MODUL IV KARAKTERISTIK DAN PENGUAT FET

Rosana Dewi Amelinda (13213060)

Asisten : Fiqih Tri Fathulah Rusfa (13211060)
Tanggal Percobaan: 31/3/2015
EL2205-Praktikum Elektronika

Laboratorium Dasar Teknik Elektro - Sekolah Teknik Elektro dan Informatika ITB
Abstrak
Abstrak Pada praktikum Modul IV ini dilakukan
beberapa percobaan diataranya melakukan testing transistor
dengan mengguanakan DCA Pro. Pengaturan pada aplikasi
DCA Pro diatur sedemikian supa sehingga diperoleh hasil
berupa kurva karakterisktik Id Vgs dan kurva Id Vds.
Dari kurva karakteristik Id-Vgs kita dapat mengetahui
besarnya tegangan threshold transistor. Dari kurva
karakteristik Id- Vds kita dapat mengetahui daerah kerja
transistor yaitu daerah triode, daerah saturasi (transistor
digunakan sebagai penguat), dan daerah cut off transistor.
Dengan menggunakan kurva Id Vds lalu ditarik garis
linear mulai dari Vds 15 V (nilai Vdd) hingga Id 6 mA.
Dari garis tersebut kita dapat menentukan nilai Vds, Vgs,
Id, dan Rd. Kemudian untuk mencari nilai gm dapat
dilakukan dengan 2 pendekatan yaitu dengan perhitungan
menggunakan rumus dan dengan perngukuran kemiringan
kurva. Selanjutnya pada percobaan rangkaian bias, dapat
diperoleh nilai-nilai tegangan dan resistansi pada gate, drain
dan source yang selanjutnya nilai tersebut digunakan untuk
menbuat rangkaian amplifier untuk ketiga konfigurasi
transistor. Ketiga konfigurasi tersebut yaitu Common Source
(input pada Gate dan output pada drain), Common Gate
(input pada Source dan output pada drain), dan Common
Drain (input pada Gate dan output pada Source). Kemudian
dilakukan percobaan untuk menghitung besarnya penguatan,
resistansi input, dan resistansi output untuk ketiga kofigurasi.

tetapu keberadaanya sangat penting saat

perancangan penataan IC. Nama-nama saluran
FET mengacu pada fungsinya. Saluran gate dapat
dianggap sebagai pengontrol buka-tutup dari
gerbang sesungguhnya. Gerbang ini mengizinkan
electron untuk mengalir atau mencegahnya
dengan membuat dan mengikangkan sebuah kanal
diantara source dan drain. Elektron mengalir dari
source menuju saluran drain jika ada tegangan
yang diberikan. Body merupakan seluruh
semikonduktor dasar dimana gate, source dan
drain diletakkan. Biasanya saluran body
disambungkan ke tegangan tertinggi atau terendah
pada rangkaian bergantung pada tipenya. Saluran
body dan saluran source biasanya disambungkan
karena sumber disambungkan ke tegangan
tertinggi dari rangkaian, tetapi ada beberapa
penggunaan dari FET yang tidak seperti demikian
seperti rangkaian gerbang transmisi dan carcade.
Dari praktikum ini tujuan yang ingin dicapai
yaitu :

Kata kunci: Transistor, MOSFET, Common Source,

Common drain, Common Gate.
1.

PENDAHULUAN

Field Effect Transistor (FET) adalah salah satu jenis

transistor yang menggunakan medan listirk untuk
mengendalikan konduktifitas suatu kanal dari
jenis pembawa muatan tunggal dalam bahan
semikonduktor. FET terkadang disebut juga
sebagai transistor ekakutub untuk membedakan
operasi pembawa muatan tunggal yang dilakukan
pada pembawa muatan Bipolar Transistor (BJT).
Semua FET mempunyai sebuah saluran gate
(gerbang), drain, dan source yang kira-kira sama
dengan basiss, kolektor, dan emitor pada BJT.
Selain JFET, semua FET juga mempunyai saluran
keempan yang dinamakan body. Saluran keempat
ini melayani kegunaan teknis dalam pemanjaran
transistor kedalam titik operasi. Terminal ini
sangat jarang digunakan pada desain sirkuit,

2.

a.

