ELECTRONICA INDUSTRIAL
TECSUP
INDICE:
I.
INTRODUCCIN:......................................................................................... 2
OBJETIVOS ESPECIFICOS:......................................................................3
IV.
MARCO TEORICO.................................................................................... 3
V. EQUIPOS Y MATERIALES:..........................................................................4
VI.
A.
PROCEDIMIENTO:................................................................................... 5
. RECONOCIMIENTO Y PRUEBA DEL DIODO.......................................5
PRUEBA DE TRANSISTORES................................................................15
V. CONCLUSIONES........................................................................................ 17
VI.
OBERVACIONES..................................................................................... 17
VII.
ANEXOS:................................................................................................ 18
MECNICA ELCTRICA V
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I.
INTRODUCCIN:
MECNICA ELCTRICA V
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III.
IV.
OBJETIVO GENERAL:
Obtener destreza en el reconocimiento y prueba de
semiconductores de potencia, identificando sus caractersticas y
limitaciones.
OBJETIVOS ESPECIFICOS:
Identificar los tipos ms usados de tiristores.
Realizar pruebas de funcionamiento de cada uno de los tiristores a
identificar.
Probar su funcionamiento.
Establecer diferencia de comportamiento uno del otro.
Aplicar las normas de seguridad en el laboratorio.
MARCO TEORICO.
El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente
electrnico de los interruptores mecnicos; por tanto, es
capaz de dejar pasar plenamente o bloquear por completo el
paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno, aunque
no son capaces de soportar grandes sobrecargas de
corriente. Este principio bsico puede observarse tambin en el
diodo Shockley.
El diseo del tiristor permite que ste pase rpidamente a
encendido al recibir un pulso momentneo de corriente en su
terminal de control, denominada puerta (o en ingls, GATE)
cuando hay una tensin positiva entre nodo y ctodo, es
decir la tensin en el nodo es mayor que en el ctodo. Solo
puede ser apagado con la interrupcin de la fuente de voltaje,
abriendo el circuito, o bien, haciendo pasar una corriente en
sentido
inverso
por
el
dispositivo.
Si
se
polariza
inversamente en el tiristor existir una dbil corriente inversa de
fugas hasta que se alcance el punto de tensin inversa mxima,
provocndose la destruccin del elemento (por avalancha en la
unin).
Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado
activo, debe generarse una corriente de enganche positiva en el
nodo, y adems debe haber una pequea corriente en la
compuerta capaz de provocar una ruptura por avalancha en
la unin J2 para hacer que el dispositivo conduzca. Para que
el dispositivo siga en el estado activo se debe inducir desde el
nodo una corriente de sostenimiento, mucho menor que la de
enganche, sin la cual el dispositivo dejara de conducir.
A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto
de disparo. Se puede controlar as la tensin necesaria entre
MECNICA ELCTRICA V
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EQUIPOS Y MATERIALES:
Cantidad
01
Descripcin
Multmetro digital Fruke
02
Cables del multmetro
01
Protoboard
01
Diodo A1A22
01
Tiristor SKT 40
01
Mosfet IRF3205
01
Transistor IRG4PSC71UD
01
Transistor 2N3055
Tabla 1: Equipos y materiales
Ilustracin 1: Mult.
Fluke
MECNICA ELCTRICA V
Ilustracin 5:
IRG4PSC71UD
Ilustracin 2:
Protoboard
Pgina 4
Ilustracin 6: 2N3055
Observaciones
Verificar la carga de la
batera
Probar continuidad
Ilustracin 3:
Cables de Mult.
Ilustracin 4:
SKT 40
Ilustracin 7: IRF3205Ilustracin 8:
A1A22
MECNICA ELCTRICA V
Pgina 5
PROCEDIMIENTO:
A. . RECONOCIMIENTO Y PRUEBA DEL DIODO
Smbolo:
A
Parmetro
Abreviacin
Valor
VRSM
1000v
Voltaje
pico
inverso
repetitivo:
Corriente Directa Media:
VRRN
1000v
IFAV
22A
IRMS
43A
IFSM
0.35A
no
Instantnea
no
Tabla 2
MECNICA ELCTRICA V
Pgina 6
del dispositivo
Ilustracin 9
Ilustracin 10
0.425 V dc
Ilustracin 11
Marque
el
estado
del
dispositivo:
Operativo
Inoperativo
Conclusiones y Observaciones:
Conclusiones:
El dispositivo electrnico se encuentra en
perfectas condiciones ya que sus resultados
experimentales y tericos tienen concordancia,
existe una diferencia de milsimas pero eso es
despreciable ya que en esa diferencia existen
varios factores externos que pueden afectar al
resultado, uno de esos factores puede ser el
componente de medicin (multmetro).
