UNIVERSIDAD DEL ZULIA

FACULTAD DE INGENIERA
ESCUELA DE INGENIERA ELCTRICA
DEPARTAMENTO DE ELECTRNICA Y COMUNICACIONES
ASIGNATURA: LABORATORIO DE ELECTRNICA ANALGICA I
PROFESOR: FRANCISCO PARRA

PRCTICA # 4
POLARIZACIN DE CIRCUITOS
TRANSISTORIZADOS

ELABORADO POR:
MELNDEZ PAMELA. C.I.: 20.333.549
PREZ EDUARDO. C.I.: 18.201.392
SEPLVEDA FREDDY. C.I.: 20.686.750

MARACAIBO, OCTUBRE DE 2013

INTRODUCCIN
El presente informe de laboratorio conlleva a una serie de pruebas
experimentales llevadas a cabo por medio de una tableta de pruebas a un
conjunto de elementos transistorizado a los cuales se les aplica diversas tipos de
configuraciones, con la finalidad de dar a conocer los aspectos relevantes del
dispositivo transistorizado bipolar de unin (BJT), como lo son sus parmetros
caractersticos para el diseo de una red amplificadora.
Por otro lado, en pruebas posteriores se polarizara en corriente directa tres
tipos de redes transistorizadas conocidas como red de polarizacin fija, red de
polarizacin estabilizada en emisor y red polarizada por divisor de tensin, a
travs de las cuales de estudiaran los comportamientos tpicos de estos elementos
en la regin activa de operaciones y las consecuencias que se pueden esperar al
no laborar dentro de la misma. Una vez culminadas las experiencias se simularan
los circuitos y de igual manera se realizarn los respectivos clculos con el fin de
corroborar los valores tericos con los valores prcticos. Al final se harn unos
comentarios con respecto a los errores obtenidos durante la prctica.

MARCO TERICO
Transistor de Unin Bipolar
Es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste en dos capas
de material tipo n y una capa tipo p , o bien, de dos capas de material tipo
p

y una tipo

segundo

n . Al primero se le llama

transistor npn , en tanto que al

transistor pnp . Por lo general, este componente electrnico est

constituido por tres terminales, las cuales se pueden observar en la figura 1.

Figura 1. Transistor de Unin Bipolar.

Estas terminales son conocidas como base, colector y emisor, en las cuales
dos de estas se encuentran polarizada de manera directa (unin base-emisor) y la
otra de forma inversa (unin base-colector). En dado caso que no se conozcas sus
terminales usted experimentalmente con un hmetro puede identificar los pines del
dispositivo midiendo la impedancia entre las patitas del mismo, de modo que zona
que comprende la unin base-emisor emitir una resistencia prxima dentro de un

rango de 100 ohmios a kilo ohmios, mientras que si toma muestras de impedancia
en la uncin base-colector observara que la resistencia de la regin no polarizada
exceder a los 100 Kilo ohmios en tanto que si muestrea las terminales que
comprenden el colector y el emisor el instrumento indicara la mxima impedancia
de su rango de media.
Polarizacin en Corriente Directa del Transistor de Unin Bipolar
La polarizacin del transistor consiste en aplicar las tensiones adecuadas a
las uniones de emisor-base y colector -base que permitan situar al transistor en la
regin de funcionamiento adecuada a la aplicacin que se persigue, en ausencia
de la seal de entrada. Si la aplicacin que se persigue es la utilizacin del
transistor como amplificador, situaremos el punto de trabajo en aquella zona
dnde tenga un comportamiento ms o menos lineal
Habiendo comprendido, el pargrafo anterior, cabe destacar que el
dispositivo se emplea en diversas configuraciones estables que permiten trabajar
en la regin de activa lineal del elemento, permitiendo amplificacin de seales de
entradas optimas y previniendo los tpicos estados de corte y saturacin
representativos fuera de esta rea de trabajo. Estas configuraciones son
conocidas como:
Red de Polarizacin Fija
Como punto de partida en el anlisis de la estabilidad del punto de
polarizacin segn el circuito de polarizacin seleccionado, nos fijaremos en el
circuito de polarizacin fija. En la figura 2 se indican los sentidos de las corrientes
reales cuando se encuentra el transistor trabajando en la zona activa.

