Anda di halaman 1dari 8

MODUL I KARAKTERISTIK BJT

Rosana Dewi Amelinda (13213060)


Asisten : Fiqih Tri Fathulah Rusfa (13211060)
Tanggal Percobaan: 17/2/2015
EL2205-Praktikum Elektronika

Laboratorium Dasar Teknik Elektro - Sekolah Teknik Elektro dan Informatika ITB

Abstrak
Abstrak Pada praktikum Modul II ini telah dilakukan
beberapa percobaan yang bertujuan agar dapat lebih
memahami karakteristik yang dimiliki transistor BJT.
Percobaan yang dilakukan antara lain mengamati kurva
karakteristik input Ic Vbe dari transistor BJT. Lalu
selanjutnya dilakukan percobaan untuk mengamati kurva
karakteristik output transistor Ic Vce dengan
menggunakan Peak Atlas DCA Pro. Kemudian dari kurva
yang didapat dilakukan perhitungan Efek Early dengan
mengambil sampel grafik dari dua nilai Arus basis (Ib) yang
berbeda. Terakhir yaitu dilakukan pengamatan pengaruh
bias pada penguat transistor dengan mengamati bentuk sinyal
output yang dihasilkan dari beberapa nilai Ib yang berbeda.
Dari ketiga nilai Ib yang digunakan akhirnya diketahui
bahwa transistor berada dalam kondisi aktif saat arus basis
bernilai sekitar 200 A, kondisi cut-of saar nilai Ib 25A,
serta dalam keadaan saturasi saat Ib bernilai 400 A.
Kata kunci: Transistor, BJT, Saturasi, Early Effect
1.

PENDAHULUAN

Dalam dunia elektonika, kita tentunya sudah tidak


asing lagi dengan komponen elektronik yang satu
ini. Adalah transistor yang merupakan salah satu
komponen elektronika yang paling penting karena
sering digunakan sebagai penguat, switching,
modulasi sinyal dan berbagai fungsi lainnya.
Transistor sendiri berfungsi sebagai keran listrik
berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan
outputnya (FET), yang memungkinkan pegaliran
listrik yang sangat akuran dari sumber listriknya.
Pada umumnya transistor memiliki 3 terminal,
yaitu Basis (B), Emitor (E), dan Kolektor (C).
Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada
awalnya hanya terdapat dua tipe dasar transistor,
yait Bipolar Junction Transistor (BJT) dan FieldEffect Transistor (FET). Pada praktikum kali ini
akan dibahas mengenai Transistor Bipolar (BJT).
Transistor bipolar dinamakan demikian karena
kanal konduksi utamanya mengguankan dua
polaritas pembawa muatan : electron dan lubang,
untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus
listrik utama harus melewari satu daerah/lapisan
pembatas yang dinamakan depletion zone.
Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada

terminal basis dapat menghasilkna perubahan arus


listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor.
Prinsip inilah yang mendasari penggunaan
transistor sebagai penguat elektronik.
Dari praktikum ini tujuan yang ingin dicapai
yaitu :

2.

a.

Memahami karakteristik transistor BJT

b.

Memahami teknis bias dengan rangkaian


diskrit

c.

Memahami teknik bias dengan sumber


arus konstan

STUDI PUSTAKA

Transistot BJT
Terdapat dua jenis transistor berdasarkan jenis
muatan penghantar listriknya, yaitu bipolar dan
unipolar. Dalam hal ini akan dipelajari transistor
bipolar, yaitu jenis NPN dan PNP. Simbol
hubungan antara arus dan tegangan dalam
transistor ditunjukan oleh gambar berikut ini.
Gambar 1 Transistor BJT NPN

Gambar 2 Transistor BJT PNP

Terdapat suatu hubungan matematis antara


besarnya arus kolektor (Ic), arus Basis (Ib), dan

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

arus emitor (Ie), yaitu beta () = penguatan arus


DC untuk commonemitter, alpha () = penguatan

arus untuk common basis, dengan hubungan


matematis sebagai berikut

Sehingga =

dan =

+1

Karakteristik sebuah transistor biasanya diperoleh


dengan pengukuran arus dean tegangan pada
rangkaian dengan konfigurasi common emitter
(kaki emitter terhubung dengan ground), seperti
ditunjukan pada gambar berikut

