Introduo

Este presente trabalho trata-se de uma pesquisa exploratria sobre o Microscpio

Eletrnico de Varredura (MEV), tendo como objetivo principal proporcionar uma viso geral
sobre o equipamento com base num levantamento bibliogrfico. Sero apresentados os
diversos componentes que formam o MEV e alm de seus princpios bsicos de
funcionamento.
O primeiro trabalho conhecido que descreve a microscopia eletrnica de varredura foi
de autoria de M. Knoll em 1935 um dos pioneiros no campo de tica eletrnica. Em 1938, M.
von Ardenne construiu o primeiro microscpio eletrnico de transmisso de varredura
adaptando bobinas de varredura ao microscpio eletrnico de transmisso.
O MEV um instrumento bastante verstil e operacionalmente simples, hoje
integralmente operada via computador, com uma relao de custo/benefcio relativamente
inferior outros equipamentos. Utilizado normalmente para anlises microestruturais de
materiais slidos, fornecendo informaes para caracterizar propriedades da amostra, tais
como composio, superfcie, topogrfica, cristalogrfica, e etc. Existindo aplicaes em
diversos campos do conhecimento, mais particularmente na engenharia e cincias dos
materiais, engenharia metalrgica e de minas, geocincias e cincias biolgicas, fsica e
qumica, dentre outros. Atualmente, com o desenvolvimento de novos materiais
imprescindvel a utilizao do MEV para as observaes microestruturais.
Um dos principais motivos de sua utilizao a alta resoluo de suas imagens em
comparao ao Microscpio tico, com valores na casa de 2 a 5 nanmetros e com
instrumentos modernos chegando at 1 nanmetro, enquanto que no tico de 0,5
micrometro. Outra caracterstica importante que pode ser observada no MEV a capacidade
de sua imagem apresentar uma aparncia tridimensional, com uma elevada profundidade de
foco. A possibilidade do MEV de combinar anlises microestrutural com a microanlise
qumica so outros fatores que levam a alta demanda por esse tipo equipamento. A observao
e anlise de fratura apresentou um grande avano com o uso do MEV.
Em contrapartida a complexidade dos seus mecanismos para se obter a imagem, o
resultado de muito fcil interpretao.

Princpio de funcionamento do Microscpio Eletrnico de Varredura

(MEV)
O princpio de funcionamento de um microscpio eletrnico de varredura (MEV)
consiste na utilizao de um feixe de eltrons de dimetro reduzido a fim de realizar a
explorao da superfcie da amostra, ponto a ponto, por linhas sucessivas transmitindo o sinal
do detector atravs de uma tela catdica cuja varredura est perfeitamente sincronizada com o
feixe incidente. Atravs de um sistema de bobinas de deflexo, o feixe ser guiado de modo
propcio a varrer toda a superfcie da amostra.
O sinal de imagem resultante da interao do feixe incidente com a superfcie da
amostra, o sinal que recolhido pelo detector utilizado para modular o brilho do monitor,
possibilitando assim a observao, a fonte de eltrons mais comum usada nos instrumentos
um filamento de tungstnio (W) aquecido, operando numa faixa de tenso de acelerao de
um a cinquenta kv, logo ocorre a acelerao do feixe pela alta tenso criada entre o filamento
e o nodo, em seguida, ele focalizado sobre a amostra por uma srie de trs lentes
eletromagnticas com um spot menor que quatro nm, quando o feixe interage com a
amostra produzido eltrons e ftons que podem ser coletados por detectores adequados e
convertidos em um sinal de vdeo usados principalmente para efetuar anlises fsico-qumicas.
Para se identificar a imagem, as partculas e/ou os raios eletromagnticos resultantes
da interao do feixe eletrnico com a amostra devem retornar a superfcie da amostra e assim
atingirem o detector. A profundidade mxima de deteco, a resoluo espacial, depende da
energia com que estas partculas ou raios atingem o detector. Os eltrons retroespalhados
possuem maior energia do que os eltrons secundrios, logo o detector de eltrons
retroespalhados ir trabalhar na faixa de energia maior e o de eltrons secundrios na faixa
menor.
Os eltrons secundrios no microscpio eletrnico de varredura (MEV) so
resultados da interao do feixe eletrnico com o material da amostra, so de baixa energia e
resultaro imagens de alta resoluo. Nos MEVs comerciais somente os eltrons secundrios
produzidos prximos superfcie podem ser detectados.
Os eltrons retroespalhados possuem energia que variam entre cinquenta eV at o
valor da energia do eltron primrio. Se sua energia for prxima a do eltron primrio, ele
sofrer espalhamento elstico, logo os eltrons identificados provm de camadas mais
2

superficiais da amostra. A imagem gerada por esses eltrons fornece diferentes informaes,
alm de uma imagem topogrfica tambm obtida uma imagem de composio.
Quando materiais isolantes ou semicondutores so bombardeados pelo feixe de
eltrons, ftons de grande comprimento de onda (ultravioleta e visvel) so emitidos,
ocorrendo a catodo luminescncia. O espectro resultante vai variar do material estudado e do
seu grau de pureza. Alguns materiais chegam a apresentar fluorescncia na faixa de luz visvel
sob o bombardeio de eltrons.

