PRCTICA # 7: TRANSISTORES EN
CONMUTACIN.
Christian Legarda.
clegarda@est.ups.edu.ec
Pedro Pineda.
ppineda@est.ups.edu.ec
Henry Siguenza.
Franco Pinos.
hsiguenza@est.ups.edu.ec fpinosv@est.ups.edu.ec
Electrnica de Potencia I
Sede-Cuenca
I. INTRODUCCIN
El laboratorio de Electrnica Potencia I, es un lugar donde
se comprueba la validez argumentada en las clases expuestas
por parte del profesor sobre el tema a aplicar.
Este aspecto implica, que debemos reconocer tericamente y
analticamente los transistores en conmutacin y sus diferentes
configuraciones, para as proceder al anlisis de los circuitos
con el uso de los dems dispositivos que lo complementan,
para ser utilizados en la prctica, con el fin de llevar a cabo
de la forma ms concreta y correcta posible. Cuyo fin es
dar a conocer los resultados obtenidos tras la comprobacin
de los circuitos planteados, ya que la metodologa utilizada
para el diseo fue mediante los parmetros establecidos en
los objetivos y que fue puesta en marcha con todos los
conocimientos establecidos conforme se lleva la materia.
A. TRANSISTORES DE POTENCIA
Este tipo de dispositivo tiene la caraterstica de poder
controlar tanto su encendido como su apagado, mientras los
que trabajan en conmutacin, son capaces de trabajar en la
zona de saturacin, produciendo por ende una pequea cada
de voltaje en el estado de encendido.
Pero se debe tomar en cuenta que la velocidad de conmutacin es mucho mayor que de los tiristores.
II. OBJETIVOS
A. GENERAL
B. ESPECFICOS
1) Analizar el comportamiento de los transistores de potencia.
2) Calcular todas los factores inmersos en los circuitos.
3) Obtener las ondas de voltaje y corriente.
Table I
D ESCRIPCIN DE M ATERIALES Y H ERRAMIENTAS .
Materiales
IGBT
Resistencia
Bananas
Sonda Diferencial
Sonda de Corriente
Fuente de Voltaje
Osciloscopio Digital
Unidades
3
2
15
1
1
1
1
C. CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN
Rc=330
= 75
V cc = 5v
Corriente de colector
tenc = td + tr
(1)
Ic =
V cc
5
=
= 0.015152A
Rc
330
Corriente de base
Ib = Ic = 0.015152A 75 = 0.202mA
Resistencia de base
tapg = ts + tf
(2)
Rb =
V cc
5
=
= 24.7K
Ib
0.202mA
Vrms(V)
11.0
8.01
Vpp(V)
23.2
10.6
5T
=C
R
5 8.3 103
=C
1000
41.66uF = C
Vdc(V)
2
6.26
R EFERENCES
[1] A. B. Montilla, Electrnica de potencia: aspectos generales y convertidores electrnicos. 2012.
[2] W. R. Ned Moan, Tore Undeland, Electrnica depotencia: convertidores,
aplicaciones y diseo, vol. 3. 2009.
Vrms(V)
8.02
8.02
Vpp(V)
22.7
10.6
Vdc(V)
2
6.25
C. Analisis de datos
En la presente practica de laboratorio se noto claramente el
desfase producido por el tiempo de encendido entre la seal de
ingreso respecto a la seal de salida, como sabemos el tiempo
de encendido,t , es el tiempo que necesita el dispositivo para
conmutar de corte a conduccin. Las aplicaciones en las cuales
se usa el transistor como interruptor, es necesario hacerle, el
paso de un estado a otro y no se realiza de forma instantnea.
VI. CONCLUSIN