Lneas de Transmisin y Microondas

Diodo Gunn
Y
Diodo IMPATT

Nombre: Csar Vargas C.

Carrera: Ingeniera en Electrnica y T.
Fecha: 25/11/2015

Introduccin
En telecomunicaciones, las microondas son usadas en radiodifusin, ya que estas pasan fcilmente a
travs de la atmsfera con menos interferencia que otras longitudes de onda mayores. Tambin hay
ms ancho de banda en el espectro de microondas que en el resto del espectro de radio.
Usualmente, las microondas son usadas en programas informativos de televisin para transmitir una
seal desde una localizacin remota a una estacin de televisin mediante una camioneta
especialmente equipada, como tambin son usadas en protocolos de internet inalmbrico
(802.11g/b) y para medios fsicos como la televisin por cable e internet va cable coaxial.
Radares, mseres, industria armamentista y muchas otras aplicaciones son evidencia de la
importancia de este tipo de ondas, las cuales pueden ser generadas de varias maneras, generalmente
divididas en dos categoras: dispositivos de estado slido y dispositivos basados en tubos de vaco.
Los dispositivos de estado slido para microondas estn basados en semiconductores de silicio,
arseniuro de galio u otros, e incluyen transistores de efecto campo (FET), transistores de unin
bipolar (BJT), diodos Gunn y diodos IMPATT como los ms importantes de uso prctico.
En el presente informe se describirn estos dos ltimos diodos, partiendo por analizar su
composicin, funcionamiento y curvas caractersticas, para luego ubicarlos en el uso prctico que
tienen hoy en da en las telecomunicaciones y diferencias que existan entre s.

Clasificacin de dispositivos semiconductores microondas

Diodo Gunn
El diodo Gunn se basa en el efecto Gunn, y ambos se llaman as por el fsico JB Gunn. Se conoce
tambin al diodo Gunn como dispositivo de transferencia de electrones.
Los diodos Gunn son unos dispositivos electrnicos que emiten radiacin electromagntica en el
rango de las microondas.
Existen en este dispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo N fuertemente dopadas y
una delgada regin intermedia de material ligeramente dopado.

Los diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro de galio para osciladores de hasta 200 GHz,
mientras que los de Nitruro de Galio pueden alcanzar los 3 Terahertz

Funcionamiento del Diodo Gunn

La tercera banda est en una energa ms alta que la banda de conduccin normal, y est vaca hasta
que la energa se suministra a la promocin de electrones a la misma. La energa se deriva de la
energa cintica de los electrones balsticos.

Estos electrones comienzan ya sea por debajo del nivel de Fermi y se les da un tiempo
suficientemente largo de recorrido libre en el medio para adquirir la energa necesaria mediante la
aplicacin de un fuerte campo elctrico, o se inyectan por un ctodo con la energa correcta.
El "Nivel de Fermi" es el trmino utilizado para describir la parte superior del conjunto de niveles
de energa de electrones a la temperatura de cero absoluto.

Efecto Gunn
El efecto fue descubierto por John B. Gunn en 1963. Este efecto es un instrumento eficaz para la
generacin de oscilaciones en el rango de las microondas en los materiales semiconductores.
(Arseniuro de Galio (GaAs), Fosfuro de Indio (InP)).
El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los semiconductores y no depende de la unin
misma, ni de los contactos, tampoco depende de los valores de tensin y corriente y no es afectado
por campos magnticos.
Este efecto slo se da en materiales tipo N (material con exceso de electrones) y las oscilaciones se
dan slo cuando existe un campo elctrico.

Formacin de dominios Gunn

Al aplicar un campo Eo, podemos decir que los electrones se mueven de ctodo a nodo con una
velocidad V3. Asumamos que una pequea oscilacin se produce en el instante t=0 la misma que
puede ser ocasionada por la energa termal de los electrones. Podemos decir que los electrones que
se encuentran en el punto A, al experimentar el campo elctrico EL1 viajaran al nodo con una
velocidad V4. Los electrones en el punto B estn sujetos a un campo elctrico EH1 y tendern hacia
el nodo con una velocidad V2, la misma que es menor que V4. Por consiguiente, cada vez
aparecern ms electrones en esta zona lo que contribuir a aumentar la resistencia diferencial
negativa, lo que se traduce en un aumento en la oscilacin hasta un lmite mximo.

