INTEGRANTES:
Jorge Luis Paiva Parraguez
Bady Palacios Cubas
Manuel Gutierrez Bances
= 20 C + p20 C (T 20 C)
Donde:
3
Son slidos con elevados puntos de fusin.
Son solubles en disolventes polares (agua). Sin embargo, presentan baja
solubilidad en disolventes apolares.
Fundidos y en disolucin acuosa conducen la corriente elctrica.
Se obtienen a partir de elementos con distinta electronegatividad (metal y
no metal).
Cuando se trata de sustancias disueltas su conductividad es alta.
Su dureza es bastante grande, por lo tanto tienen altos puntos de fusin y
ebullicin.
No conducen la electricidad en estado slido.
9. Explicar
brevemente
el
enlace
qumico
metlico.
Indicar
las
atmicos positivos).
Son dctiles (facilidad de formar hilos) y maleables (facilidad de formar
lminas) al aplicar presin.
Son en general duros.
La mayora se oxida con facilidad.
10. Explicar
brevemente
el
enlace
qumico
covalente.
Indicar
las
4
tomos, uno procedente de cada tomo. El par de electrones compartido es comn a
los dos tomos y los mantiene unidos, de manera que ambos adquieren la
estructura electrnica de gas noble. Se forman as habitualmente molculas:
pequeos grupos de tomos unidos entre s por enlaces covalentes.
11.- Qu es el dopado? Tipos de Dopado? Qu son los materiales
intrnsecos y extrnsecos?
En la produccin de semiconductores se denomina dopaje al proceso intencional de
agregar impureza en un semiconductor extremadamente puro (intrnseco) con el fin
de cambiar sus propiedades elctricas.
A estos resultados se puede llegar de dos maneras, el dopaje qumico y el dopaje
electroqumico. Estos dan origen a dos tipos de materiales dopantes.
Tipo N: Se llama material tipo N al que posee tomos de impurezas que permiten
la aparicin de electrones sin huecos asociados a los mismos semiconductores.
Suelen ser el Arsnico y el Fsforo. (Dan electrones).
Tipo P: Se llama as al material que tiene tomos de impurezas que permiten la
formacin de huecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos, como
ocurre al romperse una ligadura. Suelen ser el Aluminio, el indio o el Galio.
(Aceptan electrones).
Materiales Intrnsecos: Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se
comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos
debidos a la energa trmica.
Materiales Extrnsecos: Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le
aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o
pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado.
12.- Es igual la resistencia de un conductor si lo conectamos en corriente
continua (DC), o bien por el contrario, lo conectamos en corriente alterna
(AC)? Cmo afectara esta conexin al valor de la intensidad? Razonar la
respuesta.
No, no es igual. Se define a la corriente continua como una intensidad de corriente
que no vara en el tiempo y se distribuye uniformemente por el la seccin del
conductor, por lo cual al conectar a una resistencia solo sufre del efecto Joule.
Ahora la AC en cambio vara en el tiempo generando sinusoides las cuales varan
5
en funcin de su frecuencia. A frecuencias muy bajas (tendiendo a 0) se podra
aproximar un comportamiento como DC sufriendo solo efecto Joule, pero al
aumentar la frecuencia la inductancia en el conductor aumenta, lo que conlleva a la
formacin e incremento del campo magntico lo cual hace que la corriente que
circula por el conductor no se distribuya uniformemente por su seccin sino que se
aleje del centro y se concentre en la periferia (efecto pelicular). Entonces por el
efecto pelicular la corriente no pasa por toda el rea de la seccin, si no por una
seccin de ella lo que aumenta la resistencia del conductor.
13.-Explicar el efecto pelicular A que es debido? De qu depende?
Cules son las consecuencias inmediatas de este efecto? Cmo es la
distribucin de los electrones en el interior de un conductor cuando este
se conecta a Corriente continua?
El efecto pelicular se debe a que la variacin del campo magntico, d/dt, es mayor
en el centro, lo que da lugar a una reactancia inductiva mayor, y, debido a ello, a
una intensidad menor en el centro del conductor y mayor en la periferia.
Este efecto es apreciable en conductores de grandes secciones, especialmente si son
macizos. Aumenta con la frecuencia, en aquellos conductores con cubierta metlica
o si estn arrollados en un ncleo ferromagntico o huecos.
En frecuencias altas los electrones tienden a circular por la zona ms externa del
conductor, en forma de corona, en vez de hacerlo por toda su seccin, con lo que, de
hecho, disminuye la seccin efectiva por la que circulan estos electrones
aumentando la resistencia del conductor.
Distribucin en DC
Distribucin en AC
6
Existe un campo magntico en un conductor de corriente continua por tanto es este
el que genera el flujo de campo magntico. Se puede generar una fuerza
electromotriz y aprovechar la este es el principio de funcionamiento de motores .
