Ringkasan Electronica Dasar.

3.4 COMMON-BASE CONFIGURATION

The notation and symbols used in conjunction with the transistor in the majority of
texts and manuals published today are indicated in Fig. 3.6 for the common-base configuration
with pnp and npn transistors. The common-base terminology is derived
from the fact that the base is common to both the input and output sides of the configuration.
In addition, the base is usually the terminal closest to, or at, ground potential.
Throughout this book all current directions will refer to conventional (hole)
flow rather than electron flow. This choice was based primarily on the fact that the
vast amount of literature available at educational and industrial institutions employs
conventional flow and the arrows in all electronic symbols have a direction defined
by this convention. Recall that the arrow in the diode symbol defined the direction of
conduction for conventional current. For the transistor:
Figure 3.6 Notation and symbols // Gambar 3.6 Notasi dan simbol
// digunakan dengan common-base
// konfigurasi: (a) transistor pnp;
// (b) transistor npn.
used with the common-base
configuration: (a) pnp transistor;
(b) npn transistor.

// Notasi dan simbol yang digunakan dalam hubungannya dengan transistor di sebagian
besar
teks dan manual yang diterbitkan hari ini ditunjukkan pada Gambar. 3,6 untuk
konfigurasi common-base
dengan pnp dan npn transistor. Terminologi Common-base berasal dari fakta bahwa
basis adalah sama untuk kedua input dan output sisi konfigurasi tersebut. Selain itu,
basis biasanya yang terhubung langsung dengan ground (pembuangan tegangan).
Sepanjang buku ini semua arah arus akan mengacu ke konvensional (lubang)
dan mengalir ke aliran elektron. aliran konvensional dan anak panah di semua simbol
elektronik telah arah didefinisikan oleh konvensi ini. Ingat bahwa panah dalam simbol
dioda didefinisikan sebagai
konduksi untuk arus yang konvensional. Untuk transistor:
The arrow in the graphic symbol defines the direction of emitter current
(conventional
flow) through the device.
All the current directions appearing in Fig. 3.6 are the actual directions as defined
by the choice of conventional flow. Note in each case that IE = IC + IB. Note also
that the applied biasing (voltage sources) are such as to establish current in the direction

indicated for each branch. That is, compare the direction of IE to the polarity
or VEE for each configuration and the direction of IC to the polarity of VCC.
To fully describe the behavior of a three-terminal device such as the commonbase
amplifiers of Fig. 3.6 requires two sets of characteristics one for the driving
point or input parameters and the other for the output side. The input set for the
common-base amplifier as shown in Fig. 3.7 will relate an input current (IE) to an input
voltage (VBE) for various levels of output voltage (VCB).
The output set will relate an output current (IC) to an output voltage (VCB) for various
levels of input current (IE) as shown in Fig. 3.8. The output or collector set of
characteristics has three basic regions of interest, as indicated in Fig. 3.8: the active,

Panah di simbol grafis mendefinisikan arah arus emitor (arus yang konvensional) melalui transistor.
Semua arah arus tampil pada Gambar. 3.6 adalah arah yang sebenarnya seperti yang didefinisikan
dengan pilihan arus yang konvensional. Catatan : dalam setiap kasus yang IE = IC + IB. Perhatikan juga
bahwa biasing diterapkan (sumber tegangan) untuk membangun arus dalam arah diindikasikan untuk setiap
cabang. Artinya, membandingkan arah IE untuk polaritas atau VEE untuk setiap konfigurasi dan arah IC untuk
polaritas VCC. Untuk sepenuhnya menggambarkan perilaku ketiga terminal seperti penguat basis ditanahkan
Gambar. 3.6 membutuhkan dua set karakteristik satu untuk ke titik point atau parameter input dan yang lainnya
untuk sisi output. Input ditetapkan untuk penguat common-base seperti yang ditunjukkan pada Gambar. 3.7
akan berhubungan arah arus input (IE) untuk input tegangan (VBE) untuk berbagai tingkatan tegangan output
(VCB). Output set akan terhubung ke arus keluaran (IC) untuk tegangan output (VCB) untuk berbagai
tingkatan arus masukan (IE) seperti yang ditunjukkan pada Gambar. 3.8. Output atau kolektor set
karakteristik memiliki tiga wilayah pokok ketertarikan, seperti yang ditunjukkan pada Gambar. 3.8: aktif,

Figure 3.7 Input or driving // Input atau kenaikan

point characteristics for a common-base // titik karakteristik dari commonbase
silicon transistor // penguat transistor silikon
amplifier.