Observaciones:
MECNICA ELCTRICA V
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Parmetro
Abreviacin
Valor
VRRM
500v
Voltaje
pico
inverso
repetitivo:
Corriente Directa Media:
VRSN
900v
ITAV
28A
IRMS
38A
Instantnea
no
no ISM
700A
MECNICA ELCTRICA V
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Cable Rojo
del
del dispositivo
Ilustracin 12
Cable
Negro del
OL
OL
OL
OL
0.041
0.041
Tabla 3
In operativo:
Conclusiones y Observaciones:
Conclusiones:
A partir de tabla 3, se llega a la conclusin que el
dispositivo electrnico SKT 40 se encuentra en
ptimas condiciones para ser utilizado ya que
cuando tomamos la medida de Ctodo con el
cable rojo del multmetro y el Gate con el cable
negro, arroja un valor 0.039 y dicho valor es muy
cercano al que el fabricante indica en la tabla.
Observaciones:
Es preferible utilizar el protoboard para evitar que
las pinzas del milmetro nos jueguen una mala
pasada.
MECNICA ELCTRICA V
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C. RECONOCIMIENTO DE TRANSISTORES:
Para el dispositivo usado anote los siguientes datos
Tipo de Transistor:
NPN
Cdigo Elctrico de identificacin:
Smbolo:
IRF3205
Parmetro
Abreviacin
Valor
VCEO
60v
VCBO
100v
IC
15 A
PTOT
115 w
HFE
70 A
FT
3 Mhz
MECNICA ELCTRICA V
Tabla 4
Pgina 10
Cable Rojo
del
C
E
C
L
O
L
O
L
0.5
97
0.5
95
Tabla 5
Inoperativo:
Conclusiones y Observaciones:
Conclusiones:
El dispositivo est en perfectas condiciones,
aunque los valores que nos dan como referencia
no sean los mismos con los datos obtenidos, pero
la diferencia son por milsimas
Observaciones:
Con este dispositivo tuvimos un poco de dificultad
al reconocer sus partes.
MECNICA ELCTRICA V
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D. TIRISTOR N2
Para el dispositivo usado anote los siguientes datos
Tipo de Transistor:
Cdigo Elctrico de identificacin:
IRG4PSC71UD
Smbolo:
Parmetro
Abreviacin
Valor
VCES
600v
VGE
Ic Mximo a 25C :
IC
Potencia de Disipacin:
PD
6v
85 A
350 w
Voltaje C-E ( On ) :
Tabla 6
RCS
0.24 c/w
MECNICA ELCTRICA V
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Cable Rojo
del
Cable Negro
Ilustracin 14
del
Tabla 7
Marque el estado del
Operativo:
Conclusiones y Observaciones:
Conclusiones:
Observaciones:
MECNICA ELCTRICA V
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Inoperativo:
IRF3205
Parmetro
Abreviacin
Valor
VCES
600v
VGE
Ic Mximo :
IC
Potencia de Disipacin:
PD
6v
85 A
350 w
Voltaje C-E ( On ) :
Tabla 8
RCS
0.24 c/w
MECNICA ELCTRICA V
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Cable NegroIlustracin 15
del
Valor Medido
E
O
L
C
0.3
Cable Rojo
del
C
E
C
5
O
L
O
L
O
L
O
Tabla 9 L
F.
Observaciones:
PRUEBA DE TRANSISTORES.
PARA : IFR3205.
MECNICA ELCTRICA V
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Inoperativo:
VOLTAJE
A
1.168 V
1.285 V
1.387 V
1.707 V
6.46 V
15 V
15 V
15 V
15 V
15 V
PARA : IRG4PC30U.
c) IMPLEMENTAR EL CIRCUITO.
MECNICA ELCTRICA V
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MECNICA ELCTRICA V
VOLTAJE
A
6.54 mV
6.87 mV
7.153
mV
9.919 mv
10.211
mv
14.83
mV
15 V
15 V
15 V
15 V
Pgina 17
V.
CONCLUSIONES.
Se conocieron los distintos tipos de transistores, as como su
aspecto fsico, su estructura bsica y las simbologas utilizadas,
pudiendo concluir que todos son distintos y que por necesidades
del hombre, se fueron ideando nuevas formas o nuevos tipos
de transistores.
Se pudo concluir la teora que fue dada en el saln de clase,
sobre, que al corriente del colector en un npn o un pnp, es al
misma en el emisor.
Gracias al software
comprobando as la teora.
VI.
OBERVACIONES.
reconocer el nodo y ctodo antes de la conexin, estos nos
ayuda a evitar errores y perdida de material.
siempre consultar al docente a cargo, para tener seguro nuestro
trabajo.
reconocer y aprender las abreviaturas para cada elemento
(transistor).
MECNICA ELCTRICA V
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VII.
ANEXOS:
Ilustracin 16
Ilustracin 17
MECNICA ELCTRICA V
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Ilustracin 19
Ilustracin 18
MECNICA ELCTRICA V
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Ilustracin 20
MECNICA ELCTRICA V
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