Mengetahui dan mempelajari karakteristik

transistor FET.

b.

Memahami penggunaan FET sebagai

penguat untuk konfigurasi Common
Source, Common Gate, dan Common
Drain.

c.

Memahami resistansi input dan output

untuk ketiga konfigurasi tersebut.

STUDI PUSTAKA

Transistor FET
Transistor FET adalah transistor yang bekerja
berdasarkan efek medan elektrik yang dihasilkan
oleh tegangan yang diberikan pada kedua ujung
terminalnya. Mekanisme kerja transistor ini
berbeda dengan transistor BJT. Pada transistor ini,
arus yang dihasilkan/dikontrol dari Drain
(analogy dengan kolektor pada BJT), dilakukan
oleh tegangan antara Gate dan Source (analogy
dengan Base dan Emitter pada BJT). Bandingkan
dengan arus pada Base yang digunakan untuk
menghasilkan arus kolektor pada transistor BJT.
Jadi dapat dikatakan bahwa FET adalah transistor
yang berfungsi sebagai converter tegangan ke
arus. Transistor FET memiliki beberapa keluarga

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

yaitu JFET dan MOSFET. Pada praktikum ini aan

digunakan
transistor
MOSFET
walaupun
sebenarnya karakteristik umum dari JFET dan
MOSFET adalah serupa.
Karakteristik umum dari transistor MOSFET dapat
digambarkan pada kurva yang dibagi menjadi dua,
yaitu kurva karakteristik ID vs VGS dan kurva
karakteristik ID vs VDS . Kurva karakteristik ID vs
VGS diperlihatkan pada gambar berikut. Pada
gambar tersebut terlihat bahwa terdapat VGS
minimum yang menyebabkan arus mulai mengalir.
Tegangan tersebut dinamakan tegangan threshold,
Vt. Pada MOSFET tipe depletion, Vt adalah
negative, sedangkan pada tipe enhancement, Vt
positif.
Gambar 1 Kurva Id - Vgs

penguat adalah dengan menggambarkan garis

beban pada kurva ID vs VDS . Setelah itu ditentukan
Q pointnya yang akan menentukan ID dan VGS
yang harus dihasilkan pada rangkaian. Setelah Q
point dicapai, maka transistor telah dapat
digunakan sebagai penguat, dalam hal ini, sinyal
yang diperkuat adalah sinyal kecil (sekitar 40-50
mVpp dengan frekuensi 1-10 kHz).
Terdapat 4 konfigurasi panguat pada transistor
MOSFET, yaitu Common Source, Common Source
dengan resistansi source, Common Gate, dan
Common Drain. Pada praktikum ini digunakan
konfigurasi Common Source dengan resistansi
source dan Common Gate. Formula parameter
penguat untuk dua konfigurasi yang digunakan
dijelaskan dalam table berikut :

2.1

JUDUL SUB-BAB

Sub-bab pada percobaan ini, yaitu :

Pada gambar tersebut terlihat bahwa terdapat VGS
minimum yang menyebabkan arus mulai mengalir.
Tegangan tersebut dinamakan tegangan threshold,
Vt. Kurva karakterisitk ID vs VDS ditunjukan oleh
gambar dibawah ini. Pada gambar tersebut
terdapat beberapa kurva untuk setiap V GS yang
berbeda-beda. Gambar ini digunakan untuk
melakukan desain peletakan titik operasi/titik
kerja transistor. Pada gambar ini juga ditunjukan
daerah saturasi dan Trioda.

Kurva ID dan VGS

Kurva ID dan VDS

Desain Q point

Rangkaian penguat
a.

Gambar 2 Kurva Id - Vds

3.

Rangkaian Bias

Penguat Common Source

a.

Faktor Penguat

b.

Resistansi Input

c.