Figure 3.8 Output or collector

// Output atau kolektor characteristics for a common-base // karakteristik dari common-base

transistor amplifier.
// transistor sebagai
penguat.

cutoff,
and
saturation
regions. The active region
is the region normally
employed for
linear (undistorted) amplifiers. In particular:
cutoff, dan saturasi daerah. Daerah aktif wilayah ini biasanya berada pada garis
linear (tidak terdistorsi) penguat. Khususnya:
In the active region the collector-base junction is reverse-biased, while the
base-emitter junction is forward-biased.
The active region is defined by the biasing arrangements of Fig. 3.6. At the lower
end of the active region the emitter current (IE) is zero, the collector current is simply
that due to the reverse saturation current ICO, as indicated in Fig. 3.8. The current
ICO is so small (microamperes) in magnitude compared to the vertical scale of IC (milliamperes)
that it appears on virtually the same horizontal line as IC = 0. The circuit
conditions that exist when IE = 0 for the common-base configuration are shown in
Fig. 3.9. The notation most frequently used for ICO on data and specification sheets
is, as indicated in Fig. 3.9, ICBO. Because of improved construction techniques, the
level of ICBO for general-purpose transistors (especially silicon) in the low- and midpower
ranges is usually so low that its effect can be ignored. However, for higher
power units ICBO will still appear in the microampere range. In addition, keep in mind
that ICBO, like Is, for the diode (both reverse leakage currents) is temperature sensitive.
At higher temperatures the effect of ICBO may become an important factor since
it increases so rapidly with temperature.
Note in Fig. 3.8 that as the emitter current increases above zero, the collector current
increases to a magnitude essentially equal to that of the emitter current as determined
by the basic transistor-current relations. Note also the almost negligible effect
of VCB on the collector current for the active region. The curves clearly indicate that
a first approximation to the relationship between IE and IC in the active region is given

by

As inferred by its name, the cutoff region is defined as that region where the collector
current is 0 A, as revealed on Fig. 3.8. In addition:
In the cutoff region the collector-base and base-emitter junctions of a
transistor
are both reverse-biased.
The saturation region is defined as that region of the characteristics to the left of
VCB _ 0 V. The horizontal scale in this region was expanded to clearly show the dramatic
change in characteristics in this region. Note the exponential increase in collector
current as the voltage VCB increases toward 0 V.

Di daerah aktif persimpangan kolektor-base adalah reverse-bias, sedangkan

dasar-emitor adalah forward-bias.
Daerah aktif didefinisikan oleh pengaturan biasing Gambar. 3.6. Pada level terendah
di daerah aktif arus emitor (IE) adalah nol, arus kolektor hanya
bergantung dari reverse-bias saturasi ICO saat ini, seperti yang ditunjukkan pada Gambar. 3.8.
Nilai arus ICO sangat kecil (mikrometer) besarnya dibandingkan dengan skala vertikal IC (milliamperes)
yang muncul di hampir garis horizontal yang sama seperti IC = 0. Kondisi sirkuit yang ada saat IE = 0 pada
garis konfigurasi common-base ditunjukkan pada Gambar. 3.9. Notasi yang paling sering digunakan pada garis
ICO dari data dan spesifikasi lembar adalah seperti yang ditunjukkan pada Gambar. 3.9, ICBO. Karena
ditingkatkan teknik konstruksi, tingkat ICBO untuk transistor keperluan umum (terutama silikon) di rendah
dan menengah penjaga kekuasaan biasanya sangat rendah sehingga efeknya dapat diabaikan. Namun, untuk
unit daya yang lebih tinggi ICBO akan tetap muncul di kisaran microampere. Selain itu, perlu diingat bahwa
ICBO, seperti Is, untuk dioda (baik mundur kebocoran arus) adalah suhu sensitif. Catatan pada Gambar. 3.8
bahwa sebagai emitor arus meningkat di atas nol, arus kolektor
meningkat menjadi berkekuatan dasarnya sama dengan yang ada pada saat ini emitor seperti yang ditentukan
oleh hubungan dasar transistor-saat ini. Perhatikan juga efek yang hampir dapat diabaikan
dari VCB pada arus kolektor untuk daerah aktif. Kurva jelas menunjukkan bahwa
pendekatan pertama untuk hubungan antara IE dan IC di daerah aktif diberikan oleh persamaan 3.3
Seperti yan disimpulkan oleh namanya, wilayah cutoff didefinisikan sebagai wilayah yang mana kolektor
arus = 0 A, seperti diungkapkan pada Gambar. 3.8. Sebagai tambahan:
Di wilayah cutoff kolektor-base dan basis-emitor persimpangan dari transistor
keduanya reverse-bias.
Daerah saturasi didefinisikan sebagai wilayah karakteristik di sumbu y

