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1.

ndice

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1. ndice...........................................................................................................................1
2.- Introduccin.................................................................................................................1
3.- Especificaciones...........................................................................................................4
4.- Realizacin y simulaciones..........................................................................................6
5.-Esquemticos y conclusiones......................................................................................14
6.-Anlisis de los resultados obtenidos...........................................................................15

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2.- Introduccin
El objetivo de esta prctica es el diseo de un doblador pasivo con un diodo
schottky en tecnologa microstrip. La razn de emplear este tipo de diodo reside en su
buen funcionamiento a altas frecuencias, garantizando un comportamiento ptimo frente
a un diodo convencional.
El doblador es un circuito que se comporta de la siguiente manera:
La seal de entrada al circuito es:

Seal de referencia fin = f0 (procedente de un OL): seal de bombeo para


conseguir el funcionamiento no lineal del diodo.

La seal de salida es:

Seal 2f0 (doble) que corresponde al segundo armnico de la seal de


entrada que se genera en el elemento no lineal.

Las caractersticas abajo explicadas que debe cumplir el circuito, han de mantenerse
en un ancho de banda del 5% en torno a la frecuencia central de trabajo asignada (1GHz
en nuestro caso): [0.975-1.025] GHz.
El funcionamiento es el siguiente:

Figura 1.- Doblador pasivo con un diodo Schottky

Este circuito deber ser diseado en base a unas especificaciones que hemos
detallado a continuacin. Adems debemos comentar que nuestro principal requisito es
conseguir trabajar con potencia mnima.

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Segn se muestra en la siguiente figura, el circuito simplificado consta de:

Un resonador paralelo (o filtro) a la entrada a f0 que corresponde a un


abierto a f0 y un corto a 2f0.
Un elemento no lineal (el diodo Schottky que ya hemos comentado).
Un resonador paralelo (o filtro) a la salida a 2f0, que corresponde a un
abierto a 2f0 y un corto a f0.

Los resonadores paralelo a fo y 2fo, pueden conseguirse de forma sencilla mediante


dos stubs paralelo /4:

Terminados en corto a la entrada: para presentar un abierto a fo y un corto a


2fo
Terminado en abierto a la salida: para presentar un corto a fo y un abierto a
2fo

Aunque el diodo no se polariza externamente con una fuente de DC, el proceso no


lineal genera una tensin y una corriente continuas, adems de los correspondientes
armnicos de la seal de entrada. Para que el circuito funcione correctamente es
necesario proporcionar a dicha corriente DC un camino a masa. Esto se consigue con las
dos bobinas de los resonadores paralelo. En caso de que estos resonadores se sustituyan
por stubs u otro tipo de estructura filtrante, hay que asegurarse de que se proporciona
dicho camino a masa a la corriente continua. Por ltimo, mencionar que el circuito
anterior funcionara correctamente si los diodos presentaran 50 en la banda de
trabajo. Si esto no se cumpliese, sera necesario aadir una red de de adaptacin previa
al diodo.

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3.- Especificaciones
El objetivo fundamental de esa prctica es el diseo de un doblador pasivo con un
diodo Schottky en tecnologa microstrip. El funcionamiento de este circuito es, como ya
explicamos en la introduccin, el siguiente: a partir de una seal de entrada (seal de
referencia) con una determinada frecuencia f0 (en nuestro caso 1GHz) obtendremos a
la salida una seal de doble frecuencia que corresponde al segundo armnico de la seal
de entrada que se genera en el elemento no lineal.
A continuacin, vamos a comentar como fue el proceso diseo.
En primer lugar vamos a especificar las restricciones que debia cumplir el circuito
que implementamos durante las distintas sesiones que tenia esta prctica:

Frecuencia de seal RF (entrada): fin=f0= 1 GHz


Potencia de seal de entrada < 10 dBm
Adaptacin de la seal de entrada en una banda de 5%, RL< -15 dB
Prdidas de conversin en una banda del 5%: L>10 dB
Aislamiento de la seal f0 a la salida, I>40 dB

Para llevar a cabo el diseo de nuestro doblador pasivo, empleamos los siguientes
componentes:

Componentes concentrados ideales.


