INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

CENTRO DE ESTUDIOS CIENTIFICOS Y

TECNOLOGICOS NO 7 CUAUHTEMOC

Materiales y Dispositivos Semiconductores

Tesis para obtener el ttulo de Tcnico en Instalaciones

y Mantenimiento Elctrico

Alumno: Cruz Ponce Mauricio 6IM6

Director: M. en C. Faria Lpez Gumersindo David

Agradecimientos
En primera instancia agradezco profundamente a mi familia que siempre
me han apoyado en todos los proyectos de vida que he tenido
corrigindome y alentndome cada vez que era necesario y sobre todo
por nunca perder la fe en que lograra mis metas
A mi padre que ha sido un gran ejemplo para mi ensendome valores
que han estado presentes en todas las etapas de mi vida como la
responsabilidad el respeto la amabilidad y sobre todo la constancia y
esmero para lograr mis objetivos y sobresalir sin olvidarme de mis
orgenes
A mi madre que ha dado todo para que pudiera estar donde he llegado
ya que con sus consejos pero sobretodo su paciencia y amor me ha
ayudado a superar todos los obstculos que representan una formacin
educativa y adems a formarme como un ser humano
A mi hermano el cual a pesar de la diferencia de edades me ha dado la
fortaleza para superarme y que yo sea un buen ejemplo de superacin
y esfuerzo ya que ha estado cuando lo he necesitado y siempre en viras
de una buena relacin
A mis amigos con quienes he pasado por tantas experiencias que me
han ido enriqueciendo como persona y me han abierto puertas las
cuales nunca pesara que existiesen
A mis profesores por compartir conmigo sus conocimientos y alentarme
a seguir adelante siguiendo mis metas

ndice
Pg.
Resumen

Abstract

Introduccin

Objetivos

Metodologas

Hiptesis

Captulo I Materiales semiconductores

Tipos de semiconductores

Semiconductor intrnseco
Semiconductor extrnseco
Semiconductor tipo N
Semiconductor tipo P
Unin PN

10

Barrera interna de potencial

11

Capitulo II Diodos

12

Polarizacin directa

12

Polarizacin inversa

13

Curva caracterstica de diodos

14

Modelos matemticos

16

Tipos de diodos

17

Diodo avalancha
Diodo tnel
Fotodiodo
LED

18
Caractersticas
Ventajas y desventajas

Visin general
Polaridad
Tecnologa de fabricacin
Funcionamiento de un LED

21

Diagramas
Capitulo III Transistores

25

Historia de los transistores

25

Tipos de transistor

27

Transistor de contacto puntual

Transistor de unin bipolar
Transistor de efecto de campo
Fototransistor
Transistores y electrnica de potencia

29

El transistor como amplificador

30

Emisor comn
Base comn colector comn
Capitulo IV Tiristores

32

Formas de activar un tiristor

32

Funcionamiento bsico

33

Fabricacin

34

SCR

34

GTO

35

DIAC

36

TRIAC

37

Conclusiones

39

Glosario

40

Bibliografa

40

Resumen
Un semiconductor es aquel material que funciona como un material conductor o en
su defecto como un aislante dependiendo a los factores a los que est sometido
como el campo elctrico o magntico, la radiacin, la presin y la temperatura.
Los dispositivos semiconductores son aquellos que usando uno o ms materiales
semiconductores para cumplir una funcin especfica y de los cuales el ejemplo ms
representativo es el diodo el cual consiste en un nodo la regin tipo P y un ctodo
la tipo N las regiones N y P sern explicadas detenidamente ms adelante
Los usos de los diodos son diversos ya sean los rectificadores ya sea de media
onda y de onda completa los cuales contribuyen de manera significativa a la
conversin de corriente alterna a corriente continua. El diodo LED el cual ha
revolucionado la industria de la iluminacin en los ltimos aos y ha sido un
componente elemental para los dispositivos desde su creacin en 1962.
Adems hay otros tipos de dispositivos semiconductores como los DIAC y Los
TRIAC que se usan en varios mbitos de la industria y para dispositivos domsticos
por ejemplo para el control de una lmpara incandescente

Abstract
A semiconductor is those material that works as a conductor of electricity or an
insulating depending on many factors like the electric or magnetic field, the pressure,
the radiation or the temperature
The semiconductor devices are which use one or more semiconductor materials to
do an specific function and the most successful example is the diode which consist
in an anode that is the region of P material and the cathode which is made of N
material, the P and N material will be analyze after
The diodes uses are so many maybe if is a rectifier of half-wave or complete wave
which contributes in an important way to change the alternant current to a continuous
one, the Light Emitting Diode (LED), that made great changes to the light industry in
the last few years and it have been an elemental component for the devices since
its creation in 1962
Also there are another semiconductor devices like the Diode of Alternative Current
(DIAC) or the Triode of alternative current (TRIAC) what are used in many ways in
the industry and domestic devices like the control of a bulb.

Introduccin
Los semiconductores han sido de gran utilidad para la humanidad durante el
desarrollo de la electrnica siendo parte fundamental desde su invencin a
principios del siglo XX y tienen usos tan variados en la vida cotidiana desde
rectificacin de corriente hasta usos como interruptores y los usos industriales son
todava ms extensos ya que son parte esencial de los circuitos de todas las
computadoras, televisores, reproductores de DVD e inclusive los que son de tamao
micromtrico como los utilizados en los microprocesadores que llevan las
computadoras y los celulares
Clasificndose en
Semiconductores intrnsecos: poseen una conductividad elctrica fcilmente
controlable y, al combinarlos correctamente adecuadamente, pueden actuar como
interruptores, amplificadores o dispositivos de almacenamiento. Ejemplo: Si y Ge
puros.
Semiconductores extrnsecos: estos se forman al agregar, intencionadamente, a un
semiconductor intrnseco sustancias dopantes. Su conductividad depender de la
concentracin de esos tomos dopantes.