Mode
Gambar 3 Rangkaian dengan konfigurasi common emitter
kerja

Dari kurva diatas uga diperoleh transkonduktansi


dari transistor, yang merupakan kemiringan dari

kurva diatas, yaitu =

Kurva karakteristik Ic Vce


Arus kolektor juga bergantung pada tegangan
kolektor-emitor. Titik kerja (mode kerja) transistor
dibedakan menjadi tiga bagian , yaitu daerah akif,
saturasi, dan cut-off. Persyaratan kondisi ketigga
mode kerja ini dapat dirangkum dalam table
berikut ini.

IC

VCE

.IB VBE+VCB ~0.7V 0

Saturasi

Ma
x

~ 0V

Cut-Off

~0

VBE+VCB 0

Terdapat dua buah kurva karakteristik yang dapat


diukur dari rangkaian diatas, yaitu :
Karakteristik Ic Vbe

Karakteristik Ic Vce

VCB

Aktif

2.1

VBE

~0.7V

0.7V
<VCE
<0
0

Bias
B-C

Bias B-E

Reverse Forward
Forwar
d
Forward

JUDUL SUB-BAB

Sub-bab pada percobaan ini, yaitu :


a.

Karakteristik input transistor Ic Vbe

b.

Karateristik output transistor Ic Vce

c.

Early effect

d. Pengaruh bias pada penguat transistor


Kurva karakteristik Ic Vbe

3.

Arus kolektor merupakan fungsi eksponensial dari


tegangan Vbe, sesuai dengan persamaan :

Pada percobaan 2 ini, alat dan bahan yang


digunakan yaitu :

= / . Persamaan ini dapar


digambarkan sebagai kurva seperti ditunjukan
pada gambar berikut.
Gambar 4 Kurva karakteristik Ic - Vbe

METODOLOGI

1.

Sumber tegangan DC

2.

Kit percobaan karakteristik transistor dan


rangkaian bias

3.

Sumber arus konstan

4.

Multimeter (2 Buah)

5.

Osiloskop

6.

PEAK Atlas DCA Pro

Memulai percobaan

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

Sebelum memulai percobaan, diisi dan ditandaDiubah setting sinyal generator sehingga mengeluarkan :
tangani lembar penggunaan meja yang tertempel
(pastikan dengna menyambungkannya ke osiloskop berpada masing-masing meja praktikum. Dicatat
kopling DC)
juga nomor meja Kit Praktikum yang digunakan
a. Gelombang segitiga ~ 1kHz
dalam BCL.
b. Ampiltuda sinyal 0.8 V
c. Set offset positif sehingga nilai minimum sinyall berada di
titik nol (ground)
Dilakukan kalibrasi pada osiloskop
Disusun rangkaian seperti gambar 5
1.

Karakteristik input transistor Ic Vbe


Dihubungkan :

Gambar 5 Rangkaian percobaan 1

a. Probe positif (+) Ch-1 (x) ke titik B


b. Probe positif (+) Ch-2 ke titik C
c. Ground osiloskop ke titik A

Digunakan setting osiloskop :


- Skala X pada nilai 0.1 V/div dengan kopling AC
- Skala Y pada nilai 1V/div dengan kopling DC, dan ditekan
tombol invertnya
- Osiloskop pada mode X-Y

Ditempatkan tegangan X minimum pada garis grid paling kiri


(nilai Vbe = 0).
Ditempatkan tegangan Y terkecil (minimum) pada garis grid
kedua paling bawah (nilai Ic = 0). Apabila kurva tampak
sebagai dua garis, naik atau turunkan frekuensi generator
sinyal hingga diperoleh kurva yang lebih baik.

Digambarkan plot Ic (mA) - Vbe (V) di BCL.


2.