Resistansi Output

Penguat Common Gate

Penguat Common Drain

METODOLOGI

Pada percobaan 4 ini, alat dan bahan yang

digunakan yaitu :
1.

Sumber tegangan DC

(2 buah)

2.

Generator sinyal

(1 buah)

Penguat FET

3.

Osiloskop

(1 buah)

Untuk menggunakan transistor MOSFET sebagai

penguat, maka transistor harus berada dalam
daerah saturasinya. Hal ini dapat dicapai dengan
memberikan arus ID dan tegangan VDS tertentu.
Cara yang biasa diguankan dalam mendesain

4.

Multimeter

(3 buah)

5.

Kit Transistor sebagai switch

6.

Breadboard

(1 buah)

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

7.

RG = Potensiometer 1 M

(1 buah)

8.

RD = Potensiometer 10 k

(1 buah)

9.

RS = Potensiometer 1 k

(1 buah)

10. Resistor

(1 buah)

11. Kapasitor 100 F

(3 buah)

Dibuka tab MOSFET Id / Vgs pada jendela aplikasi

DCA Pro

Diatur pengaturan tracing kemudian klik Start.

Ditunggu proces tracing.

12. Kabel-kabel
13. Peak Atlas DCA Pro

(1 buah)

Diamati grafik yang terbentuk. Dicatat pada BCL dan

dilakukan analisis.

Memulai percobaan
Dinyalakan komputer dan disambungkan USB Power
Atlas DCA Pro ke komputer

Disambungkan kabel Atlas DCA Pro dengna kaki

MOSFET pada kit Transistor sebagai Switch.

Disimpan data tabulasi hasil sampling dengan klik

kanan pada grafik dan pilih Save Data. File yang
terbentuk adalah *.txt. Dibuka file .txt yang
terbentuk dan dicopy seluruh data yang ada di dalam
file tersebut dan di paste-kan di spreadsheet.
Dilakukan analisis lebih dalam pada data ini.

Ditentukan tegangan threshold Vt transistor MOSFET

yang digunakan
Dibuka aplikasi DCA Pro yang tersedia di komputer.
Dibuka ta MOSFET Id / Vds pada jendela aplikasi DCA
Pro
Dipastikan DCA Pro Connected pada pojok kiri bawah
layar

2.

Kurva ID dan VDS

Diatur tracing , kemudian diklik Start. Ditunggu proces

tracing.
Ditekan tombol test pada DCA Pro maupun pada
jendela Peak DCA Pro
Diamati grafik terbentuk. Dicatat di BCL dan dilakukan
analisis
Diperhatikan spesifikasi dan konfigurasi kaki-kaki
MOSFET yang terbaca oleh alat Atlas DCA Pro.
1.

Kurva ID dan VGS

Disimpan data tabulasi hasil sampling dengan klik
kanan pada grafik dan pilih Save Data. File yang
terbentuk adalah *.txt. Dibuka file .txt yang
terbentuk dan di copy seluruh data yang ada didalam
file tersebut dan di pastekan di spreadsheet.
Dilakukan analisis lebih mendalam pada data ini.
3.

Desain Q point

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

5.
Ditentukan nilai Rd yang akan diguanakan pada
rangkaian penguat

Penguat Common Source

Faktor Penguat

Dihubungkan sinyal input tersebut ke rangkaian

dengan memberikan kapasitor kopling seperti yang
ditunjukan oleh gambar 4.
Dengan menggunakan kurva Id vs Vds dan Vdd = 15
V, dibuat garis beban (load line) pada grafik Id vs Vds
dan ditempatkan titik Q.
Digunakan osiloskop untuk melihat sinyal pada Gate
dan Drain transistor
Dicatat nilai DC vgs, vds, dan id pada titik Q
Ditentukan penguatannya (Av = Vo/Vi).
Dihitung gm dengan terlebih dahulu mencari nilai K
berdasarkan formula
id = K (vgs - Vt)2

Dinaikkan amplitudo generator sinyal dan

diperhatikan sinyal output ketika sinyal mulai
tersdistorsi. Dicatat tegangan input ini.

gm = 2K (vgs - Vt)

Ditentukan nilai gm dengan melihat kemiringan kurva

titik Q point pada kurva karakteristik Id vs Vgs.
Dibadingkan kedua nilai gm yang diperoleh.
4.

