Consultar las caractersticas tcnicas ms importantes de los

transistores 2N3904, 2N2222 y 2N3906.

Transistor 2N3904
Smb
olo
VCB
VCE
VEB
IC
PT
TJ
hFE

Parmetro
Voltaje colector-base
Voltaje colector-emisor
Voltaje emisor-base
Corriente del colector
Potencia total disipada
Temperatura mxima de
funcionamiento
Ganancia de corriente
continua

Valo
r
60
40
6
200
625
150

Unid
ad
V
V
V
mA
mW
C

40

Transistor 2N2222
Smb
olo
VCB
VCE
VEB
IC
PT
TJ
hFE

Parmetro
Voltaje colector-base
Voltaje colector-emisor
Voltaje emisor-base
Corriente del colector
Potencia total disipada
Temperatura mxima de
funcionamiento
Ganancia de corriente
continua

Valo
r
60
30
5
800
500

Unid
ad
V
V
V
mA
mW
C

100

Transistor 2N3906
Smb
olo
VCB
VCE
VEB
IC
PT
TJ
hFE

Parmetro
Voltaje colector-base
Voltaje colector-emisor
Voltaje emisor-base
Corriente del colector
Potencia total disipada
Temperatura mxima de
funcionamiento
Ganancia de corriente
continua

Valo
r
-60
-40
-6
-200
625
150

Unid
ad
V
V
V
mA
mW
C

100

Determinar las corrientes del emisor, colector, base y el voltaje

colector emisor de los siguientes circuitos, adicionalmente
comprobar si es que cada uno de los siguientes circuitos se
encuentra en la regin lineal.

Circuito 1
R4

R1

56k

2k

R5
2.2k

R8
470k

Q1

Q2

2N3904

BAT1

BAT2

20V

2N3904

18V

R3

R2

R6

10k

330

1.8k

En primer lugar se procede a calcular el circuito equivalente

RTH =

10 K56 K
10 K +56 K

RTH =8.48[ K ]
V TH =

2010 K
10 K +56 K

RTH =3.03[V ]

Obtenindose el siguiente circuito

Por ley de voltajes de Kirchhof

2.2k

2k

R8

V TH =R TH I B +V BE + R E I E
Q1

RTH

R5

V TH =V B +V BE +V E

R1

I E =( +1) I B

2N3904

8.48k

(2)

BAT1

(1)

470k

Q2
BAT2

2N3904

18V

20V

De (1) y (2)
VTH

R2

3.03V

330

R6

V TH V BE
I B=
RTH +(+1) R E
I B=
I B=55.7 [uA ]
6

I E =( +1 ) I B=( 101 )55.710

I E =5.66[ mA ]
6

I C = I B =10055.710
I C =5.57[mA ]

V CE =V CC V C V E=I C R C I E R E
V CE =20( 5.57103 ) ( 2103 )(5.66103)(330)
V CE =6.99[V ]
Como

V CE 0.7 se encuentra en laregion lineal

Circuito 2

3.030.7
8.48 k +(100+1)330

1.8k

R5

2.2k

R8
470k

Q2

904

2N3904

BAT2
18V

R6
1.8k

V CC =I E R C + I B R B +V BE+ I E R E
V CC =( +1)I B RC + I B R B +V BE + I E RE
I B=

V CC V BE
180.7
=
3
RB +( +1)(R C + R E ) 47010 +(101)(2.210 3+1.8103 )

I B=19 .8[uA ]
I E =( +1 ) I B=( 101 )19.8106
I E =2[ mA ]
6

I C = I B =10019.810
I C =1.98[mA ]
V CE =V CC I E R C V E

V CE =18( 2103 ) ( 2.2103 )(2103 )(1.8103)

V CE =10[V ]

Como

V CE 0.7 se encuentra en laregion lineal

Realizar y presentar las simulaciones de cada uno de los circuitos

del literal 4
Circuito 1
R3

R1

56k

2k

mA

+6.06

Q1

+36.1

BAT3

2N3904

+5.87
Volts

20V

BAT2
18V

mA

10k

PARMETR
O

VALOR

IB

36.1[A ]

IC

6.06[m A ]

IE

6.10[m A ]

V CE

5.87[V ]

Circuito 2

+6.10

R4

R2
330

2.2k

R8
470k

mA

+5.87
Volts

BAT2
18V

+2.49

904

R5

Q2

+15.5

2N3904

+7.98
Volts

mA

+2.50

2
R6
1.8k

PARMETR
O

VALOR

IB

15.5[A ]

IC

2.49[m A]

IE

2.50[m A ]

V CE

7.98[V ]

BIBLIOGRAFIA
[1] Transistores. [Online]. Disponible en:
http://www.ece.rice.edu/~jdw/data_sheets/2N3904.pdf
http://www.ece.rice.edu/~jdw/data_sheets/2N3906.pdf
http://pdf1.alldatasheet.es/datasheet-pdf/view/15067/PHILIPS/2N2222.html