Karateristik output transistor Ic Vce

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

Dinyalakan komputer dan disambungkan USB Power


Atlas DCA ke komputer

Dipilih nilai arus basis (Ib) dari grafik kurva tracer yang
kemiringan kurvanya cukup besar

Disambungkan kabel Atlas DCA Pro dengan kaki-kaki


transistor BJT yang digunakan secara bebas (tidak
dipengaruhi warna)

Pada kurva Ic-Vce itu, dipilih dua titik koordinat yang


mudah dibaca, dan masih dalam garis lurus. Dibaca
dan dicatat nilai Ic dan Vce pada kedua titik tersebut.

Dibuka aplikasi DCA Pro yang tersedia di komputer

Dihitung nila tegangan Early dengan persamaan


berikut dan dicatat di BCL
Va =

2 1 1 2
2 1

Dipilih nilai arus basis (Ib) yang lain, dan dilakukan


langkah diatas untuk mengkonfirmasi nilai tegangan
Early yang sudah ditetapkan.

Dipastikan DCA Pro connected

Gambar 6 Kurva Ic - Vce

Ditekan tombol test pada DCA Pro maupun pada


jendela Peak DCA Pro.

Diperhatikan spesifikasi dan konfigurasi kaki-kaki BJT


yang terbaca oleh alat Atlas DCA Pro.
4.
Dibuka tab Graph BJT Ic/Vce, diatur pengaturan
tracing Vcc 0-10V dengan point 11, Ib 25-100 A
kemudian di klik Start. Ditunggu proces tracing.

Pengaruh bias pada penguat transistor

Gambar 7 Rangkaian percobaan 4

Diamati grafik yang terbentuk, dicatat pada BCL dan


dilakukan analisis

Disimpan dara tabulasi hasil sampling dengan klik


kanan pada grafik dan pilih Save Data. Dibuka file .txt
yang terbentuk dan di copy seluruh data yang ada di
dalam file tersebut dan di paste di spreadsheet.
3.

Early effect

(Dengan menggunakan hasil pengamatan grafik


sebelumnya)

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

Diubah nilai Ib menjadi 150 A. Diatur nilai Rc


sehingga Vce yang terbaca di multimeter sekitar 5 V.
Diamati dan digambar bentuk tegangan yang terlihat
di osiliskop. Dari nilai Ib dan Vce yang terbaca ,
ditentukan letak titik kerja kondisi ini pada plot grafik
Ic-Vce yang telah dibuat sebelumnya. Dengan
memperhatikan titik kerja ini, dijelaskan mengapa
kondisi ini terjadi.

Diubah setting sinyal generator sehingga


mengeluarkan gelombang sinusoid ~1kHz, Amplituda
sinyal 50 mVpp, dan digunakan T konektor pada
terminal output.

Disusun rangkaian seperti pada gambar 7

Dinaikkan amplituda input (dari generator sinyal)


hingga tampak terjadi distorsi pada gelombang
tegangan output (Vce). Dicatat besar amplituda input
dan digambarkan bentuk gelombang outputnya.

Dihubungkan osiloskop rangkaian : Ch 1 (X) ke


generator sinyal dengan kabel koaksial konektor BNCBNC, probe positif Ch-2 (Y) ke titik C, dan Ground
osiloskop ke titik E.

Digunakan setting osiloskop : skala Ch-1 pada nilai 10


mV/div dengan kopling AC, skala Ch-2 pada nilai
1V/div dengan kopling AC, osiliskop pada mode
waktu dengan skala horizontal 500 S.div, serta titik
nol Ch-1 dan Ch-2 pada garis tengah layar.

Dinaikkan lagi amplitdua input. Diamati apakah


aplituda gelombang output masih bisa membesar,
dan dicatat nilai maksimum amplituda tersebut.

Mengakhiri Percobaan
Digunakna multimeter digital pada mode Volt-DC
untuk mengukur tegangan dari Vce

Selesai praktikum dirapikan semua kabel dan


dimatikan osiloskop, generator sinyal serta dipastikan
juga multimeter analog, multimeter digital
ditinggalkan dalam keadaan mati (selector
menunjukan ke pilihan off).