Rangkaian penguat

Rangkaian Bias

Dibandingkan nilai penguatan yang diperoleh dari

percobaan ini dengna nilai dari hasil perhitungan
dengna menggunakan tabel karakteristik penguat
FET.
Gambar 4 Rangkaian dengan konfigurasi Common Source

Dibuat rangkaian seperti pada gambar 3.

Diatur Vdd, potensiometer Rg, Rd, dan Rs agar

transistor berada pada titik operasi yang diinginkan
memperhatikan Vdd.

Dibuat sinyal input sinusoidal sebesar 50 mVpp

dengan frekuensi 10 kHz.
Gambar 3

Resistansi Input

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

Dihubungkan rangkaian pada gamarb 4 dengan

sebuah resistor variabel pada inputnya seperti pada
gambar 5.

Dihubungkan rangkaian 4 dengan sebuah resistor

variabel pada outputnya seperti pada gambar 6

Dihubungkan osiloskop pada Gate transistor

Dihubungkan osiloskop pada kapasitor Drain

transistor.

Diatur resistor variabel tersebut sampai amplitudo

sinyal input menjadi 1/2 dari sinyal input tanpa
resistor variabel.

Dicatat nilai Rvar yang menyebabkan hal tersebut

terjadi. (Rin = Rvar)

Dibandingkan nilai resistansi input yang diperoleh dari

percobaan ini dengan nilai dari hasil perhitungan
dengan menggunakan tabel karakteristik penguat FET.
Gambar 5 Rangkaian common source dengan resistor
variable pada input

Diatur resistor variabel tersebut sampai amplitudo

sinyal output menjadi 1/2 dari sinyal outptu tanpa
resistor variabel.

Dicatat nilai Rvar yang menyebabkan hal tersebut

terjadi . (Rout = Rvar)

Dibandingkan nilai resistor output yang diperoleh

dari percobaan ini dengan nilai hasil perhitungan
dengan menggunakan table karakteristik penguat
FET.
Gambar 6 Rangkaian common source dengan resistor
variable pada output

Resistansi Output
6.

Penguat Common Gate

Dilakukan percobaan Faktor Penguat, Resistansi

Input, dan Resistansi Output seperti pada Common
Source, namun dengan konfigurasi rangkaian
dibawah ini.

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

Gambar 7 Penguat Common Gate

4.

HASIL DAN ANALISIS

4.1

KARAKTERISTIK TRANSISTOR FET

KURVA ID DAN VGS

Pada percobaan ini dilakukan pengamatan kurva

karakteristik Id Vgs dari Transistor MOSFET
dengan menggunakan DCA Pro. Pengaturan yang
digunakan yaitu Vgs dari 0 V hingga 10 V dengan
point 11, serta Vds dari 5 V hingga 10 V dengan
trance 6. Berikut data untuk 2 nilai Vds yang
diperoleh :
7.

Penguat Common Drain

Dilakukan percobaan Faktor Penguat, Resistansi

Input, dan Resistansi Output seperti pada Common
Source, namun dengan konfigurasi rangkaian
dibawah ini.
Gambar 8 Penguat Common Drain

Vds=6,00V

Vds=5,00V

Blue
Vgs
-0.00018
1.003183
2.001626
3.001345
3.953308
5.034051

Cyan
Vgs
0.006836
1.000722
2.003722
3.006267
4.036245
4.986293

Id (mA)
0
0.002771
0.109376
1.291482
3.619349
6.647646

Gambar kurva karakteristik

adalah sebagai berikut :

Id (mA)
0.001793
0
0.105628
1.275183
3.544696
7.400402
yang

dihasilkan

Gambar 9 Kurva Id - Vgs

Mengakhiri Percobaan
Selesai praktikum dirapikan semua kabel dan
dimatikan osiloskop, generator sinyal serta dipastikan
juga multimeter analog, multimeter digital
ditinggalkan dalam keadaan mati (selector
menunjukan ke pilihan off).