Figura 2. Red de Polarizacin Fija.

Tomando en cuenta los principios fundamentales expuestos por Kirchhoff,
en la red mostrada se obtendr de ella los siguientes parmetros:

I B=

V CC V BE
; Corriente de circulacin base .
R1

I C =H fe I B ; Corriente de circulacinColector .
V CE =V C C I C RC ; Tensin ColectorEmisor .
Tales parmetros, calculados permiten la obtencin de la recta de carga del
transistor abriendo paso a la localizacin del punto de trabajo del transistor dentro
de la regin de operacin ms o menos lineal del dispositivo. Para ello a
continuacin se describe el mtodo de obtencin de la recta de carga del
encapsulado:
-

Primer paso: Determinar la corriente de saturacin del transistor. Esto se

obtiene de la siguiente forma:
IC =

V CC
R2 ;

Segundo paso: Definir a:

V CC =V CE ;

Tercer paso: Trazar la recta de carga en papel milimetrado.

Posterior a eso, con la tensin colector-emisor y la corriente de circulacin

colector se ubica en la recta de carga el punto de operacin del dispositivo, tal y
como se muestra en la figura 3.

Figura 3. Recta de carga del transistor.

Red de Polarizacin Estabilizada en Emisor

La adicion del resistor del emisor al circuito mostrado en la figura 2, a la
polarizacion dc del BJT ofrece una mejor estabilidad al dispositivo manteniendo
proximo al punto de operacin del elemento electronico en la region de trabajo
lineal de este. El mismo se analizara de la siguiente manera a traves de la
ilustracion mostrada a continuacion:

Figura 4. Red de Polarizacin Estabilizada en Emisor.

Empleando las leyes bsicas de Kirchhoff, en el circuito, podemos definir
los siguientes parmetros:
I B=

V CCV BE
Corriente de circulacin base .
R1 +( H fe +1) R 3 ;

I C =H fe I B ; Corriente de circulacinColector .
V CE =V CC I C ( R 2+ R3 ) ;

Tensin ColectorEmisor .

Estos parmetros, permiten obtener el punto de reposo del dispositivo

transistorizado, en la recta de carga, cuya construccin se describe a
continuacin:
-

Primer paso: Determinar la corriente de saturacin del transistor. Esto se

obtiene de la siguiente forma:
V
I C = CC ;
R 2+ R 3

Segundo paso: Definir a:

Tercer paso: Trazar la recta de carga en papel milimetrado.

V CC =V CE ;

Red de Polarizacin Por Divisor de Voltaje

IC

En las configuraciones de polarizacin previas a la corriente de polarizacin

V CE
y el voltaje
de polarizacin eran una funcin de la ganancia en
Q

corriente del transistor. Sin embargo, debido a que

H fe

es sensible a la

temperatura, especialmente para los transistores de silicio, y de que el valor real

del parmetro que define la ganancia de corriente por lo general, no est bien
definido, lo mejor sera desarrollar circuito que fuera menos dependiente o, de
hecho, independiente de este parmetro. La red a la que nos referimos es
configuracin de polarizacin por divisor de voltaje de la figura 5.

Figura 5. Red de Polarizacin Por Divisor de Voltaje.

De esta figura se pueden obtener los siguientes parmetros aplicando las
herramientas bsicas para el anlisis de circuitos:

I B=

R2 V CC
V BE
R 1 + R2

R1 R 2+( H fe +1) R4

; Corriente de circulacin base .

I C =H fe I B ; Corriente de circulacinColector .
V CE =V CC I C ( R3 + R 4 ) ;

Tensin ColectorEmisor .