VCB = 0 V. skala horisontal di wilayah ini diperluas dengan jelas menunjukkan perubahan dramatis dalam
karakteristik di wilayah ini. Catatan peningkatan eksponensial dalam arus kolektor sebagai tegangan VCB
meningkat ke arah 0 V.

In the saturation region the collector-base and base-emitter junctions are

forward-biased.
The input characteristics of Fig. 3.7 reveal that for fixed values of collector voltage
(VCB), as the base-to-emitter voltage increases, the emitter current increases in a
manner that closely resembles the diode characteristics. In fact, increasing levels of
VCB have such a small effect on the characteristics that as a first approximation the
change due to changes in VCB can be ignored and the characteristics drawn as shown
in Fig. 3.10a. If we then apply the piecewise-linear approach, the characteristics of
Fig. 3.10b will result. Taking it a step further and ignoring the slope of the curve and
therefore the resistance associated with the forward-biased junction will result in the
characteristics of Fig. 3.10c. For the analysis to follow in this book the equivalent
model of Fig. 3.10c will be employed for all dc analysis of transistor networks. That
is, once a transistor is in the on state, the base-to-emitter voltage will be assumed
to be the following:

In other words, the effect of variations due to VCB and the slope of the input characteristics
will be ignored as we strive to analyze transistor networks in a manner that
will provide a good approximation to the actual response without getting too involved
with parameter variations of less importance.

Figure 3.10 Developing the equivalent model to be employed for the base-toemitter //Mengembangkan
model ekivalen yang akan digunakan untuk wilayah basis-to-emitter
region of an amplifier in the dc mode. // dari sebuah penguat dalam mode dc.

It is important to fully appreciate the statement made by the characteristics of Fig.

3.10c. They specify that with the transistor in the on or active state the voltage from
base to emitter will be 0.7 V at any level of emitter current as controlled by the external
network. In fact, at the first encounter of any transistor configuration in the dc
mode, one can now immediately specify that the voltage from base to emitter is 0.7 V
if the device is in the active regiona very important conclusion for the dc analysis
to follow.

Di
daerah
forward-bias.