Dimatikan MCB dimeja praktikum sebelum

meninggalkan ruangan.

Berdasarkan gambar diatas, dapat terlihat bahwa

kurva yang dihasilkan telah sesuai dengan
referensi seperti pada gambar 1. Dari grafik diatas ,
dapat ditentukan besarnya tegangan threshold (VT).
Tegangan threshold yaitu pada saat nilai Vgs
mulai naik (>0), melalui regresi akhirnya diperoleh
besar tegangan threshold yaitu sebesar 1.6 V.

Diperiksa lembar penggunaan meja.

DIpastikan asisten telah menandatangani catatan

percobaan kali ini pada Buku Catatan Laboratorium.

KURVA ID DAN VDS

Setelah diperoleh kurva karakteristik Id Vgs,

selanjutnya dilakukan testing dengan masih
mengggunakan DCA Pro untuk memperoleh
kurva karakteristik Id Vds. Pengaturan yang
diguankan yaitu dengan mengeset Vdd mulai dari
0 V hingga 15 V dengan point 16, serta Vgs mulai
dari 2 V hingga 9 V dengan traces 8. Berikut data
untuk 2 nilai Vds yang diperoleh :

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

Vgs=4,000V

Vgs=5,000V

Green
Vds
0.000911
0.267679
0.601983
1.078829
1.801391
2.733119
3.696656
4.731191
5.640043
6.590639
7.557273
8.489276
9.442969

Lime
Vds
0.001185
0.189572
0.438112
0.651928
0.964904
1.349243
2.378492
2.720542
3.641151
4.572972
5.531859
6.997033
7.391489

Id (mA)
0
1.112179
2.115961
2.903925
3.252428
3.438416
3.490416
3.563441
3.581207
3.539639
3.705091
3.750406
3.825385

Gambar kurva karakteristik

adalah sebagai berikut :

garis kurva inilah yang menjadi Q point atau titik

kerja transistor.
Gambar 11 Kurva karakteristik Id Vds (dengan garis
bantu untuk mencari Q point)

Id (mA)
0
1.21911
2.422246
3.558712
4.594117
5.475809
6.044856
5.645332
6.604615
6.716761
6.400535
6.883841
6.938772
yang

dihasilkan

Gambar 10 Kurva Id Vds

Kemudian dari Q point ini diatarik garis lurus

menuju sumbu Y (Id). Nilai Id yang sejajar dengan
Q point ini menjadi nilai arus Id, yaitu nilainya 3.5
mA dan nilai Vds yang sejajar vertical menjadi
nilai Vds yaitu 5 V . Sedangkan untuk menentukan

besarnya Rd diperoleh dengan rumus : Rd =

6
(* 6 mA adalah nilai Id pada garis bantu, Vdd = 15
V). Sehinga diperoleh Rd = 2.5 k. Kemudian
dengan nilai Id, Vgs, dan Vt yang telah diketahui
selanjutnya
dilakukan
perhitungan
untuk
memperoleh nilai gm (transkonduktansi) dengan
2
rumus : =
sehingga diperoleh gm =

Gambar kurva diatas telah sesuai dengan referensi

seperti pada gambar 2. Kurva diatas memetakan
nilai Id dan Vds untuk masing-masing nilai Vgs
yaitu mulai dari Vgs = 2 V hingga Vgs = 9 V. Dapat
terlihat bahwa semakin besar Id, maka Vgs nya juga
menjadi semakin besar. Pada gambar juga terlihat
bahwa transistor memasuki keadaan saturasi saat
nilai Id untuk setiap Vgs menunjukan nilai yang
konstan. Sebelum mencapai garis yang konstan
horizontal, terlebih dahulu transistor memasuki
daerah trioda yaitu saat kurva garis memiliki
kemiringan. Kemiringan ini disebabkan karena
adanya faktor (modulasi panjang kanal) yang
serupa dengan Effek Early yang ada pada transistor
Bipolar (BJT).

Desain Q point

Selanjutnya dicari Q point dari transistor yaitu

dengan menarik garis bantu mulai dari Vds = 15 V
hingga nilai Id = 6 mA. Dipilih garis dengan nilai
Vgs sebesar 4 V. Perpotongan garis gantu dengan

2.916 mA. Lalu ditentukan nilai gm dari hasil

pengukuran. Caranya yaitu dengan menghitung
kemiringan kurva titik Q point dari nilai Id dan
Vds pada saat Vgs = 4 V (dari data pada table),

yaitu =
= 3.09 mA. Nilai gm yang

diperoleh dari hasil perhitungan telah mendekati

nilai gm yang diperoleh dari hasil pengukuran
sehingga dapat dikatakan bahwa nilai yang
diperoleh tersebut valid.

RANGKAIAN PENGUAT
4.2

RANGKAIAN BIAS

Dengan memastikan transistor berada pada

keadaan saturasi (syarat : Vds > Vgs Vt), maka
transistor dapat digunakan untuk pecobaan
selanjutnya. Dibuat rangkaian bias seperti pada
gambar 3. Lalu dicari nilai Vd, Vs, Rs, Vg, dan Rg
yaitu menggunakan rumus sebagai berikut :
= .
Vd = 15 (3.5)(2.5)
Vd = 6.25 V
Vs = Vd - Vds
Vs = 1.25 V

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

B. RESISTANSI INPUT
Rs = Vs/Id

Pada amplifier dengan konfigurasi Common

Source ini diperoleh nilai resisansi input yaitu
sebesar 130 k. Berdasarkan teori nilai ini
seharunya mendekati nilai Rg yaitu sebesar 227.5
k.

Rs = 357.14
Vg = Vgs +Vs

C. RESISTANSI OUTPUT

Vg = 5.25 V

Pada amplifier dengan konfigurasi Common

Source diperoleh nilai resistansi output sebesar 5.5
k.

Rg2 = Vg.(1M)/Vdd
Rg2 = 350 k

Nilai yang diperoleh dengan rumus

Rg1 = 650 k

Av = -gm(RD||ro)

Rg = Rg1//Rg2

Av = -(3.09)(2.5 k ||323.6)

Rg = 227.5 k
Untuk nilai ro, diperoleh dengan rumus slope
kurva = 1/ro = gm. Jadi, ro = 1/gm = 323.6

4.3

Av = -0.885 V/V
Rin = Rg = 227.5 k
Rout = (RD||ro) = 286.51

PENGUAT COMMON SOURCE

A. FAKTOR PENGUAT

Dilakukan percobaan amplifier dengan konfigurasi

Common Source dengan rangkaian seperti pada
gambar 4. Rangkaian dengan konfigurasi Common
Source ini mengambil input dari Gate transistor
sedangkan output diambil dari Drain. Berikut
adalah hasil sinyal input dan output yang
diperoleh :
Gambar 12 Sinyal input-output Common Source

Berdasarkan gambar diatas dapat diamati bahwa

besarnya penguatan tegangan yang dihasilkan
yaitu sebesar (-110 mV)/(0.1 V) = -1.1 V/V. Tanda
negative menunjukan bahwa antara tegangan
input dan output terdapat perbedaan fasa sebesar
180 0. Hal tersebut telah sesuai dengan referensi
yang menyatakan bahwa penguatan yang
dihasilkan dari rangkaian common source adalah
bernilai negative atau antara tegangan input dan
outputnya terdapat beda fasa sebesar 180 0. Untuk
nilai tegangan Vi saat tegangan outputnya mulai
terdistorsi adalah sebesar 0.5mVpp.

