Universidad Politcnica Salesiana-Sede Cuenca.

DISIPADORES DE CALOR
Romel Rodrguez, Jefferson Gualn, Luis Aguilar, Elvis Zaruma, Cristhian Jama.
rrodriguezp1@est.ups.edu.ec, jgualana@est.ups.edu.ec, laguilar@est.ups.edu.ec,
ezarumaq@est.ups.edu.ec, cjama@est.ups.edu.ec
Universidad Politcnica Salesiana - Sede Cuenca

Resumen--- Se refiere al uso de capsulas o marcos metlicos o

ventiladores, para eliminar el calor generado en un elemento
del circuito, entonces sabremos cuando tenemos que utilizar un
disipador segn a cuanta temperatura porque cada transistor
tiene su tipo de disipador no se le puede poner as sin saber
cul es el adecuado.

1.2. Modelo de disipador

Abstract --- refers to the use of capsules or metal frames or fans

to remove the heat generated in the circuit element, then we
know when we need to use a heatsink according to how much
temperature because each transistor has its type of sink will not
you can put so without knowing what is the appropriate.
Palabras Claves.disipador de calor, resistencia trmica,
potencia disipada.

I. INTRODUCCIN
El estudio trmico de los dispositivos de potencia es
fundamental para un rendimiento ptimo de los mismos. Esto
es debido a que en todo semiconductor, el flujo de la corriente
elctrica produce una prdida de energa que se transforma en
calor.
El calor produce un incremento de la temperatura del
dispositivo. Si este incremento es excesivo e incontrolado,
inicialmente provocar una reduccin de la vida til del
elemento y en el peor de los casos lo destruir.
En Electrnica de Potencia la REFRIGERACIN juega un
papel muy importante en la optimizacin del funcionamiento y
vida til del semiconductor de potencia.
II. MARCO TERICO
1.

Disipadores

Un disipador es un componente metlico generalmente de

aluminio que se utilizan para evitar que algunos
dispositivos electrnicos como, transistores bipolares,
reguladores, circuitos integrados etc. Se calienten y se
daen.

Figura 1. Disipador trmico en semiconductores. [1]

1.3. Propagacin del calor

Siempre que por un elemento conductor circule una corri- ente
elctrica, se generan una perdidas de potencia que elevan la
temperatura del mismo. (perdidas por efecto Joule).
Cobran especial protagonismo en los elementos semiconductores de potencia. El calor que se produce en el interior del
semiconductor debe ser evacuado rpidamente con el fin de
evitar que la temperatura interna llegue al limite mximo
permitido, limite por encima del cual se destruir el dispositivo.

1.4. Material de disipadores

Pueden ser de:
Aluminio: liviano, barato, buen conductor del calor.

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Figura 2. Lamina de aluminio.

Cobre: peso medio, costoso, excelente conductor del calor.

Figura 4. Esquema de un disipador. [4]

Figura 3. Disipador con material de cobre.

1.5. Analoga de la ley de ohm con la de temperatura.

Donde:

Tj= temperatura de la unin.

Ta=temperatura ambiente.
jc= resistencia trmica, unin capsula.
cs= resistencia trmica, capsula disipador.
SA= resistencia trmica disipador ambiente.

Figura 4. Analoga termina con la ley de ohm

1.6. Frmula para calcular la temperatura.

=
Donde:
Figura 5. Esquema del circuito trmico. [1]

T= temperatura.
W= potencia.
R= resistencia trmica.
Ahora vamos a ver los elementos que tiene un disipador:

Resistencia unin-capsula Rjc

El foco calorfico se genera en la unin del propio cristal
semiconductor de tal forma que el calor debe pasar desde
este punto al exterior del encapsulado, la dificultad que
presenta el dispositivo para evacuar este calor se mide
como resistencia trmica unin contenedor, esta resistencia
depende del tipo de encapsulado y la suministra el fabricante
bien directamente en forma de curva de reduccin de potencia.
[5]

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La temperatura mxima de la unin es el lmite superior de

temperatura a la que no se debe llegar y menos sobrepasar si
queremos evitar la destruccin de la unin. Este dato es un
valor que se suele suministrar, normalmente, en los manuales
de los fabricantes de semiconductores. [5]
Si este valor no se refleja en dichos manuales o, simplemente,
no se encuentra, podremos adoptar unos valores tpicos en
funcin del dispositivo a refrigerar como los mostrados en la
tabla que se expone a continuacin:

Figura 6. Ubicacin de la Rcj en el disipador. [2]

La frmula que se utiliza para hallar esta resistencia es:

=

Tabla 1. Rangos de temperatura para los diferentes dispositivos.