15. Explicar el efecto Proximidad.
A que es debido?
Es debido a la proximidad que existen entre si entre dos lneas.
De qu depende?
Depende de la corriente que circula por un conductor, la cual crea un campo
magntico que influye sobre los otros conductores
Cules son las consecuencias inmediatas de este efecto?
7
18. La resistencia de un conductor con un material determinado se
obtiene en tablas (por km de lnea). Si una lnea de transmisin de energa
dispone de dos circuitos trplex Cmo se ver afectado el valor de la
resistencia hallado en tablas para el conductor calculado?
Solucin:
Se dispone de dos circuitos trplex de la siguiente forma:
Aplicaciones:
Elegiremos este tipo de resistencia cuando necesitemos:
1) Potencias de algunos watios y resistencias no muy elevadas.
2) Gran estabilidad trmica.
3) Gran estabilidad del valor de la resistencia a lo largo del tiempo, pues
prcticamente permanece inalterado su valor durante mucho tiempo.
Las aleaciones empleadas son las que se dan en la tabla, y se procura la mayor
independencia posible de la temperatura, es decir, que se mantenga el valor en
ohmios independientemente de la temperatura.
Carbn Bobinado
Caractersticas Principales
Tambin de las primeras en fabricarse en los albores de la electrnica.
Estas resistencias son tambin muy sensibles al paso del tiempo, y
variarn ostensiblemente su valor con el transcurso del mismo.
Estn constituidas en su mayor parte por grafito en polvo, el cual se
prensa hasta formar un tubo como el de la figura.
Aplicaciones:
Por el ruido trmico elevado, son poco apropiadas para aplicaciones donde el
ruido es un factor crtico, tales como amplificadores de micrfono, fono o donde
exista mucha ganancia.
Caractersticas Principales
Se le baa de laca ignfuga y aislante o incluso vitrificada para mejorar el
aislamiento elctrico.
Aplicaciones:
10
Pelcula Metlica
Caractersticas Principales
Mejoras respecto al ruido y estabilidad con respecto a todas las
anteriores.
Tienen un coeficiente de temperatura muy pequeo, del orden de 50
ppm/C (partes por milln y grado Centgrado).
Tambin soportan mejor el paso del tiempo, permaneciendo su valor en
ohmios durante un mayor perodo de tiempo.
Aplicaciones:
Se fabrican este tipo de resistencias de hasta 2 watios de potencia, y con
tolerancias del 1% como tipo estndar.
11
Aplicaciones:
Se utilizan en aplicaciones militares (muy exigentes) o donde se requiera gran
fiabilidad, porque la capa de xido es muy resistente a daos mecnicos y a la
corrosin en ambientes hmedos.
Metal Vidriado
Caractersticas Principales
Son similares a las de pelcula metlica, pero
sustituyendo la pelcula metlica por otra compuesta
por vidrio con polvo metlico.
Como principal caracterstica cabe destacar su mejor
comportamiento ante sobrecargas de corriente, que
puede soportar mejor por su inercia trmica que le
confiere el vidrio que contiene su composicin.
Como contrapartida, tiene un coeficiente trmico peor, del orden de 150
a 250 ppm/C.
Se dispone de estas resistencias encapsuladas en chips tipo DIL (dual in
line) o SIL (single in line).
Aplicaciones:
Utilizado para potencias de hasta 3 watios.
Qu es la inductancia?
12
La inductancia de una bobina se desprende de la ley de Faraday, esto ocurre cuando hay
un aumento de corriente en una bobina de cable.
Emf =N
con inductancia L, que es recorrida por una corriente de intensidad I, viene dada por:
Para este apartado tenemos que definir a la Reactancia, que es una impedancia ofrecida,
al paso de la corriente alterna, por un circuito en el que solo existen inductores (bobinas)
o capacidades (condensadores) puras, esto es, sin resistencias.
La reactancia inductiva se representa por
XL
13
Donde:
XL
L
f
convencionales.
14
15
Para este caso, nos piden como calcularlo para dos circuitos, entonces, los clculos de
coeficientes de induccin se realizaran aplicando los mismas frmulas para 1 circuito,
con solo cambiar la expresin de la distancia media geomtrica por fases, referida ahora
a dos circuitos, y dividiendo el resultado final por el nmero de circuitos existentes.
Donde:
w= 2. .f
f= frecuencia en Hz
L= Longitud en Km.
16
circuito cudruplex? Y si el
clculo es entre una lnea con un circuito simple, o con dos circuitos
simples? Razonar las respuestas dando las formulas necesarias.
La distancia media geomtrica no depende si es dplex o cudruplex, pero si del
nmero de circuitos.
