Repblica de Panam

Universidad Tecnolgica de Panam

Centro Regional Universitario de Veraguas
Facultad de Ingeniera Elctrica
Ingeniera Electromecnica
Circuitos Electrnicos I

Laboratorio #2
Transistor BJT

Integrantes:
Jhosthin Daz
Yajaira Vidal
Ariel Patio
Kevin Valds

9-743-2084
PE-13-2142
9-743-608
9-744-2221

Grupo:
4IE131

Profesor:
Abel Rodrguez

2015

Introduccin
Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un
transistor bipolar y si ste es NPN o PNP, sin embargo se recomienda que
siempre se consulten las hojas de especificaciones que proporciona el
fabricante y que nos indican como estn ubicadas las terminales de emisor,
colector y base.
En el laboratorio es conveniente comprobar que esta ubicacin es correcta y
que el dispositivo este en buen estado.
En el caso, en que no se cuente con la informacin suficiente, mediante
algunas mediciones realizadas en el laboratorio, es posible identificar las
terminales de los transistores bipolares y el tipo de transistor NPN o PNP de
que se trate.

Comportamiento del Transistor

Por definicin, el transistor de unin es un dispositivo semiconductor que contiene
tres porciones vecinas dopadas alternativamente, en el cual la regin media es
muy estrecha en comparacin con la longitud de fusin de portadores minoritarios
correspondiente a esa zona.
Como se muestra en la figura, el contacto de la regin central estrecha hacia el
mundo exterior se conoce como base. Los contactos en las porciones externas
reciben los nombres de emisor y colector. Las designaciones de emisor y
colector nacen de las funciones que cumplen estas zonas en el funcionamiento del
dispositivo. An cuando en la figura pueden lucir como dos zonas intercambiables,
en los dispositivos prcticos actuales, la zona emisora generalmente est mucho
ms dopada que la colectora y no se pueden intercambiar los terminales sin
modificar las caractersticas del dispositivo.

C
/

VEC

VEB

VBC
-

VCB

B En la figura anterior se ilustra el smbolo circuital utilizado para el transistor de

unin pnp, al mismo tiempo que se definen simultneamente las polaridades de
voltaje y corriente pertinentes. Aunque en la figura aparecen los signos + y -
para definir las polaridades de los voltajes, en realidad son redundantes porque el
doble subndice en el smbolo de voltaje ndice igualmente dichas polaridades. El
primer subndice especifica la referencia de polaridad supuesta como +. Por
ejemplo, VEB supone que E tiene el signo + y B el signo -. Ntese que como
que como consecuencia de las leyes de Kirchhoff, solamente hay dos voltaje y dos
corrientes independientes. Si se conocen dos voltajes o corrientes, tambin se
conoce la tercera.
/

VEC

VEB
-

VBC
VCB
/ B

VCE

+
C

VEB

VCB
VBC
/ B

+ -

Transistor pnp

Transistor npn

REGIONES DE FUNCIONAMIENTO DEL BJT

El transistor bipolar tiene cuatro regiones o zonas de funcionamiento o
polarizacin en cc. Las regiones de funcionamiento se determinan de acuerdo
con las polaridades de los voltajes en las uniones colector-base y base-emisor. La
zona ms comn de funcionamiento del transistor bipolar es la zona activa, que
se define como aquella que tiene la unin E-B polarizada en directo y la unin C-B
polarizada en inverso. Para el pnp esto significa que la E-B tiene una polaridad de
+ a - y que la C-B tiene una polaridad de - a + Casi todos los amplificadores
de seal lineales tienen sus transistores bipolares polarizados en la regin activa,
porque es en esa regin donde tienen mayor ganancia de seal y menor
distorsin.

La zona de saturacin se define como aquella en la que tanto la unin E-B como
la unin C-B estn polarizadas en directa. Para el pnp, esto significa que los
voltajes VEB y VCB son positivos. En los circuitos lgicos y cuando el transistor
acta como conmutador, esto implica la regin de funcionamiento en la que |VCE|
es pequea e |IC| es elevada; es decir, el dispositivo acta como un conmutador
cerrado, o sea en conduccin. Un conmutador cerrado tiene poco o ningn
voltaje entre sus bornes aun cuando fluya una corriente elevada. En un circuito
lgico, denominamos a esto un nivel lgico cero o bajo.
Definimos la zona o regin de corte como aquella en la que ambas uniones
estn polarizadas en inversa. Para el transistor pnp esto hace necesario un voltaje
negativo de VEB y de VCB. Esto representa generalmente el estado abierto, o sea
en corte, para el transistor como conmutador, o el nivel lgico uno o alto en
circuitos digitales. Cuando est en corte el transistor es similar a un circuito
abierto en que |IC| es casi cero y |VCE| es elevado.
La cuarta regin de funcionamiento es la zona o regin inversa, denominada
tambin regin activa inversa. Para el funcionamiento en activa inversa, la unin
E-B est polarizada en inversa y la unin C-B lo est en directa. El uso ms
comn de esta zona de funcionamiento es en circuitos de lgica digital, como la
lgica TTL (transistor-transistor-logic), en los que la ganancia de seal no es un
objetivo.

CONFIGURACIONES DEL BJT

En aplicaciones de circuito, el transistor funciona tpicamente con un terminal
comn entre la entrada y la salida, ya sea en cc o en seal con una masa comn.
Debido a que el transistor tiene solamente tres terminales, hay tres tipos posibles
de amplificador. Se designan como en base comn, emisor comn y colector
comn; estos nombres indican el terminal que es comn a los circuitos tanto de
entrada como de salida.
Base comn

Emisor comn
Esta es la configuracin de transistor que se encuentra ms frecuentemente para
los transistores npn y pnp.
Se le denomina configuracin de emisor comn debido a que el emisor es comn
o relaciona las terminales tanto de entrada como de salida (para este caso, ser
comn tanto la terminal base como a la de colector). Tambin en esta
configuracin se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir
completamente el comportamiento de la configuracin de emisor-comn: uno para
el circuito de entrada o de base-emisor y otro para el circuito de salida o de
colector-emisor.
Las corrientes de emisor, colector y base se muestran en su direccin
convencional real para la corriente. Incluso aunque cambi la configuracin del
transistor, las relaciones de corriente que se desarrollaron antes para la
configuracin de base comn continan siendo aplicables. Es decir:
IE= IC+IB e IC= IE
Para la configuracin de emisor comn, las caractersticas de salida representan
una grfica de la corriente de salida (IC) en funcin del voltaje de salida (VCE)
para un rango de valores de corriente de entrada (IB). Las caractersticas de
entrada representan una grfica de la corriente de entrada (IB) en funcin del
voltaje de entrada (VBE) para un rango de valores de voltaje de salida (VCE).

La regin activa para la configuracin de emisor comn es la parte del cuadrante

superior derecho que tiene la mayor linealidad, es decir, la regin en la que las
curvas de IB son casi rectas e igualmente espaciadas.
En la regin activa de un amplificador de emisor comn, la unin base-emisor se
encuentra en polarizacin directa, mientras que la unin colector-base se
encuentra en polarizacin inversa. Esta regin de emisor comn puede emplearse
para amplificacin de voltaje, corriente o potencia.
La regin de corte para la configuracin de emisor comn, no se encuentra tan
bien definida como para la configuracin de base comn.
Para propsitos de amplificacin lineal (de menor distorsin), el corte de la
configuracin de emisor comn se definir mediante IC= ICEO.
En otras palabras, la regin por debajo de IB=0 A debe evitarse si se busca una
seal de salida sin distorsin.