Resistencia capsula-disipador, Rcd:

Es la resistencia trmica entre el semiconductor y el disipador.
La resistencia capsula-disipador est condicionada por el tipo
de capsula y por el tipo de contacto entre la capsula y la aleta
refrigeradora. [5]
Tipos de contacto entre la capsula y la aleta refrigeradora:

Pastas conductoras de calor, que pueden ser o no ser

conductoras de la electricidad.
Lminas aislantes elctricas que se pueden emplear
conjuntamente con siliconas conductoras de calor
como mica.
Tambin las hay conductoras de calor que no precisan
pasta de silicona. [5]

Su frmula es:
=
Entonces primero sacamos la resistencia thevenin de la figura
5:
= + +
La temperatura total la sacamos de la figura 5:
=
Ahora estos dos factores reemplazamos en la ecuacin anterior
de la temperatura:

Figura 7. Ubicacin de la Rcd en el disipador. [2]

Temperatura de la unin (Tj)

= ( + + )
Despejando W que es la potencia disipada:

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+ +

1.7. Clasificacin de los disipadores de potencia.

Si k=0,5. Dispositivo poco caliente. Mximo margen de

seguridad, pero el tamao de la aleta refrigeradora ser mayor.
Si k=0,6. Dimensin menor de la aleta refrigeradora sin que el
dispositivo se caliente demasiado.
k=0,7. Mximo riesgo para el dispositivo, mxima economa
en el tamao de la aleta refrigeradora, exige que la aleta
se site en el exterior. [1]
1.9. Temperatura de encapsulamiento Tc.
Este dato no se suministra, ya que depende del valor
de la potencia que disipa el dispositivo, de la resistencia
del disipador y de la temperatura ambiente. [4]
1.10.

Figura 8. Unin. [1]

Caractersticas de un disipador de calor

Bsicamente son tres: su resistencia trmica, el tamao y el

precio
Obviamente estas caractersticas cambian con el aumento del
flujo de aire, la temperatura ambiente (este cambio es mnimo
porque casi siempre trataremos de que la temperatura ambiente
este dentro de un rango razonable) y dependiendo a la altura a
nivel del mar a la que se encuentre nuestro dispositivo. [4]

Figura 9. Cpsula. [1]

La altura es determinante en la eficiencia del disipador, por que

a mayor altura, es menor es la densidad del aire, entonces hay
menos desplazamiento de masa y por lo tanto menos
intercambio de calor entre el disipador y el medio ambiente. [2]

Figura 10. Ambiente. [1]

Figura 11. Radiador o disipador. [1]

1.8. Temperatura mxima de la unin.

Esta temperatura representa el lmite superior al que no debe
llegar la unin y menos sobrepasarlo si queremos evitar la
destruccin del dispositivo. De tal forma que usaremos un
coeficiente K de seguridad el cual est comprendido entre 5070 %.
Hay q tomar en cuenta las siguientes configuraciones:

Figura 12. Curva de reduccin de potencia. [1]

Este grafico nos indica que si utilizamos un disipador infinito y

la temperatura ambiente es de 25C la potencia que se puede
disipar en este dispositivo en particular es de 115C. A medida
que el disipador va tornndose ms pequeo comienza a
sobrecalentarse con respecto a la temperatura ambiente. [1]

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1.11.
Tablas para seleccionar el transistor de
potencia tanto FET como MOSFET.
Al momento de disear un circuito de potencia, empezamos por
conocer el tipo de amplificacin que vamos a utilizar, otro
aspecto para considerar un disipador la amplificacin es su
potencia calculada a la salida. Entonces debemos empezar con
un rango de caractersticas que tendr nuestro transistor de
potencia en su tabla de especificaciones: estas caractersticas
son principalmente el tipo de cpsula a utilizar, voltajes y
corrientes mximas requeridas. [3]

1.12.