Funcionamiento de la resistencia Positiva

El Arseniuro de Galio (GaAs) es uno de los pocos materiales semiconductores que en una muestra
con dopado tipo N, tiene una banda de energa vaca ms alta que la ms elevada de las que se
encuentran ocupadas parcial o totalmente.

Funcionamiento de la resistencia negativa

Si a la placa anterior se le sigue aumentando la tensin, se les comunica a los electrones una mayor
energa, pero en lugar de moverse ms rpido, los electrones saltan a una banda de energa ms
elevada, que normalmente est vaca.

Diodo Gunn como oscilador

La resistencia diferencial negativa, combinada con las propiedades de tiempo de la capa intermedia,
es responsable del uso ms grande del diodo: en osciladores electrnicos a frecuencias de
microondas y superiores.

Configuraciones diodo Gunn - cavidades resonantes

En general existen 3 tipos de diseos de osciladores Gunn, a los que comnmente se les aplica un
campo (para producir el movimiento entre valles) del orden de los 3.2 kV/cm
Coaxial
Gua de Onda
Planares

Cavidades Coaxiales
Este tipo de diseos cubren un rango de frecuencias entre 5 a 65 GHz. Este tipo de osciladores
tienen un bajo Q lo que produce baja estabilidad y altos desvos de frecuencia, por ejemplo un valor
tpico de un oscilador de este tipo son los que funcionan a 15 GHz y ofrecen un desvi de 1MHz/C.

Cavidades De Gua de Onda

Este tipo de osciladores tienen la particularidad de que se encuentran acoplados con un iris, este tipo
de cavidades son las ms comunes para generar microondas, debido a que ofrecen un elevado Q y
una excelente estabilidad de frecuencia, adems ofrecen la ventaja de que pueden ser estabilizadas.

Cavidades de Segundas Armnicas.

Cavidades de gua de onda acopladas con iris se usan por lo general a 50 GHz, para frecuencia
mayores se suele utilizar cavidades de segundas armnicas, por ejemplo un valor de operacin para
este tipo de osciladores es de 95GHz con una estabilidad de 6MHz/C.

Osciladores Planares
Constituyen una nueva generacin de osciladores, en los cuales los costos y el tamao se ven
reducidos porque ya no utilizan cavidades; en lugar de ello utilizan un DRO (oscilador resonador
dielctrico) y un oscilador Gunn penar.

Aplicaciones del Diodo Gunn

Por ser capaces de manejar altas frecuencias son usados a menudo para frecuencias microondas o
mayores, y pueden producir algunas de las ms altas salidas de potencia comparadas a cualquier
otro semiconductor a esas frecuencias.
Su uso ms comn es en osciladores usando voltaje DC, pero tambin son usados en amplificadores
microondas para amplificar seales.

Sensores e instrumentos de medicin

Radares anticolisin de aeronaves, frenos antibloqueo, sensores para monitorear el flujo de trfico,
radar detector de automviles, los sistemas de seguridad de los peatones, registradores de distancia
recorrida, detectores de movimiento, sensores de baja velocidad, controladores de seales de trfico,
abridores de puertas automticos, puertas automticas de trfico, equipos de control de procesos
para monitorear rendimiento, alarmas anti ladrones, sensores para evitar descarrilamientos de
trenes, detectores a distancia de vibraciones, tacmetros rotacionales de velocidad, monitores de
contenido de humedad.

En Radio aficionado
En virtud de su funcionamiento a baja tensin, los diodos Gunn pueden servir como generadores de
frecuencia de microondas para transmisores de microondas de muy baja potencia, llamados
Gunnplexers.

Radio astronoma
Usados como oscilador, son empleados como osciladores locales en telescopios de onda milimtrica
y submilimtrica (ALMA), hacindolos resonar al doble de la frecuencia fundamental del diodo
para luego pasar a un diodo multiplicador de frecuencia para aplicaciones de onda submilimtrica.

