Instituto Tecnolo
Superiores de Monterrey
gicos
Automatismos Lo
Dr. Federico Guedea Elizalde
Tarea # 1 : Investigaci
on sobre el
Transistor
Autor:
Matrcula:
A01673574
Augusto Leudo Angel
Tabla de Contenidos
1 Desarrollo
1.1 Punto 1
1.2 Punto 2
1.3 Punto 3
1.4 Punto 4
1.5 Punto 5
1.6 Punto 6
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2 Referencias
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2
2
4
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5
6
7
1
1.1
Desarrollo
Punto 1
1.2
Punto 2
Los transistores que conocemos en su mayora estan fabricados a partir de dos semiconductores, el silicio que es el segundo elemento mas abundante de la corteza terrestre y el germanio material cuyas aplicaciones son m`as especializadas debido a su
relativa difcil obtencion y produccion.
1.3
Figure 3: Germanio
Punto 3
Para el caso de los transistores BJT comunes los voltajes de operacion o de funcionamiento estan relacionados con el potencial de barrera de cada uno, para los
transistores a base de silicio este potencial esta cerca de los 0.7 Vdc y para los
transistores a base de germanio este potencial se reduce a los 0.3 Vdc.
En el caso de los leds este voltaje de operacion aumenta y esto se debe principalmente
al tipo de color que estos emitan los voltajes de funcionamiento van desde 1,8 Vdc
hasta los 4,2 Vdc. Es importante anotar que aunque estos voltajes de operacion
aumentan esto no significa necesariamente que tengan mayor capacidad de disipacion
de potencia.
Augusto Leudo Angel
1.4
Punto 4
Existen basicamente 2 tipos transistores de dos junturas (BJT), los NPN caracterizados porque el emisor se encuentra altamente impurificado (Material tipo N) lo
que hace que estas impurezas sobrecarguen el silicio de electrones libres que pasan
a traves de la base que esta parcialmente impurificada (Material tipo P) hacia el
colector tambien hecho de material tipo N. Como se muestra:
1.5
Punto 5
1.6
Punto 6
Referencias
Diodo LED. (s.f.). Obtenido de Electronica Unicom: http : //unicrom.com/diodo
led/