saturasi

kolektor-basis

dan

basis-emitor

persimpangan

yang

Karakteristik input dari Gambar. 3.7 mengungkapkan bahwa untuk nilai tetap dari tegangan kolektor
(VCB), dari basis-ke-emitor tegangan meningkat, arus pada akan emitor meningkat
dengan cara yang mirip dengan karakteristik dioda. Faktanya, meningkatnya VCB memiliki efek yang kecil
pada karakteristik yang sebagai pendekatan pertama perubahan tersebut karena perubahan VCB dapat
diabaikan dan karakteristik digambarkan seperti diperlihatkan pada Gambar. 3.10a. Jika kita kemudian
menerapkan
piecewise-linear
pendekatan,
karakteristik
Gambar. 3.10b akan menghasilkan. Mengambil langkah lebih lanjut dan mengabaikan kemiringan kurva dan
Oleh karena itu perlawanan terkait dengan persimpangan-maju bias akan menghasilkan
karakteristik Gambar. 3.10c. Untuk analisis untuk mengikuti dalam buku ini setara
Model Gambar. 3.10c akan digunakan untuk semua analisis dc jaringan transistor. bahwa
adalah, sekali transistor dalam "pada" kondisi, tegangan basis-to-emitor akan diasumsikan
menjadi persamaan 3.4. Dengan kata lain, efek dari variasi karena VCB dan kemiringan karakteristik masukan
akan diabaikan karena kami berusaha untuk menganalisis jaringan transistor dengan cara yang akan
memberikan perkiraan yang bagus untuk respon yang sebenarnya tanpa terlalu terlibat dengan variasi
parameter yang kurang penting. (Gambar 3.10)
Hal ini penting untuk sepenuhnya menghargai pernyataan yang dibuat oleh karakteristik Gambar.
3.10c. Mereka menentukan bahwa dengan transistor dalam "on" atau keadaan aktif tegangan dari
dasar ke emitor akan 0,7 V pada setiap tingkat emitor saat ini sebagai dikendalikan oleh eksternal
jaringan.
Faktanya,
pada
pertemuan
pertama
dari
konfigurasi
transistor
di
dc
Mode, salah satu sekarang dapat langsung menentukan bahwa tegangan dari basis ke emitor adalah 0,7 V
jika perangkat berada di daerah aktif kesimpulannya sangat penting untuk analisis dc
mengikuti.

EXAMPLE 3.1

(a) Using the characteristics of Fig. 3.8, determine the resulting collector current if
IE _ 3 mA and VCB _ 10 V.

(b) Using the characteristics of Fig. 3.8, determine the resulting collector current if
IE remains at 3 mA but VCB is reduced to 2 V.
(c) Using the characteristics of Figs. 3.7 and 3.8, determine VBE if IC _ 4 mA and
VCB _ 20 V.
(d) Repeat part (c) using the characteristics of Figs. 3.8 and 3.10c.

Solution
(a) The characteristics clearly indicate that IC

IE = 3 mA.

(b) The effect of changing VCB is negligible and IC continues to be 3 mA.

(c) From Fig. 3.8, IE

IC = 4 mA. On Fig. 3.7 the resulting level of VBE is about

0.74 V.
(d) Again from Fig. 3.8, IE IC = 4 mA. However, on Fig. 3.10c, VBE is 0.7 V for
any level of emitter current.

CONTOH 3.1

(a) Dengan menggunakan karakteristik dari Gambar. 3.8, Tentukan

arus kolektor yang dihasilkan jika
IE = 3 mA dan VCB = 10 V.
(b) Dengan menggunakan karakteristik dari Gambar. 3.8, Tentukan
arus kolektor yang dihasilkan jika
IE tetap pada 3 mA tapi VCB dikurangi menjadi 2 V.
(c) Dengan menggunakan karakteristik dari Gambar. 3.7 dan 3.8,
Tentukan VBE jika IC = 4 mA dan
VCB = 20 V.
(d) Ulangi bagian (c) dengan menggunakan karakteristik Gambar. 3,8
dan 3.10c.

Penyelesaiian

(a) Karakteristik jelas menunjukkan bahwa IC IE = 3 mA.

(b) Pengaruh perubahan VCB dapat diabaikan dan IC terus menjadi 3 mA.
(c) Dari Gambar. 3.8, IE IC = 4 mA. Pada Gambar. 3.7 tingkat yang dihasilkan dari VBE
sekitar 0,74 V.
(d) lagi dari Gambar. 3.8, IE IC = 4 mA. Namun, pada Gambar. 3.10c, VBE adalah 0,7 V
untuk setiap tingkat arus emitor.

3.6 COMMON-EMITTER CONFIGURATION

The most frequently encountered transistor configuration appears in Fig. 3.13 for the
pnp and npn transistors. It is called the common-emitter configuration since the emitter
is common or reference to both the input and output terminals (in this case common
to both the base and collector terminals). Two sets of characteristics are again
necessary to describe fully the behavior of the common-emitter configuration: one for
the input or base-emitter circuit and one for the output or collector-emitter circuit.
Both are shown in Fig. 3.14.
Figure 3.13 Notation and symbols
used with the common-emitter
configuration: (a) npn transistor;
(b) pnp transistor
// Simbol dan notasi yang digunakan konfigurasi
common-emitter. (a) Transistor NPN; (b) Transistor
PNP.

