 1E15, la carga espacial negativa

aumenta, y cuanto la concentracin aceptora est en Na = 1E19, la carga espacial
positiva y negativa aumenta.

Cuando la concentracion donadora y aceptora estan en Nd = 1E15 no hay flujo de

electrones.
Cuando la concentracion donadora y aceptora estan en Nd = 1E19 hay flujo de
electrones.

LEY DE SHOKLEY
Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados
estables: uno de bloqueo o de alta impedancia y de conduccin o baja
impedancia.

Cuando variamos la polarizacion, a -0.4v ocurre lo siguiente:

La longitud de difucion de electrones es equivalente a LN = 1.3452E-2 (cm)

La lomgitud de difucion de huecos es equivalente a LP = 1.0786E-2 (cm)
La corriente total es equivalente a I = 2.1844E-17
La corriente de electrones es equivalente a ln = -1.2124E-17
La corriente de huecos es equivalente a lp = -9.7205E-18

Cuando variamos la polarizacion, a + 0.4v ocurre lo siguiente:

La longitud de difucion de electrones es equivalente a LN = 1.3452E-2 (cm)
La lomgitud de difucion de huecos es equivalente a LP = 1.0786E-2 (cm)
La corriente total es equivalente a I = 1.1455E-10
La corriente de electrones es equivalente a ln = 6.3576E-11
La corriente de huecos es equivalente a lp = 5.0974E-11

CONMUTACIN DEL DIODO

Polarizacin Directa V1 = 3.00v
Al incrementar el voltaje en los extremos del diodo, se observa que este empieza a
conducir, es decir esta polarizado.

Teniendo un voltaje del Diodo Vd de 3v la cada de tencin es de 0.54v, la

corriente es de 2.7mA con una resistencia en serie de 500 Ohm, esta resistencia
limita la corriente que circula por el diodo.

Polarizacin Inversa V2 = -7.0v

Al polarizar el diodo inversamente, es decir tencin negativa al nodo y tencin
positiva al ctodo, notamos que el diodo no se polariza, por tanto no hay
circulacin de corriente elctrica, el voltaje en los extremos del diodo o cada de
tencin es de -5v.

Observamos tambin que se incrementa el voltaje de los extremos del diodo, este
se deteriora; siendo este su voltaje de ruptura.