Informe Nº4

Universidad Nacional Del Callao
Facultad De Ingeniera Elctrica y Electrnica
Escuela Profesional De Ingeniera Electrnica

Ciclo 2014 A
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

ESCUELA DE INGENIERIA ELECTRONICA
CURSO:
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
LABOTORIO #4.
PROFESOR: CUZCANO RIVAS, ABILIO
CICLO:
IV
INTEGRANTES:
PAUCAR CARDENAS KEVIN.

RUIZ BENAVIDES MANUEL.
FLORES MEJIA HECTOR.
ARCE CHOMBO EMERSON.
PRADO FERNANDEZ JOSE.
CAJAS NORABUENA JOEL.
Laboratorio De Dispositivos Electrnicos

Experiencia N 4


Ciclo 2014 A
TRANSISTOR BIPOLAR
I.
II.
OBJETIVOS:
Reconocer las caractersticas de los Transistores Bipolares.
Realizar las medidas aplicando los Transistores Bipolares
Relacionar los valores Tericos con los Prcticos.
BASE TCNICA DE COMPONENTES:

El transistor bipolar es un dispositivo de
tres terminales -emisor, colector y base-,
que, atendiendo a su fabricacin, puede
ser de dos tipos: NPN y PNP. En la figura 1
se encuentran los smbolos de circuito y
nomenclatura de sus terminales. La forma
de distinguir un transistor de tipo NPN de
un PNP es observando la flecha del
terminal de emisor. En un NPN esta
flecha apunta hacia fuera del
transistor; en un PNP la flecha
apunta hacia dentro. Adems, en
funcionamiento normal, dicha flecha
indica el sentido de la corriente que
circula por el emisor del transistor.
Corrientes
a) Funcionamiento:
El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de
la corriente que circula entre el emisor y el colector del
mismo, mediante la corriente de base. En esencia un
transistor se puede considerar como un diodo en directa
(unin emisor-base) por el que circula una corriente elevada,
y un diodo en inversa (unin base-colector), por el que, en
principio, no debera circular corriente, pero que acta como
una estructura que recoge gran parte de la corriente que
circula por emisor-base.
b) Corrientes y Tensiones:

Experiencia N 4


Ciclo 2014 A
Para el anlisis de las distintas corrientes que aparecen en

un transistor vamos a considerar un transistor de tipo PNP,
que polarizamos tal y como aparece en la figura. Este tipo de
polarizacin ser el usado cuando el transistor trabaje en
regin activa, como se ver en los siguientes apartados. La
unin emisor-base queda
polarizada como una unin en
directa, y la unin colector-base
como una unin en inversa.

Experiencia N 4


Ciclo 2014 A
Entre el emisor y la base aparece una corriente (I Ep + IEn)

debido a que la unin est en directa
El efecto transistor provoca que la mayor parte de la
corriente anterior NO circule por la base, sino que siga hacia
el emisor (ICp)
Entre el colector y la base circula una corriente mnima por
estar polarizada en inversa (ICn ms una parte nfima de ICp)
Por la base realmente circula una pequea corriente del
emisor, ms otra de colector, ms la corriente de
recombinacin de base (IEn+ICn+IBr)
A partir de lo anterior podemos obtener algunas ecuaciones

bsicas como son las siguientes:
IE + IB +IC= 0 (1)
Esta ecuacin viene impuesta por la propia estructura del
circuito, es decir, el transistor es un nodo con tres entradas o
salidas, por tanto la suma de las corrientes que entran o
salen al mismo ha de ser cero.
Cada una de las corrientes del transistor se puede poner en
funcin de sus componentes de la siguiente forma:
IE = IEn + IEp
IC = ICn + ICp
IB = IEn + ICn + IBr
c) Parmetros y :
En un transistor bipolar uno de los aspectos ms
interesantes para su anlisis y uso es el conocer las
relaciones existentes entre sus tres corrientes (I E, IB e IC). En
la ecuacin 1 tenemos una primera relacin. Otras
relaciones se pueden obtener definiendo una serie de
parmetros dependientes de la estructura del propio
transistor.
Definimos los parmetros y (de continua) como la
relacin existente entre la corriente de colector y la de
emisor, o la de emisor y la de base, es decir:
IC
IE

Experiencia N 4
IC
IB
(2)


Ciclo 2014 A
Operando podemos relacionar ambos parmetros de la

siguiente forma:
IC
IC
=
=
I B I EI C
IC
I E (1
IC
)
IE
En general el parmetro ser muy prximo a la unidad (la

corriente de emisor ser similar a la de colector) y el
parmetro tendr un valor elevado (normalmente > 100).
d) Regiones de Funcionamiento:
Corte
Cuando el transistor se encuentra en corte no circula
corriente por sus terminales. Concretamente, y a efectos de
clculo, decimos que el transistor se encuentra en corte
cuando se cumple la condicin: IE = 0 IE < 0 (Esta ltima
condicin indica que la corriente por el emisor lleva sentido
contrario al que llevara en funcionamiento normal).
Para polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en
directa la unin base-emisor del mismo, es decir, basta con
que VBE=0
Activa
La regin activa es la normal de funcionamiento del
transistor. Existen corrientes en todos sus terminales y se
cumple que la unin base-emisor se encuentra polarizada en
directa y la colector-base en inversa.
En general, y a efectos de clculo, se considera que se
verifica lo siguiente:
V B E=V y
I C = . I B
donde V es la tensin de conduccin de la unin baseemisor (en general 0,6 voltios).