// Konfigurasi Common-Emiter
Konfigurasi transistor yang paling sering ditemui ada pada gambar 3.13 untuk transistor
jenis NPN dan PNP. Gambar tersebut adalah konfigurasi common-emiter sebab kedua
terminal mengacu ke emitter (dalam hal ini baik basis atau kolektor) Dua karakteristik
yang diperlukan untuk menjelaskan perilaku common-emiter: satu untuk input

rangkaian basis ke kolektor dan satunya lagi untuk output dari rangkaian kolektor ke
basis. Keduanya ditunjukkan pada gambar 3.14.

The emitter, collector, and base currents are shown in their actual conventional
current direction. Even though the transistor configuration has changed, the current
relations developed earlier for the common-base configuration are still applicable.
That is,

I E =I C + I B I C = I E

For the common-emitter configuration the output characteristics are a plot of the
output current (IC) versus output voltage (VCE) for a range of values of input current
(IB). The input characteristics are a plot of the input current (IB) versus the input voltage
(VBE) for a range of values of output voltage (VCE)..

Figure 3.14 Characteristics of a silicon transistor in the common-emitter configuration:

(a) collector characteristics; (b) base characteristics.
// Gambar 3.14 Karakteristik untuk transistor silicon konfigurasi dari common-emiter: (a) karakteristik
kolektor; (b) karakteristik basis.

// Arus emitter, kolektor dan basis ditunjukkan pada arah arus konvensional mereka
sendiri. Meskipun konfigurasi transistor diubah, arus yang dikembangkan sebelumnya
pada
common-base
masih
berlaku.
Artinya

I E =I C + I B dan I C = I E .

Untuk konfigurasi common-emiter karakteristik outputnya adalah titik/plot dari arus

output (IC) Versus tegangan keluaran (VCE) untuk berbagai nilai dari arus masukan
basis (IB). Karakteristik input adalah titik/plot dari arus masukan basis (IB) Versus
tegangan input (VBE) untuk berbagai nilai tegangan keluaran (VCE).

Note that on the characteristics of Fig. 3.14 the magnitude of IB is in microamperes,

compared to milliamperes of IC. Consider also that the curves of IB are not as
horizontal as those obtained for IE in the common-base configuration, indicating that
the collector-to-emitter voltage will influence the magnitude of the collector current.
The active region for the common-emitter configuration is that portion of the
upper-right quadrant that has the greatest linearity, that is, that region in which the
curves for IB are nearly straight and equally spaced. In Fig. 3.14a this region exists
to the right of the vertical dashed line at VCEsat and above the curve for IB equal to
zero. The region to the left of VCEsat is called the saturation region.
// Dengan catatan yang ada di karakteristik di gambar 3.14. nilai dari
dengan nilai
diperoleh

I C dalam miliampere. Dapat dilihat juga pada kurva

I B dalam microampere dibandingkan

I B tidak horizontal seperti yang

I E di konfigurasi common-base dapat menunjukan bahwa tegangan kolektor-ke-emiter akan

mempengaruhi nilai dari arus kolektor. Daerah aktif dari konfigurasi common-emiter ada di sebagian kuadran
kanan atas yang memiliki linearitas terbesar itu adalah daerah yang mana kurva untuk
Gambar 3.14a daerah ini ada di kanan garis putus-putus vertical pada
sama dengan 0. Daerah sebelah kiri untuk

I B adalah lurus. di

V CEsat dan diatas kurva untuk

IB

V CEsat disebut dengan daerah saturasi.