Diodo Schottky de la familia HSMS-28XX. Los parmetros, que introdujimos
en el componente no lineal SDIODE con el que realizamos la simulacin en la
herramienta de diseo Microwave Office, son los que se presentan en la siguiente
tabla:

Figura 3.- Parmetros del diodo

El esquema de nuestro circuito era similar a:

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Figura 4.- Esquema general del circuito

Como herramienta de ayuda utilizamos el programa Microwave Office, lo que


nos permiti simular el comportamiento de nuestro circuito. Pero para ello, primero,
tuvimos que determinar el sustrato a emplear, en esta prctica a diferencia de lo que
ocurra en otras anteriores, el sustrato nos lo imponan as que solo tuvimos que
seleccionarlo cuando comenzamos nuestro proyecto (Sustrato: Fibra de vidrio (FR4):
h=0.5mm; r=4.6; tan =0.01). Una vez que tenamos definido el material a emplear,
pasamos a importar de la librera especificada ms arriba el diodo buscado y determinar
los parmetros caractersticos del mismo, detalladas en la figura 3.
A partir de ahora lo que vamos a hacer es especificar los pasos seguidos para
conseguir el sistema buscado (mezclador pasivo balanceado):
Diseamos del doblador pasivo empleando lneas ideales (TLIN): en esta
parte tuvimos que disear el esquema de nuestro circuito con lneas ideales para
as tener un modelo de referencia a la hora de comprobar si nuestro circuito
funcionaba correctamente con las lneas ideales. A partir de este circuito lo que
tratamos fue de verificar parmetros como la adaptacin a la entrada, prdidas
de conversin y el aislamiento.
Diseamos del doblador pasivo empleando lneas reales (MLIN): una vez
caracterizado nuestro sistema pasamos a disear nuestro circuito con lneas
reales, definimos la longitud de las lneas, las impedancias de cada una de ellas (
Z 0 ), y la frecuencia a la que queramos probarlo (en nuestro caso 1GHz). El
esquema del sistema se muestra en las figuras expuestas en la parte de la
simulacin.
Disear una red de polarizacin para el diodo: la red que se implement en
esta parte era como la que se expone en el siguiente grfico:

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Figura 5.- Red de polarizacin

Esta red fue implementada para mejorar las prestaciones del circuito, de esta
forma lo que conseguamos era situar al diodo en un punto de trabajo en
continua distinto al que proporciona la auto polarizacin.
La conexin de esta nueva red al circuito anterior se realiz como se indica a
continuacin.

Figura 6 .- Esquema con la red de polarizacin

4.- Realizacin y simulaciones


En los siguientes apartados vamos a proceder a simular el sistema detallado con
anterioridad. Un aspecto importante a tener en cuenta antes de comenzar con las
simulaciones, es que este circuito funciona en rgimen no lineal, lo que esto quiere decir
es que , por ejemplo, la adaptacin del circuito depender de la potencia que le
introduzcas a la entrada, lo que nos permite concluir que para poder analizar nuestro
sistema correctamente hemos de hacerlo en condiciones de gran seal. Para conseguir
esto, lo que hicimos fue emplear un puerto del tipo Balance Armnico en el cual se
nos permitia especificar la frecuencia y potencia de excitacin del circuito. Los
parmetros a analizar fueron:

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Adaptacin a la entrada: este aspecto ser analizado con el parmetro
LSS21(es decir realizaremos una medida de parmetros S no lineales). Lo que se
pretende conseguir en este caso es que estas prdidas se siten por debajo de -15
dB, restriccin que ya se comento con anterioridad. Al hacer esto se conseguir
limitar la cantidad de potencia que se refleja a la entrada del sistema
implementado.