Diset Ib pada 25 A dan Rc minimum (sekitar 82 )

Dimatikan MCB dimeja praktikum sebelum


meninggalkan ruangan.

Dibaca dan dicatat tegangan Vce kemudian


digambarkan bentuk gelombang tegangan output Vce
yang ditunjukan. Diamati adanya distorsi pada bentuk
gelombang output

Diperiksa lembar penggunaan meja.


Dari nilai Ib dan Ic yang terbaca, ditentukan letak titik
kerja kondisi ini pada plot grafik Ic - Vce sebelumnya.
DIpastikan asisten telah menandatangani catatan
percobaan kali ini pada Buku Catatan Laboratorium.
Diulangi langkah pertama samapai ketujuh diatas
untuk nilai-nilai Ib : 200 A dan 400 A.

4.
4.1

Diubah nilai Rc menjadi nilai maksimumnya (sekitar 5


k) dan diulangi langkah pertama sampai kedelapan
diatas untuk nilai Rc ini

HASIL DAN ANALISIS


PERCOB AAN 1 (KARAKTERISTIK
INPUT TRANSISTOR IC - VBE)

Pada percobaan 1 dibuat sebuah rangkaian


sederhana seperti pada gambar 5 dengan
menggunakan transistor BJT 3904. Pada percobaan
ini Rc minimum yang digunakan bernilai 88.7 .

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

Berikut adalah plot kurva karakteristik yang


dihasilkan :
Gambar 8 Kurva karakteristik Ic Vbe

Dari gambar diatas terlihat bahwa plot kurva yang


dihasilkan menyerupai bentuk kurva persamaan
eksponensial. Hal ini sesuai dengan rumus yang
sudah diketahui sebelumnya yang menyatakan
hubungan Ic dengan Vbe, yaitu :
= /
Selain itu, dari grafik diatas kita juga dapat
memperoleh nilai transkonduktansi dari transistor
(gm) dengan menghitung kemiringan kurva :
=

4.2

PERCOBAAN 2 (KARAKTERISTIK
OUTPUT TRANSISTOR IC- VCE)

Pada percoaan 2 ini dilakukan pengamatan


karakteristik output dari transistor menggunakan
Peak Atlas DCA Pro dan komputer yang tersedia
di laboratorium. Berikut adalah tampilan kurva
output yang dihasilkan pada layat monitor :

tidak ada arus yang mengalir sehingga transistor


berada pada posisi cut-of. Daerah kedua yaitu
daerah saturasi ketika hubungan Ic dengan Vbe
mendekati linear. Daerah saturasi dan cut-off ini
transistor dimanfaatkan sebagai switching. Daerah
ketiga yaitu daerah aktif yang merupakan daerah
penguatan. Daerah aktif terjadi ketika hubungan Ic
dengan Ib mendekati linear dan tidak
diperngaruhi Vce. Pada daerah aktif ini transistor
berfungsi sebagai penguat (amplifier).
Pada daerah aktif didapatkan hubungan Ic dan Ib
mendekati linear. Hal tersebut dapat terlihat pada
grafik bahwa ketika Ib sangat besar (garis kurva
paling kiri), semakin besar pula nilai Arus
kolektornya. Hal ini sesuai dengan rumus yang
menyatakan bahwa Ic dan Ib berbanding lurus
(linear) :
= .

4.3

Berdasarkan kurva karakteristik Ic- Vce yang


didapatkan pada percobaan 2, selanjutnya diambil
sampel kurva berwarna Magenta (Ib = 56.7 A)
dan Salmon (Ib = 46.1). Dari kedua kurva tersebut
diambil garis lurus sepanjang sumbu x sehingga
akan diperoleh nilai efek earlynya (Va). Efek early
masing - masing kurva dihitung dengan
menggunakan rumus :
=

2 1 1 2
2 1

Data yang didapat adalah sebagai berikut :


No

Gambar 9 Plot kurva karakteristik Ic - Vce

EARLY EFFECT

Ib = 56.7 A

Ib = 25 A

Vce (V)

Ic (mA)

Vce (V)