In the active region of a common-emitter amplifier the collector-base junction

is reverse-biased, while the base-emitter junction is forward-biased.
You will recall that these were the same conditions that existed in the active region
of the common-base configuration. The active region of the common-emitter
configuration can be employed for voltage, current, or power amplification.
The cutoff region for the common-emitter configuration is not as well defined as
for the common-base configuration. Note on the collector characteristics of Fig. 3.14
that IC is not equal to zero when IB is zero. For the common-base configuration, when
the input current IE was equal to zero, the collector current was equal only to the reverse
saturation current ICO, so that the curve IE = 0 and the voltage axis were, for
all practical purposes, one.
The reason for this difference in collector characteristics can be derived through
the proper manipulation of Eqs. (3.3) and (3.6). That is,

// Di Daerah aktif untuk penguat emitter ditanahkan sambungan kolektorbasis adalah reverse-bias, sedangkan sambungan basis-emiter adalah
forward-bias.
Anda akan mengingat bahwa ini adalah keadaan yang sama dari daerah aktif untuk
konfigurasi common-base. Daerah aktif dari konfigurasi common-emitter dapat
digunakan untuk tegangan, arus, atau penguat amplifier. daerah cutoff dari konfigurasi
common-emiter tidak sama seperti konfigurasi common-base. Catatan dari karakteristik
kolektor untuk gambar 3.14 bahwa

IC

IB

tidak sama dengan 0 ketika

Untuk konfigurasi common-base ketika arus input

IE

hanya sama dengan kebalikan dari saturasi arus

I CO , jadi kurva

adalah 0.

sama dengan 0, arus kolektor

IE

= 0 dan

sumbu tegangan untuk semua tujuan praktis,

Alasan untuk perbedaan karakteristik kolektor dapat diketahui dengan menggunakan
persamaan (3.3) dan (3.6) yaitu,

Persamaan ( 3.6 ) : I C =I E +I CBO

Didapat dari subsitusi : Persamaan ( 3.3 ) : I C = ( I C + I B ) + I CBO
Dandituliskan kembali : Persamaan ( 3.8 ) : I C =

I E I CBO
+
1 1

If we consider the case discussed above, where IB = 0 A, and substitute a typical

value of

such as 0.996, the resulting collector current is the

following:

// Jika kita
pertimbangkan hal yang diatas, ketika
I B = 0 A, dan mensubsitusi nilai tetap dari yaitu 0,996, Arus kolektor yang
dihasilkan adalah dengan.

IC =

I CBO
I
(0 A)
+
= CBO =250 I CBO
1 10,996 0,004

If ICBO were 1

A, the resulting collector current with IB = 0 A would be

250 (1

A) = 0.25 mA, as reflected in the characteristics of Fig. 3.14.

For future reference, the collector current defined by the condition IB = 0

A will

be assigned the notation indicated by Eq. (3.9).

In Fig. 3.15 the conditions surrounding this newly defined current are demonstrated
with its assigned reference direction.
// Jika

I CBO adalah 1 1 A , arus kolektor dengan

I B = 0 A akan menghasilkan 250 (1

A ) =

0.25 mA, seperti yang ada di karakteristik pada gambar 3.14. untuk referensi, arus kolektor ditentukan oleh
kondisi

I B = 0 A akan diberikan notasi yang ditunjukkan dari Persamaan (3.9).

// Dari gambar 3.15 kondisi sekitar baru diketahui oleh arus yang didemonstrasikan oleh arah referensi yang
diberikan.
For linear (least distortion) amplification purposes, cutoff for the
commonemitter
configuration will be defined by IC = ICEO.
In other words, the region below IB = 0

A is to be avoided if an undistorted output

signal is required.
When employed as a switch in the logic circuitry of a computer, a transistor will
have two points of operation of interest: one in the cutoff and one in the saturation
region. The cutoff condition should ideally be IC = 0 mA for the chosen VCE voltage.
Since ICEO is typically low in magnitude for silicon materials, cutoff will exist for
switching purposes when IB = 0

A or IC = ICEO for silicon transistors only. For germanium

transistors, however, cutoff for switching purposes will be defined as those

conditions that exist when IC = ICBO. This condition can normally be obtained for
germanium transistors by reverse-biasing the base-to-emitter junction a few tenths of
a volt.
Recall for the common-base configuration that the input set of characteristics was
approximated by a straight-line equivalent that resulted in VBE = 0.7 V for any level
of IE greater than 0 mA. For the common-emitter configuration the same approach
can be taken, resulting in the approximate equivalent of Fig. 3.16. The result supports
our earlier conclusion that for a transistor in the on or active region the base-to-emitter

voltage is 0.7 V. In this case the voltage is fixed for any level of base current.