Prdidas de conversin: se define como la relacin existente entre la


seal obtenida a la frecuencia 2F0 con la seal de frecuencia F0.
P
L(dB) 10 log( FI )
PRF
Con este parmetro lo que se quiere analizar es cuanto se ve degradada la
amplitud de la seal en el proceso de conversin. En nuestro caso vamos a tratar
de asegurar que la seal a la salida no caiga mas de un 10dB para el rango de
frecuencias de trabajo. De esta manera garantizamos que nuestras prdidas sern
lo menor posible y nos llegar la cantidad de potencia necesaria sin producirse
una degradacin que consideraramos excesiva.
Aislamiento: Cuando se disea un sistema de este estilo, es necesario tener en
cuenta que podemos encontrarnos componentes no deseadas a la salida del
sistema procedentes de las seales introducidas al circuito. Estas componentes
frecuenciales indeseadas se han de eliminar, en nuestro caso vamos a intentar
conseguir que la seal de frecuencia f0 introducida a la entrada del sistema se
vea atenuada como mnimo 40dB a la salida del mismo. De esta forma se tendr
controlado en todo momento que a la salida del sistema no nos encontremos
componentes indeseadas a la frecuencia de entrada.

Simulacin del circuito con lneas de transmisin


ideales.
En primer lugar, como ya hemos dicho anteriormente, simulamos el cirucuito en
con lneas ideales, para as poder tener una referencia en apartados posteriores acerca de
cmo debe ser el comportamiento de nuestro circuito.

Figura 7.- Esquema TLIN

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A coninuacin montamos el circuito representado en la figura 7, dandole a las


lneas TLIN1 y TLIN2 una longitud aleatoria y una impedancia igual a 50 . El
problema fue, que como era de esperar, la simulacin de este circuito no cumpla las
especificaciones dadas en el enunciado, por lo tanto tuvimos que optimizar el sistema
para la frecuencia de trabajo (1GHz) hasta obtener los valores deseados, como variables
a optimizar consitderamos la longitud e impedancia de las lneas TLIN1 y TLIN2.
Hicimos el mismo procedimiento para distintos valores de la potencia de
entrada, puesto que en el enunciado se nos peda que las resultados que entregasemos se
realizarn para la menor potencia posible. Seleccionamos como potencia ptima aquella
potencia minma que nos permita cumplir con las especificaciones, a pesar de que
existiesen valores de potencia mayor que satisfacan mejor las condiciones impuestas
para nuestro circuito. La potencia mnima en nuestros caso fue 1dBm. Nos gustara
comentar que tambin sera posible simular nuestro circuito para 0dBm puesto que
funcionaba muy bien para la frecuencia de trabajo, el problema de este caso fue que las
restricciones en los extremos de las bandas de nuestro rango de frecuencias dejaban de
cumplirse completamente por eso decidimos que era una mejor opcin introducir una
potencia igual a 1dBm.
En los siguientes cuadros, se muestran los resultados de la simulacin.

Figura 8.- Simulacin para la frecuencia de trabajo(f = 1GHz)

Como se puede comprobar las especificaciones del circuito se satisfacen


perfectamente, ya que el aislamiento toma un valor de -145.1 dB muy inferior a la
limitacin impuesta (-40dB). Por otro lado tambin se puede comprobar que la

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restriccin de las prdidas de conversin (superiores a -10 dB) y la adaptacion a la


entrada (inferior a -15dB) tambin se satisfacen puesto que en este caso toman un valor
de -9.58 dB y -15.92 dB, respectivamente.
Una vez que comprobado que nuestro circuito funcionaba correctamente para
la frecuencia de trabajo, comprobamos que las especificaciones tambin se cumpliesen
para una banda de frecuencias del 5% ([0.975, 1.025]GHz). A pesar de que
aproximadamente se cumplan las restricciones del circuito tratamos de optimizarlo para
mejorar las prdidas, la adaptacin y el aislamiento obtenido, en la figura 10 se puede
ver el resultado de la optimizacin de nuestro circuito.

Figura 9.- Simulacin para la banda de [0-975,


1.025]GHz

Figura 10.- Optimizacin para la banda de [0-975,


1.025]GHz

Podemos comprobar que como resultado de la optimizacin nuestro


funcionamiento mejora levemente ya que conseguimos un mayor aislamiento (-148 dB
en este caso) y tambin conseguimos satisfacer en un margen mayor las restricciones
tanto de las prdidas de conversin (superiores a -10 dB) y la adaptacion a la entrada
(inferiores a -15dB) ya que en este momento toman valores de -7.98 dB y -21.48 dB,
respectivamente.
El esquema final del sistema fue:

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Figura 11.- Esquema general del circuito para lneas ideales

Tambin para comprobar que nuestro circuito funcionaba correctamente


simulamos el sistema de forma que tambin se pudiesen tener controlados el nivel del
resto de los armnicos, y se pudiese analizar la forma de onda de las seales del puerto
de salida y entrada, respectivamente, en el dominio del tiempo mediante una medida del
tipo osciloscopio.