Ic (mA)

1.673085

10.92622

5.673457

5.058323

2.666702

11.14445

6.628855

5.109956

Sehingga dengan menggunakan rumus diatas dan


dengan memasukan nilai pada tabel maka
didapatkan besar Va untuk arus basis sebesar 56.7
A adalah 48.07581 V dan Va untuk arus basis 25
A adalah 87.92323.
Dari kurva diatas terlihat bentuk grafik Arus
kolektor terhadap tegangan Kolektor-Emitor untuk
nilai Ib yang berbeda-beda. Dari nilai Ib yang
berbeda-beda tersebut dapat diamati tiga daerah
kerja transiistor, yaitu daerah saturasi, daerah aktif,
daerah cut-off.
Saat arus Ib semakin kecil hingga mendekati 0,
tidak akan ada arus mengalir pada Ic disepanjang
garis Vce (berapa pun nilai Vce). Pada kondisi ini

Perbedaan yang terjadi pada nilai efek early ini


kemungkinan
disebabkan
beberapa
faktor
diantaranya perubahan suhu. Pada saat awal
(sebelum digunakan), transisrot memiliki suhu
yang sama dengan suhu ruangan. Namun setelah
digunakan untuk percobaan 2, transistor menjadi
panas (mengalami kenaikan suhu). Dengan adanya
kenaikan suhu ini maka berpengaruh pada nilai Ic
dan tegangan Vce yang diukur.

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

4.4

PENGARUH BIAS PADA PENGUAT


TRANSISTOR

Pada percobaan 4 ini digunakan rangkaian seperti


pada percobaan 1 namun dengan penambahan
komponen sumber arus dan kapasitor pada node B.
Lalu nilai sumber tegangan DC yang digunakan
juga diturunkan yang awalnya 10 V menjadi 9 V.
Lalu dilakukan pengamatan sinyal output dengan
menggunakan variasi nilai sumber arus dan Rc. Rc
minimum bernilai 88.7 dan Rc maksimum
bernilai 5.62 k. Berikut tampilan sinyal inputoutput yang dihasilkan :
Table 1 Tampilan sinyal input-output

No

Sinyal Input-Output

Sinyal Input-Output

(Rc minimum)

(Rc maksimum)

Ib = 25 A
Vce = 8.67 V
Vbe =0.542 V

Ib = 25 A
Vce = 2.88 V
Vbe = 0.58 V

Apabila diamati data pada tabel, dapat dilihat


bahwa saat Ib semakin besar, nilai tegangan
colector-emitor menjadi semakin kecil. Hal ini
dapat diketahui dari hubungan Ib dan Ic berikut :
Ib + Ic = Ie
Sehingga saat arus base semakin besar (dari 25 A
hingga 400 A) maka arus emitor juga akan
semakin besar yang menyebabkan tegangan
kolektor-emitor menjadi turun (semakin kecil).
Pemberian bias tegangan dc pada rangakaian
transistor bertujuan untuk mendapatkan level
tegangan dan arus kerja transistor yang tetap.
Dalam penguat transistor, level tegangan dan arus
yang tetap tersebut akan menempatkan suatu titik
kerja
pada
kurva
karakteristik
sehingga
menentukan daerah kerja transistor.
Dari ketiga variasi Ib yang digunakan, diperoleh
bahwa transistor berada dalam keadaan aktif saat
arus basenya sebesar 200 A karena saar mode
aktif Vbe bernilai ~0.7 V. Hal ini sesuai dengan
tegangan Vbe untuk Ib 200 A saat Rc minimum.
Saat kondisi saturasi yaitu ketika Ib bernilai 400 A
karena saat Vbe nya mendekati 0.7 V (saat Rc
minimum) dan Vbc ~0.5 V. Pengaruh bias untuk
transistor mode saturasi yaitu Sedangkan mode
cut-off adalah ketika Ib sebesar 25 A karena Vbe
nya kurang dari 0.7 V (saat Rc minimum).
Dari data pada tabel 1 juga dapat diketahui
besarnya arus pada kolektor untuk setiap kondisi.
=