Figure 3.16
Piecewiselinear
equivalent
for the diode

characteristics
of Fig. 3.14b.

Figure 3.15 Circuit conditions

related to ICEO.
// Gambar 3.15 Rangkaian kondisi dari Iceo.

// Untuk linearitas tujuan penguatan, cutoff untuk konfigurasi common-emiter

ditentukan oleh

I C =I CEO .

Dengan kata lain, daerah di bawah

I B=0 A

harus dihindari jika tidak terdistorsi dari

keluaran sinyal yang diperlukan.

Ketika digunakan sebagai saklar di sirkuit logika computer , transistor akan memiliki 2
titik yang menarik satu di cutoff dan satunya di wilayah saturasi. Kondisi cutoff idealnya

IC
Saat

= 0 mA untuk tegangan Vce yang dipilih.

I CEO

biasanya berada di nilai yang rendah untuk silicon, cutoff akan berguna

untuk saklar ketika

I B=0 A dan I C =I CEO

hanya untuk silicon. untuk transistor

germanium bagaimanapun, cutoff untuk tujuan sebagai saklar akan diketahui ketika
kondisi

I C =I CBO . Kondisi ini biasanya diperoleh oleh transistor germanium dengan

sambungan reverse-bias untuk basis-ke-emitor beberapa puluh volt.

Mengingat kembali untuk konfigurasi common-base bahwa input set dari karakteristik
yang didekati dengan garis lurus yang mengakibatkan VBE = 0.7 Volt untuk setiap
tingkat IE yang lebih besari dari 0 mA. Untuk konfigurasi common emitter hal yang
sama dapat diambil, sehingga hasilnya kira-kira akan sama dengan gambar 3.16. Hasil
ini mendukung dengan kesimpulan kita yang tadi bahwa transistor akan on atau aktif
dengan tegangan 0.7 Volt di basis-ke-emiter. Dalam hal ini tegangannya sudah tetap di
setiap kenaikan arus di basis.

EXAMPLE 3.2 (a) Using the characteristics of Fig. 3.14, determine IC at IB = 30

A and VCE =

10 V.
(b) Using the characteristics of Fig. 3.14, determine IC at VBE = 0.7 V and VCE =
15 V.

Solution
(a) At the intersection of IB = 30
(b) Using Fig. 3.14b, IB = 20

A and VCE = 10 V, IC = 3.4 mA.

A at VBE = 0.7 V. From Fig. 3.14a we find that IC =

2.5 mA at the intersection of IB = 20

A and VCE = 15 V.

CONTOH 3.2 (a) Dengan menggunakan karakteristik dari Gambar. 3.14, Tentukan IC
di IB = 30 A dan VCE = 10 V.
(b) Dengan menggunakan karakteristik dari Gambar. 3.14, Tentukan IC di
VBE = 0,7 V dan VCE = 15 V.
Penyelesaiian :
(a) Di persimpangan IB = 30 A dan VCE = 10 V, IC = 3,4 mA.
(b) Dengan menggunakan Gambar. 3.14b, IB = 20 A di VBE = 0,7 V. Dari Gambar. 3.14a
kita menemukan bahwa IC = 2,5 mA di persimpangan IB = 20 A dan VCE = 15 V.

3.7 COMMON-COLLECTOR
CONFIGURATION

The third and final transistor configuration is the common-collector configuration,

shown in Fig. 3.20 with the proper current directions and voltage notation. The
common-collector configuration is used primarily for impedance-matching purposes
since it has a high input impedance and low output impedance, opposite to that of the
common-base and common-emitter configurations

Figure 3.20 Notation

and symbols
used with the
common-collector
configuration: (a)
pnp transistor;
(b) npn transistor
// Simbol dan notasi
penggunaan
konfiguras commoncollector (a) pnp
transistor; (b) npn
transistor.

// 3.7 Konfigurasi Common-Collector

Yang ketiga dan yang paling terakhir dari konfigurasi transistor adalah commoncollector lihat gambar 3.20 dengan arah arus yang tepat dan notasi tegangan.
Konfigurasi common-collector digunakan terutama untuk tujuan pencocokan-impedansi
karena konfigurasi ini memiliki input impedansi yang tinggi dan output impedansi yang
rendah, sehingga berlawanan dengan konfigurasi common-base dan common-emitter.