Figura12.- Armnicos

Figura 13.- Dominio temporal

En el primer grfico se puede observar como a la salida de nuestro circuito


(frecuencia = 2GHz) nos encontramos con una seal a frecuencia 2f0, con una amplitud
-6.987 dB (lo que es correcto puesto que equivale a la potencia de entrada menos las
perdidas de conversin (-7.987 dB)). A la frecuencia de entrada nos aparece la seal que
introducimos por el puerto 1 de nuestro circuito atenuada 148.8 dB, puesto que la seal
de entrada, como ya hemos dicho anteriormente, tenia una potencia de 1dBm y las
perdidas de aislamiento eran -148.8dB.

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En la segunda figura podemos observar que como caba esperar distinguimos


dos funciones sinusoidales, una de frecuencia f1 correspondiente al puerto de entrada y
la segunda de 2fO que es nuestra seal de salida con la frecuencia deseada.

Simulacin del circuito con lneas de transmisin


reales.

En este caso las lneas TLIN sern sustituidas por MLIN, para ello se tuvo que
determinar la anchura y longitud de cada una de las lneas MLIN equivalentes a los
diferentes tramos TLIN con la herremienta Txline proporcionada por el programa
Microwave. Los parmetros W y L se obtuvieron a partir de los datos dados en el
enunciado de la prctica y teniendo en cuenta para cada uno de los tramos la longitud
elctrica e impedancia de la lnea TLIN equivalente. Los resultados obtenidos fueron:

MLIN1
MLIN2
MLIN3
MLIN4

Longitud Elctrica
del
tramo TLIN
equivalente ()
76,5
13,7
90
90

Impedancia del
tramo TLIN
equivalente
68,83
224,2(155)
50
50

T
(m)
35
35
35
35

W
(m)

L
(m)

1507,5 35001
75,78 6675,7
2762,6 40138
2762,6 40138

Simulamos el circuito para las longitudes anteriormente calculadas, pero los


resultados obtenidos no cumplan las especificaciones para toda la banda; por lo tanto
tuvimos que optimizar las longitudes anteriores para obtener el comportamiento
deseado. En la siguiente grfica presentamos los resultados obtenidos para nuestra
frecuencia de trabajo (1GHz).

Figura 14.- Simulacin para la frecuencia de


trabajo 1 GHz

Figura 15.- Simulacin para la banda de [0-975,


1.025]GHz

Si analizamos los grficos anteriores podemos concluir que las especificaciones


se cumplen para la frecuencia de trabajo perfectamente; es decir, el aislamiento esta por
debajo de -40 dB, la adaptacin toma un valor inferior a -15 dB y por ltimo las
prdidas de conversin son superiores a -10 dB. Al simular para todo nuestro rango de
frecuencias el nico problema con el que nos encontramos es que el aislamiento no tiene
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un comportamiento adecuado para todo el rango de frecuencias necesario. Para resolver


este problema decidimos optimizar las longitudes y anchos de las lneas hasta obtener
los resultados deseados.

Figura 16.- Simulacin para la banda [0-975, 1.025]GHz

En el grfico anterior se puede observar como las prdidas de conversin han


disminuido y que las de adaptacin tambin hemos conseguido reducirlas, el problema
es que el aislamiento no verifica las condiciones impuestas. El motivo de que no
hayamos conseguido que el parmetro LSS21 tenga un valor ms prximo al deseado se
debe a que si reduciamos este valor de forma que se cumpliese lo especificado la
condicin de la adaptacin y de las prdidas de conversin tenamos que relajarlas,
puesto que no se encontraban en los lmites especificados, por lo tanto decidimos que si
tenamos que sacrificar alguna condicin sera el aislamiento.
El esquema del circuito final fue :

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Figura 17.- Esquema del circuito con lneas de transmisin reales

A continuacin, como hicimos para el caso anterior, presentamos el anlisis de


los armnicos y de las seales en el dominio temporarl:

Figura 18.- Armnicos

Figura 19.- Dominio temporal

En la figura de la izquierda podemos comprobar como el segundo armnico


(seal de salida de nuestro sistema) est atenuado -8,712 dB , lo que es correcto puesto
que coincide con nuestras perdidas de conversin. Por otro lado, tambin es importane
notar que la seal de entrada se ve atenuada -44dB, lo que coincide con las prdidas de
aislamiento de nuestro circuito. A partir de la figura anterior tambin se puede observar
que el nivel de los otros rmonicos est por debajo de -30dB, lo que es bastante
correcto.
De nuevo en la figura de la derecha podemos comprobar como obtenemos
nuestras dos funciones sinusoidales, la de frecuencia f 1 correspondiente al puerto de
entrada y la segunda de 2fO que es nuestra seal de salida con la frecuencia deseada.

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T _ entrada
2
t 0 T _ salida
t0

Simulacin del circuito con lneas de transmisin


ideales e introduccion de la red de polarizacin.
Para mejorar las condiciones del circuito decidimos introducir una red de
polarizacin que permita situar al diodo en un punto de trabajo en continua (I DC, VDC)
distinto al que proporciona la autopolarizacin. Lo que se trat de hacer una vez
implementado el circuito fue tratar de mejorar las condiciones del mismo intentando
incluso reducir el nivel de potencia de la seal de entrada. Para ello probamos a
modificar el valor de la fuente de alimentacin entre 0 y 10 voltios, y as comprobar
cual era el efecto de esta modificacin. Lo que tratamos fue de conseguir mejorar los
resultados anteiormente obtenidos variando la tensin de alimentacin introducida a la
red de polarizacin. A pesar de lo que se esperaba era que nuestro circuito mejorase las
prestaciones (es decir conseguir que con para la misma potencia de entrada las
especificaciones se cumpliesen mejor) esto no fue asi y el comportamiento del mismo
continuaba siendo el mismo.
A continuacin presentamos los resultados obtenidos, para esta simulacin:

Figura 20.- Simulacin para la frecuencia de


trabajo 1 GHz

Figura 21.- Simulacin para la banda de [0-975,


1.025]GHz

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Figura 22.- Armnicos

Figura 23.- Dominio temporal

Como se puede ver en las grficas anteriores, podemos comprobar como los
requisitos especificados en el enunciado de la prctica se mejoran levemente, pero muy
poco solamente unas dcimas. En la siguiente figura ponemos el circuito simulado.

Figura 24.- Esquema del circuito con lneas de transmisin reales y la red de polarizacin

5.-Esquemticos
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A continuacin se recogen todos los esquemticos realizados donde las


simulaciones para llevar a cabo el diseo de nuestro circuito:

Figura 25.- Esquema del circuito con lneas de transmisin ideales

Figura 26.- Esquema del circuito con lneas de transmisin reales

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Figura 27.- Esquema del circuito con lneas de transmisin reales y la red de polarizacin

6.-Anlisis de los resultados obtenidos y conclusiones


Durante esta prctica hemos estudiado el comportamiento de un doblador de
frecuencia paso por paso, desde su construccin en lneas ideales hasta su
implementacin usando un circuito de polarizacin sobre lneas microstrip.
Los resultados obtenidos al tratar de disminuir las prdidas de conversin para
todos los casos se ajustan a los valores permitidos, siendo los valores muy satisfactorios,
mantenindose siempre dentro de los lmites para la frecuencia central.
El aislamiento ha producido tambin como en lo comentado anteriormente
resultados muy satisfactorios ya que hemos llegado a conseguir -148 dB mucho menor
que la restriccin impuesta (-40 dB) por lo que podemos considerar prcticamente un
asilamiento perfecto que nos permite no tener problemas en este aspecto ya que no nos
encontramos con componentes frecuenciales indeseadas.
En cuanto a la atenuacin hemos logrado conseguir lo que pretendamos, es decir,
que estas prdidas se siten por debajo de -15 dB , restriccin que ya se comento con
anterioridad. Al hacer esto hemos limitado lo suficiente la cantidad de potencia que se
refleja a la entrada del sistema implementado.

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