Diodo IMPATT
El diodo de Tiempo de Trnsito por Avalancha con Ionizacin por Choque tambin conocido como
diodo read, pertenece a los llamados semiconductores osciladores de resistencia negativa;
funciona estando conectado de forma inversa y cerca del voltaje de ruptura, entonces se produce en
l una avalancha de electrones aumentando tanto la corriente como el voltaje, hasta llegar a un
punto en el cual se presenta la una resistencia negativa y en conjunto con el circuito de resonancia
producen oscilaciones a altas frecuencias (3-100GHz).

Su funcionamiento asocia la multiplicacin por avalancha de los portadores de carga y su tiempo de

propagacin en la unin. Esto conduce, para ciertas frecuencias muy elevadas, a una resistencia
negativa que permite utilizar el diodo en modo amplificador o en modo oscilador.
Se lo polariza negativamente con un tensin de corriente continua (DC) cercana al valor de ruptura
y se le inyecta superpuesta una seal de Radio Frecuencia (RF). Durante los semiciclos positivos de
la seal de RF se produce el efecto "avalancha". La corriente de avalancha solo interrumpe su
crecimiento con la llegada del semiciclo negativo, pero los portadores de carga que se han creado
durante el semiciclo anterior deben atravesar todava la regin de arrastre, lo que induce en el
circuito una corriente externa que tiene un desfase superior a 90 con la seal de RF. Como tensin
y corriente se encuentran prcticamente en contrafase, el diodo exhibe una resistencia negativa,
comportndose como un dispositivo activo.

Como el diodo IMPATT se comporta como un dispositivo de tensin constante, el circuito de

polarizacin requiere una corriente constante, para lo que se utiliza con frecuencia un transistor
regulador de corriente, como el mostrado en la figura anterior.
Generalmente es montado en un empaquetamiento microondas, con su regin de alto campo
cercano a un disipador de cobre para que el calor generado en su juncin sea rpidamente disipado.
Opera en una estrecha banda de frecuencias, y sus dimensiones internas deben correlacionarse con
la frecuencia de operacin deseada.
Al usarse como diodo oscilador, ste puede ser configurado al ajustar la frecuencia de resonancia
del circuito acoplado respectivo, y tambin variando la corriente en el diodo; aquello puede ser
usado para modulacin de frecuencia.
Una gran ventaja de este diodo es su capacidad de soportar altas potencias (generalmente 10 wats o
ms) si se compara con otros diodos de microondas, siendo una de las mejores fuentes de potencia
de estado slido.
Por el contrario, el alto nivel de ruido de fase que generan debe ser tomado en cuenta para que la
calidad de la seal generada no se degrade al aparecer componentes espurios en ella, siendo mayor
este problema en cuanto ms alta sea la frecuencia. Por esto, es frecuentemente ms usado en
transmisores que como oscilador local en receptores, donde las consecuencias del ruido de fase son
generalmente ms importantes.

Para poner en funcionamiento un diodo IMPATT se requiere un voltaje alto, generalmente del orden
de 70 Volts o mayor, lo cual a menudo limita sus aplicaciones ya que voltajes de esa magnitud no
siempre son fciles de usar en algunos componentes del equipamiento en cuestin.

Aplicaciones
Son ideales cuando se necesitan como fuente de microondas efectivas y de bajo costo.
Detectores que usan tecnologa de radio frecuencia.
Transmisiones y radares.
Alarmas de proximidad mediante la generacin de microondas en radares de seguridad domiciliaria.
Dispositivos electrnicos microondas de alta frecuencia.

Comparacin

La siguiente figura grafica la potencia de salida de onda versus su frecuencia, para ambos diodos,
concerniente a dispositivos microondas de mayor relevancia.
Se puede apreciar la mayor entrega de potencia que permite el diodo IMPATT en comparacin al
diodo Gunn, generando la mayor potencia de salida de onda continua para frecuencias de onda
milimtrica, entre todos los dispositivos de estado slido; pero por el contrario, el diodo Gunn
genera un menor ruido ( 10 a 20 dB menos ).
Adems el Diodo Gunn es mayor tanto en rango posible de frecuencia como de potencia.
Por ltimo, si se toma como referencia los 70 GHz, es marcada la diferencia de eficiencia entre
ambos con 12% para el diodo IMPATT, versus slo un 3% para el diodo Gunn