Tales parmetros, permiten ubicar el punto de reposo del dispositivo

transistorizado, en la recta de carga, cuya construccin se describe a de la
siguiente manera:
-

Primer paso: Determinar la corriente de saturacin del transistor. Esto se

obtiene de la siguiente forma:
V
I C = CC ;
R 3+ R 4

Segundo paso: Definir a:

Tercer paso: Trazar la recta de carga en papel milimetrado.

V CC =V CE ;

OBJETIVOS GENERALES
1. Estudiar los parmetros caractersticos del transistor bipolar de unin
(BJT).
2. Describir el comportamiento de las tres redes polarizadas en la regin de
operacin.

MATERIALES Y EQUIPO

3 Transistores bipolares de unin (2N2222A)

1 Resistor de 240 k
1 Resistor de 430 k
1 Resistor de 47 k
1 Resistor de 10 k
3 Resistores de 2.2 k
2 Resistores de 1 k
Cables de red (Para interconectar los elementos de los circuitos a montar)
1 Tableta de Pruebas
1 Polmetro
Fuente de tensin de corriente directa con ajuste de intensidad de hasta 2
[mA]

PROCEDIMIENTO, DESARROLLO Y ANLISIS

1- Numere los terminales de los transistores BJT asignados: usando el multmetro
proceda a medir la resistencia entre cada combinacin de terminales y anote los
valores en la siguiente tabla.

TABLA No 1
Termina +
l
-

+
-

+
-

+
-

+
-

+
-

1
2
Q1 ()
Q2 ()

1
3

2
3

2
1

3
1

3
2

648

654

724

722

2- Considerando los valores de resistencia obtenidos anteriormente, proceda a

identificar cada terminal (como base, emisor o colector), y el tipo de transistor
(NPN o PNP).

TABLA No 2
TERMINAL

DESCRIPCIN

DESCRIPCIN

Q1

Q2

Emisor

Colector

Base

Base

Colector

Emisor

TIPO (NPN O PNP)

NPN

NPN

Observando, las impedancias muestreadas por medio del polmetro durante

la prctica, nos fijamos que la impedancia medida entre las terminales dos y tres
es menor a la obtenida en las terminales dos y uno, de lo cual se puede deducir
respectivamente que la primera corresponde a la unin base-emisor (polarizacin
directa) y la segunda a la unin base-colector (polarizacin inversa), por lo tanto
las terminales 1, 2 y 3 del dispositivo corresponden a la exhibidas en la tabla 2, y
se indica que es NPN por la baja impedancia medida en la terminales
correspondientes a la unin base-emisor.
Por otro lado, si prestamos atencin al segundo transistor estudiado, y
aplicamos los anlisis anteriormente descritos, podemos concluir que las
terminales 1, 2 y 3 del encapsulado corresponden a las descritas en la tabla
referida a esta seccin, y que el tipo de transistor definido es NPN.

3- En funcin a la nomenclatura asignada en el cuerpo del transistor y usando el

manual de semiconductores proceda a reconocer todos los parmetros para
cada transistor.
En la tabla 3, presentada un poco ms adelante se pueden observar los
parmetros caractersticos del transistor de unin bipolar, relevantes para el
diseo de sistemas de amplificacin de pequeas seales, en las cuales el
dispositivo trabaja en la regin de operacin estable ms o menos lineal de
incremento. Tales parmetros son tensin colector-emisor mxima, tensin
emisor-base mxima, Corriente de colector mxima, factor de amplificacin de
corriente y el ancho de banda de operacin del dispositivo.

TABLA No 3
Q1

Q2

VCEO [V]

30

40

VEBO [V]

12

ICMAX [mA]

600

300

hfe

150

60

ft [MHz]

250

7000

DESCRIPCIN

4- Conectar el circuito de la figura No. 6.

