> Laboratorio N 1: Aplicacin de las Compuertas Universales.

Grupo:02 Subgrupo: 01

Informe N1
Disparo de tiristores
Subgrupo: 02
Valentina Pinzn Saavedra
20122113296
Alex Camilo Oviedo Claros
20121107912

Resumen Realizar el anlisis del tiristor (S106D1) en

corriente continua examinandolo en estado estacionario por lo
tanto los trasientes de carga, voltaje y corriente no se tienen en
cuenta.
Palabras clavesTiristor, compuerta, anodo, catodo, ruptura
en directo, corriente de retencin.

I. OBJETIVOS
o
o

Comprender los diferentes mtodos de Disparo

tiristores.
Comprender el principio de enganche del tiristor
bsico SCR.

II. JUSTIFICACIN

Procedemos a examinar algunos parmetros del tiristor:

1. Incrementando progresivamente el valor de VG.
2. Medir VL (voltaje de carga), IL (Corriente de
carga) y VAK (Voltaje entre nodo y ctodo).
3. Calcular PL (Potencia de la carga).
4. Seguir variando y midiendo hasta encontrar el
punto de disparo del tiristor.
5. Tomar mnimo 5 mediciones en conmutacin, y 5
con el SCR encendido.
Se realiza la respectiva simulacin del circuito, se hacen
diferentes pruebas con el voltaje de compuerta y el valor
requerido para la activacin del SCR es de 0.6V
aproximadamente, obteniendo en este estado:
IL= 2.44 mA VL= 24.4 V VAK= 0.58 V

Durante esta primera prctica de la asignatura electrnica

industrial se evalo el disparo de un tiristor (S106D1) al
aplicarle una diferencia de potencial en la compuerta que se
incremento moderadamente, haciendo que el dispositivo se
traslade de un estado de NO conduccin hasta la conduccin.
III. DESARROLLO PRCTICO
Se realiza el montaje del circuito:

Figura 2. Simulacin en proteus

Figura 1. Montaje del circuito

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Anlisis del circuito en DC

Donde

0.7

1=

25 = 0.7 +
= 24.3

Calculo de potencia de RL usando las mediciones.

MEDIDA

= 24.29(24.29 10 ) = 590
= 24.2(24.2 10 ) = 585.64
= 23.79(23.9 10 ) = 568.58
= 23.583(23.58 10 ) = 556.08
= 23.2(23.2 10 ) = 538.24

VG(V)

IG(A)

IA(mA)

VL(V)

VAK(V)

PL(mW)

0
0
0
25
0
0
0
0
0
25
0
0.1
0
0
0
25
0
0.2
0.37
0
0
25
0
0.3
5.39
0
0
25
0
0.5
138.30
24.29
24.29
0.75
590
0.7
148.83
24.20 24.20
0.78
585.64
1.0
64.87m
23.90
23.79
0.77
568.58
1.5
86.55m
23.58
23.58
0.78
556.08
1.7
136.25m 23.20 23.20
0.75
538.24
2.0
Tabla 1. Mediciones parmetros del tiristor

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

IV. ANALISIS DE RESULTADOS

1.

2.

Observando las mediciones que obtuvimos en la

realizacin de la prctica podemos determinar el
voltaje umbral del dispositivo; el momento en el que
se halla una cada de tensin en la carga se conoce
como el punto de ruptura en directo, para este punto
observamos que el voltaje que aplicamos en la
compuerta es de 0.7 V, y el voltaje umbral (VAK)
correspondiente en dicho punto es de 0.75V. La
relacin entre estas tensiones esta dada por la siguiente
ecuacin:
1=
+

En el momento en que el dispositivo esta en e estado

de activacin los valores de tensin coinciden de
manera correcta, podemos justificarlo con el modelo
transistorizado del SCR como se puede observar en la
figura 3.
Al ser superior a 0.7V la diferencia de potencial, este ser
suficiente para generar conduccin entre la base y el emisor
(B-E) de Q2.

Figura 3. Modelo transistorizado del SCR

3.

Observando las mediciones de los parmetros del

tiristor se obtiene un incremento brusco en la corriente
de compuerta (IG), ya que se encuentra en el orden de
los microamperios (A) y pasa al orden de los
miliamperios (mA) y un descenso significativo en los
parmetros relativos a la carga (VL e IL).
V. CONCLUSIONES

Los tiristores se manejan como interruptores biestables, ya

que pasan de un estado de no conduccin a un estado de
conduccin. Estos tienen menores perdidas por conduccin en
estado activo y mayor especificacin en el manejo de la
potencia.
Una vez que un tiristor esta en estado de conduccin se
comporta como un diodo conductor y no hay control sobre el
dispositivo, de esta manera este contina conduciendo porque
no existe capa de transicin en la unin np (entre la seccin 2 y
3) debido a que las portadoras se mueven de forma libre.
Cuando baja el voltaje de nodo a ctodo, el dispositivo se
regresa al estado en la condicin de bloqueo; para poder
quedarse en un estado de conduccin la corriente en sentido
directo del tiristor debe ser mayor que su corriente de retencin.

REFERENCIAS
[1]

Thomas Floyd. Dispositivos Electrnicos. Octava

Edicin.G.
[2]Muhammad Rashid. Electrnica de potencia. Tercera Edicin
[3] Ned Mohan , Tore M. Undeland, William P. Robbins.
Electrnica de Potencia. Tercerda Edicin.