Componentes do Microscpio Eletrnico de Varredura (MEV)

O microscpio eletrnico de varredura apresenta, em maneira geral, uma coluna
ptico-eletrnica adaptada a uma cmara com porta amostra aterrado, sistema eletrnico,
detectores e sistema de vcuo.
A parte ptico-eletrnica do MEV possibilita produo de um pequeno feixe de
eltrons de alta intensidade, esse feixe ir explorar a superfcie da amostra, iluminando reas
de aproximadamente dez nm.
A cmara de amostra um compartimento aonde so inseridas as amostras, a presso
dentro da cmara de, aproximadamente, dez elevado a menos seis Torr, a parte externa da
cmara apresenta botes para ajustes manuais, permitindo variar o deslocamento da amostra.
Os detectores trabalham coletando o sinal emitido pelos diferentes tipos de interaes
entre o feixe primrio e a amostra, seus resultados so transmitidos a uma tela de visualizao
e um sistema de gravao de imagens.
Os elementos pticos, diafragma e lentes eletrostticas ou magnticas so
responsveis pela correo das aberraes das aberturas ou cromticas, e o sistema de
varredura, bobinas defletoras, comanda o ponto de impacto dos eltrons sobre a amostra.
O sistema de vcuo utilizado para possibilitar o alcance do vcuo apropriado para
as anlises na cmara do MEV, utilizando um conjunto de bombas, operando com uma bomba
mecnica para o vcuo primrio e outra para o vcuo secundrio.

Resoluo de Imagens
Quando se diz a resoluo de imagens em MEV, existem trs fatores essenciais na
obteno desta, nos quais so; tenso de acelerao dos eltrons, corrente da sonda, na qual
3

quanto maior a corrente, maior ser o dimetro do feixe e a distancia de trabalho, na qual a
distancia entre a lente objetiva com a amostra. Quando menor a distncia de trabalho se
obtm uma resoluo melhor, e a maior distncia consegue-se a profundidade de campo
obtida tambm maior. A resoluo a ser obtido com o MEV, alm dos fatores citados acima, o
tamanho da zona da qual ir sair o sinal tambm ser necessrio para formar a imagem, ou
seja, a resoluo definida pelo dimetro sobre o qual vai ser o sinal, que podem ser, por
exemplo: SE (eltrons secundrios) e BSE (eltrons retroespalhados).
As imagens obtidas com o MEV possui carter virtual, pois visualizado no monitor
devido transcodificao da energia emitida pelos eltrons.

Figura 1 - Estes gros de plen tomados em um MEV mostram a caracterstica de profundidade de campo das
micrografias de MEV.

Preparao de Amostras
Para que o MEV tenha um bom resultado, primeiro passo a ser feito uma
preparao da amostra bem feita, e para isso acontecer, existem alguns mtodos j definidos
de amostragem.
As amostras devem ser coletadas, selecionadas e ser limpas sem alterar as
caractersticas essenciais da amostra em si, para que no existam resultados equivocados.
Devem ser estabilizadas e desidratadas. Com isso a amostra j pode ser transferida at a
cmara do equipamento de secagem ao ponto critico. Posteriormente substitudos por gs
carbnico liquefeito, na cmara do aparelho de ponto crtico. O CO 2 lquido lentamente
aquecido, e passa imperceptivelmente da fase lquida para a gasosa; a expanso deste gs
4

dentro da cmara faz a presso subir, at acima da presso crtica do CO2 (73 atm). Mantendose a temperatura da cmara acima de 3l C (temperatura crtica do CO2) no h risco de
liquefao do gs. Nesta transio de fase gradual, a densidade da fase lquida iguala aquela
da fase gasosa. Portanto, a tenso superficial zero e a amostra seca sem a ultrapassagem de
nenhum limite de fases, isto , sem o efeito das foras atuantes de tenso superficial. Estes
passos citados so essenciais para que a leitura da amostra seja adequada.

Consideraes Finais
A microscopia eletrnica de varredura possui caractersticas que apresentam
bastantes aplicaes nos dias de hoje, como por exemplo nos campos das cincias e
engenharia. O equipamento tem um custo baixo em relao aos componentes que ele
apresenta, como detector de microanlise por EDS, simplicidade operacional dos sistemas
digitais em ambiente Windows e integrao com sistema de anlise de imagens, o que o faz
ser bastante utilizado.
Podemos chegar concluso de que a microscopia eletrnica de varredura tem uma
grande importncia pois, por exemplo, consegue caracterizar propriedades de uma amostra,
tais como superfcie topogrfica, composio, cristalografia entre outros, garantindo uma boa
visualizao dessas propriedades da amostra devido alta capacidade de criar imagens
tridimensionais, alm disso fornece uma base para anlise mais completa.