Figura No. 6
Clculos tericos:
I B=

V CC V BE 120.7
=
=47.0833 A
3
R1
240.10

I C =H fe I B =115 47.0833 .106 =5.4146 mA

V CE =V C C I C RC =125.4146 2.2=0.08788 V
En las simulaciones se obtiene los siguientes resultados.

Figura 7. Simulacin de la red de Polarizacin Fija.

Con los datos obtenidos en la simulacin, en la prctica en cuanto a
corriente de colector, corriente base y voltaje colector emisor, tales parmetros se
reflejan en la siguiente tabla:
Red de Polarizacin Fija
Medido
V CE [V ]
Simulado
%Error
I C [mA ]

Medido
Simulado

Valores
0.1608
0.240
33
5.382
5.345

%Error

0.6922
Medido
Simulado

I B [ A]
%Error

Tabla 3. Valores de

V CE

IC

47.6283
47.073
1.1796

IB

para la red de polarizacin fija.

Los valores obtenidos en la prctica son ligeramente mayores en corriente a

los simulados, mientras que la tensin colector emisor muestra un significativo
desplazamiento en el eje de la ordenada de la recta de carga que se figurara ms
adelante.
Clculo aproximado de la recta de carga:
IC =

V CC
12
=
=0.00545[ A ] ; CuandoV CE =0 ;
R2 2.2 103
V CC =V CE =12[V ]

Cuando I C =0 ;

Posterior a ello, empleando un algoritmo compuesto en MATLAB se

procedi a calcular la ecuacin de la recta de carga caracterstica de la red y
trazar la misma empleando el comando graficar (plot), luego con el comando data
cursor se localizaron los puntos de operacin respectivo para el circuito ilustrado
en la figura 6, tanto medidos como simulados.
Con respecto a las figuras 8 y 9, podemos observar que el punto de reposo
del transistor compuesto por los valores muestreados durante la prctica est por
arriba del punto de operacin localizado con los datos obtenidos en las
simulaciones llevadas a cabo en National Instruments, es decir, ha ocurrido un
desplazamiento debido a las condiciones externas que afectan a la red, de las
cuales se puede hacer referencia a la temperatura y al parmetro de amplificacin
h fe
relativo
.

Figura 8. Punto de operacin del transistor localizado en la recta de carga

correspondiente a los valores muestreados durante la prctica en la red de
polarizacin fija.

Figura 9. Punto de operacin del transistor localizado en la recta de carga

correspondiente a los valores simulados durante la prctica en la red de
polarizacin fija.

Por otra parte, en esta red, el punto de operacin se encuentra muy cerca
de la regin de saturacin del dispositivo, por lo que la corriente de base acarreara
inquietudes acerca de las no linealidades presentadas por el hecho de que esta
cambiara muy bruscamente. Sin embargo este no es el nico inconveniente que
se presenta otro efecto de operar cerca de esta localidad ser la no polarizacin
inversa de la unin base-colector y la distorsin de la seal de salida a amplificar.
5- Conectar el circuito de la figura No. 10 y repetir los procedimientos de 4.

Figura No. 10

Clculos tericos:
I B=

V CCV BE
120.7
=
=17.6287[ A]
R1 +( H fe +1) R 3 430 103+(210+1) 1 103
I C =H fe I B =210 17.6287=3.7[mA ]
V CE =V CC I C ( R 2+ R3 ) =160[mV ]

En las simulaciones se obtiene los siguientes resultados.

Figura 11. Simulacin de la red de Polarizacin Estabilizada en Emisor.

Con los datos suministrados por la simulacin, en la prctica los parmetros
correspondientes a la corriente de colector, corriente base y voltaje colector
emisor, se reflejan en la siguiente tabla:
Red de Polarizacin Estabilizada en Emisor
Medido
V CE [V ]
Simulado
%Error
Medido
Simulado

I C [mA ]
%Error

Medido
Simulado
%Error

V CE

IC

9.066
3.6
3.615
0.4149

I B [ A]

Tabla 4. Valores de

Valores
0.4800
0.4401

17.3
17.764
2.612

IB

para la red de polarizacin estabilizada

en emisor.
Los valores obtenidos en esta prueba experimental son ligeramente
menores en corriente a los simulados, mientras que la tensin colector emisor
muestreada es mayor en un 9.066% a la simulada mostrando un desplazamiento
pequeo del punto de operacin.
Clculo aproximado de la recta de carga:

IC =

V CC
=3.75 [mA ] ; CuandoV CE =0 ;
R 2+ R 3

V CC =V CE =12[V ]

Cuando I C =0 ;

Nuevamente empleando un algoritmo compuesto en MATLAB se procedi a

calcular la ecuacin de la recta de carga caracterstica de la red y trazar la misma
empleando el comando graficar (plot), luego con el comando data cursor se
localizaron los puntos de operacin respectivo para el circuito ilustrado en la figura
10, tanto medidos como simulados.
Observando a las figuras 12 y 13, podemos notar que el punto de reposo
del transistor compuesto por los valores muestreados durante la prctica est por
arriba del punto de operacin localizado con los datos obtenidos en las
simulaciones llevadas a cabo en Multisim 2011, por lo que se ha originado un
desplazamiento del punto de reposo debido a cambios ocurridos por los factores
externos inherentes en el transistor. Por otro lado se observa cierta mejora en la
estabilidad del dispositivo, ya que las corriente y tensiones dc polarizadas
permanecen ms cerca de los parmetros fijados.

Figura 12. Punto de operacin del transistor localizado en la recta de carga

correspondiente a los valores muestreados durante la prctica en la red de
polarizacin estabilizada en emisor.

Figura 13. Punto de operacin del transistor localizado en la recta de carga

correspondiente a los valores simulados durante la prctica en la red de
polarizacin estabilizada en emisor.
Sin embargo al igual que la red anterior, el punto de operacin se encuentra
muy cerca de la regin de saturacin del dispositivo por lo cual la unin basecolector no se polarizara inversamente y la seal de salida resultante estar
sometida a perturbaciones.
As mismo, el valor de la corriente de operacin de base, se encontrara
localizada cerca de la regin de cambios brusco de intensidad, lo cual trae como
consecuencia una alta probabilidad de variacin de intensidad de esta al igual que
de la corriente de colector al depender de esta.

6- Conectar el circuito mostrado en la Figura No. 14

Figura No. 14
Clculos tericos:
V B=

I B=

R 2 V CC
10
=
12=2.1053[ V ]
R 1+ R 2 10+ 47

R2 V CC
V BE
R1 + R2

R1 R 2+( H fe +1) R4

2.10570.7
=7.84 [A ]
10. 10 47. 103
3
+(170+1)1. 10
10.103 + 47.10 3
3

I C =H fe I B =170 7.84=1.3328[mA ]
V CE =V CC I C ( R3 + R 4 )=121.3328 3.2=7.735 [V ]
H
( fe+1) I B=171 7.84=1.3406 [mA ]
I E=

V E =R4 I E=1.3406 [V ]
V C =V CE V E=7.7351.3406=6.3944[V ]

En las simulaciones se obtiene los siguientes resultados:

Figura 15. Simulacin de la red de Polarizacin Estabilizada en Emisor

(Tensiones).

Figura 16. Simulacin de la red de Polarizacin Estabilizada en Emisor

(Corrientes).

A partir de los datos suministrados por la simulacin, en la prctica los

parmetros correspondientes a la corriente de colector, corriente base, corriente
emisor, voltaje base, voltaje colector, voltaje emisor y voltaje colector emisor, se
reflejan en la siguiente tabla:

Red de Polarizacin por Divisor de Tensin

V CE [V ]
Medido
Simulado
%Error
I C [mA ]

Valores
6.34
7.509
15.568

Medido
Simulado

1.75
1.402
24.8217

Medido
Simulado

7
8.438
17.04195

Medido
Simulado

1.76
1.409
24.9113

Medido
Simulado

2.35
2.037
15.3657

Medido
Simulado

8.08
8.918
9.3967

Medido
Simulado

1.74
1.409
23.4918

%Error
I B [ A]
%Error
I E [mA ]
%Error

V B [V ]
%Error
V C[V ]
%Error

V E [V ]
%Error
Tabla 5. Valores de

V CE

IC

IB

IE

VB

VC

VE

para la red de

polarizacin por divisor de voltaje.