A common-collector circuit configuration is provided in Fig. 3.21 with the load

resistor connected from emitter to ground. Note that the collector is tied to ground

even though the transistor is connected in a manner similar to the common-emitter

configuration. From a design viewpoint, there is no need for a set of commoncollector
characteristics to choose the parameters of the circuit of Fig. 3.21. It can
be designed using the common-emitter characteristics of Section 3.6. For all
practical
purposes, the output characteristics of the common-collector configuration
are the
same as for the common-emitter configuration. For the common-collector
configuration
the output characteristics are a plot of IE versus VEC for a range of values of
IB .
The input current, therefore, is the same for both the common-emitter and
commoncollector
characteristics. The horizontal voltage axis for the common-collector
configuration
is obtained by simply changing the sign of the collector-to-emitter voltage
of the common-emitter characteristics. Finally, there is an almost
unnoticeable change
in the vertical scale of IC of the common-emitter characteristics if IC is replaced by
IE for the common-collector characteristics (since

1). For the input circuit of the

common-collector configuration the common-emitter base characteristics are sufficient for obtaining the
required information.

// Sebuah rangkaian konfigurasi common-collector disediakan pada gambar 3.21

dengan beban resistor yang terhubung di kaki emitter ke ground. Perhatikan bahwa
kolektor terikat ke ground meskipun transistor terhubung dengan cara yang mirip
dengan konfigurasi common-emitter. Dari sudut pandang, tidak ada kebutuhan setiap
karakteristik common-colector untuk memilih parameter dari gambar rangkaian 3.21 Itu
bisa dirancang dengan menggunakan karakteristik common-collector dari bagian 3.6
untuk semua tujuan praktis, karakteristik output dari konfigurasi common-collector
adalah sama dengan konfigurasi common-emiter. Untuk konfigurasi common-collector
karakteristik output adalah plot dari

I E VersusV CE

untuk berbagai nilai

I B . Oleh

sebab itu, karakteristik arus input untuk common-collector dan common-emitter adalah
sama. Sumbu horizontal tegangan untuk konfigurasi common-collector diperoleh hanya
dengan mengubah tanda tegangan dari kolektor-ke-emiter dari karakteristik commoncollector. Sehingga, ada perubahan yang kelihatan dalam skala vertical
karakteristik common-collector jika

IC

diganti dengan

IE

IC

dari

untuk karakteristik

common-collector ( 1 . Untuk rangkaian input dari konfigurasi common-collector

karakteristik dasar dari common-collector yang cukup untuk memperoleh informasi
yang diperlukan.

EXAMPLE 2
Draw the family of collector characteristic curves for the circuit in Figure 3.22 for
IB = 5

A to 25

A in 5

A increments. Assume that

DC

= 100.

Figure 3.22

Solution

Using the relationship IC =

DCIB,

you can calculate the ideal values of IC and

tabulate as in Table 1.
The resulting curves are plotted in Figure 3.23 . Generally, characteristic curves have
a slight upward slope as shown. This indicates that, for a given value of IB, IC
increases slightly as VCE increases, which implies bDC is not exactly constant
.

Figure.3.23

Figure.3.23

// CONTOH 2
Gambarkan kurva karakteristik keluarga kolektor untuk rangkaian pada
A ke 25 A dari 5 A. Asumsikan bahwa
gambar 3.22 untuk
IB = 5
dc=100.

Penyelesaiian
Dengan menggunakan hubungan antara

I C =dc I B

kita bisa menghitung

nilai ideal dari Ic dan mengambarkannya dalam bentuk table seperti yang
ada pada table 1. Kurva yang dihasilkan diplot di gambar 3.23. secara umum
kurva karakteristik memiliki kemiringan sedikit ke atas seperti yang di
tunjukkan. Hal ini menunjukkan bahwa, untuk nilai Ib tertentu, Ic sedikit
meningkat seperti Vce meningkat, yang berarti dc tidak konstan.