Nilai penguatan tegangan apabila dibandingkan

antara hasil perhitungan dengan hasil pengukuran,
nilainya tidak terlalu berbeda yaitu antara -0.88
dengan -1.1 . Tetapi untuk nilai resistansi input
dan resistansi output antara hasil pengukuran dan
hasil perhitungan menunjukan nilai yang berbeda.
Hal ini kemungkin disebabkan karena adanya
pengaruh respon frekuensi pada kapasitor dari
konfigurasi rangkaian. Dimana untuk perhitungan
yang menggunakan rumus, mengasumsikan
besarnya nilai kapasitansi yang digunakan adalah
sangat besar atau menuju nilai tak hingga yang
berfungsi untuk mencegah masuknya sinyal DC
serta meloloskan sinyal AC. Namun pada
percobaan, digukan nilai kapasitansi sebesar 100
F yang jauh dari nilai yang diasumsikan (yaitu
tak hingga). Namun secara garis besar dapat
disimpulkan bahwa penguatan dengan konfigurasi
common source menghasilkan nilai resistansi input
yang sangat besar dan resistansi output yang
cukup besar.

4.4

PENGUAT COMMON GATE

A. FAKTOR PENGUAT

Dilakukan percobaan amplifier dengan konfigurasi

Common Gate dengan rangkaian seperti pada
gambar 5. Rangkaian dengan konfigurasi Common
Gate ini mengambil input dari source transistor
sedangkan output diambil dari Drain. Berikut
adalah hasil sinyal input dan output yang
diperoleh :

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

Gambar 13 Sinyal input output Common Gate

Berikut adalah gambar sinyal input dan output

yang dihasilkan :
Gambar 14 Sinyal input-output Common Drain

Berdasarkan gambar diatas teramati bahwa

penguatan tegangan yang dihasilkan adalah
sebesar : 100mV/80 mV = 1.25 V/V. Besarnya
pengutan sinyal adalah bernilai positif, hal ini
telah sesuai referensi yang menyatakan bahwa
penguatan tegangan pada common gate bernilai
positif yang berarti perbedaan fasa antara input
dan output adalah 00. Nilai penguatan tegangan ini
apabila dibandingkan dengan nilai penguatan
hasil perhitungan (0.88 V/V) yaitu nilainya masih
mendekati atau tidak terlalu jauh. Sehingga data
yang dihasilkan dapat dikatakan cukup valid.
Besarnya tegangan input saat sinyal outputnya
mulai terdistorsi adalah 5 Vpp.

B. RESISTANSI INPUT
Pada penguatan transistor FET dengna konfigurasi
Common gate diperoleh nilai resistansi input
sebesar 400 . Berdarsarkan rumus yang terdapat
pada karakteristik transistor FET (bernilai 323.6 ),
nilai resistansi input ini tidak jauh berbeda yaitu
masih dalam orde ratusan ohm dan nilainya cukup
berdekatan. Sehingga dapat disimpulkan bahwa
resistansi input yang dimiliki Amplifier dengan
konfigurasi Common Gate memiliki resistansi
input yang cukup kecil atau masih dalam orde
ratusan ohm).

C. RESISTANSI OUTPUT
Pada amplifier dengan konfigurasi Common Gate
diperoleh nilai resistansi output sebesar 300 .
Nilai ini juga tidak jauh berbeda dengan nilai
resistansi output yang diperoleh dari hasil
perhitugan yaitu 286.51 . Dari kedua nilai ini ,
dapat disimpulkan bahwa resistansi output untuk
penguat transistor dengan konfigurasi Common
Gate memiliki nilai resistansi output yang cukup
kecil (masih dalam orde ratusan ohm).

4.5

PENGUAT COMMON DRAIN

A. FAKTOR PENGUAT

Dibuat rangkaian penguatan MOSFET dengan

konfigurasi Common Drain. Pada konfigurasi ini,
input diambil dari Gate transistor sedangkan
output diamati/diambil dari source transistor.