17
25.- El radio equivalente se define como el radio que abarcara a todos los
conductores que forman una fase de una lnea elctrica de transporte.
Dedzcase matemticamente el radio equivalente para un circuito
trplex.
18
frecuencia de la seal y del valor de la inductancia. Si la frecuencia est en hertz y
la inductancia en henrios su valor se da en ohmio.
PROBLEMAS:
2. Disponemos de una lnea elctrica formada por un circuito
cudruplex, construido con conductores tipo cndor. Si la longitud
de la lnea es de 136 km, la potencia activa trifsica de 136 MW y la
tensin de lnea de 110 KV. Cul ser la conductancia total por fase
de la lnea?
Lk =
D
1
H
+ 4,6 log e 104
2n
re
km
( )
De 2 circuitos= d R d S d T ( m )
dR =
2 8151510 =7,4536 m
18
881515
=7,50 m
16
1581015
=7,45 m
18
dS =
dT =
De 2 circuitos= 3 6.27364,505,45
De 2 circuitos=5,4847 m
19
D e =3 7 x 7 x 14
De =13,39 m
3
r 3= r x 2
Donde:
r=13.39
r=400 mm
r 3=171,82 mm
C k=
24,2 x 109
D
log e
r3
( )
B k =W 1 C k =2 f C k =6,341 S /km
4 Susceptancia Total:
20
B=Bk xL=0,941 mS
Por fase:
B
=0,313 mS
3
5. Disponemos de una lnea elctrica formada por dos circuitos dplex con
conductores halcn. La figura siguiente muestra la disposicin de los
cables. Hallar la susceptancia por fase si la lnea tiene una longitud de 206
km (la distancia entre conductores de una misma fase es de 400 mm)
Datos:
L= 206 km.
=400 m .=0.4 m.
SOLUCIN:
Radio
del
conductor
S=281.1mm^2
Entonces el radio del conductor es:
S=r 2
r=9.46103 m .
Resolvemos la Distancia Media Geomtrica (De):
dS =
dR=
d RSd RT d R S d R T =6.93758 m.
dT =
'
'
d SS '
'
'
d RR '
'
d TT '
'
tipo
halcn:
21
Por lo tanto:
la
frmula
de
capacidad
para
doble
circuito
dplex,
C k =2
24.2109
De
log
r
C k =2
24.2109
Faradios
=2.382108
km
6.61563
log
0.49.46103
B=C k2 fL
B=2.382108
Faradios
2 60 Hz206 km=1.85015103 Siemens
km
22
dR=
dR=7.6563 m
2
8.54 mx 8.54 mx 15.26 mx 15.26 m
ds=
16 m
dR=8.145 m
dR=
2 16 mx 8.54 mx 10 mx15.26 m
18.86 m
dR=7.7412m
23
r 4=0.696 m
Lk=
1
7.8446 m
H
+ 4,6 log
104
24
0.696 m
km
Lk =4,964 104
H 136 km
km
1
Lk =6.751 102 H
24
EJERCICIOS:
EJERCICIO 2.19
Solucin:
a)
25
V2=120 V.
I1 =
S
=25 A
V1
I2 =
S
=250 A
V2
Por lo tanto:
I entrada=I 1+ I 2=275 A
kVA salida:
I 2V 2=330 kVA
d) Conectado para operar 1200/200 V como transformador.
Psalida =V 2I 2cos =29100W
Pentrada=V 1I 1=30 000 W
Entonces:
330000
100=99.7
330900
26
EJERCICIO 2.20.
RESUELVA EL PROBLEMA 2.19 SI EL TRANFORMADOR SUMINISTRA
1080 V DESDE UNA BARRA DE 1200 V.
Entonces:
27
Potencia prdida sigue siendo la misma en el autotransformador
porque la corriente en los devanados y el voltaje a travs de los
devanados estn sin cambios. Para el autotransformador.
330000
100=99.6
330900
EJERCICIO 3.11
Calcule la reactancia sincrnica de eje directo Xd, la
transitoria de eje directo Xd y la subtransitoria de eje directo
Xd, para la mquina sincrnica de los polos salientes de 60
Hz que tiene los siguientes parmetros:
3
3
Ld =Ls + M s Lm =2.7656+1.3828 x 0.3771 mH =4.71405 mH
2
2
X d =120 x 4.71405 x 103 =1.777
3 31.69502
L d=4.71405 x
mH =1.2393 mH
2 433.6569
'
'
28
a)
''
Generador 2 : X =
0.2 x 50
=0.50 pu
20
0.2 x 50
=0.333 pu
30
20 2 50
Generador 3 : X =0.2
x
=0.275 pu
22
30
( ) ( )
''
T 1 : X=
T 2 : X=
T 3:X=
0.1 x 50
=0.20 pu
25
0.01 x 50
=0.167 pu
30
0.01 x 50
=0.143 pub
35
220 2
Base de Z=
=968
50
80
=0.0826 pu
968
100
=0.1033 pu
968
b)
X 1=0.5+0.2+0.0826=0.7826 pu
X 2=0.333+0.167+0.1033=0.6033 pu
29
X 3=0.143+0.275=0.418 pu
I1 =
1
<90 =1.278<90 pu
0.7826
I2 =
1
<90 =1.658<90 pu
0.6033
I3 =
1
<90 =2.392<90 pu
0.418
I f =5.328<90
I base a C=
50 x 166
=131.22 A
3 x 220 x 103
|I f|=5.328 x 131.22=699 A
c)
EJERCICIO 3.13.