Ib = 200 A
Ib = 200 A

Vce = 70.9 mV

Vce = 5.84 V

Vbe = 0.64 V

Vbe = 0.662 V

Ic
(mA)

Rc minimum (88.7 )

Rc maksimum (5.62 k

Ib 25
A

Ib 200
A

Ib 400
A

Ib 25
A

Ib 200
A

Ib 400
A

3.72

0.035

0.046

1.088

1.588

1.593

3
Saat Ib diatur sebesar 150 A dan Vce sekitar 5 V,
bentuk sinyal output yang dihasilkan adalah
sebagai berikut :

Ib = 400 A
Ib = 400 A

Vce = 44 mV

Vce = 4.91 V

Vbe = 0.67 V

Vbe = 0.692 V
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

Gambar 10 Sinyal saat Vce 5 V

berfungsi sebagai penguat (amplifier) saat


berada pada kondisi aktif. Sedangkan
pada daerah saturasi terjadi hubungan
yang mendekati linear antara Ic dengan
Vce. Lalu hampir tidak ada arus yang
mengalir apabila transistor berada pada
keadaan cut-off.

Efek
Early
dapat
dicari
dengan
pendekatan linear. Yaitu dengan menarik
garis sepanjang sumbu x dari kemiringan
kurva. Namun nilai efek early yang
didapatkan pada percobaan ini kurang
akurat yang diduga disebabkan karena
perubahan suhu yang dialami transistor.

Saat arus Ib sebesar 400 A, transistor


berada pada kondisi saturasi. Lalu saat Ib
sebesar 200 A, transistor berada pada
kondisi akif. Serta pada kondisi cut-off
yaitu ketika Ib sebesar 25 A.

Distorsi terjadi saat Vce mulai dari 6.3 V


hingga tegangan mencapai 9 V (tegangan
dc-nya).

Besarnya resistansi Rc yang diperoleh untuk


tegangan Vce sebesar 5 V adalah sekitar 112 .
Sehingga arus kolektornya yaitu
Ic = (9 5)/112
Ic = 0.035 A
Dengan nilai Ic dan tegangan Vce yang diketahui
sebesar 5 V maka dapat dikatakan bahwa kondisi
ini merupakan kondisi aktif transistor .
Gambar 11 Kurva distorsi gerlombang output

DAFTAR PUSTAKA
[1]. Mervin T Hutabarat, Praktikum Rangkaian
Elektrik, Laboratorium Dasar Teknik Elektro
ITB,Bandung, 2014.

Gambar
diatas
merupakan
hasil
distorsi
(minimal/yang paling sedikit) yang terjadi pada
gelombang
tegangan
input
(Vce).
Besar
amplitudanya adalah 6.3 V. Apabila amplituda
dinaikkan maka distorsi yang tejadi akan semakin
besar. Namum batas maksimum terjadinya distorsi
yaitu hingga amplituda mencapai 9 V yang
merupakan besarnya tegangan input dc. Sehingga
dapat dikatakan bahwa distorsi yang terjadi tidak
akan melebihi tegangan inputnya.

5.

[2]. Adel S. Sedra and Kennet C. Smith,


Microelectronic Circuits, Oxford University Press,
USA, 2004.
[3]. http://id.wikipedia.org/wiki/Transistor,
Februari 2015, 08.05 PM.

18

[4]. http://elektronika-dasar.web.id/teorielektronika/titik-kerja-transistor/, 19 Februari


2015, 08.32 PM.

KESIMPULAN

Dari percobaan didapatkan kesimpulan :

Karakteristik input transistor untuk arus


kolektor dengan tegangan base-emitor
menunjukan hubungan ekponensial sesuai
dengan rumus Ic = Is.eVbe/VT. Lalu nilai
transkonduktansi (gm) transistor dapat
diketahui dengan mengukur kemiringan
kurva Ic-Vbe.

Dari kurva karakteristik output transistor


Ic Vce dapat dibagi menjadi 3 daerah
kerja transistor yaitu daerah saturasi,
daerah aktif dan daerah cut-off. Transistor
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB