>TECNICAS DE MECANISMOS DE TRANSDUCCION.

EZRA GREGORY GUTIERREZ ANGUIANO 1212040006 <

TECNICAS DE MECANISMOS DE
TRADUSCCION (NOVIEMBRE 2015)
Primero Ricardo Cisneros T, Profesor, UPVM , Segundo Ezra G Gutierrez A, Alumno, UPVM

ResumenExisten varios mecanismos de transduccion en los

sistemas biologicos pero para ello se han desarrollados diferetes
tecnicas que sirven como mecanismos de transduccion . Existen
varios ejemplos de micromaquinas como transducctores
mecanicos siendo estos de gran importancia en aspectos sensible
siguiendo
los
effectos
fisicos
de
piezoresistividad,
piezoelectricidad, captancia de variables, opticos y tecnicas de
resonancia.Algunos
de
los
metodos
actuales
serian
piezoelectricos, termal y magneticos.
Terminos o palabras clave Transduccion, resistivdad ,
captancia, resonancia, tension, piezo, modulo de young , nano
metro, ondas acusticas, frecuencia, polarizacion, foil, fases,
frecuencia.Paginas
para
consulta
keywords@ieee.org
http://www.ieee.org/organizations/pubs/ani_prod/keywrd98.txt

la Resistencia del cobre y el Fierro en cable incrementaba con

la tension.EL tambien observe que el Fierro en cable
mostraba un largo cambio en su Resistencia que el cobre.La
primera aplicacion de los efectos de piezoresistividad no
aparecio hasta los 30 (1930), algunos aos 75 despues Lord
Kelvins los descubrio.En logar de utilizer cables de metal ,
estos llamados medidores de deformacion son generlamente
hechos con una lamina de aluminio delgadaque pueda ser
colocada sobre una supeerficie. Un tipico metal de foil
(aluminio delgado) se puede representar con la siguiente
figura 1.1

I. INTRODUCCION
Ay varios ejemplos de micromaquinas traductores
mecanicos y el proposito de este articulo es presenter
algunos de los fundamentos, conceptos y tecnicas que son
usadas en el diseo de maquinas microsensores y
actuadores.Los mas importantes mecanismos como sensores
incluyendo los siguientes effectos: piezoresistividad,
piezoelectrico, capacitancia de variables, opticos, y tecnicas de
resonancia.De igual manera tambien exiten sensores
inteligentes llamados asi por su comportamiento ante
especificosefectos.
.

II. PIEZORESISTIVIDAD
Piezo signicando presion por lo tanto piezoresistividad es
un efecto exhibido por varios materiales que exiben un cambio
de resistividad cuando se le aplica una presion.Los efectos
fueron descubiertos por Lord Kelvin in 1856, quien noto que
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including sponsor and financial support acknowledgment. For example, This
work was supported in part by the U.S. Department of Commerce under Grant
BS123456.
The next few paragraphs should contain the authors current affiliations,
including current address and e-mail. For example, F. A. Author is with the
National Institute of Standards and Technology, Boulder, CO 80305 USA (email: author@ boulder.nist.gov).
S. B. Author, Jr., was with Rice University, Houston, TX 77005 USA. He
is now with the Department of Physics, Colorado State University, Fort
Collins, CO 80523 USA (e-mail: author@lamar.colostate.edu).
T. C. Author is with the Electrical Engineering Department, University of
Colorado, Boulder, CO 80309 USA, on leave from the National Research
Institute for Metals, Tsukuba, Japan (e-mail: author@nrim.go.jp).

(1)

La sensibilidad del medidor de tensin se denomina

generalmente el factor de caliber. Esta dada por una cantidad
bidimensional y esta dad por

(2)
Donde R es la Resistencia inicial y la diferencia de R es el
cambio de Resistencia. Los terminus de L y su diferencial
estan definidos por la tensin aplicada denotada como e
(dimensin menos). Para todos los materiales elsticos, existe
una relacin entre el strees O (N/m2) y la tension e: es decir,
que obedecen la ley Hooke y por lo tanto deformar
linealmente con la fuerza aplicada. la constante de

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proporcionalidad en el mdulo elstico o modulo de young de
los materiales y esta dada por

(3)
Cuando un material elastic es sometido a una fuerza a lo largo
de su eje, tambin se deformar a lo largo de los ejes
ortogonales. Por ejemplo, si un bloque rectangular de un
material es estirado a lo largo su longuitud , anchura y espesor
disminuyen.En otras palabras, una deformacion por traccion a
lo largo de la longuitud dara lugar a la tension de compression
en las direcciones ortogonales.Tipicamente, los ejes y
tensiones tranversales seran diferentes y la proporcion entre
los dos es conocido como la razon poisson, (v), los efectos de
la rzon poisson se representan con la siguiente figura 4

Fig. 4. La ilustracion de la razon poisson sobre un rectangulo, isotropico ,

como bloque elastic. Una deformacion por traccion resulta en la deofrmacion
entre dos ejes ortogonales

lugar un aumento o disminucion de cualquier corriente que

pasa atraves del dispositivo que se utiliza para medir la
tencion relacionada, estos dispositivos son comun mente
utilizados para medir la fuerza que inducen al estres tales
como la aceleracion y la presion.
A. Areas de Aplicacion
Los sensores piezorresistivo se ulitizan en una amplia
variedad de aplicaciones que implican la medicion de tension
mecanica. La industria del automovili los emplea como
sensores de presion y gas.Tambien se utilizan en el campo de
la medicina en dispositivos tales como equipos de medicion de
la presion arterial.L
B. Silicio monocristalino
Los sensores de presion de silicio monocristalino han
entrado en uso amplio en los ultimos aos. Aunque fabricados
con tecnologia de semicondutores, tambien operan sobre el
principio resistive.El cambio de resitencia en un
semiconductor monocristalino (un efecto piezoelectrio) es
sustancialmente mayor que la variacion en los medidores de
deformacion estandar, cuya Resistencia esta influenciada por
un cambio ( decompression o estiramiento de la red cristalina)
que puede ser prodcido por una muy pequea deformacion
mecanica.Como resultado , la sensibilidad de los sensores
monocristalinos es mayor que la de la mayoria de los otros
tipos. Las ventajas especificas son :
- Alta sensibilidad ,> 10 mv /v
- Buena linealidad a temperature constante
- Capacidad para realizer un seguimiento de los cambios
de presion sin hysteresis de la seal. Hasta el limite
destructive
Las desventajas son:
- Fuerte dependencia no lineal de la seal a plena escala
de la temperature (hasta el 1% /kelvin)
- Gran desviacion inicial (hasta el 100% de la escala
complete o mas)
- Fuerte derivada de desplazamiento con la temperature.

III. PIEZOELECTRICIDAD

Para no entrar en tanta controversia un sensor piezo resistive

es un dispositivo que hace uso de cambios en la resistividad de
ciertos materiales semiconductors cuando estos se someten a
una tension mecanica para efectuar una accion
electronica.Este fenomeno se basa en que estos materiales
tienden a sufrir cambios en sus caracteristicas de Resistencia
cuando se flezionan o estan en estrees bajo alguna presion.
Cuando ciertos materiales semiconductores estan expuestos a
esfuerzos mecanicos, su resistividad, o la capacidad basica
para oponerse a la corriente electrica cambia.Este cambio en
las carcteristicas materiales de Resistencia cambia .Esto da a

Ciertas clase de cirstales exhiben la propiedad de producir

una carga elctrica cuando se somete a una fuerza mecanica.
Estos tambien se deforman en respuesta puesta a un campo
elctrico aplicado externamente

La propiedad de la piezoelectricidad fue observada por

primera vez por Pierre y Jacques Curie en 1881 estudiando la
compresin del cuarzo. Al someterlo a la accin mecnica de
la compresin, las cargas de la materia se separan y esto da
lugar a una polarizacin de la carga. Esta polarizacin es la
causante de que salten las chispas.
Para que la materia presente la propiedad de la
piezoelectricidad debe cristalizar en sistemas que no tengan

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centro de simetra (que posean disimetra) y por lo tanto que
tengan un eje polar. De las 32 clases cristalinas, 21 no tienen
centro de simetra. Todas estas clases menos una tienen la
propiedad piezoelctrica en mayor o menor medida.
Los gases, los lquidos y los slidos con simetra no poseen
piezoelectricidad.
Si se ejerce una presin en los extremos del eje polar, se
produce polarizacin: un flujo de electrones va hacia un
extremo y produce en l una carga negativa, mientras que en
el extremo opuesto se induce una carga positiva.
El alto voltaje obtenido, que es necesarion para que salte la
chispa, es mayor si se utilizan lminas de cristal estrechas y de
gran superficie. Las lminas estrechas se cortan de manera que
el eje polar cruce perpendicularmente a dichas caras.
La corriente generada es proporcional al rea de la placa y a
la rapidez de la variacin de la presin aplicada
perpendicularmente a la superficie de la placa (dF/ dt es la
rapidez del clic-clac).
Otra aplicacin importante de la piezoelectricidad es la que
resulta por cumplirse la propiedad inversa:
Si sometemos la placa de material piezoelctrico a una
tensin variable, se comprime y se relaja oscilando a los
impulsos de una seal elctrica.
Si esta placa est en contacto con un fluido le transmite sus
vibraciones y produce ultrasonidos.
La primera aplicacin prctica de la piezoelectricidad, que
surge de la cualidad de transformar una seal mecnica (la
presin) en una seal elctrica (corriente elctrica ), es la del
sonar

IV. TECNICAS CAPACITIVAS

Los sensores capacitivos se utilizan en mquinas, instalaciones
y vehculos para el control de nivel de lquidos, pastas y
productos a granel. Estos materiales, pueden detectarse a
travs de paredes no metlicas. Adems, los sensores
capacitivos son adecuados como finales de carrera, sensores
de posicin sin contacto, para monitorizacin y
posicionamiento, as como generadores de impulsos de
contaje, medida de distancia y velocidad, y mucho ms
A. Principio de funcionamiento
Los electrodos de la cara de deteccin del dispositivo permiten
detectar las condiciones dielctricas en su entorno ms
cercano. Dependiendo de la distancia entre el objeto (o
material) a detectar y el sensor capacitivo, cambia la
capacitancia en la zona de medida. La capacitancia no slo
depende de la distancia mencionada, sino tambin de la
constante dielctrica (er) del objeto, as como de su forma. A
medida que el sensor se acerca al objetivo, la capacitancia
aumenta. Cuando se alcanza un valor de umbral, el oscilador
interno se activa. Por medio de circuitos electrnicos, se
genera una corriente elctrica variable, la cual, dependiendo
del modelo, se puede usar como seal de corriente lineal o
como una salida binaria de tensin. Usando sensores
capacitivos se pueden controlar directamente, circuitos
electrnicos y autmatas programables, as como rels o
contactores. Los sensores capacitivos estn encapsulados en
carcasas sintticas o metlicas y rellenos de resina epoxi. Son,
adems, insensibles a la suciedad y los golpes.

V. TECNICAS OPTICAS

Una ilustracion del efecto piezo electric.La fuerza aplicada

resulta en la generacion de un voltaje cruzado de electrons

La siguiente table muestra algunas propiedades de varios

tipos de piezoelectricos materilaes. Y en la figura muestra la
grafica de un circuito electric de un piezoelectrico

Las tcnicas de sensores pticos se basan principalmente en

la modulacin de las propiedades de una onda
electromagntica de frecuencia ptica. En el caso de sensores
pticos, midiendo directamente las propiedades de la onda
electromagnticahe.En el caso de los sensores opticos cuales
utilizan interfaz ptica, el sensor miniaturizado interacta con
el mediciones cuidadosas. El microsenso entonces modula una
propiedad de la seal ptica a fin de proporcionar una
indicacin de la medicion mas excata.
Las siguientes propiedades del las ondas electromagneticas
puedes ser alteradas:
123456-

Intensidad
Fase
Longitud de onda
Posicion especial
Frecuencia
Polarizacion

A. Intensidad
La intensidad o cantidad de energa por unidad de rea y
unidad de tiempo que transmite una onda electromagntica es

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igual a:

GRAFICA

COMPORTAMIMENTO DE LAS ONDAS ELECTROMAGNETICAS Y SU EFECTO

POR POLARIZACION , LINEAL, CIRCULAR Y ELIPITCA

La potencia de una onda electromagntica es igual a la

intensidad por el rea de la seccin, trasversal a la onda.
La energa transmitida en un cierto intervalo temporal es igual
a la potencia por el tiempo. La intensidad luminosa se mide en
W/m2, la potencia en W y la energa en J.
B. Fase
Como el fotodetector no responden directamente a la fase de
variacin, es necesario convertir una variacin en la fase a una
variacin de la intensidad para la medicin en el fotodiodo.
Esto se consigue normalmente mediante el uso de un
interfermetro de combinar uno o ms haces pticos que han
interactuado con el microsensor con uno o ms haces pticos
que no son afectados por el microsensor
Una fuente coherente tal como un diodo lser est, por tanto,
utilizar tpicamente en fase-base deteccin ptica. la
interaccin con el microsensor tiene el efecto de alterar la
longitud del camino ptico del haz ptico y por lo tanto sus
fases
C. Longitud de onda
Frecuentemente, la perturbacin que se propaga dando lugar
al movimiento ondulatorio, se mide o por desplazamientos de
las partculas de un medio elstico o por variaciones de una
magnitud vectorial, como sucede en el caso de ondas EM.
En cualquiera de los casos puede suceder que los
desplazamientos de las partculas en torno a su posicin de
equilibrio, o las variaciones de la magnitud vectorial, tengan la
misma direccin que la propagacin, o direccin normal a la
de propagacin. Respectivamente, se habla de ondas
longitudinales y transversales. Las ondas sonoras, por
ejemplo, son longitudinales. Las ondas EM, en las que las
magnitudes caractersticas de la perturbacin son los campos
elctrico y magntico, son transversales. Los campos elctrico
y magntico son perpendiculares entre s y estn situados en
un plano normal a la direccin de propagacin,
D. Frecuencia
La frecuencia tiene una relacin inversa con el concepto de
longitud de onda (ver grfico), a mayor frecuencia menor
longitud de onda y viceversa. La frecuencia f es igual a la
velocidad v de la onda, dividido por la longitud de onda
(lambda):

Cuando las ondas viajan de un medio a otro, como por

ejemplo de aire a agua, la frecuencia de la onda se mantiene
constante, cambiando slo su longitud de onda y la velocidad.

Por el efecto Doppler, la frecuencia es una magnitud

invariable en el universo. Es decir, no se puede modificar por
ningn proceso fsico excepto por su velocidad de
propagacin o longitud de onda
E. Polarizacion
La polarizacin electromagntica es una propiedad de las
ondas que pueden oscilar con ms de una orientacin. Esto se
refiere normalmente a las llamadas ondas transversales, en
particular se suele hablar de las ondas electromagnticas,
aunque tambin se puede dar en otras ondas longitudinales.
Por otra parte, las ondas de sonido en un gas o lquido son
ondas exclusivamente longitudinales en la que la oscilacin va
siempre en la direccin de la onda; por lo que no se habla de
polarizacin en este tipo de ondas.
Vertical lines are optional in tables. Statements that serve as captions for
the entire table do not need footnote letters.
En auna
ondaunits
electromagntica,
campo
elctricoMx
y el=
Gaussian
are the same as tanto
cg emuelfor
magnetostatics;
maxwell, G
= gauss, Oe =son
oersted;
Wb = weber, pero
V = volt,ens = diferentes
second, T =
campo
magntico
oscilantes,
tesla, m = meter,
A = ampere,
J = joule, kg =entre
kilogram,
= henry.
direcciones;
ambas
perpendiculares
si yH perpendiculares

a la direccin de propagacin de la onda; por convencin, el

plano de polarizacin de la luz se refiere a la polarizacin del
campo elctrico

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VI. GUIDELINES FOR GRAPHICS PREPARATION

AND SUBMISSION
A. Types of Graphics
Un actuador es como un dispositivo que responde a las seales
elctricas dentro del sistema de transduccin de
Especficamente, un actuador mecnico es uno que traduce
una seal del dominio elctrico en el dominio mecnica. en el
caso ideal, nos gustara que la conversion fuera del 100% de
eficiencia. Por supuesto en nungun caso se logra esto en los
tipicos microactuadores siempre hay una deficiencia entre el
5% y el 35%.

En esta arquitectura software se presentas los protocolos y

estndares necesarios para plantear el sensor inteligente como
un Web Service. Con ello se pretende mejorar la integracin e
interoperatividad del sensor inteligente con otros sensores

VII. SENSORES INTELIGENTES

VIII. CONCLUSIONES

Segn el IEEE 1451.2 un transductor inteligente es aqul que

proporciona ms funciones de las necesarias para generar una
correcta representacin de la variable monitorizada, dichas
funcionalidades tpicamente estn orientadas a facilitar la
integracin del transductor con las aplicaciones del entorno de
red. La definicin que se aporta para el trmino sensor
inteligente es: La versin en sensor de un transductor
inteligente. Se desprende pues que un sensor inteligente
aade valor a los datos para dar soporte a la toma de
decisiones y al procesamiento distribuido. Los ambientes
inteligentes representan el nuevo paso en la evolucin en la
automatizacin de los sistemas industriales, domsticos, de
trasporte y de la construccin. Al igual que un organismo
sensitivo, un entorno inteligente confa en los datos sensoriales
obtenidos del mundo real. Los datos sensoriales provienen de
mltiples sensores, de mltiples propsitos distribuidos por
mltiples localizaciones. Los ambientes inteligentes necesitan
tanto la informacin del entorno que les rodea como la
informacin de su propio funcionamiento. En la figura 1 se
puede observar la estructura bsica de un sensor inalmbrico
inteligente.

Con esta informacion se pretende dar una visin de los

mecanismo de transduccion asi como de los sensores
inteligentes, indicando las partes de que constan,
caractersticas que deben tener estas partes y las funciones que
deben cumplir. Finalmente las comparaciones de sensores de
permiten, en un vistazo, conocer las caractersticas ms
importantes de cada uno. Por lo tanto pretende ser de gran
ayuda a todos aquellos que quieran iniciarse en los temas
relacionados.

APPENDIX
Appendixes, if needed, appear before the acknowledgment.
ACKNOWLEDGMENT
The preferred spelling of the word acknowledgment in
American English is without an e after the g. Use the
singular heading even if you have many acknowledgments.
Avoid expressions such as One of us (S.B.A.) would like to
thank ... . Instead, write F. A. Author thanks ... . In most
cases, sponsor and financial support acknowledgments are
placed in the unnumbered footnote on the first page, not here.

IX. PUBLICATION PRINCIPLES

Las claves de esta estructura son la capacidad de realizar
procesamientos gracias al microprocesador, la capacidad de
almacenar informacin en la memoria incorporada y la
incorporacin de un mdulo de transmisin inalmbrica de los
datos que permite captar la energa de la seal recibida para
alimentar al sensor. De este modo no se precisa ningn tipo de
infraestructura cableada que se conecte al sensor para que ste
sea funcional. Junto a esta estructura se plantea la arquitectura
software descrita en la figura 2.

The two types of contents of that are published are; 1) peerreviewed and 2) archival. The Transactions and Journals
Department publishes scholarly articles of archival value as
well as tutorial expositions and critical reviews of classical
subjects and topics of current interest.
Authors should consider the following points:
1) Technical papers submitted for publication must advance
the state of knowledge and must cite relevant prior work.
2) The length of a submitted paper should be commensurate
with the importance, or appropriate to the complexity, of
the work. For example, an obvious extension of

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previously published work might not be appropriate for
publication or might be adequately treated in just a few
pages.
3) Authors must convince both peer reviewers and the
editors of the scientific and technical merit of a paper; the
standards of proof are higher when extraordinary or
unexpected results are reported.
4) Because replication is required for scientific progress,
papers submitted for publication must provide sufficient
information to allow readers to perform similar
experiments or calculations and use the reported results.
Although not everything need be disclosed, a paper must
contain new, useable, and fully described information. For
example, a specimens chemical composition need not be
reported if the main purpose of a paper is to introduce a
new measurement technique. Authors should expect to be
challenged by reviewers if the results are not supported by
adequate data and critical details.
5) Papers that describe ongoing work or announce the latest
technical achievement, which are suitable for presentation
at a professional conference, may not be appropriate for
publication.

REFERENCIAS

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MECHANICAL TRANSDUCTION TECHINQUES CHAPTER 5

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