Los valores nominales de los generadores,
transformadores de la figura 3.23 son:
a)
motores
30
Tranformadores :
Y Y =0.250 pu
Y =0.33 pu
b)
X 1= X 2=0.405+0.25+ 0.053+0.33=1.041 pu
X 3=0.333 pu
1
|I 3|= 0.333 =3 pu
I f =4.9212 pu
I base a C=
50 x 16 6
=2091.8 A
3 13.8 103
|I f|=4.9212 x 2091.8=10.29 kA
c
EJERCICIO 4.20
31
La lnea de potencia monofsica del problema 4.6 se reemplaza por una
lnea trifsica colocada en una cruceta horizontal en la misma posicin
que tena la lnea monofsica. Los espacios entre conductores de la lnea
trifsica son
D= 3
4.76m
1.78m
d
1m
I a=de =2 x 107 I a ln
3,40
2,60
I b=de =2 x 107 I b ln
3,40
2,60
32
I
3,40
2,60
Total=2 x 107
( aI b) ln
I b , I a por 120
I aI b
I b
30
I aI b=3 3 I a 30
I aI b=3 3 I a
30 W/m
de =2 x 107 3 3 I a ln
3,40
2,60
M =9,29 x 108 H /m
8
Ia
Ic
EJERCICIO 4.21
Una lnea trifsica de 60 Hz que est cmpuesta de un conductor ACSR del
tipo Bluejay por fase, tiene un espacio horizontal entre conductores
adyacentes de 11m. Comparela reactancia inductiva en ohms por
kilmetro por fase de esta lnea, con la de una que tiene un agrupamiento
de dos conductores del tipo ACSR 26/ con la misma rea de seccin
transversal de aluminio que la de la lnea monofsica y una separacin de
11m entre centros de agrypamientos adyacentes. El espacio entre
conductores del agrupamiento es de 40cm
33
Solucin:
De =3 11 x 11 x 22=13,86 m
Bluejay
31,86
=0,528 ohm/km
0,0126
31,86
=0,408 ohm/km
0,0619
EJERCICIO 4.22
D eq =3 9 x 9 x 18=11,34 m
Ds=0,0386 ft=0,0386 ( 2.54 x 12 x 102 ) =0,0118 m
Dbs = 3 0.0118 x 0,45 x 0,45=0,1337 m
7
X =2 x 10 x 10 x 377 ln
11,34
=0.3348 /km
0,1337
34
EJERCICIO 5.8
Solucin:
D1 = D2 = D3 = 40 m.
D12 = D23 =
D31 =
402 +122
402 +24 2
= 41.761 m
= 46.648 m
D
2.862
1 D D D
10 9 ln eq ln 12 23 31 . m
60
r
3
D1 D2 D3
35
X c =4.4710 ln
15.12 1 41.76141.76146.648
ln
. m
3
0.0164 3
40
X c =3.218108 . m
Para 125 millas:
3.21810 8
X c=
=1.60 K
1251609.34
EJERCICIO 6.21
Construya el diagrama circular de potencia en el extremo receptor, similar al de la
figura 6.11,para la linea del problema 6.12. Localice el punto correspondicntc a la
carga del problema 6. I 2 y localice el centro de los circulos para varios valores de |
Vs| si |Vr| = 220 kV. Dibuje el circulo que pasa a travs del punto de carga. Desde
el radio obtenido en este ultimo circulo determine |Vs| y compare este valor con los
calculados en el problema 6. I 2.
Solucion:
Utilice escala de 1"= 50 MVA. Al comparar el trabajo en el problema 6.12 (c) con la
ecuacin:
A=0.9354+ j0.016=0.936/0.98
Utilice los datos para la construccin de la lnea de carga a travs de origen en cos
-1
36
Dibuja una lnea vertical a 40 MW. El punto de carga est en la interseccin de esta
lnea y la carga lnea. El radio del crculo a travs del punto de carga es 7,05 ".
7.05 x 50=352.5
1
| A||VR|
=352.5
|B|
|Vs|=
352.5 x 141.4
=226.5 kV
220