Berdasarkan gambar diatas dapat diamati bahwa

besarnya penguatan tegangan yang dihasilkan
yaitu sebesar : 70 mV/0.1 V = 0.7 V/V. Nilai
penguatan ini adalah positif sesuai dengan
referensi yang berarti bahwa antara input dan
outputnya tidak terdapat perbedaan fasa. Untuk
besar penguatan apabila dibandingkan dengan
hasil perhitungan (0.99 V/V) yakni nilai hasil
pengukuran ini telah sesuai atau mendekati
dengan nilai hasil perhitungan dimana nilai hasil
perhitungan yaitu penguatan untuk konfigurasi
adalah mendekati 1 V/V. Sehingga konfigurasi
common drain ini ccocok dgunakan sebagai
penguat buffer atau dapat diguankan pada tahap
akhit rangkaian pernguat bertingkat. Besarnya
tegangan input saat outpunya mulai terdistorsi
adalah 1 Vpp.

B. RESISTANSI INPUT
Penguatan transistor dengan konfigurasi Common
Drain menghasilkan nilai resistansi input yaitu
sebesar 130 k. Nilai yang diperoleh dari hasil
pengukursan (1 M) sedikit berbeda dengan hasil
perhitungan, hal ini kemungkinan disebabkan
karena respon frekuensi pada kapasitor dan
kemungkinan pengaruh resistansi incremental
pada transistor yang tidak diperhitungkan. Namun
dapat diambil kesimpulan bahwa resistansi input
pada penguatan Common drain bernilai sangat
besar (dalam orde ratusan kilo ohm).

C. RESISTANSI OUTPUT
Berdasarkan percobaan amplifier transistor dengan
konfigurasi Common Drain diperoleh nilai
resistansi output sebesar 930 . Sehingga dapat
disimpulkan bahwa resistansi output pada
penguatan dengan konfigurasi common drain
bernilai cukup besar (dalam orde ratusan ohm).

5.

KESIMPULAN

Dari percobaan didapatkan kesimpulan :

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

Kurva Id Vgs menunjukan bahwa

transistor MOSFET mulai berfungsi pada
saat nilai tegangan gate dan source pada
nilai
tertentu.
Nilai
tegangan
ini
dinamakan tegangan Threshold (VT) . Nilai
tegangan threshold yang didapatkan pada
praktikum ini yaitu sebesar 1.6 V. Nilai
tegangan threshold sendiri dapat bernilai
negatif (MOSFET tipe depletion) atau pun
positif (MOSFET tipe enhancement).

Kurva Id Vds menunjukan daerah kerja

transoistor yaitu pertama daerah saturasi
(daereah kerja transistor yang digunakan
sebagai pernguat) saat kurva bernilai tetap
(konsisten) terhadap perubahan Vds ,
daerah triode yaitu saat hubungan Id dan
Vds berbanding lurus (linear), dan
terakhir daerah cut off yaitu saat transistor
tidak aktif.

Penguatan dengan konfigurasi Common

Source memiliki karakteristik sinyal input
outputnya bersifat inverting (berbeda fasa
1800), memiliki penguatan tegangan yang
kecil dan bernilai negatif, memiliki high
input impedance (Resistansi input besar)
dan
moderate
output
impedance
(Resistansi output sedang).

Penguatan dengan konfigurasi Common

Gate memiliki karakteristik sinyal input
output tidak besifat inverting (berbedafasa
00, memiliki penguatan tegangan yang
kecil, memiliki resistansi input yang kecil
(low voltage impedance) dan memiliki
resistansi output yang cukup besar (high
output impedance).

Penguatan dengan konfigurasi Common

Drain memiliki karakteristik sinyal input
output tidak bersifat inverting (berbeda
fasa 00), memiliki penguatan tegangan
yang mendekati 1 (low voltage gain)
sehingga
dapat
digunakan
sebagai
penguat buffer, memiliki resistansi input
yang besar (high input impedance) dan
memiliki resistansi output yang sedang
(moderate output impedance).

[3]. http://id.wikipedia.org/wiki/Transistor_efek%
E2%80%93medan, 1 April 2015, 4.22 PM

DAFTAR PUSTAKA
[1]. Mervin T Hutabarat, Praktikum Rangkaian
Elektrik, Laboratorium Dasar Teknik Elektro
ITB,Bandung, 2014.
[2]. Adel S. Sedra and Kennet C. Smith,
Microelectronic Circuits, Oxford University Press,
USA, 2004.

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

1
0