Objetivo general
Hacer una investigacin documental sobre los materiales y dispositivos
semiconductores analizando su composicin y funcionamiento para poder tener una
mayor percepcin de su importancia e impacto en la vida moderna y sobre todo la
relacin con los dispositivos en los que podemos encontrarlos

Objetivos particulares

Conocer las caractersticas de los semiconductores y que elementos

qumicos son usados para los semiconductores
Analizar los tipos de materiales de los que estn formados los dispositivo
semiconductores
Exponer los usos de los dispositivos semiconductores y su importancia
dentro de la vida cotidiana

Metodologa
La siguiente obra de investigacin es de carcter documental ya que es el ms
adecuado para el proyecto reuniendo informacin de diversas fuentes para poder
dar como resultado un material de apoyo.
La investigacin documental consiste en recopilar datos de distintas fuentes
unindolas y sintetizndolas en un trabajo en concreto y con un fin en particular
pudindose obtener informacin de peridicos, revistas, libros, expedientes e
inclusive del internet que cada vez est ms presente en nuestra vida
El cual podr ser utilizado para apoyar a la educacin en distintos mbitos que es
un factor esencial para el desarrollo acadmico de un estudiante que aspira a
terminar una carrera y superarse

Hiptesis
La divulgacin del conocimiento es una pilar fundamental en una educacin de
calidad por lo que la siguiente obra retrata acercando los conocimientos de los
materiales y dispositivos semiconductores, sus tipos, usos e importancia para
nuestra sociedad.
Los resultados probables de esta obra plantean un acceso general para cualquier
interesado en el complejo mundo de los semiconductores y que se le facilite el
aprendizaje por medio de este.
Otra de las posibles consecuencias del trabajo es complementar mi vida acadmica
aplicando los conocimientos adquiridos durante el transcurso de estos tres aos de
preparacin en esta institucin de nivel medio superior.

Captulo I
Materiales Semiconductores
Un Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como un
aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o
magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en
el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores se clasifican de
acuerdo a los electrones de valencia que contengan

Tabla 1
Elementos semiconductores de acuerdo a sus electrones de valencia
Elemento

Grupo

Electrones en la ltima capa

Cd

12

Al, B, In, Ga

13

Si, C, Ge

14

P, As, Sb

15

Se, Te, S

16

Tipos de semiconductores

Semiconductor Intrnseco
Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetradrica similar a la
del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos. Cuando el cristal se
encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energa
necesaria para saltar a la banda de conduccin dejando el correspondiente hueco
en la banda de valencia. Las energas requeridas, a temperatura ambiente, son de
1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente. (Ver Fig. 1)

Fig. 1
Representacin de la estructura
tetradrica del cristal de silicio o
germanio ilustrando los enlaces
covalentes

Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones

pueden caer, desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin,
a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno se le
denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las
velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que
la concentracin global de electrones y huecos permanece constante. Siendo "n" la
concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos
(cargas positivas), se cumple que:
ni = n = p
Siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la
temperatura y del tipo de elemento.
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 C):
ni(Si) = 1.5 1010cm-3
ni(Ge) = 2.4 1013cm-3

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los

semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente
elctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos
corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de
la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones
en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos, originando
una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direccin contraria al campo
elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.

Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo
porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente,
las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al
correspondiente tomo de silicio. Hoy en da se han logrado aadir impurezas de
una parte por cada 10 millones, logrando con ello una modificacin del material.
Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado
aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente
vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin
conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores
en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese
el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro,
por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio
adyacentes.
Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la
tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red
cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro
enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado
la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera
ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores
mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios.
A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra
que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el
semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material
dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.
Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,
aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente
vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin

conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido
un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del
silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le
une un tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la
tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un
tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco
producido que se encontrar en condicin de aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha
desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve
"expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un
nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la
excitacin trmica de los electrones.
As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los
portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules, que
contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que
se produce de manera natural.

Unin PN
Se denomina unin PN a la estructura fundamental de los componentes electrnicos
comnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores.
Est formada por la unin metalrgica de dos cristales, generalmente de silicio (Si),
aunque tambin se fabrican de germanio (Ge), de naturalezas P y N segn su
composicin a nivel atmico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de
metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algn otro metal o
compuesto qumico. Es la base del funcionamiento de la energa solar fotovoltaica
Fig. 2
Malla cristalina de
silicio puro.

Los cristales de Silicio estn formados a nivel atmico por una malla cristalina
basada en enlaces covalentes que se producen gracias a los 4 electrones (Ver Fig.
2) de valencia del tomo de Silicio. Junto con esto existe otro concepto que cabe
mencionar: el de hueco. Los huecos, como su nombre indica, son el lugar que deja
un electrn cuando deja la capa de valencia y se convierte en un electrn libre.

10

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,

sustituyndole algunos de los tomos de un semiconductor intrnseco por tomos
con menos electrones de valencia que el semiconductor anfitrin, normalmente
trivalente, es decir con 3 electrones en la capa de valencia (normalmente boro), al
semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en
este caso positivos, huecos).
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado
aadiendo un cierto tipo de elemento, normalmente pentavalente, es decir con 5
electrones en la capa de valencia, al semiconductor para poder aumentar el nmero
de portadores de carga libres (en este caso, negativos, electrones libres).
Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente
vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin
conocido como impurezas donantes ya que cede uno de sus electrones al
semiconductor.

Barrera interna de potencial

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal al
establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de
la unin, zona que recibe diferentes denominaciones como barrera interna de
potencial, zona de carga espacial, de agotamiento o empobrecimiento, de
deplecin, de vaciado, etc. (Ver Fig. 3)
A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin.
Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos
en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de
la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la
corriente de electrones y terminar detenindolos.

Fig. 3
Formacin de la zona de la
barrera interna de potencial.

11

Capitulo II
Diodos
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin
de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido.
De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos
regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito
abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una
resistencia elctrica muy pequea. Debido a este comportamiento, se les suele
denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte
negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna
en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los
experimentos de Lee De Forest.
En 1873 Frederick Guthrie descubri el principio de operacin de los diodos
trmicos. Guhtrie descubri que un electroscopio cargado positivamente podra
descargarse al acercarse una pieza de metal caliente, sin necesidad de que ste lo
tocara. No suceda lo mismo con un electroscopio cargado negativamente,
reflejando esto que el flujo de corriente era posible solamente en una direccin.
Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas Edison re-descubre el
principio. A su vez, Edison investigaba por qu los filamentos de carbn de las
bombillas se quemaban al final del terminal positivo
En 1874 el cientfico alemn Karl Ferdinand Braun descubri la naturaleza de
conducir por una sola direccin de los cristales semiconductores. Braun patent el
rectificador de cristal en 1899. Los rectificadores de xido de cobre y selenio fueron
desarrollados para aplicaciones de alta potencia en la dcada de los 1930.

Polarizacin directa de un diodo

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga
espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es
decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo
de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones
podemos observar que: (Ver Fig. 4)

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo
que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p,
esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.

12

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que

la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres
del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal
p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la
zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p
convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es
atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo
hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor
y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo

electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente
elctrica constante hasta el final.
Fig. 4 polarizacin directa de un
diodo

Polarizacin inversa de un diodo

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo
a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha
zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica
a continuacin: (Ver Fig. 5)

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los

cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se
desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres
abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al
verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren
estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo)
y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes
de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de
valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los
tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el
electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones
libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos
con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su

13

orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en

iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al

efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco a ambos lados de la
unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente
inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial
de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por
la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn
rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes
necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del
diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con
lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual
que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga es
despreciable.

Fig. 5 polarizacin
inversa de un diodo

Curva caracterstica del diodo

Tensin umbral, de codo o de partida (V ). La tensin umbral (tambin llamada
barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la
zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo,
la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente
ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin
externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que
para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la
intensidad de corriente. (Ver Fig. 6)
Corriente mxima (Imax ). Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir
el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor
que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo.
Corriente inversa de saturacin (Is ). Es la pequea corriente que se establece al
polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a
la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 C en la
temperatura.

14

Corriente superficial de fugas. Es la pequea corriente que circula por la superficie

del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada
al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas.
Tensin de ruptura (Vr ) Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar
antes de darse el efecto avalancha.
Fig. 6 Curva caracterstica del
diodo.

Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa

de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el
diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante
hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos
efectos:

Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan

pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la
tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su
energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden
provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su
vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de
valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones
que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores
de la tensin superiores a 6 V.
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material,
menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E
puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando
el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser
grande, del orden de 3105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo
puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementndose la
corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.

Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como

los Zener, se puede producir por ambos efectos.

15

Modelos matemticos
El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William
Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la
mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la
diferencia de potencial es:

Donde:

I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo

VD es la diferencia de tensin entre sus extremos.
IS es la corriente de saturacin (aproximadamente
)
n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del
diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de
2 (para el silicio).

El Voltaje trmico VT es aproximadamente 25.85mV en 300K, una temperatura

cercana a la temperatura ambiente, muy usada en los programas de simulacin de
circuitos. Para cada temperatura existe una constante conocida definida por:

Donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatura absoluta de la unin pn,

y q es la magnitud de la carga de un electrn (la carga elemental).
La ecuacin de diodo ideal de Shockley o la ley de diodo se deriva de asumir que
solo los procesos que le dan corriente al diodo son por el flujo (debido al campo
elctrico), difusin, y la recombinacin trmica. Tambin asume que la corriente de
recombinacin en la regin de agotamiento es insignificante. Esto significa que la
ecuacin de Shockley no tiene en cuenta los procesos relacionados con la regin
de ruptura e induccin por fotones. Adicionalmente, no describe la estabilizacin de
la curva I-V en polarizacin activa debido a la resistencia interna.
Bajo voltajes negativos, la exponencial en la ecuacin del diodo es insignificante. y
la corriente es una constante negativa del valor de I s. La regin de ruptura no est
modelada en la ecuacin de diodo de Shockley.
Para voltajes grandes, en la regin de polarizacin directa, se puede eliminar el 1
de la ecuacin, quedando como resultado:

16

Con objeto de evitar el uso de exponenciales, en ocasiones se emplean modelos

ms simples an, que modelan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos
rectos; son los llamados modelos de continua o de Ram-seal. El ms simple de
todos es el diodo ideal.

Tipos de diodos
Diodo avalancha:
Un diodo avalancha, es un dispositivo semiconductor diseado especialmente para
trabajar en tensin inversa. En estos diodos, poco dopados, cuando la tensin en
polarizacin inversa alcanza el valor de la tensin de ruptura, los electrones que han
saltado a la banda de conduccin por efecto de la temperatura se aceleran debido
al campo elctrico incrementando su energa cintica, de forma que al colisionar
con electrones de valencia los liberan; stos a su vez, se aceleran y colisionan con
otros electrones de valencia liberndolos tambin, producindose una avalancha de
electrones cuyo efecto es incrementar la corriente conducida por el diodo sin apenas
incremento de la tensin.
Diodo tnel
El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se
produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un
cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin.
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como
componente activo (amplificador/oscilador).
Tambin se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que descubri que
una fuerte contaminacin con impurezas poda causar un efecto de tunelizacin de
los portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unin.
Fotodiodo
Todos los semiconductores estn sujetos a portadores de carga pticos.
Generalmente es un efecto no deseado, por lo que muchos de los semiconductores
estn empacados en materiales que bloquean el paso de la luz. Los fotodiodos
tienen la funcin de ser sensibles a la luz (fotocelda), por lo que estn empacados
en materiales que permiten el paso de la luz y son por lo general PIN (tipo de diodo
ms sensible a la luz). Un fotodiodo puede usarse en celdas solares, en fotometra
o en comunicacin ptica. Varios fotodiodos pueden empacarse en un dispositivo
como un arreglo lineal o como un arreglo de dos dimensiones. Estos arreglos no
deben confundirse con los dispositivos de carga acoplada.

17

Diodo LED
LED (Light emmiting diode) o diodo emisor de luz
Los ledes se usan como indicadores en muchos dispositivos y en iluminacin. Los
primeros ledes emitan luz roja de baja intensidad, pero los dispositivos actuales
emiten luz de alto brillo en el espectro infrarrojo, visible y ultravioleta. (Ver Fig. 7)
Debido a su capacidad de operacin a altas frecuencias, son tambin tiles en
tecnologas avanzadas de comunicaciones y control. Los ledes infrarrojos tambin
se usan en unidades de control remoto de muchos productos comerciales
incluyendo equipos de audio y video.

Fig. 7 diodo emisor de luz (LED)

Caractersticas
Formas de determinar la polaridad de un led de insercin
Existen tres formas principales de conocer la polaridad de un led:

La pata ms larga siempre va a ser el nodo.

En el lado del ctodo, la base del led tiene un borde plano.
Dentro del led, la plaqueta indica el nodo. Se puede reconocer porque es
ms pequea que el yunque, que indica el ctodo.

Ventajas y desventajas
Los ledes presentan muchas ventajas sobre las fuentes de luz incandescente y
fluorescente, tales como: el bajo consumo de energa, un mayor tiempo de vida,
tamao reducido, resistencia a las vibraciones, reducida emisin de calor, no
contienen mercurio (el cual al exponerse en el medio ambiente es altamente nocivo),
en comparacin con la tecnologa fluorescente, no crean campos magnticos altos
como la tecnologa de induccin magntica, con los cuales se crea mayor radiacin

18

residual hacia el ser humano; reducen ruidos en las lneas elctricas, son especiales
para utilizarse con sistemas fotovoltaicos (paneles solares) en comparacin con
cualquier otra tecnologa actual; no les afecta el encendido intermitente (es decir
pueden funcionar como luces estroboscpicas) y esto no reduce su vida promedio,
son especiales para sistemas anti explosin ya que cuentan con un material
resistente, y en la mayora de los colores (a excepcin de los ledes azules), cuentan
con un alto nivel de fiabilidad y duracin.
Visin general
Los ledes se usan como indicadores en muchos dispositivos y en iluminacin. Los
primeros ledes emitan luz roja de baja intensidad, pero los dispositivos actuales
emiten luz de alto brillo en el espectro infrarrojo, visible y ultravioleta.
Debido a su capacidad de operacin a altas frecuencias, son tambin tiles en
tecnologas avanzadas de comunicaciones y control. Los ledes infrarrojos tambin
se usan en unidades de control remoto de muchos productos comerciales
incluyendo equipos de audio y video.
Polaridad
Formas de determinar la polaridad de un led de insercin
Existen tres formas principales de conocer la polaridad de un led:

La pata ms larga siempre va a ser el nodo

En el lado del ctodo, la base del led tiene un borde plano.
Dentro del led, la plaqueta indica el nodo. Se puede reconocer porque es
ms pequea que el yunque, que indica el ctodo.

Tecnologa de fabricacin
En corriente continua (CC), todos los diodos emiten cierta cantidad de radiacin
cuando los pares electrn-hueco se recombinan; es decir, cuando los electrones
caen desde la banda de conduccin (de mayor energa) a la banda de valencia (de
menor energa) emitiendo fotones en el proceso. Indudablemente, por ende, su color
depender de la altura de la banda prohibida (diferencias de energa entre las
bandas de conduccin y valencia), es decir, de los materiales empleados. Los
diodos convencionales, de silicio o germanio, emiten radiacin infrarroja muy
alejada del espectro visible. Sin embargo, con materiales especiales pueden
conseguirse longitudes de onda visibles. Los ledes e IRED (diodos infrarrojos),
adems, tienen geometras especiales para evitar que la radiacin emitida sea
reabsorbida por el material circundante del propio diodo, lo que sucede en los
convencionales.

19

Tabla 2
Compuestos empleados en la construccin de ledes
Compuesto

Color

Long. de onda

arseniuro de galio (GaAs)

Infrarrojo

940 nm

arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs) rojo e infrarrojo

890 nm

arseniuro fosfuro de galio (GaAsP)

rojo, anaranjado y amarillo 630 nm

fosfuro de galio (GaP)

verde

555 nm

nitruro de galio (GaN)

verde

525 nm

seleniuro de cinc (ZnSe)

azul

nitruro de galio e indio (InGaN)

azul

450 nm

carburo de silicio (SiC)

azul

480 nm

diamante (C)

ultravioleta

Los primeros ledes construidos fueron los diodos infrarrojos y de color rojo,
permitiendo el desarrollo tecnolgico posterior la construccin de diodos para
longitudes de onda cada vez menores. En particular, los diodos azules fueron
desarrollados a finales de los aos noventa por Shuji Nakamura, aadindose a los
rojos y verdes desarrollados con anterioridad, lo que permiti por combinacin de
los mismos la obtencin de luz blanca. El diodo de seleniuro de cinc puede emitir
tambin luz blanca si se mezcla la luz azul que emite con la roja y verde creada por
fotoluminiscencia. La ms reciente innovacin en el mbito de la tecnologa led son
los ledes ultravioleta, que se han empleado con xito en la produccin de luz negra
para iluminar materiales fluorescentes. Tanto los ledes azules como los ultravioletas
son caros respecto a los ms comunes (rojo, verde, amarillo e infrarrojo), siendo por
ello menos empleados en las aplicaciones comerciales.
Los ledes comerciales tpicos estn diseados para potencias del orden de los 30 a
60 mW. En torno a 1999 se introdujeron en el mercado diodos capaces de trabajar
con potencias de 1 vatio para uso continuo; estos diodos tienen matrices
semiconductoras de dimensiones mucho mayores para poder soportar tales
potencias e incorporan aletas metlicas para disipar el calor (vase conveccin)
generado por el efecto Joule.
Hoy en da se estn desarrollando y empezando a comercializar ledes con
prestaciones muy superiores a las de hace unos aos y con un futuro prometedor

20

en diversos campos, incluso en aplicaciones generales de iluminacin. Como

ejemplo, se puede destacar que Nichia Corporation ha desarrollado ledes de luz
blanca con una eficiencia luminosa de 150 lm/W utilizando para ello una corriente
de polarizacin directa de 20 miliamperios (mA). Esta eficiencia, comparada con
otras fuentes de luz solamente en trminos de rendimiento, es aproximadamente
1,7 veces superior a la de la lmpara fluorescente con prestaciones de color altas
(90 lm/W) y aproximadamente 11,5 veces la de una lmpara incandescente
(13 lm/W). Su eficiencia es incluso ms alta que la de la lmpara de vapor de sodio
de alta presin (132 lm/W), que est considerada como una de las fuentes de luz
ms eficientes.

Funcionamiento de un LED
El funcionamiento normal consiste en que, en los materiales conductores, un
electrn, al pasar de la banda de conduccin a la de valencia, pierde energa; esta
energa perdida se manifiesta en forma de un fotn desprendido, con una amplitud,
una direccin y una fase aleatoria. El que esa energa prdida, cuando pasa un
electrn de la banda de conduccin a la de valencia, se manifieste como un fotn
desprendido o como otra forma de energa (calor por ejemplo) depende
principalmente del tipo de material semiconductor. Cuando un diodo semiconductor
se polariza directamente, los huecos de la zona positiva se mueven hacia la zona
negativa y los electrones se mueven de la zona negativa hacia la zona positiva;
ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo.
Si los electrones y huecos estn en la misma regin, pueden recombinarse, es decir,
los electrones pueden pasar a "ocupar" los huecos "cayendo" desde un nivel
energtico superior a otro inferior ms estable. Este proceso emite con frecuencia
un fotn en semiconductores de banda prohibida directa (direct bandgap) con la
energa correspondiente a su banda prohibida (vase semiconductor). Esto no
quiere decir que en los dems semiconductores (semiconductores de banda
prohibida indirecta (indirect bandgap) no se produzcan emisiones en forma de
fotones; sin embargo, estas emisiones son mucho ms probables en los
semiconductores de banda prohibida directa (como el nitruro de galio) que en los
semiconductores de banda prohibida indirecta (como el silicio). (Ver Fig. 8)
La emisin espontnea, por tanto, no se produce de forma notable en todos los
diodos y solo es visible en diodos como los ledes de luz visible, que tienen una
disposicin constructiva especial con el propsito de evitar que la radiacin sea
reabsorbida por el material circundante, y una energa de la banda prohibida
coincidente con la correspondiente al espectro visible. En otros diodos, la energa
se libera principalmente en forma de calor, radiacin infrarroja o radiacin
ultravioleta. En el caso de que el diodo libere la energa en forma de radiacin
ultravioleta, se puede conseguir aprovechar esta radiacin para producir radiacin
visible mediante sustancias fluorescentes o fosforescentes que absorban la
radiacin ultravioleta emitida por el diodo y posteriormente emitan luz visible.

21

Fig. 8 partes de un led

A nodo
B Ctodo
1 Lente/encapsulado
2 Contacto metlico
3 Cavidad reflectora
4 Terminacin del
semiconductor
5 Yunque
6 Poste
7 Marco conductor
8 Borde plano

El dispositivo semiconductor est comnmente encapsulado en una cubierta de

plstico de mayor resistencia que las de vidrio que usualmente se emplean en las
lmparas incandescentes. Aunque el plstico puede estar coloreado, es solo por
razones estticas, ya que ello no influye en el color de la luz emitida. Usualmente
un led es una fuente de luz compuesta con diferentes partes, razn por la cual el
patrn de intensidad de la luz emitida puede ser bastante complejo. (Ver Fig. 9)

Fig. 9 ledes de colores

Para obtener buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que
atraviesa el led. Para ello hay que tener en cuenta que el voltaje de operacin va
desde 1,8 hasta 3,8 voltios aproximadamente (lo que est relacionado con el
material de fabricacin y el color de la luz que emite) y la gama de intensidades que
debe circular por l vara segn su aplicacin. Los valores tpicos de corriente
directa de polarizacin de un led corriente estn comprendidos entre los 10 y los
40 mA. En general, los ledes suelen tener mejor eficiencia cuanto menor es la
corriente que circula por ellos, con lo cual, en su operacin de forma optimizada, se
suele buscar un compromiso entre la intensidad luminosa que producen (mayor
cuanto ms grande es la intensidad que circula por ellos) y la eficiencia (mayor
cuanto menor es la intensidad que circula por ellos). El primer led que emita en el

22

espectro visible fue desarrollado por el ingeniero de General Electric Nick Holonyak
en 1962.
Diagramas
Para conectar ledes de modo que iluminen de forma continua, deben estar
polarizados directamente, es decir, con el polo positivo de la fuente de alimentacin
conectada al nodo y el polo negativo conectado al ctodo. Adems, la fuente de
alimentacin debe suministrarle una tensin o diferencia de potencial superior a su
tensin umbral. Por otro lado, se debe garantizar que la corriente que circula por
ellos no exceda los lmites admisibles, lo que daara irreversiblemente al led. (Esto
se puede hacer de manera sencilla con una resistencia R en serie con los ledes).
En las dos imgenes de la derecha pueden verse unos circuitos sencillos que
muestran cmo polarizar directamente ledes. (Ver Fig. 10)

Fig. 10 circuito bsico de

encendido de un LED

23

La diferencia de potencial vara de acuerdo a las especificaciones relacionadas con

el color y la potencia soportada.
En trminos generales, pueden considerarse de forma aproximada los siguientes
valores de diferencia de potencial:

Rojo = 1,8 a 2,2 voltios.

Anaranjado = 2,1 a 2,2 voltios.
Amarillo = 2,1 a 2,4 voltios.
Verde = 2 a 3,5 voltios.
Azul = 3,5 a 3,8 voltios.
Blanco = 3,6 voltios.

Luego, mediante la ley de Ohm, puede calcularse la resistencia R adecuada para la

tensin de la fuente Vfuente que utilicemos.

En la frmula, el trmino I se refiere al valor de corriente para la intensidad luminosa

que necesitamos. Lo comn es de 10 miliamperios para ledes de baja luminosidad
y 20 mA para ledes de alta luminosidad; un valor superior puede inutilizar el led o
reducir de manera considerable su tiempo de vida.
Otros ledes de una mayor capacidad de corriente, conocidos como ledes de
potencia (1 W, 3 W, 5 W, etc.), pueden ser usados a 150 mA, 350 mA, 750 mA o
incluso a 3000 mA dependiendo de las caractersticas opto elctricas dadas por el
fabricante.
Cabe recordar que tambin pueden conectarse varios en serie, sumndose las
diferencias de potencial en cada uno. Tambin se pueden hacer configuraciones en
paralelo, aunque este tipo de configuraciones no son muy recomendadas para
diseos de circuitos con ledes eficientes.

24

Capitulo III
Transistores
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar una
seal de salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la
contraccin en ingls de transfer resistor (resistor de transferencia). Actualmente
se encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario:
radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo,
computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, entre otros.
(Ver Fig. 11)

Fig. 11 transistores

Historia del transistor

El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de Estados Unidos en
diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford
Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Fue
el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos, o triodo.
El transistor de efecto campo fue patentado antes que el transistor BJT (en 1930),
pero no se dispona de la tecnologa necesaria para fabricarlos masivamente.
Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados
transistores de efecto de campo (FET). En los ltimos, la corriente entre el surtidor

25

o fuente (source) y el drenaje (drain) se controla mediante el campo elctrico

establecido en el canal. Por ltimo, apareci el MOSFET (transistor FET de tipo
Metal-xido-Semiconductor). Los MOSFET permitieron un diseo extremadamente
compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (CI).
Hoy la mayora de los circuitos se construyen con tecnologa CMOS. La tecnologa
CMOS (Complementary MOS MOS Complementario) es un diseo con dos
diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente
y consumen muy poca corriente en un funcionamiento sin carga.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas
artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades especficas)
que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que
los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras,
modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el
transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente
amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento
activo, a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son
elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica
cuntica.
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es funcin
amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor slo grada la
corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua
se alimenta la base para que circule la carga por el colector, segn el tipo de circuito
que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de
colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros parmetros a
tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de
ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima,
disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los
distintos parmetros tales como corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin
Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas (configuraciones)
bsicos para utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector
comn y base comn. (Ver Fig. 12)

Fig. 12 smbolos de los

transistores NPN y PNP
respectivamente

26

Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET,

MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el
terminal de base para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin
presente en el terminal de puerta o reja de control (graduador) y grada la
conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la
conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensin
aplicada entre Compuerta y Fuente, es el campo elctrico presente en el canal el
responsable de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo,
la corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) ser funcin amplificada
de la Tensin presente entre la Compuerta (Gate) y Fuente (Source). Su
funcionamiento es anlogo al del triodo, con la salvedad que en el triodo los
equivalentes a Compuerta, Drenador y Fuente son Reja (o Grilla Control), Placa y
Ctodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integracin a gran
escala disponible hoy en da; para tener una idea aproximada pueden fabricarse
varios cientos de miles de transistores interconectados, por centmetro cuadrado y
en varias capas superpuestas.

Tipos de transistor
Transistor de contacto puntual
Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz
de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta
de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas
metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de
modular la resistencia que se ve en el colector, de ah el nombre de transfer
resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de
fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las
puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley,
1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido
Transistor de unin bipolar
El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus siglas del ingls bipolar junction
transistor) se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o
Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio
entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el
sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las
cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. (Ver
Fig. 13)

27

Fig. 13 Transistor bipolar

La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de

aceptadores o huecos (cargas positivas). Normalmente se utilizan como
elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al
Arsnico (As) o Fsforo (P).
La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN,
donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las
otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario
a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est
mucho ms contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de
dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de
contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de
la unin.

Transistor de efecto de campo

El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto
de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de
tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos
as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden
dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se
producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro
drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la
puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de

28

drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que

llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la
corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una

unin PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la
compuerta se asla del canal mediante un dielctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metalxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est
separada del canal semiconductor por una capa de xido.

Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado
por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un
transistor normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes: (Ver Fig. 14)

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las
veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).

Fig. 14 Fototransistor

Transistores y electrnica de potencia

Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los
dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y
corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente
los transistores son empleados en conversores estticos de potencia, controles para
motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal
uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado

29

El transistor como amplificador

El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de EbersMoll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y
colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos
una tensin igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un
transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio.
Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente
proporcional a la corriente de base: IC = IB, es decir, ganancia de corriente cuando
>1. Para transistores normales de seal, vara entre 100 y 300.
Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador
Emisor comn
La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se
conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta
configuracin se tiene ganancia tanto de tensin como de corriente. En caso de
tener resistencia de emisor, RE > 50 , y para frecuencias bajas, la ganancia en
tensin se aproxima bastante bien por la siguiente expresin; y la impedancia de
salida, por RC

Como la base est conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos podemos
suponer una tensin constante, Vg. Tambin supondremos que es constante.
Entonces tenemos que la tensin de emisor es:

Y la corriente de emisor

.
Base comn
La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se
conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta
configuracin se tiene ganancia slo de tensin. La impedancia de entrada es baja
y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente
de emisor sale por la base. Si aadimos una resistencia de emisor, que puede ser

30

la propia impedancia de salida de la fuente de seal, un anlisis similar al realizado

en el caso de emisor comn, nos da la ganancia aproximada siguiente

.
La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja impedancia
de salida como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.
Colector comn
La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se
conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta
configuracin se tiene ganancia de corriente, pero no de tensin que es ligeramente
inferior a la unidad. La impedancia de entrada es alta, aproximadamente +1 veces
la impedancia de carga. Adems, la impedancia de salida es baja,
aproximadamente veces menor que la de la fuente de seal. (Ver Fig. 15)

Fig. 15 Diagrama de
amplificacin de voltaje
por medio de un
transistor

31

Capitulo IV
Tiristores
El tiristor (puerta) es un componente electrnico constituido por elementos
semiconductores que utiliza realimentacin interna para producir una conmutacin.
Los materiales de los que se compone son de tipo semiconductor, es decir,
dependiendo de la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como
aislantes o como conductores. Son dispositivos unidireccionales porque solamente
transmiten la corriente en un nico sentido. Se emplea generalmente para el control
de potencia elctrica.
El dispositivo consta de un nodo y un ctodo, donde las uniones son de tipo PNPN
entre los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores tpicos PNP y
NPN, por eso se dice tambin que el tiristor funciona con tensin realimentada. Se
crean as 3 uniones (denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta
est conectado a la unin J2 (unin NP).
Este elemento fue desarrollado por ingenieros de General Electric en los aos 1960.
Aunque un origen ms remoto de este dispositivo lo encontramos en el SCR creado
por William Shockley (premio Nobel de fsica en 1956) en 1950, el cual fue defendido
y desarrollado en los laboratorios Bell en 1956. Gordon Hall lider el desarrollo en
Morgan Stanley para su posterior comercializacin por parte de Frank W. "Bill"
Gutzwiller, de General Electric.

Formas de activar un tiristor

Luz: Si un haz de luz incide en las uniones de un tiristor, hasta llegar al mismo silicio,
el nmero de pares electrn-hueco aumentar pudindose activar el tiristor.
Corriente de Compuerta: Para un tiristor polarizado en directa, la inyeccin de una
corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo entre compuerta y ctodo lo
activar. Si aumenta esta corriente de compuerta, disminuir el voltaje de bloqueo
directo, revirtiendo en la activacin del dispositivo.
Trmica: Una temperatura muy alta en el tiristor produce el aumento del nmero de
pares electrn-hueco, por lo que aumentarn las corrientes de fuga, con lo cual al
aumentar la diferencia entre nodo y ctodo, y gracias a la accin regenerativa, esta
corriente puede llegar a ser 1, y el tiristor puede activarse. Este tipo de activacin
podra comprender una fuga trmica, normalmente cuando en un diseo se
establece este mtodo como mtodo de activacin, esta fuga tiende a evitarse.
Alto Voltaje: Si el voltaje directo desde el nodo hacia el ctodo es mayor que el
voltaje de ruptura directo, se crear una corriente de fuga lo suficientemente grande
para que se inicie la activacin con retroalimentacin. Normalmente este tipo de
activacin puede daar el dispositivo, hasta el punto de destruirlo.

32

Elevacin del voltaje nodo-ctodo: Si la velocidad en la elevacin de este voltaje

es lo suficientemente alta, entonces la corriente de las uniones puede ser suficiente
para activar el tiristor. Este mtodo tambin puede daar el dispositivo

Funcionamiento bsico
El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente electrnico de los
interruptores mecnicos; por tanto, es capaz de dejar pasar plenamente o bloquear
por completo el paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno, aunque no
son capaces de soportar grandes sobrecargas de corriente. Este principio bsico
puede observarse tambin en el diodo Shockley.
El diseo del tiristor permite que ste pase rpidamente a encendido al recibir un
pulso momentneo de corriente en su terminal de control, denominada puerta (o en
ingls, gate) (Ver Fig. 16) cuando hay una tensin positiva entre nodo y ctodo, es
decir la tensin en el nodo es mayor que en el ctodo. Solo puede ser apagado
con la interrupcin de la fuente de voltaje, abriendo el circuito, o bien, haciendo
pasar una corriente en sentido inverso por el dispositivo. Si se polariza inversamente
en el tiristor existir una dbil corriente inversa de fugas hasta que se alcance el
punto de tensin inversa mxima, provocndose la destruccin del elemento (por
avalancha en la unin).
Fig. 16 Smbolo de un tiristor

Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado activo, debe generarse
una corriente de enganche positiva en el nodo, y adems debe haber una pequea
corriente en la compuerta capaz de provocar una ruptura por avalancha en la unin
J2 para hacer que el dispositivo conduzca. Para que el dispositivo siga en el estado
activo se debe inducir desde el nodo una corriente de sostenimiento, mucho menor
que la de enganche, sin la cual el dispositivo dejara de conducir.
A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de disparo. Se
puede controlar as la tensin necesaria entre nodo y ctodo para la transicin OFF
-> ON, usando la corriente de puerta adecuada (la tensin entre nodo y ctodo
dependen directamente de la tensin de puerta pero solamente para OFF -> ON).
Cuanto mayor sea la corriente suministrada al circuito de puerta IG (intensidad de

33

puerta), tanto menor ser la tensin nodo-ctodo necesaria para que el tiristor
conduzca.
Tambin se puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe intensidad
de puerta y la tensin nodo-ctodo es mayor que la tensin de bloqueo

Fabricacin
Tcnica de Difusin-Aleacin: La parte principal del tiristor est compuesta por un
disco de silicio de material tipo N, 2 uniones se obtienen en una operacin de
difusin con galio, el cual dopa con impurezas tipo P las 2 caras del disco. En la
cara exterior se forma una unin, con un contacto oro-antimonio. Los contactos del
nodo y ctodo se realizan con molibdeno. La conexin de puerta se fija a la capa
intermedia (tipo P) usando aluminio. Esta tcnica se usa solamente para dispositivos
que requieren gran potencia.
Tcnica "Todo Difusin": Se trata de la tcnica ms usada, sobre todo en
dispositivos de mediana o baja intensidad, el problema principal de esta tcnica
reside en los contactos, cuya construccin resulta ms delicada y problemtica que
en el caso de difusin-aleacin. Las 2 capas P se obtienen por difusin del galio o
el aluminio, mientras que las capas N se obtienen mediante el sistema de mscaras
de xido. El problema principal de este mtodo radica en la multitud de fases que
hay que realizar. Aunque ciertas tcnicas permiten paralelizar este proceso.
Tcnica de Barrera Aislante: Esta tcnica es una variante de la anterior. Se parte
de un sustrato de silicio tipo N que se oxida por las dos caras, despus en cada una
de las 2 caras se hace la difusin con material tipo P. Una difusin muy duradera y
a altas temperaturas produce la unin de las 2 zonas P. Despus de este proceso
se elimina todo el xido de una de las caras y se abre una ventana en la otra, se
realiza entonces en orden a aislar ms zonas de tipo N, una difusin tipo P. Despus
de una ltima difusin N el tiristor ya est terminado a falta de establecer las
metalizaciones, cortar los dados y encapsularlos

SCR
El rectificador controlado de silicio (en ingls SCR: Silicon Controlled Rectifier) es
un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con
estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unin de Tiratrn (tyratron)
y Transistor.
Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y gate (puerta). La puerta es la
encargada de controlar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona
bsicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente
en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensin en la puerta del SCR no

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se inicia la conduccin y en el instante en que se aplique dicha tensin, el tiristor

comienza a conducir. Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en cada
alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente continua, se necesita un circuito de
bloqueo forzado, o bien interrumpir el circuito.
El pulso de conmutacin ha de ser de una duracin considerable, o bien, repetitivo
si se est trabajando en corriente alterna. En este ltimo caso, segn se atrase o
adelante el pulso de disparo, se controla el punto (o la fase) en el que la corriente
pasa a la carga. Una vez arrancado, podemos anular la tensin de puerta y el tiristor
continuar conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por debajo de la
corriente de mantenimiento (en la prctica, cuando la onda senoidal cruza por cero)
Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo y ctodo de un
tiristor, ste puede dispararse y entrar en conduccin an sin corriente de puerta.
Por ello se da como caracterstica la tasa mxima de subida de tensin que permite
mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al condensador
parsito existente entre la puerta y el nodo.
Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrnica de potencia, en el campo del
control, especialmente control de motores, debido a que puede ser usado como
interruptor de tipo electrnico. (Ver Fig. 17)

Fig. 17 SCR

GTO
Un Tiristor GTO o simplemente GTO (del ingls Gate Turn-Off Thyristor) es un
dispositivo de electrnica de potencia que puede ser encendido por un solo pulso
de corriente positiva en la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal;
pero en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el
mismo terminal. Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de
apagado, son controlados por la corriente en la puerta (G).
El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las caractersticas de apagado
son un poco diferentes. Cuando un voltaje negativo es aplicado a travs de las
terminales puerta (G) y ctodo (C o K), la corriente en la puerta (ig), crece. Cuando
la corriente en la puerta (G) alcanza su mximo valor, IGR, la corriente de nodo
comienza a caer y el voltaje a travs del dispositivo (VAK), comienza a crecer. El

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tiempo de cada de la corriente de nodo (IA) es abrupta, tpicamente menor a 1 us.

Despus de esto, la corriente de nodo vara lentamente y sta porcin de la
corriente de nodo es conocido como corriente de cola.
La razn (IA/IGR) de la corriente de nodo IA a la mxima corriente negativa en la
puerta (IGR) requerida para el voltaje es baja, comnmente entre 3 y 5. Por ejemplo,
para un voltaje de 2500 V y una corriente de 1000 A, un GTO normalmente requiere
una corriente negativa de pico en la puerta de 250 A para el apagado. (Ver Fig. 18)

Fig. 18 GTO de varios tamaos

DIAC
El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos
conexiones. Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente slo tras
haberse superado su tensin de disparo, y mientras la corriente circulante no sea
inferior al valor caracterstico para ese dispositivo. El comportamiento es
fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayora de
los DIAC tienen una tensin de disparo de alrededor de 30 V. En este sentido, su
comportamiento es similar a una lmpara de nen.
Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los TRIAC,
otra clase de tiristor. (Ver Fig. 19 y 20)
Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados nodo y ctodo. Acta
como un interruptor bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre sus
terminales alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts
segn la referencia.

Fig. 19 Smbolo del DIAC

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Fig. 20 DIAC

Existen dos tipos de DIAC:

DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base y

con las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo
permanece bloqueado hasta que se alcanza la tensin de avalancha en la
unin del colector. Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor
conductor, producindose un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo
simtrico, funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y
colector sus funciones. (Ver Fig. 21)

Fig. 21 DIAC de tres capas

DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en anti

paralelo, lo que le da la caracterstica bidireccional

TRIAC
Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la
familia de los tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que ste es
unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podra decirse que el
TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.
Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposicin que formaran dos
SCR en direcciones opuestas.
Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominacin de nodo y
ctodo) y puerta. El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al
electrodo puerta. (Ver Fig. 22)

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Fig. 22 Smbolo de un TRIAC

Aplicaciones ms comunes

Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas.

Una de ellas es su utilizacin como interruptor esttico ofreciendo muchas
ventajas sobre los interruptores mecnicos convencionales y los rels.
Funciona como interruptor electrnico y tambin a pila.
Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como
atenuadores de luz, controles de velocidad para motores elctricos, y en los
sistemas de control computarizado de muchos elementos caseros. No
obstante, cuando se utiliza con cargas inductivas como motores elctricos,
se deben tomar las precauciones necesarias para asegurarse que el TRIAC
se apaga correctamente al final de cada semiciclo de la onda de Corriente
alterna. (Ver Fig. 23)

Fig. 23 Estructura interna de un

TRIAC

Control de fase (potencia)

En la figura "control de fase" se presenta una aplicacin fundamental del triac.
En esta condicin, se encuentra controlando la potencia de ac a la carga
mediante la conmutacin de encendido y apagado durante las regiones positiva
y negativa de la seal senoidal de entrada.

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La accin de este circuito durante la parte positiva de la seal de entrada, es muy

similar a la encontrada para el diodo Shockley. La ventaja de esta configuracin es
que durante la parte negativa de la seal de entrada, se obtendr el mismo tipo de
respuesta dado que tanto el diac como el triac pueden dispararse en la direccin
inversa. La forma de onda resultante para la corriente a travs de la carga se
proporciona en la figura "control de fase". Al variar la resistencia R, es posible
controlar el ngulo de conduccin. Existen unidades disponibles actualmente que
pueden manejar cargas de ms de 10kW. (Ver Fig. 24)
Fig. 24 TRIAC

Conclusin
La importancia de los dispositivos y los materiales semiconductores en la actualidad
es de suma importancia ya que juegan un papel indispensable en los objetos de la
vida cotidiana muchos de ellos imprescindibles para nosotros
El conocimiento de estos materiales y sus dispositivos es de relevancia ya que
entender su comportamiento puede llevar a un desarrollo mayor en esta rama para
poder contribuir al mundo empresarial, industrial, cientfico y social

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Glosario
nodo: terminal positiva de un dispositivo electrnico
Banda de conduccin: lugar donde los electrones de un tomo conducen
electricidad
Banda de valencia lugar donde los electrones pueden intercambiarse
Ctodo: terminal negativa de un dispositivo electrnico
Epitaxia sobre capa de material cristalino
Espectro electromagntico distribucin energtica por medio de ondas
Induccin: movimiento de electrones por medio de bobinas
Polarizacin alineamiento de los electrones a ambos extremos de un dispositivo
Tensin de umbral mnima tensin que aplicar a un diodo

Bibliografa
https://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
http://www.ecured.cu/index.php/Semiconductores
http://www.sabelotodo.org/electrotecnia/dispossemicond.HTML
https://es.wikipedia.org/wiki/Tiristor
http://www.uclm.es/profesorado/maarranz/Documentos/alumnosmateriales0506/A
PLICACIONES%20DE%20LOS%20MATERIALES%20SEMICONDUCTORES.doc

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