Saturacin
En la regin de saturacin se verifica que tanto la unin
base-emisor como la base-colector se encuentran en directa.

Experiencia N 4


Ciclo 2014 A
Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y se verifica

slo lo siguiente:
V BE =V BE
sat
V CE =V CE
sat
Donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de

saturacin suelen tener valores determinados
(0,8 y 0,2 voltios habitualmente).
Es de sealar especialmente que cuando el transistor se
encuentra en saturacin circula tambin corriente por sus
tres terminales, pero ya no se cumple la relacin:
I C = . I B
e) Curvas caractersticas:
Entendemos por curvas caractersticas de un transistor la
representacin grfica de las relaciones entre sus corrientes
y tensiones. Esta informacin es muy til para el diseador a
la hora de elegir uno u otro transistor para un circuito, pues
permite tanto observar todas las caractersticas del mismo,
como realizar el diseo en s.
Las curvas caractersticas son representaciones grficas de 3
variables. En los ejes X e Y se colocan dos de las variables, y
se dibuja una curva para cada uno de los valores de la
tercera variable. En el siguiente apartado se expondr un
ejemplo.
En funcin de qu tres variables se elijan para representar
una curva caracterstica, y si se consideran curvas de
entrada o salida, se pueden definir los siguientes tipos de
grficas en los transistores bipolares:

Experiencia N 4


Ciclo 2014 A
Curvas caractersticas en emisor comn:

Como ejemplo se describen aqu las curvas caractersticas
de salida en la configuracin de emisor comn por ser la
ms utilizada en la prctica.
Como se coment en el apartado anterior, las curvas
caractersticas son la representacin de diversas variables
(tensiones o corrientes) de un transistor bipolar en
coordenadas cartesianas. En el caso concreto de curvas de
salida en emisor comn, las variables a representar son
(vase tabla 1): IC, VCE e IB
En la figura vemos las curvas caractersticas indicadas. Se
representa en el eje Y la corriente de colector (I C), en el eje X
la tensin colector-emisor (VCE), y se dibuja una curva para
cada uno de los valores de la corriente de base (I B) que se
consideren, por ejemplo en la figura se toma el intervalo de
10 a 70 A.
A partir de estas curvas es posible determinar el punto de
trabajo del transistor, es decir, las tensiones y corrientes del
mismo, una vez polarizado.
III.
PRTICA
EN EL
LABORATORIO:
a) Implemente el siguiente circuito y encuentre el punto de
operacin:

Experiencia N 4


Ciclo 2014 A
Para 0,7 V:
Para 0,8 V:

Experiencia N 4


Ciclo 2014 A
Para 0.9 V:

Experiencia N 4


Ciclo 2014 A
Para 1 V:

Experiencia N 4
10


Ciclo 2014 A
.
.
.
Para 2,5 V:

Experiencia N 4
11


Ciclo 2014 A
Resultados de la implementacin del circuito a):

VRB
(v)
0,7
0,8
0,9
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
VCE (v)
9,90
9,86
9,80
9,78
9,63
9,50
9,40
9,30
9,16
IC (mA)
0,05
0,11
0,16
0,22
0,34
0,46
0,60
0,70
0,80
IB
(uA)
0,20
0,38
0,58
0,77
1,20
1,58
2,01
2,42
2,84
VRB
(v)
0,09
0,18
0,27
0,36
0,55
0,74
0,96
1,15
1,35

Experiencia N 4
12
VRC
(v)
0,05
0,11
0,16
0,22
0,34
0,46
0,59
0,70
0,80
VBE (v)
0,62
0,63
0,65
0,65
0,66
0,67
0,68
0,68
0,68
25
28,95
27,59
28,57
28,33
29,11
29,85
28,93
28,17

2,2
2,3
2,4
2,5
9,04
8,98
8,93
8,88
0,92
1,01
1,05
1,11

Ciclo 2014 A
3,28
3,50
3,72
3,90
1,51
1,64
1,73
1,84
0,93
1,00
1,05
1,12
0,69
0,69
0,69
0,69
b) Implemente el siguiente circuito y encuentre el punto de operacin:

Para S/F:

Experiencia N 4
13
28,05
28,86
28,23
28,46


Ciclo 2014 A
Para 0.7 V:
Para 0.8 V:

Experiencia N 4
14


Ciclo 2014 A
Para 0.9 V:

Experiencia N 4
15


Ciclo 2014 A
Para 1 V:

Experiencia N 4
16


Ciclo 2014 A
.
.
.
Para 2.5 V:

Experiencia N 4
17


Ciclo 2014 A
Resultados de la implementacin del circuito b):

VBB
(v)
S/F
VCE
(v)
10,8
IC
(mA)
0,36
IE
(mA)
0,36
IB
(uA)
1,10
VR1
(v)
10,8
VR2
(v)
1,07
VRC
(v)
0,65
VRE
(v)
0,42
VX (v)
10,1
32,73
0,7
0,8
0,9
1
1,2
1,4
11,6
11,4
11,2
11,0
10,5
10,0
0,07
0,14
0,21
0,29
0,45
0,60
0,09
0,14
0,22
0,30
0,45
0,60
0,16
0,38
0,63
0,89
1,42
2,01
11,1
11,0
10,9
10,8
10,6
10,4
0,69
0,79
0,91
1,01
1,19
1,39
0,14
0,26
0,39
0,55
0,80
1,10
0,10
0,27
0,26
0,35
0,45
0,72
11,0
10,8
10,6
10,4
9,96
9,48
43,75
36,84
33,33
32,58
31,69
29,85

Experiencia N 4
18


Ciclo 2014 A
1,6
1,8
2
2,2
9,65
9,17
8,70
8,22
0,77
0,93
1,10
1,25
0,76
0,93
1,10
1,25
2,56
3,16
3,77
4,40
10,2
10,0
9,8
9,6
1,58
1,79
2,00
2,18
1,39
1,68
1,96
2,26
0,93
1,11
1,32
1,50
8,98
8,50
8,03
7,50
30,08
29,43
29,18
28,41
2,3
2,4
2,5
7,93
7,70
7,45
1,34
1,42
1,50
1,34
1,42
1,51
4,73
5,05
5,38
9,5
9,4
9,3
2,28
2,40
2,48
2,40
2,56
2,70
1,61
1,71
1,80
7,27
7,04
6,76
28,33
28,12
27,88
IV.
INFORME OBLIGATORIO DETALLANDO AL MXIMO TODAS LAS

OCURRENCIAS:
a) Explique el comportamiento del Transistor Bipolar en cada caso.
En ambos casos el transistor bipolar 549 NPN esta polarizado pues
trabaja dentro de un circuito. Trabaja en zona de corte en los
voltajes de 0,7 a 0,8 V; luego trabaja en zona activa en los voltajes
0,9 a 2,5 V, en estos casos no trabaja en zona de saturacin pues
el IB no llega a 100 y el VCE no llega a 0.
b) Explique la necesidad de usar cada Transistor Bipolar diferente en
cada caso.
Porque analizando los valores de la tabla y el comportamiento del
transistor bipolar nos damos cuenta que nunca llega a la zona de
saturacin y lo mejor sera usar un transistor diferente en cada
caso.
c) Realice las operaciones de cada tabla en forma terica.
IC
; en teor a el es igual a 100
IB
V BB =V BE + I B . R B ; en teora el V BE es igual a 0,7V

V CC =V CE + I C . RC
Usando estas 3 ecuaciones hallaremos los valores tericos
principales de la tabla:
TABLA 1
VBB (v)
0,7
0,8
VCE (v)
10
9.979
IC (mA)
0
0.021

Experiencia N 4
19
IB (uA)
0
0.21


Ciclo 2014 A
9.957
9.936
9.894
9.851
9.808
9.766
9.723
9.681
9.660
9.638
9.617
0,9
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
2,2
2,3
2,4
2,5
0.043
0.064
0.106
0.149
0.192
0.234
0.277
0.319
0.340
0.362
0.383
0.43
0.64
1.06
1.49
1.92
2.34
2.77
3.19
3.40
3.62
3.83
d) Margen de error entre el valor terico y el valor prctico:
E=
V teoricoV practico
x 100
V teorico
VBB (v)
0,7
0,8
0,9
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
2,2
2,3
2,4
2,5
V.
VCE (v) %
1
1.19
1.57
1.87
2.67
3.56
4.16
4.77
5.79
6.62
7.04
7.35
7.66
IC (mA) %
0
47.62
62.79
65.63
67.92
69.13
68.75
70.09
71.12
71.16
70.29
70.99
71.02
IB (uA) %
0
80.95
34.88
9.38
13.21
6.04
4.69
2.99
2.53
2.82
2.94
2.76
1.83
CONCLUSIONES:
a) La curva caracterstica de un transistor bipolar usualmente tiene 3
partes: zona de corte, zona activa y zona de saturacin.
b) En el circuito 1, solo hay zona de corte y zona activa pero no se
llega al punto de la zona de saturacin.
c) En ambos circuitos el transistor bipolar se encuentra polarizado,
pues el transistor siempre estar polarizado cuando trabaja en un
circuito.

Experiencia N 4
20


Ciclo 2014 A

Experiencia N 4
21

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Entre el emisor y la base aparece una corriente (I Ep + IEn)

A partir de lo anterior podemos obtener algunas ecuaciones

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Operando podemos relacionar ambos parmetros de la

En general el parmetro ser muy prximo a la unidad (la

donde V es la tensin de conduccin de la unin baseemisor (en general 0,6 voltios).

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Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y se verifica

Donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de

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Curvas caractersticas en emisor comn:

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Resultados de la implementacin del circuito a):

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b) Implemente el siguiente circuito y encuentre el punto de operacin:

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