A diferencia de los casos anteriores, los valores extrados de la prueba
experimental de la red de polarizacin fija son un poco mayores a los
anteriormente estudiados, y la separacin de los puntos de operacin de ambos
dispositivos en la recta de carga no es muy grande, esto puede ser debido a las

aproximaciones lineales que lleva a cabo el programa de simulacin de circuito o

tambin por los errores introducidos por los elementos resistivos del circuito y los
limitados rango de medias predispuestos en los equipos de medicin, sin
considerar los agentes externos que afectan al dispositivo transistorizado.
En cuanto, al clculo de la recta de carga de esta red se emple el mismo
mtodo ejecutado en el anterior apartado, por lo que la recta de carga resultante
se muestra en la figura 17 y 18, en las cuales se localiza el punto de reposo del
transistor para los datos muestreados durante el experimento y para los datos
simulados respectivamente.

Figura 17. Punto de operacin del transistor localizado en la recta de carga

correspondiente a los valores muestreados durante la prctica en la red de
polarizacin por divisor de voltaje.

Figura 18. Punto de operacin del transistor localizado en la recta de carga

correspondiente a los valores simulados durante la prctica en la red de
polarizacin por divisor de voltaje.
En las grficas mostradas anteriormente, podemos observar que el punto
de operacin del transistor permaneci en la regin cuasi lineal del dispositivo, por
lo que la unin base-colector se polarizo correctamente y la seal de salida
amplificada por el elemento transistorizado no se ver afectada por
perturbaciones, es decir, la onda amplificada no presentara distorsin alguna.
Finalmente se puede deducir que de los tres circuitos, la polarizacin por divisor
de voltaje es la ms estable de todas y la ms recomendada para la amplificacin
de seales, debido a que la red es prcticamente independiente del parmetro de
h fe
amplificacin
el cual es muy sensible a los cambios de temperatura.

CONCLUSIONES
Una vez realizada la prctica de polarizacin de corriente directa del
transistor se cumpli todos los objetivos planteados en el presente documento,
definindose de manera bsica pero esencial los principales parmetros del
transistor. Por otra parte, se logr determinar qu red de polarizacin
transistorizada tenia mejor estabilidad, probndose por medio de estudios
relacionados con las rectas de carga de los circuitos propuestos localizar el punto
de operacin del encapsulado en la regin cuasi lineal del mismo, demostrndose
que la red de polarizacin por divisor de tensin es la ms idnea para la
construccin de sistemas de amplificacin de seales pequeas.

Observaciones.
Se observa en las tablas que los valores de voltaje y corriente en los
experimentos son un poco diferentes a los obtenidos en la simulacin. Esto
probablemente se deba a errores de precisin en los instrumentos de medicin,

errores humanos, factores ambientales dados en la temperatura del aula donde se

llevaron a cabo las pruebas, etc

BIBLIOGRAFA
-

BOYLESTAD, R. ; NASHELSKY, L. (1994). Electrnica Teora de Circuitos.

Prentice Hall. Quinta Edicin
MALVINO. (1991). Principios de Electrnica. McGraw Hill. Tercera Edicin

ANEXOS

ANEXO A

Figura 19. Programa implementado en el software informtico MATLAB para el

clculo de la recta de carga en la red de polarizacin fija.

ANEXO B

Figura 20. Programa implementado en el software informtico MATLAB para el

clculo de la recta de carga en la red de polarizacin estabilizada en emisor y por
divisin de tensin.