Cundo se debe usar un disipador?

Cuando la potencia que va disipar el dispositivo es igual o

mayor a sta, entonces es preciso utilizar un disipador. Por
supuesto todo depende de la temperatura ambiente mxima que
se puede esperar en la zona donde est instalado el transistor.
[1]
2.

Ejercicios planteados:

Ejercicio 1.
Se utiliza un transistor de potencia de silicio sin disipador
de calor RSA= 1.5C/W El transistor, de 150 W (25C),
tiene RJC=0.5C/W y el aislante de montaje tiene RCS=
0.6C/W Qu potencia mxima se puede disipar si la
temperatura ambiente es de 40C y Tjmax=200c
PD=

PD=

Figura 13. Tabla de valores que se pueden utilizar para un BJT. [3]

++

20040
0.5C/W+1.5C/W+0.6C/W

PD=61.5W

Ejercicio 2.
Se necesita calcular el disipador que debe colocarse a un
transistor 2N3055 que trabajar disipando una potencia de
30W. Considerar la temperatura ambiente de trabajo de
40oC.
De la hoja de datos del 2N3055 se sabe que Rjc es de 1,5o
C/W. Adems, su temperatura mxima de la unin
(juntura), TJ es 200oC. Por seguridad se reduce este valor
a 150oC (sin considerar el dato del fabricante). Como la
unin con el disipador es directa con silicona termo
conductora se supone una Rcd 1oC/W.
Figura 14. Tabla de valores para un BJT. [3]

Figura 15. Tabla de valores para un MOSFET. [3]

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Pd = 25W
Tj = 100C
Ta = 25C
Rjc = 1, 52C/W
Rcd = 0, 12C/W

Aplicando la siguiente formula tenemos:

=

( + )

100 25
(1.52 + 0,12 )
25
= . /

Ejemplo 4.
Figura 16. Tabla de especificaciones.

Determine qu disipacin mxima se permitir para un

transistor de silicio de 80 W (valuado a 25C) si se requiere que
se reduzca la capacidad de disipacin de potencia sobre 25C
por un factor de reduccin de 0.5 W/C a una temperatura de la
cpsula de 125C.
(125) =
(25) (125 25) ( 0,5 )
(125) = 80 (100) ( 0,5 )
(125) = 30
III. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

Figura 17. Tabla de especificaciones.

Solucin:

( + )

150 40
=
(1,5 + 1)
30
150 40
=
(1,5 + 1)
30
= 1,2C/W

Por lo tanto, el disipador que se coloque al transistor deber

tener una Resistencia trmica mxima 1,2oC/W. Le
eleccin del modelo concreto se hara viendo en los
catlogos.

Los dispositivos electrnicos semiconductores

generan calor por el efecto de Joule, si esta
temperatura sobrepasa a la aceptable por el elemento,
se daa, si no se controla adecuadamente el exceso de
calor.
Para colocar un disipador de calor es necesario saber
si en realidad el elemento lo necesita, por esto se debe
tener en cuenta que si la potencia que disipara nuestro
elemento es mayor a la temperatura de la juntura del
mismo, en caso contrario nos es necesario un disipador
de calor.
No se deben sobrepasar los niveles de temperatura
especificados en los catlogos de los disipadores de
calor.
IV. REFERENCIAS

Ejercicio 3.

[1]
[2]

Hallar el coeficiente trmico entre el disipador y el aire

Rda. Si el dispositivo de nuestro ejemplo debe disipar
25W, es importante destacar que este es un contenedor TO3 cuyo contacto es directo ms pasta de silicona, los datos
que hemos obtenido son:

[3]
[4]

http://electronicacompleta.com/lecciones/disipadores/
https://nomadaselectronicos.wordpress.com/2012/12/08/disipadores-decalor-tutorial/
Hart Daniel W: Electrnica de Potencia, circuitos, Dispositivos y
Aplicaciones. E.d Prentice Hall Hispanoamericana S>A> Mxico 1995
Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky, Electrnica: Teora de circuitos
y dispositivos electrnicos

[5]
http://www.profesormolina.com.ar/electronica/componentes/disip/disip.
htm