Integrantes
: Felipe Gacitua
Dennis Vidal
Docente
: Luis Silva O.
Fecha de entrega
: 21/10/2015
Laboratorio de Electrnica
Informe N6 Circuitos con Transistores Bipolares
NDICE
Pg.
1
Resumen
Objetivos
Bases Tericas
5-7
8-18
Conclusin
19
Lista de materiales
20
Laboratorio de Electrnica
Informe N6 Circuitos con Transistores Bipolares
1. Resumen
Circuito de polarizacin en saturacin/corte
Se implementa un circuito en una protoboard con un transistor bipolar 2N2222, donde
se midien los parmetros en estado de saturacin. Luego se conmuta agregndole un
switch, cambiando su estado de saturacin a corte donde se midi sus parmetros a
tal condicin.
Finalmente para una seal de tipo TTL a la entrada del circuito se calcul el voltaje
colector emisor.
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2. Objetivos
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3. Bases Tericas
Transistor Bipolar
El transistor de unin bipolar es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de
sus terminales.
Estos transistores es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y
emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor.
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Transistor 2N222
El 2N2222, tambin identificado como PN2222, es un transistor bipolar NPN de baja potencia de
uso general.
Sirve tanto para aplicaciones de amplificacin como de conmutacin. Puede amplificar pequeas
corrientes a tensiones pequeas o medias; por lo tanto, slo puede tratar potencias bajas (no
mayores de medio Watts). Puede trabajar a frecuencias medianamente altas.
Polaridad:
Disipacin de potencia mxima de colector (Pc):
Mxima tensin colector-base (VCE):
Tensin mxima de colector-emisor (VCE):
Mxima tensin emisor-base (VEB):
Corriente mxima de colector (IC mx):
Mxima temperatura (Tj):
Frecuencia de transicin (ft):
Velocidad de transferencia de corriente directa (hFE):
NPN
0.5 [W]
60 [V]
30 [V]
5 [V]
0.8 [A]
175C
250 [MHz]
100 min
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Valor terico
0[V]
12.0[V]
Valor practico
0.060[V]
11.89[V]
11.23[V]
11.3[V]
Valor teorico
Valor practico
12[V]
11.95[V]
0 [V]
0[V]
12[V]
11.94[V]
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Finalmente se le aplic una seal cuadrada tipo TTL a la entrada del circuito, donde se procedi a
calcular el voltaje colector emisor.
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Para encontrar los valores tericos del transistor en la regin activa, es necesario hacer un circuito
equivalente del circuito anterior, para ello se debe encontrar un voltaje y una resistencia
equivalente, la cual quedara como en la figura:
Para determinar los valores de dicho circuito, procedemos a realizar los siguientes clculos:
1 2
57 [] 27 []
=
= 18.3 []
1 + 2
57 [] + 27 []
2
27 []
=
12[] = 3.87 []
1 + 2
57 [] + 27 []
( + 1) = 1 [] (100 + 1) = 101 []
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Despus de obtener los valores correspondientes al circuito equivalente, se calcula la corriente IBQ
y a su vez ICQ:
3.87 [] 0.7 []
=
= 26.5 []
+ ( + 1)
101 [] + 18.3 []
Los valores obtenidos en la prctica se presentan mediante los siguientes clculos y en su tabla
correspondiente:
4.4 [V]
4.4 []
=
= 2.93 []
1.5 []
4.78 [V]
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Valores tericos
5.37 [V]
2.65 [mA]
Valores prcticos
4.78 [V]
2.93 [mA]
* A partir de los valores de tabla se puede ver que el valor practico de V CEQ = 4.78 [V]
result ser ms desviado hacia saturacin en la zona de operacin del transistor.
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Se implementar un circuito amplificador en emisor comn, para ello se necesitarn los siguientes
componentes:
-
Al terminal colector del transistor se conectar una resistencia de 1.5 [k] junto con
un capacitor de 10 [F], y a est resistencia se le aplicar una seal Vcc = 12 [V].
La resistencia de 57 [k] se conectara al terminal base del transistor junto con una de
27 [k] (sta conectada a tierra), y al mismo nodo en el que est conectado al
resistencia de 1.5 [k].
A la misma terminal base, se conectar un capacitor de 10 [F], a la cual se le aplica
una seal senoidal de 10 [mV].
Al terminal emisor se le conecta una resistencia de 1 [k], y en paralelo a sta, un
capacitor de 47 [F], ambos conectados a tierra.
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Figura N17: Figura de Lissajous del circuito en relacin de fase entre seal de entra y
salida
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Al terminal colector del transistor se conectar una resistencia de 1.5 [k] junto con
un capacitor de 10 [F], y a est resistencia se le aplicar una seal Vcc = 12 [V].
La resistencia de 57 [k] se conectara al terminal base del transistor junto con una de
27 [k] (sta conectada a tierra), y al mismo nodo en el que est conectado al
resistencia de 1.5 [k].
A la misma terminal base, se conectar un capacitor de 10 [F], a la cual se le aplica
una seal senoidal de 320 [mV].
Al terminal emisor se le conecta una resistencia de 1 [k], y en paralelo a sta, un
capacitor de 47 [F], ambos conectados a tierra.
La nica modificacin aplicada al circuito, es una resistencia de 100[], entre el emisor
y la resistencia de 1 [k].
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Figura N20: Figura de Lissajous del circuito en relacin de fase entre seal de entra y
salida
320 [mV]
4[V]
12.5
18
5[Khz]
Desfase
Aprox 180
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5. Conclusin
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6. Lista de Materiales
Dispositivo e instrumentos
Transistor NPN 2N2222
Resistores (10 [], 1[k], 10 [k], 1.5 [k],
1 [k], 27 [k], 57 [k])
3 Capacitores (2 de 10 [uF] y 1 de 47[uF])
Osciloscopio Anlogo/ Digital
Entrenador Digital
Potencimetro (10kOhm)
Protoboard
Alicate de punta
Alicate de corte
Alambres
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